DE2832050C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und eine Vorrichtung
zur Durchführung des Verfahrens nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 2.
Ein derartiges Verfahren und eine derartige
Vorrichtung sind aus der DE-OS 26 21 138
bekannt.
Das Verfahren und die Vorrichtung sind besonders zur
Ausbildung elektrischer Verbindungen kleiner Bauteile
oder Schaltkreise, vornehmlich der Verbindung integrierter
Silizium-Mikroschaltungsbausteine, sogenannter
"chips", mit Substratschaltung geeignet.
Integrierte Silizium-Mikroschaltungsbausteine werden
derzeit mit Substratschaltungen durch Aluminiumdrähte
mit einem Durchmesser von beispielsweise 25 Mikrometer
oder durch Golddrähte verbunden. Bei einem bekannten Verfahren
wird ein keilförmiges Ultraschall-Werkzeug zur Verbindung
der Aluminium- oder Golddrähte mit den Belägen
auf dem Silizium-Mikrobaustein und den Belägen auf
der Substratschaltung verwendet.
Bei einem anderen bekannten Verfahren wird eine Kugel am Ende
eines Golddrahtes gebildet und die Gold-Kugel dann mit dem
Silizium-Mikroschaltungsbaustein oder der Substratschaltung
durch Erwärmung und Druck oder Ultraschall verbunden.
Die Ausbildung einer Verbindung mittels einer Kugel
hat zahlreiche Vorteile gegenüber der Ausbildung von
Verbindungen mittels eines keilförmigen Werkzeugs.
Eine solche Kugel z. B. kann durch Beaufschlagung des Golddrahtes mit einer Wasserstoffflamme
gebildet werden.
Aus der DE-OS 26 21 138 ist ein Verfahren bekannt, bei dem an einem Golddraht
durch Anlegen einer Hochspannung von beispielsweise
10 kV an einen Spalt zwischen den Golddraht und eine Elektrode
eine Funkentladung mit einem Lichtbogenstrom
von 1 bis 2 mA ausgelöst und dadurch am Ende des Golddrahtes
ein Kügelchen angeschmolzen wird. Als wesentlich
wird hierbei die Einhaltung einer bestimmten Stromstärke
über eine vorbestimmte Zeitspanne angesehen.
Die Verwendung einer monometallischen Aluminiumverbindung
zwischen den Aluminiumbelägen und den Drähten ist von
Vorteil, weil hierdurch brüchige intermetallische
Verbindungen weitgehend vermieden werden und die Zuverlässigkeit
sowie Wirtschaftlichkeit erhöht werden.
Aus der DE-OS 26 21 138 ist es bekannt, daß
die obengenannten Verfahren zur Bildung einer Kugel am
Ende eines Golddrahtes nicht direkt auf einen Draht
aus Aluminium übertragbar sind.
Denn
wenn ein Aluminiumdraht in eine Flamme gehalten wird, verhindert
die sich sehr rasch auf der freien Oberfläche des
Aluminiums bildende Oxidschicht die Ausbildung einer
geeigneten Kugel. Mittels einer Funkenentladungseinrichtung,
wie sie für die Ausbildung von Kugel-Verbindungen
mit Golddraht verwendet wird, konnte zwar eine Kugel an
einem Aluminiumdraht ausgebildet werden, doch wurde diese
Kugel sehr rasch oxidiert und unbrauchbar. Versuche,
eine Kugel an einem Aluminiumdraht in einer Schutzatmosphäre
(z. B. Argon) auszubilden, führten zu einer
Glimmentladung ohne die Bildung einer Kugel.
