DE2914663A1 - Keramisches dielektrikum mit hoher dielektrizitaetskonstante - Google Patents
Keramisches dielektrikum mit hoher dielektrizitaetskonstanteInfo
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Description
Keramisches Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante
Die vorliegende Erfindung betrifft ein keramisches Dielektrikum mit einer hohen Dielektrizitätskonstante und
einer guten Temperaturkompensation, insbesondere ein keramisches Dielektrikum, welches bei relativ niederen
Temperaturen gesintert wird, eine hohe Dielektrizitätskonstante
aufweist, dessen dielektrischer Verlustfaktor vermindert ist, dessen Eigenschaften sich mit der Temperatur
nur wenig verändern und welches einen erhöhten Isolationswiderstand aufweist. Ein derartiges keramisches
Dielektrikum ist besonders geeignet für Kondensatoren hoher Dielektrizitätskonstante mit einer großen Kapazität,
wie beispielsweise Laminarkondensatoren.
Die meisten keramischen Dielektrika für Kondensatoren mit einer hohen Dielektrizitätskonstante enthalten als
Grundbestandteile solche mit einer perovskiten Struktur, wie beispielsweise Bariumtitanat (BaTiO3), Bariumstannat
(BaSn(K) und CaIeiumtitanat (CaTiO3). Abhängig
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von den verschiedenen Anforderungen bei der Verwendung
des Dielektrikums in einem Kondensator wird ein zusätzliches Element verwendet, um die Dielektrizitätskonstante
der keramischen Dielektrika zu erhöhen, welches ein Substitut der Feststoff lösung des Grundbestandteils bildet.
Mit dem Grundbestandteil vermischt sein kann eine Verbindung,
welche eine von einer perovskiten Struktur abweichende Struktur aufweist, um die Dielektrizitätskonstante
der keramischen Dielektrika zu erhöhen. Bei den meist gebrauchten Dielektrika wird die Dielektrizitätskonstante
wie vorstehend erwähnt erhöht. Bei einer derartigen Erhöhung der Dielektrizitätskonstante kann
der Curiepunkt der Dielektrika eingestellt werden auf einen Wert entsprechend der Raumtemperatur, um die Dielektrizitätskonstante
auf einen Maximalwert, von beispielsweise 4000 bis 20000 zu bringen, was erreicht werden
kann durch ein Dielektrikum, welches einen speziellen Grundbestandteil enthält. Die Temperaturabhängigkeit
der Dielektrizitätskonstante eines solchen Dielektrikums wird jedoch bei Erhöhen der Dielektrizitätskonstante erhöht.
Wenn andererseits die Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante vermindert wird, dann wird nachteiligerweise
der Maximalwert der Dielektrizitätskonstante ebenfalls vermindert.
Geeignete Sintertemperaturen der zuvor erwähnten keramischen Dielektrika liegen im allgemeinen zwischen 1200
und 14000C. Demgemäß ist für das Sintern eine große Wärmeenergie erforderlich. Infolge der hohen Sintertemperaturen
von 1200 bis 14000C wird der Sinterofen stark belastet und erodiert während des Sinterns. Dies führt
dazu, daß die Unterhaltskosten derartiger Sinterofen
sehr hoch sind.
Der Wunsch nach kompakteren Keramikkondensatoren mit einer verbesserten Kapazität und einer hohen Zuver-
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lässigkeit wird insbesondere von der Nachrichtentechnik
•geäußert. Es finden bereits keramische Dünnfilmkondensatoren
von 0,1 bis 0,2 mm Dicke und keramische Laminarkondensatoren Verwendung, welche aus einer Vielzahl übereinander
angeordneter Schichten bestehen, von denen jede eine Dicke von etwa 50 micron oder weniger aufweist.
Zum Herstellen eines keramischen Laminarkondensators muß der dielektrische Laminarkörper gesintert werden,
wenn die inneren Elektroden des Keramikkondensators bereits im Laminarkörper eingesetzt sind. Da die Sintertemperaturen
konventioneller keramischer Dielektrika über 10000C liegt, müssen für die inneren Elektroden
Edelmetalle, wie beispielsweise Platin oder Palladium,
oder deren Legierungen verwendet werden, da nur diese Metalle bei diesen Temperaturen im Bereich von l?00°C
den Beanspruchungen standhalten.
Der DE-OS 27 01 411 ist zu entnehmen, daß die Sintertemperatur eines keramischen Dielektrikums mit einer
hohen Dielektrizitätskonstante vermindert werden kann auf 10000C oder weniger durch Verwendung einer Zusammensetzung
aus zwei Komponenten, wie beispielsweise
und Pb(Fe 1/2 Nbi/2) l-x°3· Da ein der"
artiger keramischer Laminarkondensator bei einer Sintertemperatur von weniger als 10000C hergestellt werden
kann, ist es gemäß der DE-OS möglich, für die Elektroden billigere Materialien, wie beispielsweise Silber, Nickel
und Aluminium zu verwenden.Es ist auf diese Weise möglich, Kondensatoren preisgünstiger herzustellen.
Es besteht die Aufgabe, keramische Dielektrika vorzuschlagen, welche bei relativ niederen Sintertemperaturen
gesintert werden können, welche einen hohen Isolationswiderstand aufweisen, deren dielektrische Konstante
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relativ hoch liegt und die einen niederen dielektrischen
Verlustfaktor haben.
Auch die weiteren Eigenschaften, wie beispielsweise
der Isolationswiderstand und der dielektrische Verlustfaktor
eines Dielektrikums, welches bei niederen Sintertemperaturen gesintert werden kann, sollen verbessert
werden. Es ist weiterhin wünschenswert, daß die mit dem Dielektrikum hergestellten Keramikkondensatoren eine
geringe Abhängigkeit des Isolationswiderstands von der Umgebungs- und den Sintertemperaturen aufweisen und eine
hohe Durchbruchspannungsfestigkeit besitzen. Das Dielektrikum
soll insbesondere geeignet sein zum Herstellen von Kompakt- und Laminarkondensatoren hoher Dielektrizitätskonstante.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen ein Dielektrikum mit
einer Grundzusammensetzung, welche aus 60,72 bis 67,17 %
PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe3O3, 5,42 bis 19,00 % Nb2O5,
0,20 bis 2,56 % MgO und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5 besteht,
wobei die Prozentangaben Gewichtsprozent sind, bezogen auf die Grundbestandteile. Diese keramische Grundzusammensetzung
weist eine Feststofflösungsstruktur von Pb(Mg173Ta273)O3-Pb(Fe172Nb172)O3 auf.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die nachfolgenden dielektrischen Zusammensetzungen vorgeschlagen, von
denen jede ein Additiv in ihrer Grundzusammensetzung aufweisen.
A. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung besteht
aus einer Grundzusammensetzung von beispielsweise 60,72
bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20-bis 2,56
MgO, 5,42 bis 19,00 % Hb9O1. und 2,22 bis 28,04 %
Ta2O5. Alle diese Prozentangaben sind Gewichtsprozent,
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bezogen auf das Gesamtgewicht der Grundzusammensetzung. Weiterhin ist enthalten Pb(Mn2/3W,/3)03 in einem Anteil
von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung.
B. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung weist eine Grundzusammensetzung auf von beispielsweise 60,72
bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 %
MgO, 5,42 bis 19,00 % Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5.
Alle diese Prozentangaben sind Gewichtsprozent bezogen auf das Gesamtgewicht der Grundzusammensetzung. Weiterhin
ist enthalten Pb(Mn, /2W->
/0)^3 in einem Anteil von
0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung.
C. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung besteht aus der Grundzusammensetzung von beispielsweise 60,72
bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56%
MgO, 5,42 bis 19,00 % Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5.
Ebenfalls handelt es sich wieder um Gewichtsprozent bezogen auf die Grundzusammensetzung. Weiterhin ist enthalten
Pb(Mn1 /3Nb2Z3)O3 in einem Anteil von 0,05 bis
5,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsprozent der
Grund zusammensetzung.
D. Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum weist die
Grundzusammensetzung 60,72 bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 % MgO, 5,42 bis 19,00 %
Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta3O5 auf. Wie zuvor, handelt
es sich hierbei um Gewichtsprozente, basierend auf das Gewicht der Grundzusammensetzung. Weiterhin ist enthalten
MnO in einem Betrag von 0,001 bis 1,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile der keramischen
Grundzusammensetzung.
E. Eine modifizierte keramische Zusammensetzung enthält
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eine Grundzusammensetzung von 60,72 bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 % MgO, 5,42 bis
19,00 % Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5. Weiterhin ist
enthalten Pb(Mn, ,3Ta2/3)03 in einem Anteil von 0,05
bis 5,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile der
kerami sehen Grundzusammensetzung.
F.Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum besteht
aus einer Grundzusammensetzung aus 60,72 bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 % MgO und
5,42 bis 19,00 % Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5.
Weiterhin ist enthalten Li2O mit 0,01 bis 2,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gew.-% der Grundzusammensetzung.
G. Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum hat eine
Zusammensetzung aus 60,72 bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 % MgO, 5,42 bis 19,00 %
Nb2O5 und 2,22 bis 28,04 % Ta2°5· Wie oben ) handelt es
sich jeweils um Gew.-%, bezogen auf die keramische Grundzusammensetzung. Weiterhin ist enthalten mindestens
ein Teil der Cr2O3 und CeO2 enthaltenden Gruppe
in einem Anteil von 0,05 bis 2,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsprozente der Grundzusammensetzung.
Die Eigenschaften und die Ausführungsbeispiele der keramischen
Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend erläutert.
Jedes keramische Dielektrikum mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
gemäß der vorliegenden Erfindung kann gesintert werden bei einer niederen Temperatur im
Bereich von 800° bis 10000C . Beträgt der PbO Anteil im keramischen Dielektrikum mehr als 67,17 Gew.-%, dann
muß das Dielektrikum gesintert werden bei einer Temperatur liber 10000C. Liegt andererseits der PbO Anteil
unterhalb von 60,72 Gew.-%, dann ist die Dielektrizitäts-
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konstante zu gering, um das keramische Dielektrikum praktisch verwenden zu können. Die Sintertemperatur
wird erhöht, wenn der Fe^O., Anteil über 11,41 Gew.-%
ansteigt. Andererseits nimmt die Dielektrizitätskonstante ab, wenn der Fe2O3 Anteil unter 3,26 Gew.-% abnimmt.
Liegt der MgO Anteil über 2,56 Gew.-%, dann nimmt die Dielektrizitätskonstante ab. Liegt dagegen der MgO
Anteil unter 0,20 Gew.-%, dann nimmt die Dielektrizitätskonstante
ab und der dielektrische Verlust (tan (f ) zu.
Es hat sich weiterhin gezeigt, daß bei einem Ta2O5 Anteil
von über 28,04 % die Dielektrizitätskonstante zu
gering wird, während die Dielektrizitätskonstante abnimmt,
wenn weniger als 2,22 % Nb2O5 vorhanden sind. Hieraus ist
ersichtlich, daß sich eine hohe Dielektrizitätskonstante,
eine niedere Sintertemperatur und ein geringer dielektrischer Verlustfaktor ergibt, wenn das keramische Dielektrikum
besteht aus 60,72 bis 67,17 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe2O3, 0,20 bis 2,56 % MgO und 5,42 bis 19,00 % Nb2O5
und 2,22 bis 28,04 % Ta2O5. Diese Zusammensetzung entspricht
einer neuen Feststofflösung auf dem Feld der keramischen Dielektrika, d.h. einer Feststoff lösung
mit 30 bis 95 mol %
Pb(Fe1/2Nb1/2)03 und 5 bis 70 mol % Pb(Mg^3Ta2/3 )03.
Dieses keramische Dielektrikum kann gesintert werden bei einer Temperatur von unter 10000C. Die relative
Dielektrizitätskonstante (£s) welche in der vorliegenden
Anmeldung einfach als Dielektrizitätskonstante
bezeichnet wird, liegt zwischen 5000 und 18000, ist also hoch. Der dielektrische Verlustfaktor tan ei bei
1 KHz liegt zwischen 1,0 und 3,6 %, ist also gering. Bei einer bevorzugten Zusammensetzung mit 64,0 bis
65,0 % PbO, 6,9 bis 8,1 % Fe2O3, 1,1 bis 1,6 % MgO,
11,0 bis 14,0 % Nb0O, und 12,0 bis 16,0 % Ta9O1- ist
10 der Isolationswiderstand größer als 10 £%_ und liegt
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insbesondere bei mehr als 5x10 CL. Der Isolationswiderstand
bezieht sich auf den Widerstand eines Keramikkörpers mit einer Dicke von näherungsweise 0,5 mm.
Dieser Widerstandswert wird gemessen bei 2O0C, wenn ein
dielektrischer Strom von 500 Volt an den Keramikkörper
angelegt wird.
Durch Beigabe bestimmter Mengen von Additiven, wie beispielsweise Pb(Mn1 ,,W1^)O,-, Pb(Mn179W^2)O31
Pb(Mn1/3Nb2/3)03, MnO, Pb(Mn1 /3 Ta 2/3)°3
und CeO2 zur Grundzusammensetzung kann dielektrische
Verlustfaktor und der Isolationswiderstand vermindert
werden auf einen Wert unterhalb desjenigen der Grundzusammensetzung. Wenn der Anteil dieser Additive den
Maximalbetrag übersteigt, wie er bei der Beschreibung der modifizierten keramischen Dielektrika erwähnt ist,
dann wird die Dielektrizitätskonstante Ξ nachteilig vermindert und der dielektrische Verlustfaktor tan cf
und der Isolationswiderstand werden beide vermindert auf
einen Wert unten demjenigen, wie er für ein keramisches Dielektrikum brauchbar ist.
Es hat sich gezeigt, daß die Zugabe der vorgenannten
Additive einen Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften wieS und tan d des keramischen Dielektrikums
hat. Es hat sich gezeigt, daß die Zugabe von L i ^O in
einer Menge, größer als vorstehend angegeben, zu einem Anwachsen der Sintertemperatur führt.
Eine modifizierte keramische Zusammensetzung mit Pb
O3 kann gesintert werden bei einer Tempera
tur unter 10000C, wobei dieses Dielektrikum eine Dielektrizitätskonstante
von ts von näherungsweise 5100 bis 18100, einen dielektrischen Verlustfaktor tan S
bei 1 KHz von 0,3 bis 2,0 % und einen Isolationswider-
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stand von 1x10 bis 6 χ 10 ^ aufweist. Der Anteil
des Additivs liegt vorzugsweise zwischen 0,5 und 5,0 Gew.-% und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise
aus 64,53 bis 67,17 % PbO, 8,08 bis 11,41 % Fe2O3 , 13,45 bis 19,00 % Nb2O5, 0,20 bis 1,16 % MgO
und 2,22 bis 12,78 % Ta2O3. Bevorzugt liegen vor 64,53
bis 65 % PbO, 8,08 bis 9 % Fe2O3, 13,45 bis 14 % Nb2O3
1 bis 1,16 % MgO und 12 bis 12,78 % Ta2O5. Liegt die
Grundzusammensetzung in den vorerwähnten bevorzugten Grenzen, dann ist die Dielektrizitätskonstante größer
als 15000, der dielektrische Verlustfaktor tan rf bei
1 KHz geringer als 1,0 % und der Isolationswiderstand
liegt bei 4 χ 10 jfl oder mehr.
