DE3390451C2 - Verfahren zum Laser-L¦ten - Google Patents
Verfahren zum Laser-L¦tenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
einer Lötverbindung unter Verwendung eines Laserstrahls der
durch den Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenen Gattung
Bei einem aus der DE-OS 27 25 231 bekannten Verfahren dieser
Art wird das Anlöten von Leiterbahnen einer gedruckten Schaltung
an eine keramische Substanz unter Verwendung eines Zinn/
Blei/Silber-Lotes durchgeführt, das in Form von Lothöckern
einzelne Lötstellen bildet, auf welche mit einem optischen
Baustein durch Zerlegung des Laserstrahls erhaltene Teil
strahlen fokussiert werden. Die Lötverbindung wird dabei auf
einer beheizbaren Werkstückauflage durchgeführt, mit der die
keramische Substanz für ihre Verbindung mit der gedruckten
Schaltung auf etwa 100°C vorgewärmt wird, wenn das Anlöten
mit einem 45-Watt-YAG-Laser gleichzeitig an etwa sechs bis
sieben Lötstellen über eine Lötzeit von etwa 1 Sekunde
durchgeführt wird.
Aus der US-PS 42 30 930 ist für ein gattungsfremdes Verfahren
des Laserstrahlschweißens bekannt, daß dafür der Laserstrahl
bei Verwendung einer Linse mit einer Brennweite von 127 mm
auf einen Abstand von beispielsweise 15,2 mm seine Brenn
punktes von der Schweißstelle defokussiert wird, wenn die
Schweißverbindung mit einem Laserstrahl einer Leistung von
etwa 850 Watt für einen Nickel/Chrom-Draht durchgeführt wird,
der bei einer gegen die Umgebung wirksamen Abschirmung mit
einer Stickstoffströmung an die Spitze eines aus Stahl be
stehenden Anschlußstiftes angeschweißt werden soll.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren
der durch den Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen
Gattung bereitzustellen, das beispielsweise in der
Kraftfahrzeugindustrie auf Lötverbindungen mit größer dimen
sionierten Stromleitern anwendbar ist, die auch für Lötan
ordnungen in Frage kommen können, welche für das Anlöten dieser
Stromleiter nicht unmittelbar einsehbar sind und somit
auch beispielsweise in ein Gehäuse aus einem nichtleitenden
Material eingekapselt sein können.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielbaren Vorteile
ergeben sich aus dessen folgender detaillierter Erläuterung
an Hand der Zeichnung.
Fig. 1 zeigt eine Fotographie eines mikroelektronischen
Bauteils, das mehrere mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
erhaltene Lötverbindungen aufweist.
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Fotografie einiger Stromleiter
der Fig. 1.
Fig. 3 zeigt schematisch eine Schnittansicht eines Teils des
Gerätes und Fig. 1 mit der Darstellung einer gelöteten Ver
bindung und einer Einlage (Fig. 3a), dargestellt mit einer
Draufsicht auf die Lötverbindung.
Fig. 4 zeigt eine grafische Darstellung zur Veranschaulichung
der Veränderung der Einschaltzeit des Strahls in Abhängigkeit
von dem Wärmestrom unter verschiedenen Kombinationen, wobei
der schraffierte Bereich die bei Verwendung annehmbaren Fer
tigungskombinationen aufweist.
Fig. 5 zeigt ein Flußdiagramm für die Wärmeverteilung bei
verschiedenen Materialien, welche die Lötverbindung der Fig. 2
bilden.
Fig. 6 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung einer Gauss-
Energiestrahlverteilung über dem Lotkissen.
Fig. 7 zeigt eine grafische Darstellung des kritischen Temperatur-
Halbmessers, der sich als eine Funktion der Einschaltzeit
des Strahls bei verschiedenen Höhen des Wärmestroms ver
ändert.
Fig. 8 zeigt eine grafische Darstellung des Wärmestroms des
Strahls als eine Funktion der Temperatur der Lötstelle bei
veschiedenen Vorwärmtemperaturen.
