DE2848452B2

DE2848452B2 - Verfahren zur Herstellung vonreinem· borhaltigem ß -Siliziumcarbid und dessen Verwendung zur Herstellung von Sinterkörpern

Info

Publication number: DE2848452B2
Application number: DE2848452A
Authority: DE
Inventors: Masayuki Tokoname Kaneno; Isao Nagoya Oda
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1977-11-09
Filing date: 1978-11-08
Publication date: 1980-10-02
Also published as: GB2007635B; DE2848452A1; DE2848452C3; JPS5467598A; JPS5613645B2; GB2007635A

Description

Siliziumcarbid ist aufgrund seiner Eigenschaften, wie Hochtemperaturfestigkeit, Oxidationsresistenz, Wärmeschockresistenz und Korrosionsbeständigkeit ein vielseitig verwendbares Material. Siliziumcarbid-Sinterkörper für Hochtemperatur-Baukomponenten werden nach dem Selbstbindeverfahren durch Heißpressen oder durch druckloses Sintern hergestellt Das Selbstbindeverfahren wird z. B. in den US-PS 32 05 043 und 95 939 beschrieben. Dabei wird ein Pulvergemisch aus Siliziumcarbid und Kohlenstoff geformt und der Formling in geschmolzenem metallischen Silizium erwärmt, wobei die Zwischenräume in dem Formling mit 0-SiC gefüllt werden, das sich durch Reaktion von Kohlenstoff und Silizium bildet. Das Selbstbindeverfahren hat jedoch insofern Nachteile, als nicht-urngesetztes Silizium und Kohlenstoff im Inneren des erhaltenen Sinterkörpers verbleiben, so daß auf diese Weise keine Sinterkörper mit ausgezeichneten Hochtemperatureigenschaften, insbesondere mit einer hohen Festigkeit bei hohen Temperaturen, erhalten werden können. Das Heißpreßverfahren wird z.B. in der JP-OS 7311/74 beschrieben. Beim Heißpreßverfahren wird feinverteiltes SiC-Pulver unter Druck zusammen mit einer kleinen Menge an Sinterhilfsmittel, wie AI2O3 und dergleichen, gesintert. Nach dem Heißpreßverfahren können Sinterkörper mit einer Dichte, die nahezu der theoretischen Dichte entspricht, erhalten werden, jedoch ist dieses Verfahren nur für Sinterkörper mit einfachen Formen geeignet Das drucklose Sinterverfahren wird z. B, in den US-PS 40 04934 und 40 80415 offenbart Beim drucklosen Sinterverfahren werden fe'mteilige SiC-PuI-ver zusammen mit Sinterhilfsmitteln, wie B4C ohne Anwendung von Druck gesintert Mit dem drucklosen Sinterverfahren können Sinterkörper mit komplizierten Formen hergestellt werden, jedoch konnten bisher nach dem herkömmlichen durcklosen Sinterverfahren keine Sinterkörper hergestellt werden, die eine ausreichende Dichte und mechanische Festigkeit aufweisen. Da SiC eine Verbindung mit einer starken kovalenten Bindung ist, soll das beim drucklosen Sintern als Rohmaterial verwendete SiC-Pulver eine hohe Sinterfähigkeit haben, und es ist erforderlich, daß sich das SiC-Pulver aus gleichförmigen Teilchen von Submikrongröße zusammensetzt und eine hohe Reinheit aufweist Der Gehalt an Verunreinigungen, insbesondere die Menge an Si, SiO₂ und anderen Oxiden, die in den SiT Pulvern enthalten sind, muß so niedrig wie möglich gehalten werden. Feinteiliges SiC-Pulver zur Verwendung beim drucklosen Sinterverfahren wurde bisher durch Reduktion von Siliziumdioxid mit Kohlenstoff oder durch thermische Zersetzung einer siliziumhaltigen Verbindung zusammen mit einer kohlenstoffhaltigen Verbindung in der Gasphase hergestellt Wenn jedoch Siliziumdioxid mit Kohlenstoff reduziert wird, ist es außerordentlich schwierig, 0-SiC-Pulver mit ständig gleichbleibenden Eigenschaften herzustellen; darüber hinaus neigen die erhaltenen 0-SiC-Pulver zur Aggregation und enthalten große Mengen an Si und SiO₂. welche sich beim Sintern als nachteilig erweisen. Wenn andererseits 0-SiC-Pulver durch thermische Zersetzung in der Gasphase hergestellt werden, so ist die Kontrolle der Reaktionsbedingungen aufgrund der Gasphasenreaktion schwierig und die erhaltenen 0-SiC-Pulver sind in ihrer Qualität schwankend. Aus diesem Grunde ist es nicht möglich, Silizl· mcarbid-Sinterkörper hoher Reinheit und hoher mechanischer Festigkeit nach dem Sinterverfahren herzustellen.

