JPS60500204A - レ−ザはんだ付け法 - Google Patents

レ−ザはんだ付け法

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JPS60500204A JP58500980A JP50098083A JPS60500204A JP S60500204 A JPS60500204 A JP S60500204A JP 58500980 A JP58500980 A JP 58500980A JP 50098083 A JP50098083 A JP 50098083A JP S60500204 A JPS60500204 A JP S60500204A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 レーデはんた付は法 発明の背景および在来技術の説明 レーデはんた付けは今日までのところ、本質的に初歩的なものであり、すなわち その可能性がわかっている程度のものであった。この方法はハウジングの奥部に 配置されろような、近接し難いはんだ付は組立体に近付くことを可能にするもの であるから、機械的はんだ付は技術に対して有用であることが証明されている。
これら初期の試みは、組立体の残余の部分に対する熱伝導を阻止する普通のプラ スチック(エポキシ含浸ファイバグラス)の板の上に装架された小さな電子素子 の組立てに使用されてきた。直径の非常に小さな普通構造の針金は回路の容易に 近接し得る導体に装着された比較的小さなはんだ肉盛りによって溶接された。こ のような初期の可能性の試みにおいては出力の非常に小さなレーサ゛ビーム(7 −50ワツト)が使用され、かつ溶解を行うために前記ビームははんだ肉盛り上 の微小直径(,0口5−.010インチ)に対して集束せしめられた。これら初 期可能性の試みは次のものに記載されている:(I] F、Burnsおよびc 、zyetz 、”レーfマイクロはんだ付け゛、アボロレーヂ会社、報告書。
(2) E、R,Good、rich、゛電子工学におけるレーデ°′、回路製 作、昭和56年6月、第21巻、第7号。
(3) R,5aunders 他、゛レーデの操作、装置および用途” 、c oherent会社の技術スタッフの論文、昭和55年McGraw −Hil l 刊行つ(4) T、Kujawa 、“レーザ゛はんだ付はブースターの生 産性パ、レーずおよびその用途、昭和57年9肌 残念ながらこのような初期可能性の作用を使用した処理技術による時は、組立工 は自動車関係の用途に伴う新型の設計に対しては組立体のはんだ付けを行い得な ℃・ようになる。たとえば今日の敏感な電子的要素の組立てには大型の電気リー ド導体(幅が、030インチより大であり、かつ多くの場合平らであり、すなわ ち矩形断面を有して(・る)が使用されており、この導体は陸上運搬具のエンジ ンつン7々−トメント内に生じる変動的な熱膨張に耐えるために、強度の大きな はんだ付けを行う必要がある。在来使用されている低出力の、正確に集束される レーサ゛ビームによって、前記の如キ新凰設計の組立体を効果的にはんだ付けす るには℃・くつかの障害がある。マイクロ的な直径に制御されたレーrビームは 太い平らな電気リード針金の底面全体に沿ってすみ肉を再流動させるような十分 な【まんた肉盛を融解することができす、したがって形成される継き目は弱い。
細い円形針金のまわりにおける(まんたの再流動は、円形面周囲の表面張力に起 因して比較的容易に行われる。もしレーずビームの界面直径を加減しまたは拡張 すべきものとすれば、準位面積当りのビームエネルギーははんだを溶融しかつ再 流動継ぎ目を形成するには不十分となる。
