DE2914663C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2914663C2 DE2914663C2 DE2914663A DE2914663A DE2914663C2 DE 2914663 C2 DE2914663 C2 DE 2914663C2 DE 2914663 A DE2914663 A DE 2914663A DE 2914663 A DE2914663 A DE 2914663A DE 2914663 C2 DE2914663 C2 DE 2914663C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- basic composition
- dielectric constant
- khz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein keramisches Dielektrikum
hoher Dielektrizitätskonstante nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die meisten keramischen Dielektrika für Kondensatoren
mit einer Dielektrizitätskonstante enthalten als
Grundbestandteile solche mit einer perovskiten Struktur,
wie beispielsweise Bariumtitanat (BaTiO₃), Bariumstannat
(BaSnO₃) und Calciumtitanat (CaTiO₃). Abhängig
von den verschiedenen Anforderungen bei der Verwendung
des Dielektrikums in einem Kondensator wird ein zusätzliches
Element verwendet, um die Dielektrizitätskonstante
der keramischen Dielektrika zu erhöhen, welches ein Substitut
der Feststofflösung des Grundbestandteils bildet.
Mit dem Grundbestandteil vermischt sein kann eine Verbindung,
welche eine von einer perovskiten Struktur abweichende
Struktur aufweist, um die Dielektrizitätskonstante
der keramischen Dielektrika zu erhöhen. Bei
den meist gebrauchten Dielektrika wird die Dielektrizitätskonstante
wie vorstehend erwähnt erhöht. Bei einer
derartigen Erhöhung der Dielektrizitätskonstante kann
der Curiepunkt der Dielektrika eingestellt werden auf
einen Wert entsprechend der Raumtemperatur, um die Dielektrizitätskonstante
auf einen Maximalwert, von beispielsweise
4000 bis 20 000 zu bringen, was erreicht werden
kann durch ein Dielektrikum, welches einen speziellen
Grundbestandteil enthält. Die Temperaturabhängigkeit
der Dielektrizitätskonstante eines solchen Dielektrikums
wird jedoch bei Erhöhen der Dielektrizitätskonstante erhöht.
Wenn andererseits die Temperaturabhängigkeit der
Dielektrizitätskonstante vermindert wird, dann wird nachteiligerweise
der Maximalwert der Dielektrizitätskonstante
ebenfalls vermindert.
Geeignete Sintertemperaturen der zuvor erwähnten keramischen
Dielektrika liegen im allgemeinen zwischen 1200
und 1400°C. Demgemäß ist für das Sintern eine große
Wärmeenergie erforderlich. Infolge der hohen Sintertemperaturen
von 1200 bis 1400°C wird der Sinterofen stark
belastet und erodiert während des Sinterns. Dies führt
dazu, daß die Unterhaltskosten derartiger Sinteröfen
sehr hoch sind.
Der Wunsch nach kompakteren Keramikkondensatoren mit
einer verbesserten Kapazität und einer hohen Zuver
lässigkeit wird insbesondere von der Nachrichtentechnik
geäußert. Es finden bereits keramische Dünnfilmkondensatoren
von 0,1 bis 0,2 mm Dicke und keramische Laminarkondensatoren
Verwendung, welche aus einer Vielzahl übereinander
angeordneter Schichten bestehen, von denen jede
eine Dicke von etwa 50 µm oder weniger aufweist.
Zum Herstellen eines keramischen Laminarkondensators
muß der dielektrische Laminarkörper gesintert werden,
wenn die inneren Elektroden des Keramikkondensators bereits
im Laminarkörper eingesetzt sind. Da die Sintertemperaturen
konventioneller keramischer Dielektrika
über 1000°C liegt, müssen für die inneren Elektroden
Edelmetalle, wie beispielsweise Platin oder Palladium,
oder deren Legierungen verwendet werden, da nur diese
Metalle bei diesen Temperaturen im Bereich von 1300°C
den Beanspruchungen standhalten.
Der DE-OS 27 01 411 ist zu entnehmen, daß die Sintertemperatur
eines keramischen Dielektrikums mit einer
hohen Dielektrizitätskonstante vermindert werden kann
auf 1000°C oder weniger durch Verwendung einer Zusammensetzung
aus zwei Sinterprodukten, wie beispielsweise
Pb(Fe2/3W1/3) x O₃ und Pb(Fe1/2Nb1/2)1-x O₃. Da ein derartiger
keramischer Laminarkondensator bei einer Sintertemperatur
von weniger als 1000°C hergestellt werden
kann, ist es gemäß der DE-OS möglich, für die Elektroden
billigere Materialien, wie beispielsweise Silber, Nickel
und Aluminium zu verwenden. Es ist auf diese Weise möglich,
Kondensatoren preisgünstiger herzustellen.
Sintertemperaturen von weniger als 1000°C werden bei der vorgenannten
Mischung jedoch nur erreicht durch Beigabe weiterer Oxide, wie Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃,
Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃ und Pb(Mn1/3Sb2/3)O₃.
Die US-PS 36 66 665 beschreibt ein Dielektrikum, das eine Sintertemperatur
unter 950°C aufweist und das aus Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃, BiFeO₃, PbZrO₃ und LaFeO₃
besteht, wobei die drei letztgenannten Oxide unabdingbare Bestandteile
sind. Die Dielektrizitätskonstante, der dielektrische Verlustfaktor und
der Isolationswiderstand sind nicht angegeben.