Bei einem weiteren modifizierten keramischen Dielektrikum
mit Pb(Mn, ,pW,,„JO, liegt die Sintertemperatur unter
10000C, die Dielektrizitätskonstante E liegt näherungsweise
zwischen 5100, und 18700, der dielektrische Verlustfaktor
tan d liegt zwischen 0,2 und 2,0 % und der Isolationswiderstand hat einen Wert von 4 χ 10 -^-
oder mehr. Der Additivanteil liegt vorzugsweise zwischen
0,05 und 5,0 Gew.-% und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64,53 bis 67,17 % PbO, 8,08 bis
11,41 % Fe2O3, 13,45 bis 19,00 % Nb2O5, 0,20 bis 1,16
% MgO und 2,22 bis 12,78 % Ta2O5. Liegt der Additivanteil
und die Grundzusammensetzung in den vorgenannten bevorzugten Bereichen, dann ist der dielektrische Verlustfaktor
tan ei bei 1 KHz maximal 1,4 %, während die
Dielektrizitätskonstante mehr als 10.000 beträgt. Bei
einer Grundzusammensetzung von 64 bis 65 % PbO, 8,08 bis 9 % Fe2O3, 13,45 bis 14 % Nb2O5, 1,16 bis 2,22%
MgO und 12,78 bis 13 % Ta2O5 ist die Dielektrizitätskonstante
mehr als 16000.
Eine weitere modifizierte keramische Zusammensetzung mit Pb(Mn-, ,3Nb2/3)03 weist eine Sintertemperatur von
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unter 100 C, eine Dielektrizitätskonstante - von näherungsweise 4900 bis 17600, einen dielektrischen Verlustfaktor
tan / bei 1 KHZ von 0,3 bis 2,1 % und einen Isolationswiderstand von 3x10 S- bis 8 χ 10 Sl auf.
Der Additivanteil beträgt vorzugsweise 0,5 bis 5,0 Gewichtsteile
und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64,53 bis 67,17 Gew.-% PbO, 8,08 bis 11,41
Gew.-% Fe2O3, 13,45 bis 19,00 Gew.-% Nb2O5 ,0,20 bis
1,16 Gew.-% MgO und 2,22 bis 12,78 Gew.-% Ta2O5. Ins besondere
soll die Grundzusammensetzung bestehen aus 64,53 bis 65 Gew.-% PbO, 8,08 bis 9 Gew.-% Fe3O3 ,
13,45 bis 14 Gew.-% Nb2O5, 1 bis 1,16 Gew.-% MgO und
12 bis 12,78 Gew.-% Ta2O5. Liegt die Grundzusammensetzung
in diesen zuvor erwähnten Grenzen, dann liegt die Dielektrizitätskonstante bei mehr als 16000 und
der dielektrische Verlust tan c/ bei 1 KHz ist 1,2 %
oder weniger.
Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum mit MnO hat
eine Sintertemperatur von weniger als 1000 C, eine Dielektrizitätskonstante £ von näherungsweise 7700
bis 14400, einen dielektrischen Verlustfaktor tan (f
bei 1 KHz von 0,5 bis 2,0 %, einen Isolationswiderstand
von 9x10 bis 7x10 ±±- . Der Additivanteil beträgt
vorzugsweise 0,001 bis 0,1 Gewichtsteile. Die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64,45
bis 65,56 % PbO, 6,92 bis 9,83 % Fe2O3, 11,51 bis
15,62 % Nb2O5, 0,79 bis 1,55 % MgO und 8,66 bis
15,57 % Ta2O5 . Liegt der Additivanteil innerhalb der
vorgenannten bevorzugten Grenzen, dann beträgt der dielektrische Verlust tan / bei 1 KHz 1,2 % oder weniger,
der Isolationswiderstand ist 4x10 Sl. oder mehr und
die Dielektrizitätskonstante c ist größer als etwa 12000. Die Grundzusammensetzung besteht insbesondere
bevorzugt aus 64 bis 65,56 Gew.-% PbO, 8 bis 9,83
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Gew.-A Fe2O3, 13 bis 14 Gew.-% Nb2O5, 1 bis 1,55 Gew.-%
MgO und 12 bis 13 Gew.-% Ta2O5. Liegt die Grundzusammensetzung
innerhalb der vorgenannten Grenzen, dann ist die Dielektrizitätskonstante E näherungsweise 17000 und
der dielektrische Verlust tan <f bei 1 KHz beträgt 0,9 %
oder weniger.
Bei einem modifizierten Dielektrikum mit Pb(Mn-Jz3Ta2^3)O3
weist eine Sintertemperatur von weniger als 1000 C auf. Die Dielektrizitätskonstante £ beträgt näherungsweise
4950 bis 17700, der dielektrische Verlustfaktor tan d
bei 1 KHz liegt zwischen 0,1 und 2,2 % und der Isola-
9 11 tionswiderstand weist Werte von 4x10 bis 4x10 £2.
auf. Die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64 bis 65 Gew.-% PbO, 8 bis 9 Gew.-% Fe2O3, 13 bis
Gew.-% Nb2O5, 1 bis 2 Gew. -% MgO und 12 bis 1? Gew.-%
Ta2O,-. Liegt die Grundzusammensetzung innerhalb dieser
Grenzen, dann ist der dielektrische Verlust tan d bei 1 KHz 1,4 % oder weniger, der Isolationswiderstand
7x10 XL oder mehr und die Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 16000 oder mehr.
Ein modifiziertes keramisches Dielektrikum mit Li2O
hat eine Sintertemperatur von 800 bis 95O0C, eine Dielektrizitätskonstante £s von 5600 bis 17400 und einen
dielektrischen Verlustfaktor tan d bei 1 KHz von 0,5
bis 1,2 %. Der Additivanteil beträgt vorzugsweise 0,01
bis 0,5 Gew.-% und die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 64 bis 65 % PbO, 8 bis 9 % Fe2O3,
13 bis 14 % Nb2O5 und 1 bis 2 % MgO. Liegt der Additivanteil
und die Grundzusammensetzung innerhalb der vorgenannten Grenzen, dann beträgt der dielektrische
Verlust tan / bei 1 KHz 1,2 % oder weniger und die Dielektrizitätskonstante
£ ist näherungsweise 10000 oder mehr.
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Bei einer modifizierten Zusammensetzung mit Cr2O3 und/
oder CeOp ist die Sintertemperatur unter 10000C, die Dielektrizitätskonstante
£- liegt näherungsweise zwischen
5000 und 10300, der dielektrische Verlustfaktor tan d
bei 1 KHz ist 0,7 bis 2,4 % und der Isolationswiderstand
liegt zwischen 2xlO8 und 4 χ 10 0U. Der Anteil der Additive
liegt bevorzugt zwischen 0,05 und 2 Gew.-%. Die Grundzusammensetzung besteht vorzugsweise aus 67 bis
% PbO, 11 bis 12 % Fe2O3, 18 bis 19 % Nb2O5 und 0,2 bis
1,0 % MgO. Liegt der Additivanteil innerhalb der vorgenannten
Grenzen, dann ist die Dielektrizitätskonstante näherungsweise 10000.
Die keramische Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen hohen Isolationswiderstand auf
und kann deshalb zur Herstellung hochspannungsfester Kondensatoren verwendet werden. Das keramische Material
kann weiterhin in den Konsendatoren als Dünnfilm mit einer Dicke von 30 bis 40 micron verwendet werden. Der
hohe Isolationswiderstand ist nützlich bei der Lösung
des Problems der Elektromigration, welche eine Verschlechterung der Eigenschaften eines Kondensators
bewirken kann, indem Ionen des keramischen Materials unter der Wirkung einer angelegten Spannung von der
Kondensatorelektrode ins keramische Material wandern.