はんだ付けすべき新型の自動車用電子ユニットのあるもの(たとえばエンジンコ ンパートメント内圧装架された電子的点火モジュール)においては、はんだ付げ 可能の継ぎ目は常態における車輌の運転時にモジュールの執を導出するために使 用されるセラミック基質の上に支持され、それによって一時的高電流に起因する プリント回路およびはんだ付は継ぎ目の破壊を阻止するようになっている。しか しながらこのようなセラミック基質はヒートシンクとして動き、かつはんだ付け が行われる時に牲の敏速な流出を容易にし、これはレーサ゛直径の適当な執的制 薗を阻止すると共に、適当なはんだ付けを行わんとする場合必ず低出力1/−ス ビームの使用を不可能にする。レーサ゛ビーム出力自体の増加は、所要の直径に 集束された高出力ビームがはんたを渦状し、エラーを処理するための余地を少な くし、したがって隣接する電子的部品を損傷することとなるから、前記ジレンマ に対する解答とはならない。
必要とされるレーザ゛はんた付は法は、奥深い所でセラミック基質上に支持され 、かつ大型の導体を使用したはんだ付は組立体を強い継き目によって効果的には んだ付けし得るようにし、かつ処理助変数の広い範囲内てはんた伺げを行(・、 しかも厳格な制限によらずして組立工が容易にプロセスを使用し得るような方法 で第1図は本発明の方法によってはんだ伺けされたし・くつかの継ぎ目を有する マイクロエレクトロニクス装置を示す写真である。
第2図は本発明によって工合良くはんだ付げされた第1図の電気リードのいくつ かを示す拡大写真である。
第3図は第1図の装置の一部分の線図的断面立面図で、一つのはんた付げ継ぎ目 および挿入部材(はんだ伺げ継ぎ目の平面図を表わす第6a図)を表わす。
第4図は種々の組合わせにおけるビーム持続時間とビーム出力との変化を表わす 図表的表示である(横陰影部分は有用な許容製造組合わせを示す)。
第5図は第2図のはんだ付は組立体を形成する種々の材料の間における熱の流れ 線図である。
第6図ははんだ肉盛りを通るがウスエネルギービーム分布を表わす路線図である 。
第7図は種々の出力レベルにおけるビーム持続時間の関数として変化する臨界灼 熱半径の図表的表示である。
第8図は種々の予熱温度(TO)におげろむまんだ付は組立体の関数としてのビ ーム出力の図表的表示である。
好適な方式として本発明は内燃機の始動を制御する場合に有用な肉厚フィルム点 火モジュールに一体電気リードをはんだ付けする時に使用される。は、んた付け すべき装置は特に第1図および第6図に示されており、特に本発明の譲受人に譲 渡されたり、I)avj、sおよびC,Henritzyによって発明された米 国共願第号゛肉厚流動基質に対する相互連結構造′°に詳述されている。
本質的にはマイクロエレクトロニクス装置10は環状リード枠11を有し、該枠 はフ0ラスチック環状ハウジング12内に包埋、すなわち埋設され、この時一体 リード撚線13はハウジングの側部を通って内方に突出し、かつここから下向き に歴垂している。この場合前記装置は、セラミック基質15上に支持されかつ/ ’tウジングの頂部開口下方の奥に配置さたフ0リント電気回路14にはんた付 けすべき9本の内方突出電気り一ド撚線を有して℃・る。基質材料の一つはアル ミナであり、基質全体の75係を占め、他の一つはべIJ IJアである。セラ ミックはヒートシンクとして働く支持アルミニウム板16に接着さレル。
各電気リード撚線は名目−トは70%の銅と60チの亜鉛とよりなる黄銅の導電 帯片を有している。このリード撚線の突出部分は逆U字形17を呈し、その端部 はフ0リント回路14の部分14aにはんた付けすべき足18を画定している。
電気リード撚線のこの足は平らな断面形を有し、この場合の寸法は幅が0.04 インチであり、厚さが0.009インチである。隣接する多くの敏感な電子工学 的構成部材としては抵抗器19、コンデンサ20および電気工学的チップ21等 がある。