Das Dielektrikum nach der DE-OS 25 07 395 besteht aus Pb(Mg1/3Ta2/3)O₃, PbTiO₃
und PbZrO₃, wobei anstelle von Mg auch Zn, Cd, Sn, Mn, Fe, Co oder Ni
treten kann. Die Sintertemperaturen liegen hierbei jedoch stets zwischen
1200 und 1300°C, so daß diese Sinterprodukte nicht für ein Dielektrikum
mit niederer Sintertemperatur geeignet erscheinen.
Es besteht die Aufgabe, ein Dielektrikum, das als Sinterprodukt Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃
enthält, in bezug auf eine hohe Dielektrizitätskonstante, einen niedrigen
dielektrischen Verlustfaktor und einen hohen Isolationswiderstand zu verbessern.
Gelöst wird diese Aufgabe mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches
1. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die nachfolgenden
dielektrischen Zusammensetzungen vorgeschlagen, von
denen jede ein Additiv zusätzlich zu den beiden Sinterprodukten
aufweisen.
- A. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung besteht aus einer Grundzusammensetzung von 60,72 bis 67,17% PbO, 3,26 bis 11,41% Fe₂O₃, 0,20 bis 2,56% MgO, 5,42 bis 19,00% Nb₂O₅ und 2,22 bis 28,04% Ta₂O₅. Alle diese Prozentangaben sind Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der Grundzusammensetzung. Weiterhin ist enthalten Pb(Mn2/3W1/3)O₃ in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung.
- B. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung weist eine Grundzusammensetzung entsprechend A auf. Weiterhin ist enthalten Pb(Mn1/2W1/2)O₃ in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung.
- C. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung besteht aus der Grundzusammensetzung nach A. Weiterhin ist enthalten Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃ in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsprozent der Grundzusammensetzung.
- D. Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum weist die Grundzusammensetzung nach A auf. Weiterhin ist enthalten MnO in einem Betrag von 0,001 bis 1,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile der keramischen Grundzusammensetzung.
- E. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung enthält die Grundzusammensetzung nach A. Weiterhin ist enthalten Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃ in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der keramischen Grundzusammensetzung.
- F. Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum besteht aus der Grundzusammensetzung nach A. Weiterhin ist enthalten Li₂O mit 0,01 bis 2,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gew.-% der Grundzusammensetzung.
- G. Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum ist aus der Grundzusammensetzung nach A hergestellt. Weiterhin ist enthalten mindestens ein Teil der Cr₂O₃ und CeO₂ enthaltenden Gruppe in einem Anteil von 0,05 bis 2,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsprozente der Grundzusammensetzung.
Die Eigenschaften und die Ausführungsbeispiele der keramischen
Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend erläutert.
Jedes keramische Dielektrikum mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
gemäß der vorliegenden Erfindung
kann gesintert werden bei einer niederen Temperatur im
Bereich von 800°C bis 1000°C. Beträgt der PbO Anteil
der Grundzusammensetzung mehr als 67,17 Gew.-%, dann
muß das Dielektrikum gesintert werden bei einer Temperatur
über 1000°C. Liegt andererseits der PbO Anteil
unterhalb von 60,72 Gew.-%, dann ist die Dielektrizitätskonstante
zu gering, um das keramische Dielektrikum
praktisch verwenden zu können. Die Sintertemperatur
wird erhöht, wenn der Fe₂O₃ Anteil über 11,41 Gew.-%
ansteigt. Andererseits nimmt die Dielektrizitätskonstante
ab, wenn der Fe₂O₃ Anteil unter 3,26 Gew.-% abnimmt.
Liegt der MgO Anteil über 2,56 Gew.-%, dann nimmt
die Dielektrizitätskonstante ab. Liegt dagegen der MgO
Anteil unter 0,20 Gew.-%, dann nimmt die Dielektrizitätskonstante
ab und der dielektrische Verlust (tan δ) zu.
Es hat sich weiterhin gezeigt, daß bei einem Ta₂O₅ Anteil
von über 28,04% die Dielektrizitätskonstante zu
gering wird, während die Dielektrizitätskonstante abnimmt,
wenn weniger als 2,22% Nb₂O₅ vorhanden sind. Hieraus ist
ersichtlich, daß sich eine hohe Dielektrizitätskonstante,
eine niedere Sintertemperatur und ein geringer dielektrischer
Verlustfaktor ergibt, wenn die Grundzusammensetzung
besteht aus 60,72 bis 67,17% PbO, 3,26 bis 11,41%
Fe₂O₃, 0,20 bis 2,56% MgO und 5,42 bis 19,00% Nb₂O₅
und 2,22 bis 28,04% Ta₂O₅. Diese Zusammensetzung
ergibt durch Sintern eine
Feststofflösung
mit 30 bis 95 mol%
Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃ und 5 bis 70 mol% Pb(Mg1/3Ta2/3)O₃.
Dieses keramische Dielektrikum kann gesintert werden
bei einer Temperatur von unter 1000°C. Die relative
Dielektrizitätskonstante (εs) welche
als Dielektrizitätskonstante
bezeichnet wird, liegt zwischen 5000 und 18 000, ist
also hoch. Der dielektrische Verlustfaktor tan δ bei
1 kHz liegt zwischen 1,0 und 3,6%, ist also gering.