In der britischen Zeitschrift "Journal of Applied Physics" 1965,
Heft 16, Seiten 865 bis 868, berichten D. Baker und
I. E. Bryan in dem Aufsatz "An improved form of thermocompression
bond", daß ein nicht erfolgreicher Versuch unternommen wurde, ein Verfahren
zur Ausbildung von Kugel-Verbindungen mit Aluminiumdrähten
zu entwickeln. Als Energiequelle wurden ein fokussierter
Laser-Strahl, ein Mikroplasma-Brenner, eine
Kondensatorentladungs- und eine Miniaturstrahlungs-Heizvorrichtung
untersucht. Sie stellten fest, daß
die Oberflächen-Oxidschicht ausreichte, den Oberflächenspannungen
entgegenzuwirken, die bestrebt sind, das
Drahtende in die gewünschte Kugelform zu bringen, selbst
bei einer Erwärmung in einer Schutzgasatmosphäre.
Aus der DE-OS 25 41 206 ist ein Verfahren zum Bonden
von Drähten bekannt, bei dem ein elektrischer
Strom durch den Draht geleitet und der Draht durch Widerstandserwärmung
bis zum Bruch gebracht wird. Dabei werden
an den Drahtenden Kugeln angeschmolzen. Die hierbei
angewandte Spitzenstromsträke beträgt 13 Ampere bei
einer Spannung von 12 Volt. Bei einem Aluminiumdrahtdurchmesser
von 25 Mikrometern betgrägt die Stromdichte
etwa 2 × 10⁶ A/m². Das Durchschmelzen des Drahtes führt
jedoch zu einem erheblichen Drahtmaterialaufwand.
Bei dem Verfahren und der Vorrichtung wie sie aus der DE-OS 26 21 138 bekannt sind und wovon in den Oberbegriffen
der Patentansprüche 1 und 2 ausgegangen wird,
werden der Draht und die Elektrode bei einer
angelegten Spannung von weniger als 200 V zunächst
kurzzeitig in Berührung gebracht. Während der Berührung
tritt an der Kontaktstelle infolge eines hohen Stromes
eine starke Erhitzung auf, so daß beim Auseinanderziehen
von Draht und Elektrode eine Bogenentladung auftritt
und das Drahtende unter Bildung einer Kugel anschmilzt. Hierbei erfolgt auch eine
starke Erhitzung der Elektrode, wobei ein Brennfleck
mit hoher Stromdichte auftritt, der zu einer starken
Abnutzung der Elektrode führt. Sie muß daher häufig
ausgewechselt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 2 anzugeben,
bei dem bzw. der eine starke Abnutzung der für die
Funkenentladung benutzten Elektrode vermieden wird.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß den
kennzeichnenden Merkmalen der Patentansprüche 1 und 2.
Bei dieser Lösung wird eine örtliche Überhitzung der
Elektrode vermieden. Sie hat daher eine entsprechend
hohe Lebensdauer.
Der den Entladestromkreis speisende Kondensator kann
eine Kapazität aufweisen, die bei einem Draht mit einem
Durchmesser von 25 Mikrometern einen Wert von 0,2 bis
0,5 Mikrofarad hat. Bei einer Spannungsquelle mit einer
Ausgangsspannung von 500 V sollte der ohmsche Widerstand
des Entladestromkreises zwischen 75 und 850 Ohm liegen.
Der Spitzenwert der Stromstärke liegt dann am unteren
Ende des Widerstandsbereichs bei 6,7 Ampere und am oberen
Ende des Widerstandsbereichs bei 0,6 Ampere.
Wenn die angewandten Werte in diesen Bereichen liegen,
lassen sich Kugeln hoher Qualität in einer Schutzgasatmosphäre aus Argon bei einem
Aluminiumdraht mit einem Durchmesser von 25 Mikrometern
herstellen, wobei der Draht in dem Stromkreis liegt.
Nachstehend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel
einer Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens anhand
der Zeichnung näher beschrieben.
Die Figur zeigt eine Vorrichtung
zur Bildung einer Kugel an der Spitze eines Drahtes aus
Aluminium oder einer Aluminiumlegierung.
Nach der Zeichnung erstreckt sich ein Draht 1 von einer
Spule 2 durch eine elektrisch leitfähige Klemme 3 und
eine Kapillardüse 4 am Ende des Horns 5 eines Ultraschall-
Schweißwerkzeugs 6. Die aus der Kapillardüse
4 herausragende Drahtspitze soll an einer Mikroschaltung
7 angeschweißt werden, die auf einer Aufnahmebasis
8 angeordnet ist.