この装置においてはエンジンを始動するための点火モジュールが作動する時にヒ ートシンクを維持する必要があるからセラミック基質が必要とされる。セラミッ クはプラスチック(エポキシ含浸ファイバグラス)基質に比して電気伝導度が高 く、在来技術においては典型的に使用されていた。アルミナは名目上94%のA  ]203よりなりかつほぼ、02インチ(,56ミリメードル)の厚さで使用 され;べIJ IJア基質は名目上最低99.5 %のBeoよりなりかつその 厚さはほぼ、02インチテある。アルミニウム支持板16はAA3003H14 アルミニウム合金よりなりかつほぼ、06インチの厚さで使用される。
電気リード撚線は在来技術において普通に使用されているものより寸法が大であ り、幅22は、Oろインチ以上で平らな矩形断面(すなわち、04インチ×、0 09インチ)を有している。このような電気り−ド撚線は、その足およびその縁 のまわりの界面(下面)全体にわたって完全な固形はんた継ぎ目が生じるように するためには異なる処理技術を必要とする。
前記方法はこの場合本質的に三つの段階よりなっている: 1 プリント電気回路通路14はセラミック基質15上に配置されかつ少なくと も一つのはんだ肉盛り24がこのプリント電気通路の1部分Zaに・装着される 。前記はんだ肉盛りは常態ではシルクスクリーン印刷を含む普通の技術によって 沈着させることができる。この場合の肉盛りは錫10係、鉛88係および銀2% よりなるはんだ成分である。11■記肉盛りは幅が電気リードの幅よりは大きな 、全体が平らな界面?5(表面張力に起因する湾曲部分以外は)を有するように 形成される。この場合の各肉盛りは幅、08インチ、長さ、1インチおよび高さ 、006インチの矩形を呈している。
2 電気リードの表面部分23は50−150グラムの係合力ではんだ肉盛り( 表面25に対1−て)と完全に係合せしめられろ。前記肉盛り24は電気撚線の 幅72より大なる幅26を有しかつ電気リードの係合表面部分、03インチより 犬なろ幅22を有して(・ることか重要である。電気リ−ド撚線によって肉盛り に力を加えるために、該電気リード撚線は第2図および6図に示される如く一定 の半径を有するようKまたはU字形を呈するように湾曲せしめられ、これによっ て撚線は肉盛りの頂面25に対してばね偏倚力を加えることがてきる。肉盛りの 端部は湾曲足部分18を有し、保合平面23−25の組合わせを可能にするよう になっている。
6 非集束レーヂビーノ、はばんだ付は組立体の上に指向され、この時レーデビ ームは少なくとも19oワツトのビー1、入力を有し、電気撚線の幅22より大 きな、しかも肉盛り幅26より小さなビームスポット直径27およびはんた付は 組立体に、制訓された執半径を動かせ、はんだ付は肉盛りの所定の部分だけを再 流動せしめ、かつ該肉盛りと電気撚線部分との間に、少なくとも400グラムの 強さを有するはんた伺げ継き目を形成するためのビーム持続時間を有して℃・る 。
この時使用されたレ−ずビーム28は370ワツトCo2レーデ装置によって発 生され、かつはんだ付は組立体上方の距離30(,4インチ)にある点29に集 束せしめられた。このビームは足18およびはんた付は肉盛り24の組立体の上 に下向きに衝当せしめられた。レーサ゛ビームの中心軸線は電気リードの質量3 1の中心と、その係合部分において整合し、かつはんだ利は肉盛りの中心32と 整合するようにした。はんだ付けを行う前にはんだ付は面の間の区域に少量のは んり付ケフラツクスを加えた。このフラックスは典型的蹟は非活性ロジンマイク ロフラックスである。
はんだ付は組立体は所要電力を少なくし、かつ熱衝撃の危険をなくするために1 50度Cまで予熱した。