Eine für Kondensatoren wesentliche Eigenschaft ist eine gewünschte geringe Abhängigkeit der Dielektrizitätskonstante
von der Temperatur. Die Dielektrizitätskonstante der Grundzusammensetzung nimmt um nicht mehr
als näherungsweise 60 % ab, wenn die Temperatur von der Raumtemperatur auf -250C erniedrigt wird. Die Dielektrizitätskonstante
wird erhöht oder vermindert, wenn die Temperatur von Raumtemperatur auf 850C erhöht
wird, wobei die Veränderung nicht größer als näherungsweise 70 % ist. Die Gesamtveränderung bei der oben er-
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wähnten Temperaturzu- und abnähme übersteigt nicht näherungsweise 130 % und liegt vorzugsweise bei 100 %.
Durch die Zugabe von Mangen enthaltenden Additiven kann dieser Bereich weiter vermindert werden, d.h. die
Temperaturabhängigkeit wird stabilisiert.
Eine wesentliche Eigenschaft bei keramischen Materialien, welche PbO enthalten, besteht in der Verhinderung des
Verdampfens von PbO während des Sinterns. Dieser Effekt
kann verhindert werden durch Zugabe von Mangan enthaltenden Additiven, welche somit zur Stabilisierung
des Sinterprozesses beitragen.
Die keramischen Materialien gemäß der vorliegenden Erfindung
können wie nachfolgend beschrieben hergestellt werden. Fein verteilte Teilchen oder Pulver der entsprechenden
Metalloxyde werden unter Verwendung einer Kugelmühle miteinander vermischt. Danach wird dem
Pulver ein Binder zugefügt und das Pulver wird beispielsweise in Scheibenform vorgepreßt. Die Scheiben
werden gesintert bei einer Temperatur von 800 bis 10000C über eine Dauer von 1 bis 2 Stunden. Die
Sinterung erfolgt in einem Magnesia-Keramikkessel. Jede Scheibe wird mit Silber, Nickel oder Aluminiumelektroden
platiert. Anstelle der Metalloxyde können auch Metal!carbonate verwendet werden.
Gemäß einem Beispiel werden Bleioxyd PbO, Magnesiumoxyd MgO, Eisenoxyd Fe2O3, Nioboxyd Nb2O3, Tantaloxyd
Ta2O5, Manganoxyd MnO, Wolframoxyd WO3, Lithiumoxyd
Li2O, Chromoxyd Cr2O3 und Ceriumoxyd CeO2 in Pulverform
und in einer Menge vermischt, so daß sich eine keramische Zusammensetzung ergibt, wie in Tabelle 1 gezeigt.
Diese Oxydmischung dient als Rohmaterial für das kera-
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29 H
mische Material und wird vermischt in einer Schüssel
mit einem organischen Harz unter feuchten Bedingungen, danach vorgesintert in einem Temperaturbereich von 700
bis 85O0C über eine Dauer von 2 Stunden. Zwischen den
Pulvern tritt folglich eine chemische Reaktion auf. Das gesinterte Pulver, dessen Bestandteile miteinander reagiert
haben, wird zerkleinert in feine Teilchen mit einem Durchmesser von einigen micron und diese Teilchen
werden abermals miteinander vermischt, so daß eine Pudermischung erhalten Wird. Ein bestimmter Anteil
eines Binders aus Polyvinylalkohol wird dem Pulver hinzugefügt und diese Mischung sodann zu Tabletten
verpreßt und zwar mit einem Druck von 3 Tonnen pro
2 1 cm , wobei die Tabletten einen Durchmesser von 16,5
mm und eine Dicke von 0,6 mm aufwiesen. Diese Tabletten wurden unter Luftabschluß in einem Ofen gesintert,
wobei verhindert wurde, daß die Bleikomponente von den Tabletten abdampft. Die Endsinterung wurde 2 Stunden
lang durchgeführt. Danach wurden Silberelektroden auf jede Seite der Tabletten aufgebracht. Diese Keramikkörper
mit den beiden Elektroden wurden bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften vermessen, d.h. bezüglich
der Dielektrizitätskonstante £$ bei 1 KHz und 200C,
des dielektrischen Verlustfaktors tanc/" bei 1 KHz und
2O0C und 850C und des Isolationswiderstandes IR. Die
Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante £s
bei 1 KHz wurde bei einigen Proben gemessen bei +850C auf der Basis der Raumtemperatur von 2O0C als Standardwert.
Die gemessenen Resultate sind in Tabelle 1 wiedergegeben. Die mit einem Sternchen versehenen Beispiele
sind Kontrollproben.
909843/0818
Probe Basisbestandteile
Nr. (Mol%)
Nr. (Mol%)
ι *
4
5
G
7
G
7
H «
KolNbi)...,
30
h5
60
70
80
75
70
70
55
40
30
20
Additive Verhältnis der Basisoxyde
(Gew.-*) (Gew.-*)
1'bO KonO1, Nb,,Or M1-O TunOn
O 60.27 2.70 4.49 2.72 29.81
O 60.72 3.26 5.42 2.56 28.04
O 61.98 '4.99 8.30 2.24 22.49
O 64.45 6.92 11.51 1.55 15-57
O 64.53 8.08 13.^5 I.l6 12.78
O 65.56 9.83 15.62 Ο.79 8.66
O 67.17 11.41 19.00 0.20 2.22
ü 67.61 11.97 19.93 0.04 0.44
Elektrische
schaften
schaften
Eigen-
I ,ill ft
3,200 0.8
«Ve
JK
0.4 1 χ 1 ο
5,170 1.0 0.5
8x10'
8,650 1.5 0.5 8x10' 1Λ.55Ο 1.5 0.8 7xio7
15,400 3.2 1.1
9,huo 3.6 1.2
9,huo 3.6 1.2
1 . IxK)1 ' 4.3XlO1"
4. Sxio1'"
,12
2.0x10*
18,000 1.8 0.8 5x10' 1.6x10
12
1,IxLO
2.3x10
3,HOO 6.3 2.0 7x10 l.OxlU
1 2
1 I
1 I
CD
CD
cn co
Probe Basisbestandteile
Nr. (Mol%)
Additive Gew.-%
Gew.-%
Elektrische
Eigenschaften
l'h (KoIn
9 * | 30 |
10 | 30 |
11 | 30 |
12 | 30 |
13 * | 30 |
Ii* | 70 |
15 | 70 |
16 | 70 |
17 | 70 |
18 | 70 |
19 | 95 |
20 | 93 |
21 | 95 |
22 | 95 |
Z'J | 95 |
70
70
70
70
.
30
30
30
30
30
l'b(MiHjl4)()2 IM)O
0.05 0.5 5.0 10.0 O
0.05
0.5 5.0
10.0 O
0.05
0.5 5.0
10.0
CD CD U?