Zur Bildung einer Kugel am Ende des Drahtes wird eine
Funkenentladung zwischen der Spitze des Drahtes 1 und der
Elektrode 9 in einem Spalt von etwa 0,125 mm
(0,005″) Länge erzeugt. Die Elektrode 9 wird von einem
Halter 10 getragen, der mit einem (im Schnitt transparent dargestellten)
vorderen Teil 11 versehen und am
Ende eines schwenkbar gelagerten Arms 12 befestigt ist.
Eine von einer Antriebseinrichtung 14 gedrehte Kurvenscheibe
13 schwenkt den Arm 12 in die dargestellte Kugel-
Bildungslage nach vorn und zieht ihn danach wieder zurück,
um die Herstellung einer Verbindung zu ermöglichen.
Der transparente vordere Teil des Elektrodenhalters 10
ist mit einem Schlitz 15 versehen, damit die Spitze der Kapillardüse
und der Draht in den Elektrodenhalter ragen können,
während dieser vorgeschoben wird.
Über den Transformator T und den Gleichrichter U wird
der Kondensator C 1 aufgeladen, der über den ohmschen
Widerstand R 1 an der Speicherkapazität C 2 liegt, die
den Entladungsstrom liefert. Der Kondensator C 2 entlädt
sich über den ohmschen Widerstand R 2, wenn der Thyristor
Th gezündet wird, und die Bogenentladung wird
dann zwischen der Elektrode 9 und dem Drahtende ausgelöst.
Eine Schutzgasquelle 24 ist über ein Rohr 25 mit
dem Inneren des Elektrodenhalters verbunden. Während
der Funkenentladung strömt das Schutzgas an der Elektrode
und der Drahtspitze vorbei und aus dem Schlitz 15 hinaus.
Die Werte des Kondensators C 2 und des Widerstands R 2 liegen
in den oben angegebenen Bereichen.
Die Funkenentladung zwischen dem Draht und der Elektrode
führt zur Bildung einer Kugel am Ende des Drahtes.
Während sich die Kurvenscheibe 13 weiterdreht, wird
die Elektrode 9 zurückgezogen.
Die Antriebseinrichtung 14 treibt eine weitere Kurvenscheibe
30 an. Die Kurvenscheibe 30 verschwenkt über
eine Rolle 31 einen Hebel 32, an dessen Ende die Klemme
3 angeordnet ist, um eine Achse 33. Das Ultraschall-
Schweißwerkzeug 6 wird ebenfalls um die Achse 33 geschwenkt.
In der dargestellten Lage hat die Kurvenscheibe
30 den Hebel 32 und das Ulstraschall-Schweißwerkzeug
6 so verschwenkt, daß die Klemme 3 und die Kapillardüse
4 oberhalb des Werkstücks liegen, um die Bildung einer
Kugel zu ermöglichen. Wenn die Kugel gebildet worden
ist, wird die Kurvenscheibe 30 so weit gedreht, daß
die Klemme 3 und die Kapillardüse 4 nach unten geschwenkt
werden und die Kugel mit der Mikroschaltung in Berührung
kommt. Eine Feder 34 hält die Rolle 31 mit der Kurvenscheibe
30 in Berührung. Dann wird das Ultraschall-
Schweißwerkzeug 6 eingeschaltet, so daß über das Ultraschall-
Horn 5 die Düse 4 und damit die Kugel am Ende
des Drahtes an der Mikroschaltung in Schwingungen versetzt
wird, um in an sich bekannter Weise eine Verbindung
durch Ultraschall herzustellen.
Nachdem der Draht in der oben beschriebenen Weise mit
der Mikroschaltung verbunden worden ist, kann er an
einen herausführenden Anschluß 35 angeschlossen werden.
Bei der Ausbildung dieser Verbindung kann ein Keil-
Verbindugnsverfahren angewandt werden, weil die verfügbare
Verbindungsfläche größer ist. Für die Verbindung mit
der Mikroschaltung ist die verfügbare Verbindungsfläche
klein, so daß der Betrag der zur Ausbildung der Verbindung
erforderlichen Energie kritischer ist. Gewünschtenfalls
kann die Kapillardüse 4 verwendet werden, um die
Keil-Verbindung mit dem herausführenden Anschluß in
an sich bekannter Weise herzustellen.
Obwohl das dargestellte Ultraschall-Verfahren zum Verbinden
des Drahtes mit der Mikroschaltung bevorzugt wird,
ist es auch möglich, diese Verbindung unter Anwendung
von Wärme und Druck herzustellen.
Statt bei einem Aluminiumdrahtdurchmesser von 25 Mikrometern
kann das erfindungsgemäße Verfahren auch bei Drähten
mit anderen Durchmessern angewandt werden. Beispielsweise
sind bei einem Aluminiumdraht mit einem Durchmesser
von 75 Mikrometern eine Kapazität von 3,1 Mikrofarad
und ein ohmscher Widerstandswert von 30 Ohm sowie eine
Spannungsquelle mit 500 V geeignet. Ganz allgemein nimmt
die Kapazität proportional zur Querschnittsfläche des
Drahtes zu. Die Erfindung kann auch bei einem Aluminiumdraht
mit einem Durchmesser von 375 Mikrometern angewandt
werden.
Claims (2)
1. Verfahren zur Bildung einer Kugel an einem Ende eines
Drahtes aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung
in einer Funkenentladung in einem Spalt zwischen
einer Elektrode und dem Ende des Drahtes in einer
Schutzgasatmosphäre, wobei der Spalt in einem Entladestromkreis
mit einem verstellbaren Widerstand liegt
und über dem Spalt eine Spannung anliegt, dadurch
gekennzeichnet, daß die Funkenentladung durch eine
über den Spalt angelegte Spannung ausgelöst wird,
deren Höhe zwischen 350 V und 10 000 V liegt, und
daß der Wert des ohmschen Widerstandes in dem Entladestromkreis
so gewählt ist, daß der Spitzenwert der
Stromdichte in dem Draht 1,2 · 10⁹ A/m² bis 13,5 · 10⁹
A/m² beträgt.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach
Anspruch 1, mit einer Elektrode und einem Drahthalter
zum Halten eines Drahtes mit vorbestimmter Querschnittsfläche
derart, daß zwischen der Elektrode
und dem Ende des Drahtes ein Spalt als Funkenentladungsstrecke
vorhanden ist, mit einem Kondensator
zum Anlegen einer Spannung über den Spalt, mit einem
Ladestromkreis und einem Entladestromkreis für den
Kondensator, wobei der Entladestromkreis einen verstellbaren
Widerstand enthält, und mit einer Einrichtung
(10, 24, 25) zur Bildung einer Schutzgasatmosphäre
in einer den Spalt aufweisenden Zone,
dadurch gekennzeichnet, daß der Drahthalter den Draht
beim Auslösen der Funkenentladung derart hält, daß
der Spalt verbleibt, daß der Ladestromkreis (T, U,
C 1, C 2, R 1) so ausgebildet ist, daß die Höhe der
von dem Kondensator (C 2) über den Spalt angelegten
Spannung zwischen 350 V und 10 000 V liegt und daß
der Wert des ohmschen Widerstandes (R 2) in dem Entladestromkreis
(R 2, Th, 1, 3, 9) so gewählt ist,
daß der Spitzenwert der Stromdichte im Draht 1,2
· 10⁹ A/m² bis 13,5 · 10⁹ A/m² beträgt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2 für einen Draht mit einem
Durchmesser von etwa 25 Mikrometern, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wert des ohmschen Widerstandes
im Endladestromkreis zwischen 75 und 850 Ohm liegt.
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