Aus DE-AS 13 02 312 ist die Herstellung transparenter, hochreiner, bindemittelfreier Schichten aus Siliziumkarbid durch thermische Zersetzung Silizium-organischer Verbindungen enthaltender Gasgemische und Abscheidung des erhaltenen Siliziumcarbids auf erhitzten festen Trägern bei Über- oder Unterdruck bekannt. Bei diesem Verfahren wird ein Gasgemisch aus einer Silizium-organischen Verbindung und einem gasförmigen Verdünnungsmittel an einem Träger aus Bor, Silizium, hochschmelzenden Metallen oder hochschmelzenden Carbiden bei einer Temperatur von etwa 1150 bis etwa 1800⁰C und Drücken von etwa 0,1 bis 100 Atmosphären vorbeigeleitet.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein hochreines borhaltiges 0-SiC herzustellen, das eine besonders gute Sinterfähigkeit hat und zu Sinterkörpern hoher Dichte und hoher mechanischer Festigkeit verarbeitet werden kann.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst.

Das erfindungsgemäß erhaltene 0-SiC kann nach einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform zur Herstellung von Siliziumkarbid-Sinterkörpern verwendet werden, indem man dem borhaltigen 0-SiC oder einem Gemisch aus 1 Gewichtsteil des borhaltigen 0-SiC und nicht mehr als 1,5 Gewichtsteilen anderer SiC-Pulver mit einer Verteilung der Teilchengröße von 0,1 bis 44 μπι Kohlenstoff oder ein Gemisch aus

Kohlenstoff und Bor in einer Menge von 0,1 bis 5 Gew.-% von jeweils Kohlenstoff und Bor gibt, das Gemisch geformt und der geformte Gegenstand bei einer Temperatur von 1800 bis 2300⁰C im Vakuum, in CO-Gasatmosphäre oder in einer inerten Gasatmo- ■> sphere solange gesintert wird, bis man einen Sinterkörper mit einer Dichte von nicht unter 2,60 g/cm³ erhält

Ein Organosiljzium-Polymer, welches Si, B und O als Hauptgerüstkomponenten und C-haltige Gruppen in der Seitenkette aufweist wird bei einer Temperatur von 1300 bis 2000⁰C im Vakuum, in einer reduzierenden Atmosphäre oder in einer Inertgasatmosphäre zersetzt Es ist wichtig, daß die Atmosphäre keinen Sauerstoff enthält da dieser während der thermischen Zersetzung mit dem Silizium unter Bildung von SiO₂ reagiert, was li sich nachteilig auf die Sinterfähigkeit der resultierenden Siliziumcarbidpulver auswirkt Bei einer Zersetzungstemperatur unter 1300⁰C findet keine vollständige Zersetzung des Organosilizium-Polymers statt und die Ausbeute an Siliziurncarbid ist daher niedrig. Außerdem weist das erhaltene Siliziumcarbid eine geringe Kristallinität auf ue<tes können keine Siliziumcarbidpulver mit ausgezeichneten Sintereigenschaften erhalten werden. Wenn die Zersetzungstemperatur über 2000⁰C liegt weisen die erhaltenen Siliziumcarbidpulver eine r> geringe Dispergierbarkeit auf und haben eine übermäßig große Partikelgröße und deshalb eine schlechte Sinterfähigkeit

Das bei der thermischen Zersetzung erhaltene Pulver, das in der Hauptsache aus borhaltigem Siliziumcarbid w besteht, enthält überschüssigen Kohlenstoff und kann deshalb nicht direkt zu kompakten Sinterkörpern geformt werden. Au* diesem Grunde wird das bei der thermischen Zersetzung erhabene Pv'.ver, gegebenenfalls nach Pulverisierung, in ein*:r oxidierenden Atmo- r> Sphäre auf eine Temperatur von 500 bis -^00⁰C erwärmt, um freien Kohlenstoff zu entfernen. Wenn die Erwärmungstemperatur unter 500" C liegt, so kann der Kohlenstoff nicht in ausreichendem Maße entfernt werden, während im Falle einer Temperatur von über 800⁰C die Siliziumcarbidpulver merklich oxidiert werden.