Für das Anlöten von Stromleitern an eine gedruckte Schaltung
wurde die Anwendung bei einem Zündmodul berücksichtigt, der
das Starten einer Brennkraftmaschine steuern kann. Der Zünd
modul ist in den Fig. 1 und 3 gezeigt und in der US-PS 44 70 648
näher beschrieben.
Der hier berücksichtigte Zündmodul 10 umfaßt im wesentlichen
einen ringförmigen Leiterrahmen 11, der in ein aus Kunststoff
bestehendes ringförmiges Gehäuse 12 eingekapselt oder einge
bettet ist und Stromleiter 13 aufweist, die an den Seiten des
Gehäuses nach innen vorstehen und nach unten durchhängen. Es
sind neun Stromleiter vorhanden, die nach innen vorstehen und
an eine gedruckte Schaltung 14 angelötet werden müssen, die
sich auf einem keramischen Substrat 15 befindet und unterhalb
der oberen Gehäuseöffnung zurückversetzt angeordnet ist. Das
Substrat besteht aus Aluminiumoxid mit einem Anteil von 75%
und aus Berylliumoxid im restlichen Anteil und ist an einer
abstützenden Aluminiumplatte 16 verklebt, die als eine Wärme
senke wirkt.
Jeder Stromleiter 13 besteht aus einer Messinglitze aus 70%
Kupfer und 30% Zink und ist an einem vorstehenden Abschnitt
mit einer U-förmigen Krümmung 17 versehen, die in einem Fuß
18 endet, der an einen Bereich 14 a der gedruckten Schaltung
14 anzulöten ist. Der Fuß 18 hat einen flachen Querschnitt
mit einer Breite von 10,16 mm und einer Dicke von 0,2286 mm.
Neben dem Stromleiter 13 befinden sich elektronische Kompo
nenten, wie Widerstände 19, Kondensatoren 20 und eine elek
trisches Chip 21.
Das Aluminiumoxid des keramischen Substrats 15 besteht nominell
aus 94% Al₂O₃ und wird mit einer Dicke von etwa 0,5 mm
verwendet. Das Berylliumoxid besteht nominell aus 99,5%
minimalem BeO und weist eine Dicke von etwa 0,5 mm auf. Die
Aluminiumplatte 16 besteht aus einer AA3003H14-Aluminiumlegierung
und wird mit einer Dicke von etwa 1,5244 mm verwendet.
Die Stromleiter 13 haben eine Breite 22 größer als 0,762 mm
und weisen einen flachen rechteckigen Querschnitt von beispielsweise
1,016 mm×0,2286 auf. Um eine feste Lotver
bindung an dem Leiterfuß 18 zu erhalten, wird im wesentlichen
wie folgt vorgegangen:
- 1. Auf dem keramischen Substrat 15 wird zunächst die gedruckte Schaltung angelegt und dann ein Lotkissen 24 an einen Bereich 14 a angedrückt. Das Lotkissen kann im Siebdruckverfahren aufgebracht und mit einem Lot gebildet werden, das aus 10% Zinn, 88% Blei und 2% Silber besteht. Das Lotkissen 24 ist so geformt, daß es eine im wesentliche flache Grenzfläche 25 (mit Ausnahme einer Krümmung als Folge der Oberflächen spannung) mit einer Breite größer als die Breite des Strom leiters 13 aufweist. Jedes Lotkissen 24 hat eine rechteckige Form mit einer Breite von 2,032 mm, einer Länge von 2,5 mm und einer Höhe von 0,15244 mm.
- 2. Der Stromleiter 13 wird mit der Unterseite 23 des Leiter fußes 18 gegen die Oberfläche 25 des Lotkissens 24 mit einer Druckkraft von 50 bis 150 g gedrückt. Es ist wichtig, daß das Lotkissen 24 eine Breite hat, die größer als die Breite 22 des Stromleiters 13 ist. Die Grenzfläche des Stromleiters hat eine Breite von mehr als 0,762 mm. Um die Druckkraft ausüben zu können, ist der Stromleiter entsprechend der Darstellung in den Fig. 2 und 3 mit einer U-förmigen Krümmung 17 versehen, wodurch eine federnde Vorspannung in bezug auf die Oberfläche 25 erhalten wird.