共軸の窒素ガス流れを使用し、(a)はんだ付は部分が酸化されるのを阻止し、 それによってはんだ付は継ぎ目が黒℃・沈着物によって被覆されるのを保護する と共に、(b)焦点レンズが煙によってはかされるのを保護するようにした。ビ ーム自体は発生装置から発生する時にほぼ、6インチの直径を有し、かつはんだ 伺げ組立体のわずか上方において焦点がはかされ、はんだ利は組立体の上におけ るスポット直径が0.030−0.080インチとなるようにされた。最良の結 果はスポット直径が0.050−0.060インチなる時に得られた。如何にす れば十分な強度を有する、満足すべきはんだ付は継き目が得られるかを知るため に、ビームの強さおよび持続時間をいろいろに変えて種々のはんだ付は作業を行 った。2000グラムまたはそれ以上の強さを有するはんだ付は継ぎ目は電力の 変化が少なくとも100ワツトから500ワツトまで、ビームの持続時間が50 −500ミリセカンド(,005−,25秒)なる時に得られることがわかった 。大型の電気リードおよびはんだ付は肉盛りに対するビームの強さおよび持続時 間の前記組合わせは第4図にゾロソトしである(この場合のスポット直径は0. 060インチ)。第4図の陰影を施した部分は、はんだ付は肉盛り全体または基 質を融解せしめることなく、継ぎ目全体のまわりに十分なすみ肉33(第2図) を形成するための助変数の可能な組合わせを使用し得るようになった製造窓を表 わす。
予熱をしない室温試料は予熱をした試料より長いビーム持続時間と高い電力レベ ルとを必要とした。室温試料は同じビーム持続時間に対して、150度Cまで予 熱した試料よりも50−75係大なる電力を必要とした。したがって少なくとも 100度Cまて予熱した室濫はんた付は組立体を使用することが望ましい。この 温度においては所要電力は室温(20度C)の試料尾比して電力を20係少なく することができる(第8図)。
レーずビームの所要エネルギーまたは電力レベルははんた付はリードの表面吸収 力を増加させることによって少なくすることができる。この電力レベルはたとえ ばリードの足に黒色の被覆をかぶせることによりまたは窒素ガス遮蔽を行わない ことにより400ワツトから200ワツトに減らすことができる。
ビーム持続時間に対するビームスポットの影響は、十分なすみ肉を形成するため の最短時間がビームスポット直径が増加するに連れて(斬次減少するようになっ ている。満足すべき継き目に対する最も広い時間範・囲は、ビームスポットの直 径がほぼ、05インチ(1,27ミリメードル)なる時に得られる。長いビーム 持続時間(たとえば 3秒)と組合わされたスポット直径が過大なる時は(たと えば、085インチ)、場合によってはビーム反射の問題が生じ:このような反 射によって抵抗器またはコンデンサの如き隣接構成部材に熱損傷を発生させる。
この反射の問題は、適当な非集束ビーム(適当なスポット直径)を使用し、焦点 がはんだ付は組立体の上方にあるようにすることによって軽減することができる 。遮蔽ガスの流牙1は所要電力を増加゛させるが、この遮蔽ガスがなければフラ ックスの燃焼によって黒い残留物が生じる。この黒色残留物は除去が困難である から、遮蔽ガスを使用することが望ましい。窒素ガスを静かに吹伺けることがフ ラックスの燃焼または炭化を阻止するに好適である。
臨界灼熱半径 ビームスポット直径は加工物に対するビームの大きさを画定するためにレーデ熱 処理において普通の手段として使われてきた。しかしながらこの直径自体は、行 われた熱仕事の大きさを予示するため蹟使用することはてきない。たとえばガラ スの如き種々の材料にレーずビームによって孔をあける場合には、このようにし て形成された孔は一様にガラス材料」二のビームスポット直径とは異っている。
本発明の臨界灼熱半径は所要の熱効果を与えた加工物上の区域の半径である。こ の半径はレーザ8はんた付けを行った時の溶融区域の半径である。