O (O OO
2·Ί * | Basisbestandteile (MoU) |
^(Μ,φ\-φ< | Tabelle 1-3 | ., TbO | V | erhältnis | Nb0 | o_ υ |
der Basisoxyde | 28.04 5,170 | .'.'O | Inn | Elektrische Eigenschaften 0 |
5 | IK | Mi | Q-CiIi) | 7867/16/Ch | |
Probe Nr. |
25 | KPTrNUj)O3 ι | 70 | Additive Gew.-Ji |
60.72 | l'-o2 | hl | 5. | 42 | MkO | 28.04 5,350 | 2. | °C | 8Ί | 4 | 9 x H)7 | 4. | 1 '» ■jxlO |
/Gr |
IU) ( | 26 | 30 | 70 | J1IMb(Mn^W-I)O | 60.72 | 3. | 26 | 5. | 42 | 2.56 | 28.04 5,800 | O. | O | O. | 3 | 5x1 o} | 6, | Hx 1 O ' "' | |
27 | 30 | 70 | O | 60.72 | 3. | 26 | 5. | 42 | 2.56 | 28.04 5,100 | O. | 8 | O. | 3 | 4XlO1l | 1. | IxIO13 | ||
28 * | 30 | 70 | 0.05 | 60.72 | 3. | 26 | 5. | 42 | 2.56 | 28.04 3,900 | O. | 2 | O. | O | HXlO10 | 1 . | HxU)1'- | ||
29 | 30 | 70 | 0.5 | 60.72 | 3. | 26 | 5. | 42 | 2.56 | 12.78 18,000 | 3. | 6 | O. | ,8 | 6x10' | I . | 4XlU11 | ||
30 | 30 | 30 | 5.0 | 64.53 | 3. | 26 | 13. | 45 | 2.56 | 12.7818,700 | 2. | 2 | 1. | ,5 | 5x1 o7 | I . | ()X Κ)'-' | I ro |
|
31 | 70 | 30 | 10.0 | 64.53 | 8. | ,08 | 13. | .45 | 1.16 | 12.7818,500 | 1. | 2 | O. | ■ 5 | 4 XlO8 | 2. | oxio1" |
•Ρ»
I |
|
32 | 70 | 30 | O | 64.53 | 8. | ,08 | 13. | • 45 | 1.16 | 12.7816,700 | 1. | 3 | 0. | .6 | 2xlOU | 2. | 1 2 ,OxIC)1'- |
||
33 * | 70 | 30 | 0.05 | 64.53 | 8. | .08 | 13, | .45 | 1.16 | 12.7813,200 | 1. | O | 0, | .2 | 7XlO3 | 4. | .5x10'l | ||
34 * | 70 | 30 | 0.5 | 64.53 | 8, | .oa | 13 | .45 | 1.16 | 2.22 9,800 | 3. | 2 | 0, | .2 | 5xi o7 | 1 , | ..XIO10 | ||
35 | 70 | 5 | 5.0 | 67.17 | 8 | .08 | 19 | .00 | 1.16 | 2.2210,300 | 3. | 6 | 1 | .6 | IxI O7 | .3XlO11 | IO | ||
36 | 95 | 5 | 10.0 | 67.17 | 11 | .41 | 19 | .00 | 0.20 | 2.2210,200 | 1, | 6 | 1 | .5 | 3xio7 | I, | . Ix IO | * | |
37 | 95 | 5 | O | 67.17 | 11 | .41 | 19 | .00 | 0.20 | 2.22 6,700 | 1, | ,4 | 0 | .0 | IXlO11 | Γ | .8x1 oir' | ||
38 * | 95 | 5 | 0.05 | 67.17 | 11 | .41 | 19 | .00 | 0.20 | 2.22 3,700 | 2, | .1 | 0 | .1 | 3XiO10 | b | .«MO1 l |
h-»
IO |
|
95 | 5 | 0.5 | 67.17 | ii | .41 | 19 | .00 | 0.20 | 4, | .0 | 1 | IxLO7 | Al | . 5XiO1' | ^•J 10 KJ |
||||
95 | 5.0 | 11 | .41 | 0.20 | • 5 | 2 | CD | ||||||||||||
10.0 | 4>* CD CD CO |
||||||||||||||||||
Tabelle 1-4 ^
Probe Basisbestandteile Additive Verhältnis der Basisoxyde Elektrische
Nr. (MoT%) Gew.-% Gew.-% Eigenschaften
I'bO Ko Ο.. Nb„Or M(;(>
Tii.,()P f — ... /,, ■. . ?
39 * | 30 | 70 |
Ίο | 30 | 70 |
30 | 70 | |
l»2. | 30 | 70 |
'«3 * | 30 | 70 |
<»i» * | 70 | 30 |
'«5 | 70 | 30 |
Ί6 | 70 | 30 |
'»7 | 70 | 30 |
Ί« * | 70 | 30 |
h>) * | 95 | 5 |
50 | 95 | 5 |
51 | 95 | 5 |
52 | 95 | 5 |
53 * | 95 | 5 |
O 60.72 3.26 5J122.56 28.01.
0.05 60.72,. 3.26 5J.2 2.56 2H.O>| r. .j-,
O iil 30 70 0.5 60.72 3.26 5.Ί2 2.56 28.01. 5>390 O3 0.3 8xiOu ]flxJ()i3
OO 1|2 . 30 70 5.0 6O.72 3.26 5J.22.56 28.01. j,|900 0-7 Og/4 3xlulO 6>Ηχ1()Π
ω '«3* 30 70 10.0 60.72 3.26 5J.2 2.56 28.0/. 3,700 I1.l 2.1 /lxlo7 n.uxnV'
10.0 67.17 11JU 19.00 0.20 2.22 3,600 /,.5 1.5 Äxlt)7 «,.„„„,"
o H^w (w J1, O 61..53 8.08 13J)5 I.16 12,78 17,600 2.0 0.8 5xjO7. ΐ.Λχιο1- '
0.05 611.53 8.08 13 J.5 1.16 12.78 i7,80O 1.0 0.5 I.W 2.6xH)U'V
» '.Λ ™ tn 0.5 .61..53 8.08 13J.5 1.16 12.78 17,900 0.5 0.3 5xion. ■ z.Sxio1·'2
5.0 61». 53 8.O813J.5 1.16 12.78 16,300 1.2 0.6 ;)xiol) i.Sxiu1''
10.0 .61..53 8.O813J.5 1.16 12.78 l3f3Oo 3.2 ■ i.a /,xi()7 ,.lxlo'1» i°
0 67.I7 11.1.119.00 0.20 2.22 9,700 3.8 j,2 lxU)7 a.^lo" f
O.O5 67.17 Ii.1.119.00.0.20 2.22 10,100 2.1 0.7 5x1 (>''. 6.Hx1O11 ^
0.5 67.17 11.^119.00 0.20 2.22 9,y00 1.6 0.5 7X J O' * h. 5>c 1 (.' - S
5.0 . 67.17 11JU 19.00 0.20 2.22 7,100 1.9 0.7 2xlüy I.IgI.)12 CD
CO
O
CO
OO
O
CO
OO
Probe Basisbestandteile No. (MoIX)
I'll (|·>τγΝ 1.^)1)..
56
57
»
*
OO
61
na
('.3 *
•5Ί ♦
(,5
•5Ί ♦
(,5
OO
67
♦
♦
30 30 30 30 30 70 70 70 70 70 95 95
95 95 95
70
70
70
70
70
30
30
30
30
30
Additive Gew.-%
Verhältnis der Basisoxyde
Gew.-%
0.05 0.5 5.0 10.0 ο
0.05 0.5 5.0
10.0 O
0.05
0.5
5.0
10.υ
a^)O. PbO
.,U- Nbo0r M(.;0 Ti.„(lP S
I,.'in
ö
200C.
60.72 60.72 6Ο.72 60.72 60.72 6Ί.53 6i».53
6U.53
61*.53
6Ί.53 67.17 67.17 67.17
67.17 67.17
3.26 5.1,2 2.36 28.0'* 3,100 1.2
>3.26 5,/*2 2.56 28,0't 5,15O 0t8
5.1*2 2.56 28.0'* 5,220 0.3
5.I12 2.56 28.01* ^,95O 0.8
5.^2 2.56 28.0'* 3,600 '*.3
13.Ί5 1.16 12.78 17,600 2.0
O813.l151.1612.78i7.6OO 0.9
13.1*5 1.16 12.78 17,700 0./*
13.145 1.1612.7816,200 l.i*
.08 13. '*5 1.16 12.78 12,100 3.6
.Al I9.OO 0.20 2.22 9,700 3.8
• Al 19.00 0.20 2.22 9,8OO 2.2
.'H 19.00 0.20 2.22 9,900 l.'l*
.'ti 19.00 0.20 2.22 6,800 2.0
.2H 19.0O 0.20 2.22 3,500 '1.7
H_v <:
0.5 o.'* 0.2 0.5 1.7 0.8
0.5 0.3 0.8
1.7 1.2 0.8
0.5 0.6
Elektrische Eigenschaften
IK
«κ IU
Ηχ|θ
Ίχΐυ
11
5xio
3xio?
5x10'
10
χ|θ'
Ίχ U)'
:< I
6x1 υ9
Ίχίο-Ίχίο7
Ί . ^x l υ
1. ox
12
9.0χΐυι;·'
1.1x10
1. 6x 1.6x10
] .8x]O '). 5x X.'U
'J. Ox 2.3κ
y. οχ
1 .HMO 2I. T)V.