Die in einer oxidierenden Atmosphäre erwärmten Pulver werden dann einer Säurebehandlung unterworfen. Es ist erforderlich, daß die bei der Säurebehandlung 4Ί verwendete Säure zumindest Flußsäure enthält. Bei einer bevorzugten Säurebehandlung werder die Pulver zur Entfernung von Verunreinigungen wie Si und S1O2 mit einer Lösung aus Flußsäure zu Salpetersäure zu Wasser im Verhältnis von 3:1:3 behandelt. Dann ><> wäscht man mit Wasser und trocknet. Das borhaltige ^-SiC-Pulver besteht aus gleichförmigen Teilchen mit einer Teilchengröße von nicht mehr als 1 μπι und weist eine sehr hohe Sinterfähigkeit auf.

Gemäß der Erfindung kann das so hergestellte v> Siliziumcarbidpulver als solches oder als Gemisch aus 1 Gewichtsteil des Siliziumcarbidpulvers mit nicht mehr als 1,5 Gewichtsteilen anderer SiC-Pulver mit einer Teilchengrößenverteilung von 0,1 bis 44 μπι als pulverförmiges Rohmaterial zu Herstellung von Sinterkör- bo pern verwendet werden. Das pulverförmige Rohmaterial wird mit einem oder mehreren Sinterhilfsstoffen vermischt und das erhaltene Gemisch wird zu einem Sinterkörper geformt. Die anderen SiC-Pulver umfassen z. B. im Handel erhältliche iX-SiC-Pulver mit einer *>ί Verteilung der Teilchengröße von 0,1 bis 44 μπι oder SiC-Pulver mit einer Verteilung der Teilchengröße von 0,1 bis 44 μιη, welche durch Pulverisieren der gemäß der Erfindung erhaltenen Sinterkörper erhalten worden sind. Da diese SiC-Pulver hinsichtlich ihrer Sinterfähigkeit den erfindungsgernäO hergestellten Süiziumcarbidpulvern aus hochreinem 0-SiC unterlegen sind, muß die zugegebene Menge an diesen anderen SiC-PuIvern auf nicht mehr als 1,5 Gewichtsteile, bezogen auf I Gewichtsteil des erfindungsgemäß hergestellten SHiziumcarbidpulvers begrenzt werden. Als Sinterhilfsmittel wird Kohlenstoff oder ein Gemisch aus Kohlenstoff und Bor verwendet Als Kohlenstoffquelle wird ^fein verteilter Kohlenstoff oder eine carbonisierbare organische Verbindung verwendet Carbonisierbare organische Verbindungen sind Verbindungen, die bei der Zersetzung in der Wärme Kohlenstoff bilden; als solche Verbindungen werden vorzugsweise Polyphenylen, Phenolharz und dergleichen, welche Kohlenstoff in großer Ausbeute bilden, verwendet Als Borquelle verwendet man Bor oder borhaltige Verbindungen, wie B4C, BCI3 oder BN. Bor kann in kristalliner oder amorpher Form verwendet werden, jedoch wird eine kleinere Teilchengröße bevorzugt und es ist wünschenswert Bor mit einer Teilchengröße von nicht mehr als 10 μπ« zu verwenden. Das in dem Ausgangs-Organosilizium-Polymer enthaltene Bor bildet bei der thermischen Zersetzung Borcarbid und liegt in den resultierenden Siliziumcarbidpulvern in dispergierter bzw. verteilter Form vor oder es wird bei der thermischen Zersetzung als Feststoff in den Siliziumcarbidpulvern gelöst Aus diesem Grunde wird der Borgehalt in den Siliziumcarbidpulvern bestimmt bevor das Sinterhilfsmittel zu dem pulverförmigen Rohmaterial gegeben wird. Wenn der Borgehalt innerhalb de& gegebenen Bereiches liegt, so kann dies bei der Zugabe von Sinterhilfsmitteln berücksichtigt werden, indem z. B. nur Kohlenstoff allein als Sinterhilfsstoff zugegeben wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung muß der Borgehalt und der Kohlenstoffgehalt in dem Gemisch aus pulverförmigem Rohmaterial und Sinterhilfsmittel auf jeweils 0,1 bis 5 Gew.-% beschränkt werden. Wenn der Borgehalt oder der Kohlenstoffgehalt unter 0,1% Hegen, so ist es schwierig, das Bor und den Kohienstoh t.omogen mit dem pulverförmigen Rohmaterial zu vermischen und man erhält dann Sinterkörper mit geringer Dichte. Wenn der Borgehalt in dem Gemisch über 5% liegt, so wird eine große Menge an B4C in dem erhaltenen Sinterkörper gebildet, was dessen Eigenschaft verschlechtert. Liegt der Kohlenstoffgehalt des Gemisches über 5%, so reagiert der Kohlenstoff in Form von freiem Kohlenstoff und beeinflußt die Formbarkeit und Sinterfähigkeit des Gem'sches nachteilig.