正確な臨界灼熱半径を表わす数学的関係を得るためには、入力熱分布の分析が必 要である。この分析においては一次元加畝の部隊な熱モデルと、がウスのビーム グロフィルとが仮定される。レーサ゛ビームを金属吸収面に衝当させればレーデ ライトは電子との相互作用によって吸収される。光学エネルギーの量子は電子に よって吸収され、該電子はさらに格子フォノンおよび他の電子と衝突することに よってそのエネルギーを消散させる。電子衝突間の平均自由時間は10−1.2 から10−13秒までの程度であるから光学エネルギーはほぼ瞬間的に熱に変換 されるものと考えることができる。
本発明の好適な型において使用されるような良好な導体内のライトフィールドの 透過深さは10−6センチメードルまたは10−100アトミツクレヤーの範囲 内にある。したがってレ−ずはんた付けの場合のレ−ず吸収は表面に起こるもの と考えられる。
システムの熱流れ分析を簡羊にするために、いくつかの池の追加的仮定が採用さ れ:(a)材料の熱特性および熱抵抗は温度にしたがって変化せず、(b)対流 および輻射損失は無視し得る程度であり、(C)熱流れは一次元的であると考え ることができ、(d)はんだ付は肉盛りはその厚さの全体にわたって均一であり 、かつ(e)アルミニウム基礎はヒートシンクと考え得るものと仮定した。
このように仮定すれば第5図に示される如く、この熱流れ7ステムは二つの成分 となる熱流れ:すなわち集積熱および伝導熱とに比例する。熱入力(q)は部分 的にははんだ付は肉盛り(q5)およびアルミナ基質(qA)の中に集積され、 かつ残余の熱はヒートシンク(q3)(アルミニウム板)に伝導される。第5図 に示される如<、(T2)はアルミナ基質の厚さを通しての平均温度であり、も しアルミナ基質内の温度プロフィルを放物線と仮定すれば、基質を通しての平均 温度(T2)はこの(T2)が(”s)に等しいと言う式にヨッテ与えられる。
第6図に示された熱流れ/ステムのエネルギーバランスは一次微分式を与える: C0−はんだ付は肉盛りの熱容量 C2−セラミック基質の熱容量。
この式から(T1)の価をめろことがてき、かつもしく Tc )秒内において はんだ付は温度を(T□)から(Tm)とするために学位面積当りの熱流れの速 度として(qc )なる別の量を画定すれば次の式が得られる:m ためには追加エネルギーが必要とされ、この追加エネルギーは前に示した時間( 1o)よりはほろ係長(・持続時間を有する延長ビームによって供給される。
残余のガウスビームは典型的には、強度がそのf−り値のl/e 2 に落ちる 時の半径(全ビームエネルギーの86.54がこの半径の面積内に含まれている )によって画定される。ガウスビームの強度プロフィルハ第6図に示されている 。ガウスビームが第6図に示される如くはんだ付は肉盛り上における半径(c) のスポットを溶融した時には、この溶融スポットの縁におけるビーム強度は次の 式によって与えられる:この半径(c)は臨界曲部半径として選択される。
その理由はこの執半径は所要の熱効果が得られる面積を画定するからである。前 に得られた式を使用すれば、半径(C)(臨界的執半径)は次の数式まで減少さ せることができる: Cは臨界曲部半径 aは1/e2点におけるがウス半径 lnは対数 Tmははんたの高融温度から試料温度を引いた温度Pはレーずビーム電力 Aはi o、6ミクロンにおけるはんだの表面吸収性Rはシステムの学位面積当 り熱抵抗 tcははんだをTmにするための臨界的時間Cはシステムの熱容量。
所定温度(Tm)においてはんだを溶融するための最少電力は削代においてC− 口と置くことによって得られる。
第7図はビームスポット直径が0.060インチなる時におけるビーム持続時間 の関数としての理論的C半径を示す。ゾロソトは臨界的社半径の式に助変数およ び材料特性の適当な値を代入ずろことによって行ったものである。