I . 1 :< I ο
1.?
10
\2
I.?
l.J
1'
1 '
ι:.1
IO -J (O
Probe Basisbestandteile Nr. Mol%
Additive Gew.-%
Verhältnis der Basisoxyde (Gew.-%)
Elektrische Eigenschaften
I'M MfI-T
Λ O | |
70 | Ίο |
71 | no |
72 | i)0 |
73
ΊΟ
75 * | 40 |
76 * | •jo |
77 | ■jo |
78 | 30 |
79 | 30 |
80 * | 30 |
81 * | 20 |
82 | 20 |
, 0.9
13,2UO 0.7
12,200 0.5
9,300 l.o
8,000 1.1
7,680 3.8
J8,000 1.8
37,900 0,9
12,200 0.6
11,800 1.2
9,770 Ii,ο
15,Ίου 3.2
Ι'ι,ΙΟΟ 1.2
.Ox
-'
Probe Basisbestandteile Nr. Mo1%
Additive Gew.-%
83 | 20 | 80 | O | .1 | 65.56 | 9.83 | |
8Ί | 20 | 8υ | O | .5 | 65.56 | 9.83 | |
<£> O |
«"> | 2 O | 8u | 1 | .0 | 65.56 | 9.83 |
co
OO |
H 6 | :.·υ | HO | 1 | .S. | 65.56 | 9.H3 |
co
-s O OO |
Verhältnis der Basisoxyde (Gew.-%)
Elektrische
Eigenschaften
15.62 0.79 8.66 13,000 0.8 0.3 /*χΐυιυ y.(
15.62 0.79 8.66 β,ί,υο 1.3 0.5 6xiol° ι./,χίο1"
15.62 0.79 8.66 7,700 2.0 0.7 3xiolü G.Bxio"
J5.62 0.79 8.66 6,150 6.0 2.2 yxioH s.Oxio1"
CT) CJ)
Probe
Nr. |
Basisbestandteile
Mol % |
30 |
Additive
Gew.-% |
Tabelle | 1-7 | Nb0U5 | der | Ta2 | °5 |
Elektrische
Eigenschaften |
kiln ί | |
No. | *ί ti *) ' | 30 30 |
(),, Li,,0 | 13.43 | H0O | 12. | 78 | 1.8 | ||||
87 * | 70 | 30 | O | PbO |
Verhältnis
Basisoxyde |
13.*45 13-*45 |
I..16 | 12. 12. |
78 78 |
18,000 | 1.2 0.7 |
|
aa 89 |
70 70 |
30 | 0.01 0.05 |
6*4.53 | ι··β?ο3 | 13-*45 | I.16 I.16 |
12. | 78 | 17,'too 15,300 |
0.5 | |
909 | 90 | 70 | 30 | 0.1 | 6*4.53 6*4.53 |
8.08 | 13.*45 | I.I6 | 12. | 78 | 13,600 | 0.5 |
91 | 70 | 30 | 0.5 | 6*4.53 | 8.08 8.08 |
13.*45 | 1,16 | 12. | 78 | 9,900 | 1.1 | |
co | 92 | 70 | 55 | 2 | 6*4.53 | 8.08 | 13.*45 | I.16 | 12. | 78 | 8,600 | 7-5 |
O co |
93 * | 70 | 55 | 5 | 6*4.53 | 8. Oa | 8.30 | I.16 | 22. | '•9 | 6,200 | 1.5 |
-Jk co |
y'i * | **5 | 55 | O | 6*4.53 | 8.08 | 8.30 | 2.2*4 | 22. | 8,650 | 0.9 | |
95 | Ί5 | 55 | 0.01 | 61.98 | 8.08 | 8.30 | 2.2*4 | 22. | .*49 | 8,'K)O | 0.6 | |
90 | *45 | 55 | 0.05 | 61.98 | *t.99 | 8.30 | 2.2*4 | 221 | .'•9 | 7 ,900 | 0.5 | |
97 | '4 5 | 55 | 0.1 | 61.98 | *4.99. | a. 30 | 2.2*4 | 22, | 7,530 | 0.6 | ||
9-S | '•3 | 55 | 0.5 | 61.98 | '4.99 | 8.30 | 2.2*4 | 22, | .*49 | 6,050 | 0.9 | |
Qd | 45 | 2 | 61.9» | *4.99 | 8.30 | 2.2*4 | 22 | .'19 | 5,600 | |||
100 * | '•5 | 1J | 61.98 | *4.99 | 2.2Ί | 3,700 | ||||||
61.9a | *4.99 | |||||||||||
*4.99 | ||||||||||||
Probe Basisbestandteile
Nr. Mol«
101 * | 9 5 |
102 | 9 5 |
103 | 95 |
10't | 95 |
w; | 95 |
IO(> * | 95 |
107 * | 30 |
IUH | 30 |
109 | 30 |
110 | 30 |
111 | 30 |
112 * | 30 |
5 5 5 5 5 5
70 70 70 70 70 70
Additive Gew.-ft Verhältnis der Basisoxyde (Gew.-ft)
υ.03
0.5
1.0
2.0
3.0
O.O5
0.5 l.o 2.0 3.0
67.17 ii.'υ 19.00 υ.20 2.22 9,750
67.17 11.41 19.00 0.20 2.r.'2 9,920
67.17 11.41 19.00 O.20 2.22 10,300
67.17 11.41 19.00 0.20 2.22 9,HOO
67.17 11.41 19.00 0.20 2.22 9,280
67. 17 11.41 19.00 0.20 ΓΪ.22 7,110
6Ο.72 3.26 5.42 2.56 28.0Ί 3,210
60.72 'J. 26 5.42 2.56 28.04 3,290
3.26 5.42 2.56 28.04 5,460
3.26 5·'·2 2.56 28.04 5,270
3.26 5.^2 2.56 28.04 5,080
60.72
60.72
60.72
Go.72
60.72
60.72
Go.72
3.26 3.'12 2.56 28.0Ί 3,7'iO
V
3.7
2.9
*2 · 2
3.7
2.9
*2 · 2
1.7
2.4
4.8
1.1
0.9
0.7
0.7
2.4
4.8
1.1
0.9
0.7
0.7
1.2
3.3
3.3
Elektrische Eigenschaften
h-,"c
1.2
1.0
O.H 0.7 O.R 2.2
0.5 0.3
0.3 0.5 0.8
1.3
III
•Ix 1 0H
2x ι υ
IO
8x10''
2. J<\<>
y.oxio i.4x1d
k . 1Jx 1 u
ΓιΧίΟ
«χ
3xio·' Ίχίο
IO
7xio
1.
4.
y.
1.4xio
1 .'ix 1 .4x1 (i1
I 11 I.'.1
I1 11 10
12 I '3 13
Co ■VJ
CD Ca)
Probe Basisbestandteile Additive Verhältnis der Basis- Elektrische
Nr- Mol % Gew.-% oxyde (Gew.-%) Eigenschaften
iO
CD |
IU, | 113 | ' l'.v' ä~'°'j | ΙΗ.(Μ,φ^)< | 0.05 |
^£) OO |
14 4 | 5 | 0.5 | ||
115 | 95 | 5 | 1,0 | ||
O | 116 | 95 | 5 | 2.0 | |
Ξ | 1 17 * | 95 | Ui | 3.0 | |
00 | 118 | ys | 5 | 0.05 | |
119 | 30 | 70 | 0.5 | ||
.120 | 30 | 70 | 1.0 | ||
121 | 30 | 70 | 2.0 | ||
I.*.12 * | 3Q | 70 | 3.0 | ||
30 | 70 | ||||
67.17 11.4l 19.00 0.20 2.a
67.J7 11.41 19.00 0.20 2.22 10,300
67.17 11.41 19,00 0.20 2.22
67.17 11.41 19.00 0.20 2.22
67.17 11.41 19.00 0.20 2,22
6Ο.72 3.26 5.42 2.56 28,04
60,72 3.26 5.42.. 2.56 28.04
6Ο.72 3.26 5.42 2.56 28.04
60.72 3.26 5.42 2.56 28.04
6Ο.72 3.26 5.42 2.56 28.04 3,740 3.3 1.2 3xlO7 1.6xl()'°
;.>o"c | 0 | IK | Mil-cm) | 1 | I co |
|
S | 2.9 | 85'V | 3xl oK | I . IxK)1 | 1 | (-» I |
9,92ο | 2.2 | 1.0 | 2XM.'° | 1 .<?xio' | O | |
10,300 | 1.7 | 0.8 | 8xiol) | y .OxK)1 | '.I | |
9,880 | 2.4 | 0.8 | 2xlOH | 4. r.x K)' | '» | |
9,280 | 4,8 | 0.9 | 'Jx \ O7 | 1 .'IX 1<>' | :.' | VO |
9,920 | 0.9 | 2.3 | 8xlOö | 1 .'(XlO | :.· | |
5,290 | 0.7 | 0.9 | 3xi o!> | 1.dxlO1 | X3 -s -J. |
|
5,46o | 0.7 | 0.3 | '.XU.10 | Z. <KK>' | ||
5,270 | 1.2 | 0.4 | 7XlO8 | 1.4XK)1 | ||
5,080 | 0.7 | |||||
29H663
7867/16/Ch/Gr
- 32 -
9. April 1979
Die Sintertemperaturen der Proben 1 bis 8 und die Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante
ist in Tabelle 2 gezeigt.
Probe Temperaturabhängigkeit Nr· von £c bei 850C (%)
Sintertemperatur
(0C)
-37.1 | 940 |
-35.0 | 940 |
-65.1 | 940 |
-65.3 | 940 |
-59.3 | 940 |
+37.2 | 940 |
+19.0 | 980 |
+17.0 | 1050 |
Die Sintertemperaturen der Proben No. 87 bis sind in Tabelle 3 gezeigt.
909843/08*8
- | Tabelle 3 | 29U663 | 940 | |
7867/16/Ch/Gr | (Gew.-%) | 33 - 9. April 1979 | 900 | |
860 | ||||
Probe Additiv | 0 | Sintertemperatur | 860 | |
Nr# Li2O | 0.01 | (0C) | 820 | |
0.05 | 780 | |||
87* | 0.1 | 750 | ||
88 | 0.5 | 940 | ||
89 | 2 | 900 | ||
90 | 5 | 860 | ||
91 | 0 | 860 | ||
92 | 0.01 | 820 | ||
93* | 0.05 | 780 | ||
94* | 0.1 | 750 | ||
95 | 0.5 | |||
-96 | 2 | |||
97 | 5 | |||
98 | ||||
99 | ||||
100* | ||||
Die Sintertemperatur der anderen, nicht in den Tabellen 2 und 3 erwähnten Proben sind nachfolgend angegeben.
Die Sintertemperatur der Kontrollproben betrug 1000 C. Die Sintertemperatur der Proben gemäß
der Erfindung mit Pb(Mn172W173)O3 und Pb(Mn173Nb273)O3,
Pb(Mn173Ta273)O3, Pb(Mn273W173)O3, Li2O, MnO, Pb(Mn173
Nb0Zi)O3, Cr2O3 und CeO2 lag im Bereich zwischen
850 und 95O0C.
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7867/16/Ch/Gr
9. April 1979
Die Proben mit der Zusammensetzung nach Probe 5 und eine Kontrol1 probe mit 63,63 mol% Pb(Fe, ,-Nb
35,82 mol% Pb( Fe2 /3Ww3)O3 - 0,5 Gew.-%
Pb(Mn1/3Nb2^3)O3 wurden gesintert bei 900, 950, 1000
und 108O0C. Der Isolationswiderstand dieser Proben
wurde gemessen. Die Meßresultate sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
Sintertemperatur (0C)
900
950
1000
1080
IR (Sl )
No.
6x10 7x10 7x10 6x10
KontrolIe
6x10-2x10 8xlQr 7xl0£
10
Der Isolationswiderstand der Probe 5 und der oben erwähnten
Kontrol1 proben wurden gemessen bei 20, 40, 60, 80 und 1000C. Die Meßergebnisse sind in Tabelle 5 angegeben
.
No. 5
IR
(S-
Kontrolle
20
40
60
80
100
40
60
80
100
7x10 7x10 7x10 6x10 5x10
10 10 10 10 10
2x10
9xl0£
3xl0£
8x10*
2xl0e
10
Die Sintertemperatur lag bei 950 C.
909843/0818
Claims (28)
1. Keramisches Dielektrikum hohe,r Dielektrizitätskonstante,
bestehend aus einer Grundzusammensetzung aus 60,72 bis 67,7 % PbO, 3,26 bis 11,41 % Fe3O3, 0,20
bis 2,56 % MgO, 5,42 bis 19,00 % Nb3O5 und 2,22 bis
28,04 % Ta2O5 in Gewichtsprozent bezogen auf die
Grundzusammensetzung.
2. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dielektrizitätskonstante
der Grundzusammensetzung zwischen 5000 und 18000 und der dielektrische Verlustfaktor tan </ bei 1 KHz
zwischen 1,0 und 3,6 % liegt.
3. Keramisches Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundzusammensetzung
besteht aus b4,0 bis 65,0 % PbO, 6,9 bis 8,1 % Fe2O3, 1,1 bis 1,6 % MgO, 11,0 bis 14,0 % Nb2O1
und 12,0 bis 16,0 % Ta2O5.
4. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η ζ
e i c h η e t , daß es weiterhin enthält Pb(Mn2,3
WiZo)Og in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung.
9098 /,3/0818
7867/16/Ch/Gr - 2 - 9. April 1979
5. Dielektrikum nach Anspruch 4, dadurch q e k e η η ζ
e i c h η e t , daß es eine Dielektrizitätskonstante
von näherungsweise 5100 bis 18000, einen dielektrischen
Verlustfaktor tan 6 bei 1 KHz von 0,3
bis 2,o % und einen Isolationswiderstand von 10 bis
6XlO11J" aufweist.
6. Dielektrikum nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil PblMn2/3Wl/3^°3
zwischen 0,5 und 5,0 G e w.- % liegt und die Grundzusammensetzung
besteht aus b4,53 bis 6/,17 % PbO, 8,08 bis 11,41 % Fe2O3, 13,45 bis 19,00 % Nb2O5,
0,20 bis 1,16 % MgO, und 2,22 bis 12, 78 % Ta2O5.
7. Dielektrikum nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,53 bis 65 % PbO, 8,08 bis 9 % Fe2O3,
13,45 bis 14 % Nb3O5, 1 bis 1,16 % MgO und 12 bis
12,78 % Ta O3, wobei diese keramische Zusammensetzunq
eine Dielektrizitätskonstante von mehr als
15000, einen dielektrischen Verlust tan ό bei 1 KHz
von weniger als näherungsweise 1,0 % und einen Isolationswider
stand von nicht weniger als 4 χ 10 -~^
aufwe ist.
8. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin Pb(Mn-, ,-W,.,, )03
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung
enthält.
9. Dielektrikum nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß seine Dielektrizitätskonstante
Ξ. zwischen näherungsweise 5100 und 18700 liegt,
der dielektrische Verlustfaktor tan" bei 1 KHz zwi-
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7867/16/Ch/Gr - 3 - " 9. April 1979
sehen 0,2 und 2,0 % und der Isolationswiderstand
4 χ 10 /I oder mehr beträgt.