Das Gemisch, welches 0,1 bis 5 Gew.-% von jeweils Kohlenstoff und Bor enthält, wird vorzugsweise mit Hilfe einer Kugelmühle mit Benzol gemischt, um ein homogenes Gemisch herzustellen, und, nachdem das Benzol aus dem Gemisch entfernt worden ist, wird das Gemisch geformt. Der so hergestellte Formling wird im Vakuum, in CO-Gas-Atmosphäre oder in einer inerten Gasatmosphäre bei 1800 bis 2300° C gesintert. Wenn die Sintertemperatur unter 1800⁰C liegt, so ist es nicht möglich, einen Sinterkörper mit einer ausreichend hohen Dichte zu erhalten. Wenn andererseits die Sintertemperatur über 230O⁰C liegt, so wird /3-SiC schnell in Λ-SiC umgewandelt und das Kornwachstum von Λ-SiC wird gefördert, was der Bildung eines Sinterkörpers mit hoher Dichte hinderlich ist. Vorzugsweise liegt der Bereich der Sintertemperatur zwischen 2000 bis 2200° C. Der in der Sinteratmosphäre vorliegende Sauerstoff reagiert mit SiC unter Bildung

von SiO₂, was für die Sinterung nachteilig ist, Aus diesem Grunde muß der Sauerstoffgehalt in der Sinteratmosphäre so niedrig wie möglich gehalten werden. Die Sinterzeit muß lang genug sein, um einen Sinterkörper mit einer Dichte von nicht unter 2,60 g/cm³ zu erhalten. Die Sinterzeit muß in Abhängigkeit von der Sintertemperatur, der Dichte und der Gestalt des herzustellenden Sinterkörpers variiert werden, sie beträgt im allgemeinen mindestens 30 Minuten.

Beispiel 1
(A) Herstellung von borhaltigem 0-SiC

Ein Diphenylborsiloxan-Polymer mit an Si gebundenen Phenylgruppen in der Seitenkette wurde unter Argonatmosphäre 1 Stunde lang bei 1700° C zersetzt, wobei ein Pulver erhalten wurde, das in der Hauptsache aus borhaltigem 0-SiC besteht. Die Analyse ergab, daß in dem Pulver etwa 10% freier Kohlenstoff vorlag. Das Pulver wurde in Luft 1 Stunde auf 700⁰C erhitzt, mit einer sauren Lösung aus Fluorwasserstoffsäure zu Salpetersäure zu Wasser = 3:1:3 benandelt, gewaschen und getrocknet, wobei ein Siliziumcarbidpulver aus hochreinem, borhaitigen 0-SiC erhalten wurde. Röntgenanalyse und chemische Analyse des Pulvers ergaben, daß es neben 0-SiC 1,5 Gew.-% (berechnet als Bor) B4C enthielt; jedoch war in den Pulvern überhaupt kein freier Kohlenstoff vorhanden.

(B) Herstellung eines Sinterkörpers

Dieses Siliziumcarbidpulver aus hochreinem, borhaitigen 0-SiC wurde als Rohmaterial für die Herstellung von Sinterkörpern verwendet. Zu dem Rohmaterial wurde Ruß gegeben, so daß das sich ergebende Gemisch 1 Gew.-% Ruß enthielt. Dieses Gemisch wurde zu einem Barren von 10 χ 10 χ 50 mm verpreßt. Der Barren wurde dann 1 Stunde lang unter Argonatmosphäre bei 2150⁰C gesintert, wobei ein Sinterkörper aus Siliziumcarbid mit einer Dichte von 3,05 g/cm³ und einer Biegefestigkeit von 5600 kg/cm² erhalten wurde.