乞 よ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 単数または複数の電気1) −)F撚線をプリント電気通路にはんだ付けす る方法において次の段階二(a) 前記通路をセラミック基質上に配置し、かつ 少なくとも一つのはんだ付は肉盛りを前記プリント電気通路の1部分に装着する 段階と、 (1)) 前記電気リード撚線の表面部分を前記肉盛りに対し、はんだ付けを行 うための相互間熱伝導を可能にするような十分な係合力によって完全1(係合せ しめ、前記肉盛りが前記撚線の幅より大きな幅を有すると共に、前記撚線の相互 係合表面部分が、03インチ以上の幅を有するようにし、前記電気リード撚線の 部分+6よび肉盛りがはんだ付げ徂立体暑形成するようになっている段階と、 fc) 前記はんだ付は組立体に非集束レーデビーム暑指向し、この時前記ビー ムが少なくとも100ワツトのげ一ム出力と、前記撚線の幅よりは小さくはなく 、かつ前記肉盛りの幅よりは大きくはないピームスガ?ソト直径と、前記はんだ 付は組立体の上に制御された執半径を作用せしめ、前記肉盛りの選択された部分 だけを再流動させると共に、前記肉盛りおよび前記撚線部分間にはんだ継ぎ目を 形成するようなビーム持続時間とを有し、前記継ぎ目が少なくとも40ログラム の強度を有するようにする段階とを有している方法。 2 請求の範囲第2項記載の方法において、前記電気リード撚線が平らな係合面 を有し、かつ前記・肉盛りが組合わせ式の、全体が平らな係合面を有している方 法。 6、 請求の範囲第1項記載の方法において、前記レーデビームが段階fc)蹟 おいて0.03−0.08インチの直径にぼかされ、レンズの焦点距離が5イン チである時に、前記ビームが0.2−0.8インチの距離たけ係合面から離れる ようえされている方法。 4、 請求の範囲第6項記載の方法において、前記レーデビームが前記はんだ付 は組立体の係合面の上方の一点にぼかされている方法。 5 請求の範囲第1項記載の方法において、前記熱半径が前記はんだ付は組立体 の少なくとも1部分をエイ・ルギー吸収材料によって被覆することにより増加せ しめられるようになっている方法。 6 請求の範囲第1項記載の方法において前記レーずビームの執半径がはんだ付 は組立体を段階fc)の前に少なくとも100度Cに予熱することによって増加 せしめられるようになっている方法。 7 請求の範囲第1項記載の方法において、段階(a)のセラミック基質がアル ミナおよびベリリアよりなる群からその一つまたは両方として選択され、前記セ ラミックが少なくとも、05インチの厚さを有している方法。 8 請求の範囲第1項記載の方法にお℃・て、段階(c)において使用されるビ ーム持続時間が50−2000ミリセカンド(,05−2,0秒)の範囲内にあ る方法。 9 請求の範囲第1項記載の方法において、段階(C)におし・て使用されるビ ームスポット直径が、Oろ−1口8インチの範囲内にある方法。 10 請求の範囲第1項記載の方法において、電気リード撚線の前記表面部分の 質量中心が、係合時に前記肉盛りの中心と整合せしめられるようになっている方 法。 11 請求の範囲第1項記載の方法において、ビーム出力の助変数、ビームスポ ット直径およびビーム持続時間が次式によって最適に相関されており:式中 Cは臨界灼熱半径 aは1′2におげろがウス半径 xlは対数 Tmははんたの溶薔温度から試料温度を引いた温度Pはワットで表わしたレーデ ビーム出力Aは10.6 ミクロンにおけるはんだの表面吸収性Rはシステムの 準位面積当り熱抵抗 tcははんだを温度Tmにするための臨界的時間Cはシステムの熱容量 である方法。 12 請求の範囲第1項記載の方法において、電気リード撚線が錫またははんだ によって被覆された黄銅よりなり、肉盛りが錫/鉛/銀または錫/鉛合金よりな り、かつプリント回路がパラジウム/銀成分よりなっている方法。 