10. Dielektrikum nach Anspruch 8, dadurch g e k e η η -
zeichne t , daß der Anteil pb(Mni/2W102^°3
zwischen 0,05 und 0,5 Gew.-% liegt und die Grundzusammensetzung besteht aus 64,53 bis 67,17 % PbO,
8,08 bis 11,41 % Fe2O3, .13,45 bis 19,00 % Nb2O5,
0,20 bis 1,16 % MgO und 2,22 bis 12,78 % Ta5O,-, wobei
das Keramikmaterial einen dielektrischen Verlustfaktor tan if bei 1 KHZ von 1,4 % oder weniger
und eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 10 000 aufweist.
11. Dielektrikum nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η ζ
e i c h η e t , daß die Grundzusammensetzung besteht aus 64,53 bis 65,0 % PbO, 8,08 bis 9,0 %
Fe2O3, 13,45 bis 14,0 % Nb2O5, 1,16 bis 2,0 % MgO,
und 12,78 bis 13 % Ta2O5, wobei dieses Keramikmaterial
eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 16000 aufweist.
12. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin Pb(Mn-, /3^0/3)0,
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen bezogen
auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung enthält.
13. Dielektrikum nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß dessen Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 4900 bis 17600 beträgt, der dielektrische Verlustfaktor tan 6 bei 1 KHz zwischen 0,12
und 2,1 % liegt und der Isolationswiderstand
3 χ 109 bis 8 χ 1011 -- ist.
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29H663
14. Dielektrikum nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil Pb(Mn^3Nb2-3)03
zwischen 0,5 und 5,0 Gewichtsteilen beträgt und die
Grundzusammensetzung besteht aus 64,53 bis 67,17 Gew.-% PbO, 8,08 bis 11,41 Gew,-% Fe2O3, 13,45 bis 19,00
Gew.-% Nb2O5, 0,20 bis 1,16 Gew.-% MgO und 2,22 bis
12,78 Gew.-% Ta2O5.
15. Dielektrikum nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64,53 bis 65 Gew.-% PbO, 8,08 bis 9,0 Gew.-% Fe2O3, 13,45 bis 14 Gew.-% Nb3O5, 1 bis
1,16 GEw.-% MgO und 12 bis 12,78 Gew.-% Ta2O5, wobei
die keramische Zusammensetzung eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 16000 und einen dielektrischen
Verlust tan cf bei 1 KHz von 1,2 % oder
weniger aufweist.
16. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin MnO in einem Anteil
von 0,001 bis 1,0 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung enthält.
17. Dielektrikum nach Anspruch 16, dadurch g e k e η η ζ
e i c h η e t , daß es eine Dielektrizitätskonstante
von näherungsweise 7700 bis 14400, einen dielektrischen Verlustfaktor tan d bei 1 KHz von
0,5 bis 2,0 % und einen Isolationswiderstand von
9 χ 109 bis 7 χ ΙΟ10 Ω- aufweist.
18. Dielektrikum nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der MnO Anteil zwischen 0,001
und 0,1 Gewichtsteilen liegt und die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,45 bis 65,56 % PbO, 6,92 bis 9,83 % Fe2O3, 11,51 bis 15,62 % Nb2O5, 0,79
bis 1,55 % MgO und 8,66 bis 15,57 % Ta2O5, wobei
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29H663
diese keramische Zusammensetzung eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 12000, einen dielektrischen
Verlust tan <f bei 1 KHz von 1,2 % oder weniger
und einen Isolationswiderstand von 4 χ 10 -oder
mehr aufweist.
19. Dielektrikum nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundzusammensetzung besteht
aus 64 bis 65,56 Gew.-% PbO, 8 bis 9,83 Gew.-% Fe2O3, 13 bis 14 Gew.-X Nb2O5, 1 bis 1,55 Gew.-%
MgO und 12 bis 13 Gew.-% Ta2O5, wobei diese keramische
Zusammensetzung eine Dielektrizitätskonstante von näherungsweise 17000 und einen dielektrischen
Verlust tan </ bei 1 KHz von 0,9 % oder weniger aufweist.
20. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin Pb(Mni/3Ta2Z3)O3
in einem Anteil von 0,05 bis 5,0 Gewichtsteilen basierend
auf 100 Gewichtsteile der Grundzusammensetzung enthält.
21. Dielektrikum nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrizitätskonstante bei näherungsweise 4950 bis 17700, der dielektrische
Verlustfaktor tan c/bei 1 KHz zwischen 0,1
und 2,2 % und der Isolationswiderstand zwischen
4 χ 109 bis 4 χ ΙΟ11 Π. liegt.
22. Dielektrikum nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,0 bis 65,0 Gew.-% PbO, 8,0 bis 9,0 Gew.-% Fe2O3, 13,0 bis 14,0 Gew.-%
Nb2O5, 1,0 bis 2,0 Gew.-% MgO und 12,0 bis 13,0
Gew.-% Ta2O5, wobei diese keramische Zusammen-
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291A663
Setzung einen dielektrischen Verlust tan d bei
1 KHz von 1,4 % oder weniger, einen Isolations-
Q -^
widerstand von 7 χ 10— oder mehr und eine Dielektrizitätskonstante
von näherungsweise 16000 oder mehr aufweist.
23. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin Li2O in einem
Anteil von 0,01 bis 2,0 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der Grundzusammensetzung enthält.
24. Dielektrikum nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrizitätskonstante zwischen 5600 und 17400 und der Dielektrizitätsverlust
tan d bei 1 KHz zwischen 0,5 bis 1,2 %
liegt.
25. Dielektrikum nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß der Li~0 Anteil zwischen 0,01 und 0,5 Gew.-% liegt, die Grundzusammensetzung
besteht aus 64,0 bis 65,0 % PbO, 8,0 bis 9,0 % Fe2O3, 13,0 bis 14,0 % Nb2O5 und 1,0 bis 2,0 %
MgO, wobei der dielektrische Verlust tan cf bei
1 KHz 1,2 % oder weniger und die Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 10000 oder mehr beträgt.
26. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es mindestens einen Anteil
der aus Cr2O3 und CeO2 bestehenden Gruppe in einem
Anteil von 0,05 bis 2,0 Gewichtsteilen basierend
auf 100 Gewichtsteilen der Grundzusammensetzung enthält.
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27. Dielektrikum nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrizitätskonstante zwischen näherungsweise 5000 und 10300, der dielektrische
Verlust tan</ bei 1 KHz zwischen 0,7 und
2,4 % und der Isolationswiderstand zwischen
2 χ 108 und 4 χ ΙΟ10 _"_ liegt.
28. Dielektrikum nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil von Cr^Og und/
oder CeOp zwischen 0,05 und 2,0 Gewichtsteilen liegt
und die Grundzusammensetzung besteht aus 67,0 bis 68,0 % PbO, 11,0 bis 12,0 % Fe2O3, 18,0 bis 19,0
% Nb2O5 und 0,20 bis 1,0 % MgO und die Dielektrizitätskonstante
näherungsweise 10 000 ist.
909843/08t
Applications Claiming Priority (8)
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JP4843278A JPS54139910A (en) | 1978-04-24 | 1978-04-24 | High dielectric ceramic composition |
JP4843378A JPS54139911A (en) | 1978-04-24 | 1978-04-24 | High dielectric ceramic composition |
JP5393178A JPS54145721A (en) | 1978-05-06 | 1978-05-06 | High permittivity ceramic composition |
JP5393278A JPS54145722A (en) | 1978-05-06 | 1978-05-06 | High permittivity ceramic composition |
JP6804078A JPS54158700A (en) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | High dielectric constant ceramic compound |
JP7450178A JPS551042A (en) | 1978-06-20 | 1978-06-20 | High dielectric porcelain composition |
JP8065078A JPS557575A (en) | 1978-07-03 | 1978-07-03 | High permittivity ceramic composition |
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DE2914663C2 DE2914663C2 (de) | 1989-02-09 |
Family
ID=27572303
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Country | Link |
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Publication number | Publication date |
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GB2018740A (en) | 1979-10-24 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
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