Bei einer bevorzugten Zusammensetzung mit 64,0 bis
65,0% PbO, 6,9 bis 8,1% Fe₂O₃, 1,1 bis 1,6% MgO,
11,0 bis 14,0% Nb₂O₅ und 12,0 bis 16,0% Ta₂O₅ ist
der Isolationswiderstand größer als 10¹⁰ Ω und liegt
insbesondere bei mehr als 5×10¹⁰ Ω. Der Isolationswiderstand
bezieht sich auf den Widerstand eines Keramikkörpers
mit einer Dicke von näherungsweise 0,5 mm.
Dieser Widerstandswert wird gemessen bei 20°C, wenn ein
dielektrischer Strom von 500 Volt an den Keramikkörper
angelegt wird.
Durch Beigabe bestimmter Mengen von Additiven, wie beispielsweise
Pb(Mn1/3W1/3)O₃, Pb(Mn1/2W1/2)O₃,
Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃, MnO, Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃, Li₂O, Cr₂O₃
und CeO₂ zur Grundzusammensetzung kann der dielektrische
Verlustfaktor und der Isolationswiderstand vermindert
werden auf einen Wert unterhalb desjenigen der Grundzusammensetzung.
Wenn der Anteil dieser Additive den
Maximalbetrag übersteigt, wie er bei der Beschreibung
der modifizierten keramischen Dielektrika erwähnt ist,
dann wird die Dielektrizitätskonstante εs nachteilig
vermindert und der dielektrische Verlustfaktor tan δ
und der Isolationswiderstand werden beide vermindert auf
einen Wert unter demjenigen, wie er für ein keramisches
Dielektrikum brauchbar ist.
Es hat sich gezeigt, daß die Zugabe der vorgenannten
Additive einen Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften
wie εs und tan δ des keramischen Dielektrikums
hat. Es hat sich gezeigt, daß die Zugabe von Li₂O in
einer Menge, größer als vorstehend angegeben, zu einem
Anwachsen der Sintertemperatur führt.
Eine modifizierte keramische Zusammensetzung mit Pb(Mn2/3W1/3)O₃
kan gesintert werden bei einer Temperatur
unter 1000°C, wobei dieses Dielektrikum eine Dielektrizitätskonstante
von es von näherungsweise 5100
bis 18 100, einen dielektrischen Verlustfaktor tan δ
bei 1 kHz von 0,3 bis 2,0% und einen Isolationswiderstand
von 1×10⁹ bis 6×10¹¹ Ω aufweist. Der Anteil
des Additivs liegt vorzugsweise zwischen 0,5 und 5,0 Gew.-%
und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise
aus 64,53 bis 67,17% PbO, 8,08 bis 11,41%
Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00% Nb₂O₅, 0,20 bis 1,16% MgO
und 2,22 bis 12,78% Ta₂O₃. Bevorzugt liegen vor 64,53
bis 65% PbO, 8,08 bis 9% Fe₂O₃, 13,45 bis 14% Nb₂O₃
1 bis 1,16% MgO und 12 bis 12,78% Ta₂O₅. Liegt die
Grundzusammensetzung in den vorerwähnten bevorzugten
Grenzen, dann ist die Dielektrizitätskonstante größer
als 15 000, der dielektrische Verlustfaktor tan δ bei
1 kHz geringer als 1,0% und der Isolationswiderstand
liegt bei 4×10¹¹ Ω oder mehr.
Bei einem weiteren modifizierten keramischen Dielektrikum
mit Pb(Mn1/2W1/2)O₃ liegt die Sintertemperatur unter
1000°C, die Dielektrizitätskonstante εs liegt näherungsweise
zwischen 5100 und 18 700, der dielektrische Verlustfaktor
tan δ liegt zwischen 0,2 und 2,0% und der
Isolationswiderstand hat einen Wert von 4×10⁸ Ω
oder mehr. Der Additivanteil liegt zwischen
0,05 und 5,0 Gew.-% und die Grundzusammensetzung besteht
vorzugsweise aus 64,53 bis 67,17% PbO, 8,08 bis
11,41% Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00% Nb₂O₅, 0,20 bis 1,16%
MgO und 2,22 bis 12,78% Ta₂O₅. Liegt der Additivanteil
und die Grundzusammensetzung in den vorgenannten
bevorzugten Bereichen, dann ist der dielektrische Verlustfaktor
tan δ bei 1 kHz maximal 1,4%, während die
Dielektrizitätskonstante mehr als 10 000 beträgt. Bei
einer Grundzusammensetzung von 64 bis 65% PbO, 8,08
bis 9% Fe₂O₃, 13,45 bis 14% Nb₂O₅, 1,16 bis 2,22%
MgO und 12,78 bis 13% Ta₂O₅ ist die Dielektrizitätskonstante
mehr als 16 000.
Eine weitere modifizierte keramische Zusammensetzung
mit Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃ weist eine Sintertemperatur von
unter 100°C, eine Dielektrizitätskonstante εs von
näherungsweise 4900 bis 17 600, einen dielektrischen Verlustfaktor
tan δ bei 1 kHz von 0,3 bis 2,1% und einen
Isolationswiderstand von 3×10⁹ bis 8×10¹¹ Ω auf.