Die Biegefestigkeit wird als Durchschnittswert angegeben. Die Biegefestigkeit wurde an fünf Probestücken auf die folgende Weise bestimmt:

Jedes der fünf Probestücke von 3 χ 4 χ 40 mm wurde von dem erhaltenen Barren abgeschnitten. Die Biegefestigkeit des Probestückes wurde nach der Drei-Punkt-Träger-Methode in einer Spannweite von 30 mm bestimmt.

Für Vergleichszwecke wurde das gleiche Diphenylborsiloxan-Polymer-ii thermisch unter den oben beschriebenen Bedingungen zersetzt. Das Pulver wurde zu einem Sinterkörper geformt, und zwar unter den

Tabelle

gleichen Bedingungen wie oben beschrieben, mit der Ausnahme, daß die Wärmebehandlung in Luft und keine Säurebehandlung durchgeführt wurde. Der erhaltene Sinterkörper aus Siliziumcarbid wies eine Dichte von 1,90 g/cm³ und eine Biegefestigkeit von 1250 kg/cm³ auf.

Beispiel 2

Zu 1 Gewichtsteil hochreinem, borhaitigen 0-SiC, das gemäß Beispiel 1 (A) erhalten worden war, wurden 0,5 Gewichtsteile «-SiC-Pulver mit einer Teilchengrößenverteilung von 0,1 bis 44 μηι und einer durchschnittlichen Teilchengröße von 10 μιπ gegeben. Das Gemisch wurde homogen vermischt. Dann wurde dieses pulverförmige Rohmaterial mit Bor und Ruß vermischt, so daß das Gemisch 1 Gew.-°/o Bor und 2 Gew.-°/o Ruß enthielt Dieses Gemisch wurde extrudiert, wobei ein Gegenstand von 5 0 χ 30 mm geformt wurde. Dieser Formkörper wurde 1 Stunde larvg unter Stickstoffatmosphäre bei 2200⁰C gesintert, wobei ein Siliziumcarbid-Sinterkörper einer Dichte von 2,91 g/cm³ und einer Biegefestigkeit von 3700 kg/cm⁷ erhalten wurde.

Beispiel 3

Ein Organosilizium-Polymer, welches aus einem Diphenylborsiloxan-Polymer mit Si, B und O GerüstkoTiponenten besteht und an Si gebundene Phenylgruppen in der Seitenkette enthält, wurde thermisch zersetzt und die erhaltenen Pulver in Luft unter Bedingungen, wie sie in der nachfolgenden Tabelle 1 beschrieben

jo werden, zur Herstellung von Siliziumcarbidpulvern erhitzt. Bei der obigen Behandlung wurden die Pulver, nach deren Behandlung in Luft, in einer Lösung aus Fluorwasserstoffsäure zu Salpetersäure zjj Wasser = 3:1:3 behandelt. Die wie oben beschriebenen Silizium-

j) carbidpulver wurden als pulverförmiges Rohmaterial für Sinterkörper verwendet und mit einem Sinterhilfsstoff, wie in Tabelle 1 beschrieben, vermischt. Das erhaltene Gemisch wurde bei den in Tabelle I beschriebenen Bedingungen gesintert, wob;i Siliziumcarbid-Sinterkörper erhalten wurden. Die Dichte und die Biegefestigkeit der erhaltenen Sinterkörper sind in der Tabelle aufgeführt.

Für Vergleichszwecke wurde das gleiche Oiganosiiizium-Polymer wie oben beschrieben thermisch bei

4> 220O⁰C zersetzt und die erhaltenen Pulver in Luft bei 900⁰C erhitzt. Daraufhin wurden diese mit der gleichen sauren Lösung wie oben beschrieben behandelt, wobei 0-SiC-Pulver erhalten wurden. Das pulverförmige 0-SiC wurde mit einem Sinterhilfsstoff vermischt und das erhaltene Gemisch bei den in der Tabelle beschriebenen Bedingungen zur Herstellung von Sinterkörpern gesintert. Die Eigenschaften des Sinterkörpers sind ebenfalls in der Tabelle aufgeführt.