- 3. Ein defokussierter Laserstrahl wird auf die Lötstelle aus gerichtet. Der Strahl soll einen Wärmestrom von wenigstens 100 Watt, einen Auftreffdurchmesser 27 von nicht weniger als die Breite 22 des Stromleiters 13 und nicht mehr als die Kissenbreite sowie eine Einschaltzeit haben, die ausreicht, um an der Lötstelle einen bestimmten Bereich zu erschmelzen, dessen Halbmesser eine Lotverbindung für den Stromleiterfuß 18 mit einer Festigkeit von wenigstens 400 g ergibt.
Der für das Ausführungsbeispiel verwendete Laserstrahl 28
wurde mit einem 370-Watt-CO₂-Lasergerät erhalten und an einer
Stelle fokussiert, die einen Abstand 30 von 10,16 mm oberhalb
der Lötstelle hatte. Der Strahl wurde von oben her auf den
Leiterfuß 18 und das Lotkissen 24 ausgerichtet, wobei diese
Ausrichtung mit der Mittelachse des Laserstrahls auf den
Massenmittelpunkt 31 des Leiterfußes und auf die Mitte 32 des
Lotkissens vorgenommen wurde. Eine kleine Menge eines Lot
flußmittels, wie ein nichtaktiviertes Kollophonium-Mikroflußmittel,
war auf die Fläche zwischen den Lotflächen vor dem
Löten aufgebracht worden.
Die Lötstelle war auf 150°C vorgewärmt worden, um damit den
Wärmestrom zu erniedrigen und die Möglichkeit eines ther
mischen Schocks auszuschließen. Eine koaxiale Stickstoff-
Strömung wurde verwendet, um (a) die Lötfläche gegen eine
Qxidation abzuschirmen und damit die Lötverbindung vor einer
schwarzen Beschichtung zu schützen, und (b) die Fokussierlinse
vor einer Vernebelung durch Rauch zu schützen. Der
Strahl hatte beim Austritt aus dem Lasergerät einen Durch
messer von etwa 15,244 mm und wurde oberhalb der Lötstelle
derart defokussiert, daß ein Auftreffdurchmesser an der Löt
stelle zwischen 0,762 und 2,032 mm erhalten wurde. Die besten
Ergebnisse wurden mit einem Auftreffdurchmesser von 1,27 bis
1,5244 mm erzielt.
Experimentell wurde ermittelt, daß Lötverbindungen mit einer
Festigkeit von 2000 g und mehr zu erhalten sind, wenn mit
einem Wärmestrom des Laserstrahls von wenigestens 100 Watt
bis zu 500 Watt und mit einer Einschaltzeit zwischen 0,005
und 0,25 Sekunden gearbeitet wird. Das Schaubild der Fig. 4
veranschaulicht für einen Auftreffdurchmesser von 1,5244 mm
mit dem schraffierten Bereich die für eine Fertigung tolerierbaren
Kombinationen dieser beiden Parameter, um eine Lötnaht
33 für die Lötverbindung zu erhalten, ohne daß das gesamte
Lötkissen oder das Substrat erschmolzen werden muß.
Bei Proben, die nur eine Raumtemperatur aufwiesen und nicht
vorgewärmt wurden, wurde eine längere Einschaltzeit des Laser
strahls oder ein höherer Wärmestrom als bei vorgewärmten
Proben benötigt. Eine Probe mit Raumtemperatur erforderte 50
bis 75% mehr Wärmestrom als eine auf 150°C vorerwärmte
Probe bei der gleichen Einschaltzeit. Die Lötstelle sollte
daher vorzugsweise auf eine Temperatur von wenigstens 100°C
vorgewärmt werden. Bei dieser Temperatur kann gemäß dem Schau
bild der Fig. 8 um 25% im Vergleich zu einer Raumtemperatur
(20°C) aufweisenden Lötstelle verringert werden.
Das Energieerfordernis oder die Stromhöhe des Laserstrahls
kann durch eine Vergrößerung des Oberflächenabsorptionsver
mögens der Lötstelle verringert werden. So kann die Strom
höhe beispielsweise von 400 Watt auf 200 Watt verringert werden,
wenn der Fuß des Stromleiters mit einer schwarzen Beschichtung
versehen wird oder die Abschirmung mit dem Stickstoff nicht
vorgesehen wird.