Der Additivanteil beträgt vorzugsweise 0,5 bis 5,0 Gewichtsteile
und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise
aus 64,53 bis 67,17 Gew.-% PbO, 8,08 bis 11,41 Gew.-%
Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00 Gew.-% Nb₂O₅, 0,20 bis
1,16 Gew.-% MgO und 2,22 bis 12,78 Gew.-% Ta₂O₅. Insbesondere
soll die Grundzusammensetzung bestehen aus
64,53 bis 65 Gew.-% PbO, 8,08 bis 9 Gew.-% Fe₂O₃,
13,45 bis 14 Gew.-% Nb₂O₅, 1 bis 1,16 Gew.-% MgO und
12 bis 12,78 Gew.-% Ta₂O₅. Liegt die Grundzusammensetzung
in diesen zuvor erwähnten Grenzen, dann liegt
die Dielektrizitätskonstante bei mehr als 16 000 und
der dielektrische Verlust tan δ bei 1 kHz ist 1,2%
oder weniger.
Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum mit MnO hat
eine Sintertemperatur von weniger als 1000°C, eine
Dielektrizitätskonstante εs von näherungsweise 7700
bis 14 000, einen dielektrischen Verlustfaktor tan δ
bei 1 kHz von 0,5 bis 2,0%, einen Isolationswiderstand
von 9×10⁹ bis 7×10¹⁰ Ω. Der Additivanteil beträgt
0,001 bis 0,1 Gewichtsteile. Die
Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64,45
65,56% PbO, 6,92 bis 9,83% Fe₂O₃, 11,51 bis
15,62% Nb₂O₅, 0,79 bis 1,55% MgO und 8,66 bis
15,57% Ta₂O₅. Liegt der Additivanteil innerhalb der
vorgenannten bevorzugten Grenzen, dann beträgt der dielektrische
Verlust tan δ bei 1 kHz 1,2% oder weniger,
der Isolationswiderstand von 4×10¹⁰ Ω oder mehr und
die Dielektrizitätskonstante εs ist größer als etwa
12 000. Die Grundzusammensetzung besteht insbesondere
bevorzugt aus 64 bis 65,56 Gew.-% PbO, 8 bis 9,83 Gew.-%
Fe₂O₃, 13 bis 14 Gew.-% Nb₂O₅, 1 bis 1,55 Gew.-%
MgO und 12 bis 13 Gew.-% Ta₂O₅. Liegt die Grundzusammensetzung
innerhalb der vorgenannten Grenzen, dann ist die
Dielektrizitätskonstante εs näherungsweise 17 000 und
der dielektrische Verlust tan δ bei 1 kHz beträgt 0,9%
oder weniger.
Bei einem modifizierten Dielektrikum mit Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃
weist eine Sintertemperatur von weniger als 1000°C auf.
die Dielektrizitätskonstante εs beträgt näherungsweise
4950 bis 17 700, der dielektrische Verlustfaktor tan δ
bei 1 kHz liegt zwischen 0,1 und 2,2% und der Isolationswiderstand
weist Werte von 4×10⁹ bis 4×10¹¹ Ω
auf. Die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus
64 bis 65 Gew.-% PbO, 8 bis 9 Gew.-% Fe₂O₃, 13 bis 14 Gew.-%
Nb₂O₅, 1 bis 2 Gew.-% MgO und 12 bis 13 Gew.-%
Ta₂O₅. Liegt die Grundzusammensetzung innerhalb dieser
Grenzen, dann ist der dielektrische Verlust tan δ bei
1 kHz 1,4% oder weniger, der Isolationswiderstand
7×10⁹ Ω oder mehr und die Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 16 000 oder mehr.
Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum mit Li₂O
hat eine Sintertemperatur von 800 bis 950°C, eine
Dielektrizitätskonstante εs von 5600 bis 17 400 und einen
dielektrischen Verlustfaktor tan δ bei 1 kHz von 0,5
bis 1,2%. Der Additivanteil beträgt vorzugsweise 0,01
bis 0,5 Gew.-% und die Grundzusammensetzung besteht
vorzugsweise aus 64 bis 65% PbO, 8 bis 9% Fe₂O₃,
13 bis 14% Nb₂O₅ und 1 bis 2% MgO. Liegt der Additivanteil
und die Grundzusammensetzung innerhalb der
vorgenannten Grenzen, dann beträgt der dielektrische
Verlust tan δ bei 1 kHz 1,2% oder weniger und die Dielektrizitätskonstante
εs ist näherungsweise 10 000
oder mehr.
Bei einer modifizierten Zusammensetzung mit Cr₂O₃ und/oder
CeO₂ ist die Sintertemperatur unter 1000°C, die Dielektrizitätskonstante
εs liegt näherungsweise zwischen
5000 und 10 300, der dielektrische Verlustfaktor tan δ
bei 1 KHz ist 0,7 bis 2,4% und der Isolationswiderstand
liegt zwischen 2×10⁸und 4×10¹⁰ Ω. Der Anteil der Additive
liegt zwischen 0,05 und 2 Gew.-%. Die
Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 67 bis 68%
PbO, 11 bis 12% Fe₂O₃, 18 bis 19% Nb₂O₅ und 0,2 bis
1,0% MgO. Liegt der Additivanteil innerhalb der vorgenannten
Grenzen, dann ist die Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 10 000.