Beispiel Nr.	Herstellungsbedingungen für Siliziumcarbidpulver	Behänd- lungs- temperalur in Lud	Gehaltan Iliirsstoff in den Rohmaterialpulvcrn für Sinterkörper	Sinterbedingun^-n	Atmosphäre	Eigenschaft des gesinterten Körpers
	Zersetzungs temperatur	( C-)	Bor Kohlenstoff	Temperatur /eit		Dichte Biege festigkeit
	( Ο	800	(%) (%)	( ( ) (ID	Stickstoff	!g/cm') (kg/cm')
I	1300	700	5.0 2,0	2250 I	Argon	2.96 4900
2	1500	2.0 1.0	2100 1	3.07 6000

Beispiel Ilcrslclliin^-hcclintiun^L-n (iehall .in lliUssiolT Siiitcihcilmguiiiic(i Nr. IVir Sili/iiiiitt..irhulniilvcr in ilen

KnhmaterwlpuKein

liir Sinterkörper

/ersel/miiis- lieh.mil· Hur kohlenstoff temperatur /eil

lemperaliii linius-

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Il (I

I iiieMM.h.ill iles uesinlerten körper-.

Atmosphäre Du hie Hieüe

It/tm'l

}	1700	WIO	1.0	1.5	2150	I	Argon	3.12	6500
4	2000	WH)	2.0	3.0	2050	0.5	Argon	3.01	5300
	1700	700	0.5	2.0	2KM)	1	Vakuum	3.04	5700
6	170(1	700	2.0	1.5	2050	1	A rgon	3.01	52(Hi
7	1700	500	1.5	5.0	2050	I	A rgon	2.70	3500
Vergleichs	2200	900	2.0	1.5	2100	1	Argon	2 J I	1400
vers iich

Wie aus der Tabelle zu ersehen ist. weisen sämtliche Sinterkörper gemäf! der Krfindung eine Dichte auf. die nicht unter 2.70 g/cm¹ liegt und eine Biegefestigkeit, die nicht unter 3500 kg/cm- liegt. Demgegenüber weist der Sinterkörper des Vergleichs, welches bei Bedingungen einer thermischen Zersetzungstemperatur \on 2200 C und einer F.rwärmungstcmperatur in Luft von 900 C hergestellt wurde, wesentlich niedrigere Werte sowohl der Dichte .ils auch der Biecefestigkeit auf.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von hochreinem, borhaltigen 0-SiC durch thermische Zersetzung Bor enthaltender siliziumorganischer Verbindungen bei 1300 bis 2000⁰C in reduzierender oder inerter Atmosphäre oder im Vakuum, dadurch gekennzeichnet, daß als Bor enthaltende siliziumorganische Verbindung ein Organosilizium-Po- in lymer, welches Si, B und O als Hauptgerüstkomponenten und C-haltige Gruppen in der Seitenkette aufweist, umgesetzt wird, die thermische Zersetzung durchgeführt wird, und das thermisch zersetzte, pulverförmige Produkt bei einer Temperatur von li 500 bis 800⁰C in einer oxidierenden Atmosphäre erwärmt wird und daraufhin mit einer Säure, welche mindestens Flußsäure enthält, behandelt wird.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das Organosilizium-Polymere ein Diphenylborsiloxan-Polymer ist

3. Verwendung des nach Anspruch 1 hergestellten 0-SiC, zur Herstellung von Siliziumcarbid-Sinterkörpern, dadurch gekennzeichnet daß dem borhaltigen 0-SiC oder einem Gemisch aus einem Gewichtsteil 2^r> des borhaltigen 0-SiC mit nicht mehr als 1,5 Gewichtsteilen SiC-Pulver, das eine Teilchengröße von 0,1 bis 44 μιτι aufweist Kohlenstoff oder ein Gemisch aus Kohlenstoff und Bor in einer Menge von 0,1 bis 5 Gew.-% von jeweils Kohlenstoff und in Bor zu dem erhaltenen Gemisch zugegeben wird, das Gemisch geformt und der geformte Gegenstand bei einer Temperatur von 1800 bis 2300⁰C solange im Vakuum, in CO-Gasatmosphäre oder in einer teerten Gasatmosphäre gesintert wird, bis man einen π Sinterkörper mit einer Dichte von nicht unter 2,60 g/cm^J erhält