1ろ 請求の範囲第1項記載の方法におり・て、前記臨界的執半径が前記肉盛り の部分を溶融し、電気リードの前記表面部分と肉盛りとの間に囲繞すみ肉を形成 するようになっている方法。 14 環状非伝導ハウジング内に包埋された環状一体す−ド枠から延びろ拍数ま たは複数の電気リード撚線を、前記ハウジングの奥に配置されたセラミック基質 」−に担持されているプリント電気通路にはんだ付けする方法にお(・て、 (a) 少なくとも一つのはんだ肉盛りを前記プリント電気通路の1部分と保合 するように配置する段階と、 (b) 前記電気リード撚線の1部分を前記肉盛りと連続的に係合せしめ、この 場合前記電気撚線の前記部分の質量を前記肉盛りの中心と整合させている間に5 0−150グラムの力によって前記係合が行われるようにし、前記電気撚線の前 記部分と前記肉盛りとがはんだ付は組立体を形成するようになっている段階と、 (C) 前記組立体を7ラツクスWよって給湿し、かつて覆っている間に、非集 束ビームにして、該ビームとはんだ肉盛りとの界面において、03−.08イン チのビーム直径を有するレーずビームを前記はんだ利は組立体の上に指向し、こ の時前記ビームが前記はんだ付は組立体の上に臨界灼熱半径を作用せしめ、前記 肉盛りの1部分を再流動させると共に、前記肉盛りと撚線部分との間に安全な継 ぎ目を形成する出力とビーム持続時間とを有するようにし、かつ前記臨界灼熱半 径が次の式からめろことができ:式中 Cは臨界的執半径 aは鳳2点におけるがウス半径 1nは対数 Tmはばんたの溶働温度から試料温度を引いた温度 Pはワットで表わしたレ−ずビーム出力Aはi o、6ミクロンにおけるはんだ の表面吸収性Rはシステムの部位面積当り熱抵抗 toははんだをTmにするための臨界的時間Cはシステムの熱容量 である段階 とを有する方法。 15 請求の範囲第14項記載の方法において、前記はんだ付は組立体が少なく とも100度Cまで予熱され、それによってTmを減少せしめ、したがって前記 臨界灼熱半径を増加せしめまたは所要電力を減少させるようになって℃・る方法 。 16 請求の範囲第14項記載の方法において、前記臨界灼熱半径が最低電気撚 線部分の直径の半分から最高はんだ付は肉盛りの幅の半分までの範囲内にある方 法。 17 請求の範囲第14項記載の方法において、前記セラミック基質がアルミナ およびベリリアよりなる群から選択される方法。 18 請求の範囲第14項記載の方法において、前記基質力はぼ、02インチの 厚さを有するセラミックフィルムである方法。 19 請求の範囲第14項記載の方法において、前記電気り−r撚線が矩形断面 を有する錫被覆またははんだ被覆黄銅帯片よりなっている方法。 2、特許請求の範囲第14項記載の方法において、前記はんだ付は肉盛りが全体 的に矩形を呈し、その厚さがほぼ0口06インチである方法。 2、特許請求の範囲第14項記載の方法において、前記レーずビームを指向する 前に、前記組立体がフラツクス剤によって給温されかつ該組立体が窒素ガスの遮 蔽流れによって覆われるようになっている方法。 2、特許請求の範囲第14項記載の方法において、前記電気リード撚線がエネル ギー吸収材料によって塗装されるようになっている方法。 2ろ 請求の範囲第14項記載の方法において、前記はんだ付は肉盛りが錫−鉛 一銀の合金よりなって(・る方法。 2、特許請求の範囲第14項記載の方法にお(・て、前記〕0リントされた電気 通路がパラジウム/銀合金よりなっている方法。 25 請求の範囲第14項記載の方法にお(・て、前記肉盛りおよび撚線部分間 の前記はんだ継き目が少なくとも400グラムの継き目強度を有して(・る方法 。
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