Die keramische Zusammensetzungen gemäß der vorliegenden
Erfindung weist einen hohen Isolationswiderstand auf
und kann deshalb zur Herstellung hochspannungsfester
Kondensatoren verwendet werden. Das keramische Material
kann weiterhin in den Kondensatoren als Dünnfilm mit
einer Dicke von 30 bis 40 µm verwendet werden. Der
hohe Isolationswiderstand ist nützlich bei der Lösung
des Problems der Elektromigration, welche eine Verschlechterung
der Eigenschaften eines Kondensators
bewirken kann, indem Ionen des keramischen Materials
unter der Wirkung einer angelegten Spannung von der
Kondensatorelektrode ins keramische Material wandern.
Eine für Kondensatoren wesentliche Eigenschaft ist
eine gewünschte geringe Abhängigkeit der Dielektrizitätskonstante
von der Temperatur. Die Dielektrizitätskonstante
der Grundzusammensetzung nimmt um nicht mehr
als näherungsweise 60% ab, wenn die Temperatur von der
Raumtemperatur auf -25°C erniedrigt wird. Die Dielektrizitätskonstante
wird erhöht oder vermindert, wenn
die Temperatur von Raumtemperatur auf 85°C erhöht
wird, wobei die Veränderung nicht größer als näherungsweise
70% ist. Die Gesamtveränderung bei der oben er
wähnten Temperaturzu- und abnahme übersteigt nicht
näherungsweise 130% und liegt vorzugsweise bei 100%.
Durch die Zugabe von Mangan enthaltenen Additiven kann
dieser Bereich weiter vermindert werden, d. h., die
Temperaturabhängigkeit wird stabilisiert.
Eine wesentliche Eigenschaft bei keramischen Materialien,
welche PbO enthalten, besteht in der Verhinderung des
Verdampfens von PbO während des Sinterns. Dieser Effekt
kann verhindert werden durch Zugabe von Mangan enthaltenden
Additiven, welche somit zur Stabilisierung
des Sinterprozesses beitragen.
Die keramischen Materialien gemäß der vorliegenden Erfindung
können wie nachfolgend beschrieben hergestellt
werden. Fein verteilte Teilchen oder Pulver der entsprechenden
Metalloxyde werden unter Verwendung einer
Kugelmühle miteinander vermischt. Danach wird dem
Pulver ein Binder zugefügt und das Pulver wird beispielsweise
in Scheibenform vorgepreßt. Die Scheiben
werden gesintert bei einer Temperatur von 800 bis
1000°C über eine Dauer von 1 bis 2 Stunden. Die
Sinterung erfolgt in einem Magnesia-Keramikkessel. Jede
Scheibe wird mit Silber, Nickel oder Aluminiumelektroden
platiert. Anstelle der Metalloxyde können auch
Metallcarbonate verwendet werden.
Gemäß einem Beispiel werden Bleioxyd PbO, Magnesiumoxyd
MgO, Eisenoxyd Fe₂O₃, Nioboxyd Nb₂O₃, Tantaloxyd
Ta₂O₅, Manganoxyd MnO, Wolframoxyd WO₃, Lithiumoxyd
Li₂O, Chromoxyd Cr₂O₃ und Ceriumoxyd CeO₂ in Pulverform
und in einer Menge vermischt, so daß sich eine keramische
Zusammensetzung ergibt, wie in Tabelle 1 gezeigt.
Diese Oxydmischung dient als Rohmaterial für das keramische
Material und wird vermischt in einer Schüssel
mit einem organischen Harz unter feuchten Bedingungen,
danach vorgesintert in einem Temperaturbereich von 700
bis 850°C über eine Dauer von 2 Stunden. Zwischen den
Pulvern tritt folglich eine chemische Reaktion auf. Das
gesinterte Pulver, dessen Bestandteile miteinander reagiert
haben, wird zerkleinert in feine Teilchen mit
einem Durchmesser von einigen µm und diese Teilchen
werden abermals miteinander vermischt, so daß
eine Pudermischung erhalten wird. Ein bestimmter Anteil
eines Binders aus Polyvinylalkohol wird dem Pulver
hinzugefügt und diese Mischung sodann zu Tabletten
verpreßt und zwar mit einem Druck von 3 MN/m²,
wobei die Tabletten einen Durchmesser von 16,5 mm
und eine Dicke von 0,6 mm aufwiesen. Diese Tabletten
wurden unter Luftabschluß in einem Ofen gesintert,
wobei verhindert wurde, daß die Bleikomponente von den
Tabletten abdampft. Die Endsinterung wurde 2 Stunden
lang durchgeführt. Danach wurden Silberelektroden auf
jede Seite der Tabletten aufgebracht. Diese Keramikkörper
mit den beiden Elektroden wurden bezüglich ihrer
elektrischen Eigenschaften vermessen, d. h., bezüglich
der Dielektrizitätskonstante εs bei 1 kHz und 20°C,
des dielektrischen Verlustfaktors tan δ bei 1 kHz und
20°C und 85°C und des Isolationswiderstandes IR. Die
Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante εs
bei 1 kHz wurde bei einigen Proben gemessen bei +85°C
auf der Basis der Raumtemperatur von 20°C als Standardwert.