Die Wirkung des Laserstrahls während der Einschaltzeit ist
diejenige, daß für die Bildung einer befriedigenden Lötnaht
die minimale Zeit fortschreitend verkleinert wird, während
sich der Durchmesser des auftretenden Strahls vergrößert.
Der größte Zeitbereich wird dann zur Erzielung befriedigender
Verbindungen erhalten, wenn der Auftreffdurchmesser des Strahls
etwa 1,27 mm beträgt. Ein übermäßig großer Auftreffdurch
messer von beispielsweise 2,159 mm verursacht in der Kombi
nation mit einer langen Einschaltzeit von beispielsweise 0,3
Sekunden das Problem einer Reflexion des Strahls. Eine solche
Reflexion ergibt eine Beschädigung durch Wärme der benachbarten
Komponenten, wie Widerstände und Kondensatoren. Das Pro
blem der Reflexion kann durch Verwendung eines geeigneten
defokussierten Strahls (geeigneten Auftreffdurchmessers) und
eine Anordnung des Brennpunktes oberhalb der Lötstelle ver
ringert werden. Die Strömung eines Schutzgases vergrößert den
Stromverbrauch. Ohne ein Schutzgas wird jedoch durch das ver
brannte Flußmittel eine schwarze Ablagerung erzeugt. Da die
schwarze Ablagerung nicht leicht entfernt werden kann,
empfiehlt sich die Verwendung eines Schutzgases. Eine beruhigte
Strömung von Stickstoff wird als geeignet angesehen,
um ein Verbrennen oder ein Verkohlen des Flußmittels zu ver
hindern.
Der Auftreffdurchmesser des Strahls definiert die Größe des
Strahls beim Auftreffen auf dem Werkstück. Dieser Durchmesser
allein kann jedoch nicht dazu genutzt werden, die Menge der
geleisteten thermischen Arbeit vorherzusagen. Wenn beispielsweise
Löcher mit Laserstrahlen in verschiedenen Materialien
gebohrt werden, wie beispielsweise Glas, dann ist das gebohrte
Loch von dem Auftreffdurchmesser des Strahls auf das Glas
material ständig verschieden. Der kritische Temperatur-Halb
messer nach der erfindungsgemäßen Definition ist der Radius
einer Fläche auf dem Werkstück, innerhalb von welcher die
gewünschte thermische Wirkung erzielt wird. Er veranschaulicht
den Radius der Schmelzfläche beim Löten.
Um eine mathematische Beziehung zu erhalten, die einen genauen
kritischen Temperatur-Halbmesser zur Verfügung stellt, ist
eine Analyse der Eingangs-Wärmeverteilung erforderlich. Ein
einfaches thermischen Modell einer eindimensionalen Erwärmung
und ein Gauss-Strahlenprofil können für die Analyse voraus
gesetzt werden. Wenn ein Laserstrahl auf eine metallische
absorbierende Fläche auftrifft, dann wird das Laserlicht durch
das Zusammenwirken mit Elektronen absorbiert. Ein Quantum
optischer Energie wird durch ein Elektron absorbiert, das
seine Energie durch eine Kollision mit Gitter-Phononen und
anderen Elektronen verbraucht. Da die mittlere freie Zeit
zwischen der Kollision der Elektronen in der Größenordnung
von 10-12 bis 10-13 Sekunden beträgt, kann vorausgesetzt
werden, daß die optische Energie nahezu sofort in Wärme umge
wandelt wird. Die Durchdringungstiefe des Lichtfeldes bei
einem guten Leiter liegt im Bereich von 10-6 cm oder 10 bis
100 Atomschichten. Die Absorption findet daher an der Ober
fläche statt.
Um die Analyse der Wärmeströmung des Systems weiter zu vereinfachen,
werden weitere Voraussetzungen eingeführt: (a) die
thermischen Eigenschaften der Materialien und der thermische
Widerstand erfahren keinen Wechsel mit der Temperatur, (b)
die Konvektions- und Strahlungsverluste sind vernachlässigbar,
(c) die Wärmeströmung ist eindimensional, (d) das Lotkissen
besitzt eine gleichmäßige Temperatur über seine gesamte Dicke
und (e) die Aluminiumunterlage bildet eine Wärmesenke. Mit
diesen Voraussetzungen und der Darstellung in Fig. 5 kann das
System in zwei Komponenten der Wärmeströmung aufgeteilt werden:
gesammelte Wärme und abgeführte Wärme. Der Wärmeeingang
q wird teilweise in dem Lotkissen (q s) und teilweise in dem
Aluminiumsubstrat (q A) gesammelt. Eine restliche Wärme wird
durch die Wärmesenke q₃ (Aluminiumsplatte) abgeführt. Wie in
Fig. 5 dargestellt, ist T₂ die mittlere Temperatur des Alu
miniumsubstrats über die Dicke. Wird innerhalb des Aluminium
substrats ein parabolisches Temperaturprofil angenommen, dann
ist die mittlere Temperatur T₂ des Substrats durch die Be
ziehung T₂=T₁/3 angegeben. Der Energieausgleich des Wärme
strömungssystems in Fig. 6 führt zu einer ersten Differential
gleichung:
q = q s + q A + q₃
wobei:
C₁ = Wärmekapazität des Lotkissens
C₂ = Wärmekapazität des keramischen Substrats.
C₁ = Wärmekapazität des Lotkissens
C₂ = Wärmekapazität des keramischen Substrats.
Wenn eine weitere Menge q c als die Rate der Wärmeströmung pro
Einheitsfläche eingeführt wird, die benötigt wird, um die
Löttemperatur von T₁ auf T m in t c Sekunden zu bringen, dann
kann mit dieser Gleichung eine Auflösung für T₁ zusammen mit
der folgenden Gleichung vorgenommen werden:
Wenn das Lot die Temperatur T m erreicht, dann wird zum
Schmelzen des Lotes zusätzliche Energie benötigt, und diese
zusätzliche Energie kann durch eine Einschaltzeit des Strahls
bereit gestellt werden, die um etwa 3% länger als die Zeit
t c ist.
Der Halbmesser eines Gauss-Strahls wird normal als der Halb
messer definiert, bei welchem die Intensität von dem Spitzen
wert auf 1/e² abfällt (86,5% der gesamten Strahlenenergie
ist innerhalb der Fläche dieses Halbmessers enthalten). Das
Intensitätsprofil eines Gauss-Strahles ist in Fig. 6 dargestellt.
Wenn ein Gauss-Strahl einen Auftreffpunkt vom Halb
messer c an dem Lotkissen in der Darstellung gemäß Fig. 6
zum Schmelzen bringt, dann ist die Strahlenintensität an der
Kante des Schmelzpunktes durch die folgende Gleichung gegeben:
Dieser Radius c wird als der kritische thermische Halbmesser
ausgewählt, weil er die Fläche definiert, wo die gewünschte
thermische Wirkung erzielt wird. Unter Verwendung der anderen
vorstehenden Gleichungen kann deshalb der kritische thermische
Halbmesser c durch die folgende mathematische Gleichung an
gegeben werden.
wobei:
c = kritischer Temperatur-Halbmesser
a = Gauss-Halbmesser am 1/e²-Punkt
ln = natürlicher Logarithmus
T m = Schmelztemperatur des Lotes, abzüglich der Vorwärmtemperatur der Probe
P = Wärmestrom des Laserstrahls in [W]
A = Absorptionsvermögen der Oberfläche des Lotes bei 10,6 [µm]
R = Wärmewiderstand pro Einheitsfläche des Systems
t c = kritische Zeit, um das Lot auf die Temperatur T m zu bringen
C = Wärmekapazität des Systems.
c = kritischer Temperatur-Halbmesser
a = Gauss-Halbmesser am 1/e²-Punkt
ln = natürlicher Logarithmus
T m = Schmelztemperatur des Lotes, abzüglich der Vorwärmtemperatur der Probe
P = Wärmestrom des Laserstrahls in [W]
A = Absorptionsvermögen der Oberfläche des Lotes bei 10,6 [µm]
R = Wärmewiderstand pro Einheitsfläche des Systems
t c = kritische Zeit, um das Lot auf die Temperatur T m zu bringen
C = Wärmekapazität des Systems.
Der Mineralstrom, der zum Schmelzen des Lotes während einer
vorbestimmten Zeit T₁ benötigt wird, kann durch Einstellung
des Wertes c=0 in der vorstehenden Gleichung erhalten werden.
Die Fig. 7 zeigt den theoretischen Halbmesser c als eine
Funktion der Einschaltzeit des Strahles, wenn sein Auftreff
durchmesser 1,5244 mm beträgt. Die Kurvendarstellung wurde
erhalten, indem geeignete Werte der Parameter und der Mate
rialeigenschaften in die Gleichung des kristischen Temperatur-
Halbmessers eingesetzt wurden.
Claims (6)
1. Verfahren zum Anlöten eines oder mehrerer Stromleiter an
eine auf einem keramischen Substrat befindliche gedruckte
Schaltung, bei dem die Lötverbindung mit einem auf die ge
gebenenfalls vorgewärmte Lötstelle ausgerichteten Laser
strahl durchgeführt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl
defokussiert auf die Lötstelle trifft und dort während
seiner Einschaltzeit einen Bereich erschmilzt, dessen
Halbmesser folgende Gleichung angibt:
wobei:
c = kritischer Temperatur-Halbmesser in [cm]
a = Gauss-Halbmesser am 1/e²-Punkt in [cm]
ln = natürlicher Logarithmus
T m = Schmelztemperatur des Lotes in [°C], abzüglich der Vorwärmtemperatur der Probe
P = Wärmestrom des Laserstrahls in [W]
A = Absorptionsvermögen der Oberfläche des Lotes bei 10,6 [µm] in [%]
R = Wärmewiderstand pro Einheitsfläche des Systems in [°C · s · cm²/cal]
t c = kritische Zeit, um das Lot auf die Temperatur T m zu bringen in [s]
C = Wärmekapazität des Systems in [cal/°C cm²]
c = kritischer Temperatur-Halbmesser in [cm]
a = Gauss-Halbmesser am 1/e²-Punkt in [cm]
ln = natürlicher Logarithmus
T m = Schmelztemperatur des Lotes in [°C], abzüglich der Vorwärmtemperatur der Probe
P = Wärmestrom des Laserstrahls in [W]
A = Absorptionsvermögen der Oberfläche des Lotes bei 10,6 [µm] in [%]
R = Wärmewiderstand pro Einheitsfläche des Systems in [°C · s · cm²/cal]
t c = kritische Zeit, um das Lot auf die Temperatur T m zu bringen in [s]
C = Wärmekapazität des Systems in [cal/°C cm²]
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Stromleiter
für sein Anlöten an die gedruckte Schaltung mit einer
Druckkraft von etwa 50 bis 150 g gegen das gegenüber
seiner Berührungsfläche größerflächige Lotkissen gedrückt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Vergrößerung
des Halbmessers die Lötstelle mit einem energieab
sorbierenden Material beschichtet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lötstelle
vor dem Einschalten des Laserstrahls mit einem Flußmittel
benäßt und mit einer Stickstoffströmung gegen die Umge
bungsatmosphäre abgeschirmt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung
einer Linse mit einer Brennweite von 127 mm der Laser
strahl auf einen Abstand von etwa 0,5 bis 2,032 mm seines
Brennpunktes von der Berührungsfläche des Stromleiters an
dem Lotkissen bzw. auf einen Durchmesser von etwa 0,762
bis 2,032 mm defokussiert und für etwa 0,05 bis 2,0 Sekunden
eingeschaltet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Stromleiter
mit einer mit Zinn der Lot beschichteten Messinglitze
gebildet ist, wenn die gedruckte Schaltung für ein Anlöten
mittels eines Zinn/Blei/Silber-Lotes oder eines Zinn/Blei-
Lotes aus einer Palladium/Silber-Verbindung besteht und
auf ein keramisches Substrat aus der Gruppe der Aluminium und
Beryllium aufgebracht ist.
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---|---|---|---|
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DE3390451C2 true DE3390451C2 (de) | 1989-05-11 |
Family
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