Die gemessenen Resultate sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
Die mit einem Sternchen versehenen Beispiele
sind Kontrollproben.
Die Sintertemperaturen der Proben 1 bis 8 und die
Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante
ist in Tabelle 2 gezeigt.
Die Sintertemperaturen der Proben No. 87 bis 100
sind in Tabelle 3 gezeigt.
Die Sintertemperatur der anderen, nicht in den Tabellen 2
und 3 erwähnten Proben sind nachfolgend angegeben.
Die Sintertemperatur der Kontrollproben betrug
1000°C. Die Sintertemperatur der Proben gemäß
der Erfindung mit Pb(Mn1/2W1/3)O₃ und Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃,
Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃, Pb(Mn2/3W1/3)O₃, Li₂O, MnO, Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃,
Cr₂O₃ und CeO₂ lag im Bereich zwischen
850 und 950°C.
Die Proben mit der Zusammensetzung nach Probe 5 und
eine Kontrollprobe mit 63,63 mol% Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃ -
35,82 mol% Pb(Fe2/3W1/3)O₃ - 0,5 Gew.-%
Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃ wurden gesintert bei 900, 950, 1000
und 1080°C. Der Isolationswiderstand dieser Proben
wurde gemessen. Die Meßresultate sind in Tabelle 4
wiedergegeben.
Der Isolationswiderstand der Probe 5 und der oben erwähnten
Kontrollproben wurde gemessen bei 20, 40, 60,
80 und 100°C. Die Meßergebnisse sind in Tabelle 5 angegeben.
Die Sintertemperatur lag bei 950°C.
Claims (20)
1. Kermamisches Dielektrikum hoher Dielektrizitätskonstante,
das als Sinterprodukt Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃ enthält, das aus
einer PbO₃, Fe₂O₃ und Nb₂O₃ und Nb₂O₅ enthaltenden Grundzusammensetzung
hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung aus 60,72% bis 67,17%
PbO, 3,26% bis 11,41% Fe₂O₃, 5,42% bis 19,00% Nb₂O₅
und zusätzlich aus 0,20% bis 2,56% MgO sowie 2,22%
bis 28,04% Ta₂O₅ besteht, wobei die Prozentangaben sich
auf das Gesamtgewicht der Grundzusammensetzung beziehen,
somit als weiteres Sinterprodukt Pb(Mg1/3Ta2/3)O₃ vorhanden
ist und das Dielektrikum eine Dielektrizitätskonstante
von 5 000 bis 18 000, einen dielektrischen Verlustfaktor
(tan δ bis 1 kHz) von 1,0% bis 3,6% und einen Isolationswiderstand
von mehr als 10⁹ Ω aufweist.
2. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,0 bis 65,0% PbO, 6,9 bis 8,1% Fe₂O₃, 1,1 bis 1,6%
MgO, 11,0 bis 14,0% Nb₂O₅ und 12,0 bis 16,0% Ta₂O₅.
3. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin enthält Pb(Mn2/3W1/3)O₃
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen
auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung, und daß
es eine Dielektrizitätskonstante von näherungsweise 5 100
bis 18 000, einen dielektrischen Verlustfaktor (tan δ bei
1 kHz) von 0,3 bis 2,0% und einen Isolationswiderstand
von bis 6×10¹¹ Ω aufweist.
4. Dielektrikum nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil Pb(Mn2/3W1/3)O₃ zwischen
0,5 und 5,0 Gew.-% liegt und die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,53 bis 67,17% PbO, 8,08 bis 11,41%
Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00% Nb₂O₅, 0,20 bis 1,16% MgO,
und 2,22 bis 12,78% Ta₂O₅.
5. Dielektrikum nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,53 bis 65% PbO, 8,08 bis 9% Fe₂O₃, 13,45
bis 14% Nb₂O₅, 1 bis 1,16% MgO und 12 bis 12,78%
Ta₂O₃, wobei diese keramische Zusammensetzung eine
Dielektrizitätskonstante von mehr als 15 000, einen
dielektrischen Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz) von weniger
als näherungsweise 1,0% und einen Isolationswiderstand
von nicht weniger als 4×10¹¹ Ω aufweist.
6. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin Pb(Mn1/2W1/2)O₃
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen
auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung,
enthält, und daß seine Dielektrizitätskonstante εs
zwischen näherungsweise 5 100 und 18 700 liegt und
der dielektrische Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz) zwischen
0,2 und 2,0% beträgt.
7. Dielektrikum nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil Pb(Mn1/2W1/2)O₃ zwischen
0,05 und 5,0 Gew.-% liegt und die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,53 bis 67,17% PbO, 8,08 bis 11,41%
Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00% Nb₂O₅, 0,20 bis 1,16% MgO und
2,22 bis 12,78% Ta₂O₅, wobei das Keramikmaterial einen
dielektrischen Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz) von 1,4%
oder weniger und eine Dielektrizitätskonstante von
mehr als 10 000 aufweist.
8. Dielektrikum nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,53 bis 65,0% PbO, 8,08 bis 9,0% Fe₂O₃, 13,45
bis 14,0% Nb₂O₅, 1,16 bis 2,0% MgO, und 12,78 bis
13% Ta₂O₅, wobei dieses Keramikmaterial eine Dielektrizitätskonstante
von mehr als 16 000 aufweist.
9. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen
auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung, enthält,
und daß dessen Dielektrizitätskonstante näherungsweise
4 900 bis 17 600 beträgt, der dielektrische Verlustfaktor
(tan δ bei 1 kHz) zwischen 0,12 und 2,1%
liegt und der Isolationswiderstand 3×10⁹ bis 8×10¹¹ Ω ist.
10. Dielektrikum nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil Pb(Mn1/3Nb2/3)O₃ zwischen
0,5 bis 5,0 Gewichtsteilen beträgt und die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,53 bis 67,17 Gew.-% PbO, 8,08
bis 11,41 Gew.-% Fe₂O₃, 13,45 bis 19,00 Gew.-% Nb₂O₅,
0,20 bis 1,16 Gew.-% MgO und 2,22 bis 12,78 Gew.-% Ta₂O₅.
11. Dielektrikum nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,53 bis 65 Gew.-% PbO, 8,08 bis 9,0 Gew.-% Fe₂O₃,
13,45 bis 14 Gew.-% Nb₂O₅, 1 bis 1,16 Gew.-% MgO und 12,00 bis
12,78 Gew.-% Ta₂O₅, wobei die keramische Zusammensetzung
eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 16 000 und
einen dielektrischen Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz)
von 1,2% oder weniger aufweist.
12. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin MnO in einem Anteil
von 0,001 bis 1,0 Gewichtsteilen, basierend auf 100 Gewichtsteilen
der Grundzusammensetzung, enthält, und
daß es eine Dielektrizitätskonstante von näherungsweise
7 700 bis 14 400, einen dielektrischen Verlustfaktor
(tan δ bei 1 kHz) von 0,5 bis 2,0% und einen
Isolationswiderstand von 9 10⁹ bis 7 10¹⁰ Ω aufweist.
13. Dielektrikum nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß der MnO-Anteil zwischen 0,001
und 0,1 Gewichtsteilen liegt und die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,45 bis 65,56% PbO, 6,92 bis
9,83% Fe₂O₃, 11,51 bis 15,62% Nb₂O₅, 0,79 bis 1,55%
MgO und 8,66 bis 15,57% Ta₂O₅, wobei diese keramische
Zusammensetzung eine Dielektrizitätskonstante von mehr
als 12 000, einen dielektrischen Verlustfaktor (tan δ
bei 1 kHz) von 1,2% oder weniger und einen Isolationswiderstand
von 4×10¹⁰ Ω oder mehr aufweist.
14. Dielektrikum nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64 bis 65,56 Gew.-% PbO, 8 bis 9,83 Gew.-% Fe₂O₃,
13 bis 14 Gew.-% Nb₂O₅, 1 bis 1,55 Gew.-% MgO und 12
bis 13 Gew.-% Ta₂O₅, wobei diese keramische Zusammensetzung
eine Dielektrizitätskonstante von näherungsweise
17 000 und einen dielektrischen Verlustfaktor
(tan δ bei 1 kHz) von 0,9% oder weniger aufweist.
15. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin Pb(Mn1/3Ta2/3)O₃
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, basierend
auf 100 Gewichtsteilen der Grundzusammensetzung,
enthält, und daß die Dielektrizitätskonstante bis 17,700,
der dielektrische Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz)
zwischen 0,1 und 2,2% und der Isolationswiderstand bis
4×10¹¹ Ω beträgt.
16. Dielektrikum nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,0 bis 65,0 Gew.-% PbO, 8,0 bis 9,0 Gew.-% Fe₂O₃,
13,0 bis 14,0 Gew.-% Nb₂O₅, 1,0 bis 2,0 Gew.-% MgO und
12,0 bis 13,0 Gew.-% Ta₂O₅, wobei diese keramische Zusammensetzung
einen dielektrischen Verlustfaktor (tan δ
bei 1 kHz) von 1,4% oder weniger und eine Dielektrizitätskonstante
von näherungsweise 16 000 oder mehr aufweist.
17. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin Li₂O in einem Anteil
von 0,01 bis 2,0 Gewichtsteilen, basierend auf 100 Gewichtsteilen
der Grundzusammensetzung, enthält, und
daß die Dielektrizitätskonstante zwischen 5 600 und
17 400 und der dielektrische Verlustfaktor (tan δ bei
1 kHz) zwischen 0,5 bis 1,2% liegt.
18. Dielektrikum nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
daß der Li₂O-Anteil zwischen 0,01
und 0,5 Gew.-% liegt, die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,0 bis 65,0% PbO, 8,0 bis 9,0% Fe₂O₃, 13,0
bis 14,0% Nb₂O₅ und 1,0 bis 2,0% MgO, wobei der dielektrische
Verlustfaktor (tan δ bei 1 kHz) 1,2% oder
weniger und die Dielektrizitätskonstante näherungsweise
10 000 oder mehr beträgt.
19. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es mindestens einen Anteil der
aus Cr₂O₃ und CeO₂ bestehenden Gruppe in einem Anteil
von 0,05 bis 2,0 Gewichtsteilen, basierend auf 100 Gewichtsteilen
der Grundzusammensetzung, enthält, und
daß die Dielektrizitätskonstante zwischen näherungsweise
5 000 und 10 300, der dielektrische Verlustfaktor
(tan δ bei 1 kHz) zwischen 0,7 und 2,4% und der Isolationswiderstand
von 4×10¹⁰ Ω beträgt.
20. Dielektrikum nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil von Cr₂O₃ und/oder
CeO₂ zwischen 0,05 und 2,0 Gewichtsteilen liegt, die
Grundzusammensetzung besteht aus 67,0 bis 68,0% PbO,
11,0 bis 12,0% Fe₂O₃, 18,0 bis 19,0% Nb₂O₅ und 0,20
bis 1,0% MgO und die Dielektrizitätskonstante näherungsweise
10 000 ist.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4356078A JPS54135808A (en) | 1978-04-13 | 1978-04-13 | High dielectric ceramic composition |
JP4843278A JPS54139910A (en) | 1978-04-24 | 1978-04-24 | High dielectric ceramic composition |
JP4843378A JPS54139911A (en) | 1978-04-24 | 1978-04-24 | High dielectric ceramic composition |
JP5393178A JPS54145721A (en) | 1978-05-06 | 1978-05-06 | High permittivity ceramic composition |
JP5393278A JPS54145722A (en) | 1978-05-06 | 1978-05-06 | High permittivity ceramic composition |
JP6804078A JPS54158700A (en) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | High dielectric constant ceramic compound |
JP7450178A JPS551042A (en) | 1978-06-20 | 1978-06-20 | High dielectric porcelain composition |
JP8065078A JPS557575A (en) | 1978-07-03 | 1978-07-03 | High permittivity ceramic composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2914663A1 DE2914663A1 (de) | 1979-10-25 |
DE2914663C2 true DE2914663C2 (de) | 1989-02-09 |
Family
ID=27572303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792914663 Granted DE2914663A1 (de) | 1978-04-13 | 1979-04-11 | Keramisches dielektrikum mit hoher dielektrizitaetskonstante |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4216103A (de) |
DE (1) | DE2914663A1 (de) |
GB (1) | GB2018740B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3382208D1 (de) * | 1982-12-15 | 1991-04-18 | Nec Corp | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
JPS628512A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品 |
JPS62290009A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
DE69202828T2 (de) * | 1991-07-16 | 1996-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Keramische dielektrische Zusammensetzung. |
EP0625492A1 (de) * | 1993-05-20 | 1994-11-23 | TDK Corporation | Dielektrischer keramischer Werkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2805165A (en) * | 1955-04-25 | 1957-09-03 | Gen Electric | Ceramic composition |
US3116262A (en) * | 1961-05-19 | 1963-12-31 | Gen Electric | Ceramic composition |
US3464785A (en) * | 1965-12-14 | 1969-09-02 | United Aircraft Corp | Process for producing ordered complex perovskite-type crystals with high dielectric constants |
US3600652A (en) * | 1969-01-24 | 1971-08-17 | Allen Bradley Co | Electrical capacitor |
US3666665A (en) * | 1970-12-14 | 1972-05-30 | Ibm | Composition of ferroelectric matter |
JPS5528437B2 (de) * | 1974-02-20 | 1980-07-28 | ||
US4078938A (en) * | 1976-01-16 | 1978-03-14 | Nippon Electric Company, Ltd. | Ceramic compositions having high dielectric constant |
-
1979
- 1979-04-06 US US06/027,834 patent/US4216103A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-11 DE DE19792914663 patent/DE2914663A1/de active Granted
- 1979-04-11 GB GB7912808A patent/GB2018740B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2018740A (en) | 1979-10-24 |
US4216103A (en) | 1980-08-05 |
DE2914663A1 (de) | 1979-10-25 |
GB2018740B (en) | 1982-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2943812C2 (de) | ||
DE2915409C2 (de) | ||
DE69516045T2 (de) | Keramischer Mehrschichtkondensator und Herstellungsverfahren | |
DE69611642T2 (de) | Zinkoxidkeramik, Verfahren zu deren Herstellung und Zinkoxidvaristoren | |
DE3800198A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer nicht-reduzierbaren dielektrischen keramischen zusammensetzung | |
DE68923781T2 (de) | Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante und keramische Kondensatorelemente. | |
DE69601822T2 (de) | Nichtreduzierte, dielektrische, keramische Zusammensetzungen | |
DE2914130C2 (de) | ||
DE68911774T2 (de) | Keramik-Halbleiter. | |
DE2549891C3 (de) | Zusammensetzung eines keramischen Dielektrikums | |
DE69025923T4 (de) | Keramische zusammensetzung und elektronisches teil daraus | |
EP0106401B1 (de) | Keramisches Dielektrikum auf Basis von Wismut enthaltendem BaTi03 | |
DE2608653C3 (de) | Keramisches Dielektrikum | |
DE2914663C2 (de) | ||
DE3321913A1 (de) | Dielektrische keramische masse | |
DE2824870C2 (de) | ||
DE69707247T2 (de) | Keramischer vielschichtkondensator | |
DE69701209T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE69607119T2 (de) | Piezoelektrische keramische Zusammensetzung | |
DE2752150A1 (de) | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE4005507A1 (de) | Dielektrische keramische zusammensetzung | |
DE3541517C2 (de) | ||
DE3730821C2 (de) | Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante | |
DE3206502C2 (de) | ||
DE2930515C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TDK CORPORATION, TOKYO, JP |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C04B 35/00 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |