DE2747284A1 - Verfahren zum abloesen von lackschichten von substraten - Google Patents

Verfahren zum abloesen von lackschichten von substraten

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DE2747284A1
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description

Anmelderin: International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10504
oe-bd Verfahren zum Ablösen von Lackschichten von Substraten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen einer Lackschicht aus einem organischen Polymer von einem Substrat auf chemischem Weg.
Lackmaterialien werden bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen, Belichtungsmasken und mikroelektronischen Bauteilen benutzt. Die Lacke sind organische Polymer-Materialien, welche gegenüber nieder- oder hochenergetischer Strahlung empfindlich sind und welche nach Bestrahlung und Entwicklung ein Bildmuster bilden. Negativlacke werden unlöslich bzw. vernetzt in dem belichteten Bereich, so daß beim Entwickeln die unbelichteten Bereiche der Lackschicht entfernt werden. Positivlacke dagegen werden in den der Energie ausgesetzten Bereichen abgebaut, so daß die belichteten Bereiche mittels des Entwicklers entfernt werden, während der unbelichtete Lack stehen bleibt. Das Lackmuster ist gegenüber verschiedenen physikalischen und chemischen Prozeßschritten resistent, so daß das Substrat, auf welchem dieses Muster gebildet worden ist, in Bereichen, welche mittels des Lacks maskiert sind, beschützt ist.
Nachdem das Muster seine Maskierungsfunktion erfüllt hat, wird im letzten Schritt des Lackprozesses der Lack entfernt, bzw. abgelöst. Da oft die Lackschichten nachgehärtet worden sind, um ihre Maskierungscharakteristik und ihre Haftung am Substrat zu verbessern, oder durch den Prozeß, welchem das Substrat unterworfen wird, gehärtet worden sind, ist die rückstandslose Entfernung des Lacks manchmal schwierig. Verfahren, welche dazu benutzt worden sind, um Lackschichten abzulösen, schließen
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ein das Abscheuern, das Plasmaveraschen in Sauerstoff, das Auflösen in einem Lösungsmittel und/oder eine chemische Einwirkung. Die beiden ersten Methoden können bestimmte Substrate, wie z.B. dünne Metallschichten beschädigen, indem sie abgerieben oder oxydiert werden. Allgemein benutzte, lösend oder chemisch wirkende Ablöser können auch das Substrat verschlechtern und/oder, es kann schwierig sein, sie vollständig von dem Substrat nach dem Ablöseprozeß zu entfernen. Einige der Ablöselösungen enthalten halogenierte Kohlenwasserstoffe oder Phenole. Diese Materialien sind für bestimmte Anwendungen unbefriedigend, da freies Halogen, welches aus den halogenierten Kohlenwasserstoffen freigesetzt wird, Metalle, wie z.B. Kupfer, Nickel und Eisen angreifen wird, so daß die Anwesenheit von Resten des Ablösers, welche auf dem Substrat hängengeblieben sind, latente Angriff- und Zuverlässigkeits-Probleme verursachen können. Halogenierte Kohlenwasserstoffe und Phenole können sowohl bezüglich der Handhabung als auch der Entsorgung Umweltprobleme verursachen.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Ablösen von Lackschichten aus organischen Polymeren anzugeben, bei dem das Substrat, auch wenn es metallisch ist, unversehrt bleibt, welches umweltfreundlich und in einem fabrikmäßigen Rahmen einsetzbar ist, und mit welchem zuverlässig eine vollständig lackfreie Substratoberfläche erreicht wird.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich nicht nur eine vollständig lackfreie Substratoberfläche erzielen, sondern die Ablösemischung läßt sich auch durch einfaches Eintauchen in Alkohol oder Wasser vollständig von dem Substrat entfernen. Das
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erfindungsgemäße Verfahren läßt sich besonders vorteilhaft im Rahmen von photolithographischen Verfahren, welche bei der Herstellung von integrierten und gedruckten Schaltungen eine bedeutungsvolle Rolle spielen, anwenden, da es sowohl zur Entfernung von Positiv- als auch von Negativlacken geeignet ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird anhand von durch eine Zeichnung erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben.
Es zeigt:
Die Figur ein Diagramm, welches für eine Ausführungsform des Ablösungsprozeßes gemäß der Erfindung die Abhängigkeit der Ablösezeit von der Temperatur zeigt.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist zum Ablösen von Negativ- und Positivlackschichten - einschließlich solcher, welche nacherhitzt wurden - geeignet. Beispiele von typischen Negativlacken, welche mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens entfernt werden, sind sensibilisierte Vinyl-Clnnamat-Polymere und teilweise zyklisierte Poly-Cis-Isopren-Polymere. Beispiele von Positivlacken, welche entfernt werden können, sind Diazoketon sensibilisierte Phenol-Formaldehyd-Lacke, Polymethyl-Lacke, Polymethyl-Methacrylatpolymere und -copolymere und PoIysulfonpolymere.
Die Ablöselösungen enthalten gesättigte, alkoholische Lösungen einer Verbindung, wie z.B. einer starken, anorganischen Base, welche das Aldehyd oder das Keton aktiviert, so daß es schnell die organische Polymerlackschicht angreift. Es wird angenommen,
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daß die aktivierende Verbindung dazu dient, die Carbonylgruppe zu einem Carbanion zu ionisieren, welches das Polymer angreift Diese Reaktion kann beispielsweise in der folgenden Weise vor sich gehen:
OH"
CYCLOHEXANON CARBANION CYCLOHEXENOL
Zuviel von der aktivierenden Verbindung begünstigt die Umwandlung des Carbanions in das Phenol, was zu einer relativ schnellen Desaktivierung der Lösung führt. Der Aktivator sollte Ideshalb in kleinen Mengen von etwa 0,005 bis 0,1 Mol pro Mol der Carbonylverbindung angewandt werden, wobei der bevorzugte Bereich zwischen etwa 0,006 und etwa 0,1 Mol liegt. Diese Konzentrationen bewirken einen schnellen Lackangriff und die Lösung kann mehr als 8 Stunden benutzt werden. Beispielsweise wurde eine gesättigte Natriumhydroxidlösung in Isopropanol, welche mit Cyklohexanon in einem Verhältnis von 0,0065 Mol Base pro Mol Keton gemischt worden war, an fünf aufeinanderfolgenden Tagen benutzt.
Geeignete Aktivatorverbindungen sind Verbindungen, welche aus der Gruppe Ammonium-, Alkalimetall- und Erdalkali-Metall-Hydroxiden und -karbonaten, beispielsweise Natrium-, Kalium-, Ammonium- und Kalziumhydroxide und -karbonate, und Tetramethyl-Ammoniumhydroxid ausgewählt worden sind.
Geeignete Ketone schließen beispielsweise Äthylketon, Methylethylketon, Methyl-Isopropylketon, Benzyl-Methylketon, Acetophenon, Cyclohexanon und Methyl-Isobutylketon ein. Geeignete Aldehyde sind aromatische Aldehyde, zu denen beispielsweise Benzaldehyd, Tolualdehyd, Nitrobenzaldehyd, Salicylaldehyd
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und Pheny!acetaldehyd gehören. Die Aldehyde und Ketone werden so ausgewählt, daß sie hinreichend polar sind, so daß sie mit Alkohol mischbar und doch gute Lösungsmittel für die organischen Polymerlackreste sind, welche von dem Substrat entfernt werden sollen.
Geeignete Alkohole sind beispielsweise Alkohole, welche 1 bis 4 Kohlenstoffatome enthalten, beispielsweise Methyl-, Äthyl-, n-Propyl-, Isopropyl-, t-Butyl- und Allyl-Alkohol.
Zur Herstellung der Lösungen wird die aktivierende Verbindung in einer kleinen Menge Alkohol zur Bildung einer gesättigten Lösung aufgelöst, und dann wird mit der Carbonylverbindung in Alkohol- zu- Carbonyl-Verhältnissen von etwa 1% : 99% bis etwa 50% :50% gemischt. Die Ablösegeschwindigkeit wird erhöht, wenn die Lösungen auf erhöhte Temperaturen erhitzt werden. Die Ablösetemperaturen hängen von den Siede- und Flammpunkten der Ablöselösungen ab
werden bevorzugt.
Ablöselösungen ab. Temperaturen zwischen 30 und etwa 100 0C
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele, auf welche jedoch die Erfindung nicht beschränkt ist, genauer erläutert:
Beispiel 1
Eine Ablöselösung wird hergestellt, indem zwei Liter einer gesättigten Lösung von Natriumhydroxid in Isopropanol, welche etwa 75 Gramm Natriumhydroxid enthält, mit 30 Liter Cyclohexanon gemischt werden. Die Lösung wird dazu benutzt, um sowohl Positiv- als auch Negativlackschichten von metallisierten (mit Chrom-Kupfer-Chrom)-Keramiksubstraten bei einer Lösungstemperatur von 80 0C unter Anwendung einer Ultraschallerregung in 5 bis 8 Minuten abzulösen. Anschließend werden die Substrate zum Abspülen 30 Sekunden lang in Isopropyl-
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alkohol getaucht. Die Im Ablösebehälter stehende Ablöselösung kann mehr als 8 Stunden benutzt werden und Ihre Lagerfähigkeit, wenn sie einmal gemischt ist, ist größer als 2 Wochen.
Die Negativlackschichten, welche abgelöst wurden, bestanden aus etwa 40 000 £ dicken Schichten von lichtsensibilisierten Vinyl-Cinnamat-Polymeren (welche von Firma Kodak unter dem Handelsnamen KPR-Lacke vertrieben werden) und von teilweise zyklisierten Poly-Cis-Isopren-Polymeren (welche von der Firma Kodak unter dem Handelnamen KTFR- und KMER-Lacken vertrieben werden), welche selektiv einer aktinischen Bestrahlung ausgesetzt, dann entwickelt und bei etwa 140 °c 30 Minuten lang nachgeheizt worden waren. Die Ablösezeit für diese Lackschichten lag bei 80 °C etwa bei 8 Minuten.
Die Positivlackschichten waren etwa 25 000 8 dicke Schichten eines mit einem O-Diazo-Chinon sensibilisierten Novolak-Harzlacks (ein von der Firma Shipley unter dem Handelsnamen AZ 13 50 vertriebener Lack), welche die unbelichteten Bereiche des Lacks waren, welche nach der Belichtung und dem Entwickeln übrig blieben. Diese Lackschichten wurden auch bei etwa 140 0C 30 Minuten lang nachgeheizt. Das Ablösen dauerte bei den Positivlackschichten bei 80 0C etwa 5 Minuten. Die Figur zeigt die Temperaturabhängigkeit der Ablösegeschwindigkeit einer 40 000 8 dicken Schicht eines Kodak KTFR-Lacks.
Beispiel 2
Das im Beispiel 1 beschriebene Verfahren wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß die Ablöselösung hergestellt wurde, indem 2 Liter einer gesättigten Natriumhydroxidlösung in Isopropanol (der Gehalt an Natriumhydroxid lag bei etwa 75 Gramm) mit 20
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Litern Methyl-Isobutyl-Keton gemischt wurden. Die Ablöselösung wurde zum Entfernen belichteter KPR-, KTFR- und KMER-Lackschichten benutzt, welche eine Dicke von etwa 40 000 8 hatten, und welche bei einer Temperatur von 140 0C 30 Minuten lang nachgeheizt worden waren. Das Ablösen dauerte bei 80 0C etwa 10 Minuten. Nach dem Ablösen wurden die Substrate zum Spülen 30 Sekunden in Isopropylalkohol getaucht.
Beispiel 3
Eine Ablöselösung wurde wie im Beispiel 1 hergestellt mit der Ausnahme, daß 1 Liter NaOH gesättigte Methanollösung (der NaOII-Gehalt lag bei 100 Gramm) mit 30 Litern Cyclohexanon gemischt wurde. Die Lösungen lösten sowohl Positiv- als auch Negativlacke bei Temperaturen von 80 0C innerhalb 5 Minuten vollständig ab.
Ablöselösungen, welche Kaliumhydroxid und Tetramethyl-Ammoniumhydroxid benutzten, wurden auch erfolgreich zum Entfernen von Lackschichten verwendet.
Beispiel 4
Eine Ablöselösung wurde hergestellt, indem 1 Liter einer NaOH gesättigten Methanollösung mit 30 Litern Benzaldehyd gemischt wurde.
Die Lösung löste bei 70 0C Negativlacke in 2 bis 3 Minuten und Positivlacke in 1 Minute ab.
Beispiel 5
Um zu demonstrieren, was passiert, wenn ein Keton ohne Base dazu benutzt wird, um eine Lackschicht abzulösen, wurde eine
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Negativlackschicht in Cyclohexanon gebracht. Nach 22 stündiger Einwirkung bei 70 bis 30 0C war
Negativlackschicht zu erkennen.
Einwirkung bei 70 bis 30 0C war keine sichtbare Änderung der
Im vorhergehenden wurde ein Ablöseprozeß beschrieben, bei welchem eine Lösung benutzt wird, welche keine halogenierten Kohlenwasserstoffe enthält und welche in der Lage ist, Positiv- und Negativlacke zu entfernen und bei der es nur notwendig ist, nach dem Ablösen mit Alkohol oder Wasser zu spülen, um eine rückständefreie Substratoberfläche zu erhalten. Da die Ablöselösung keine oxydierenden Agentien oder Halogene enthält, greift die Lösung Metalle, wie z.B. Leiterzüge aus Chrom, welche auf keramisichen Substraten sich befinden, nicht an. Die Lösungen sind relativ billig, im Gebrauch sicher und benutzen keine hochgiftige phenolische Bestandteile oder heiße Säuren enthaltenden Mischungen.
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Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zum Entfernen einer Lackschicht aus einem organischen Polymer von einem Substrat auf chemischem Weg, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht mit einer Mischung aus im wesentlichen einer alkoholischen Lösung, einer aktivierenden Verbindung, aus der Gruppe der Ammonium-, Alkalimetall- und Erdalkalimetallhydroxide und -karbonate und einem Aldehyd oder einem Keton behandelt wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung so zusammengesetzt wird, daß auf ein Mol Aldehyd oder Keton etwa 0,005 bis etwa 0,1 Mol der aktivierenden Verbindung kommt.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung so zusammengesetzt wird, daß auf ein Mol Aldehyd oder Keton etwa 0,OO6 bis etwa 0,01 Mol der aktivierenden Verbindung kommt.
    4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Temperaturen zwischen etwa 30 und etwa 100 0C behandelt wird.
    5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    4, dadurch gekennzeichnet, daß als aktivierende Verbindung eine starke, anorganische Base verwendet wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als starke anorganische Base Natriumhydroxid verwendet wird.
    7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
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    6, dadurch gekennzeichnet, daß als Keton Cyclohexanon verwendet wird.
    3. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    7, dadurch gekennzeichnet, daß als alkoholische Lösung der aktivierenden Verbindung eine gesättige Lösung in einem Alkohol, der zwischen 1 und 4 Kohlenstoffatome enthält, verwendet wird.
    9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lackschicht auf einem Substrat, dessen oberste Schicht aus einem Muster metallischer Leiterzüge besteht, mit einer Mischung, welche im wesentlichen eine gesättigte Lösung von Natriumhydroxid in Isopropylalkohol und Cyclohexanon enthält, wobei auf ein Mol Cyclohexanon zwischen etwa 0,006 und etwa (
    behandelt wird.
    0,006 und etwa 0,01 Mol NaOH kommt, bei etwa 80 0C
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FR (1) FR2402891B1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942249A1 (de) * 1979-10-19 1981-05-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur entfernung von fotofolien von leiterplatten

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289573A (en) * 1979-03-30 1981-09-15 International Business Machines Corporation Process for forming microcircuits
FR2455075A1 (fr) * 1979-04-24 1980-11-21 Rhone Poulenc Ind Composition a base de solvants chlores pour l'elimination de resines photoresistantes
FR2455076A1 (fr) * 1979-04-24 1980-11-21 Rhone Poulenc Ind Composition pour l'elimination des resines photoresistantes
US4309300A (en) * 1979-05-04 1982-01-05 Mcdonnell Douglas Corporation Cleaning solvent and method of cleaning a metal surface
US4276186A (en) * 1979-06-26 1981-06-30 International Business Machines Corporation Cleaning composition and use thereof
US4314022A (en) * 1980-05-05 1982-02-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoresist developers and process
JPS58139430A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Toray Ind Inc レジストの剥離法
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
DE3530282A1 (de) * 1985-08-24 1987-03-05 Hoechst Ag Verfahren zum entschichten von lichtgehaerteten photoresistschichten
US4717639A (en) * 1985-12-06 1988-01-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparation of a stencil or resist image
ZA87922B (en) * 1986-02-28 1987-09-30 Macdermid Inc Photoresist stripper composition
GB2202837B (en) * 1987-03-31 1991-04-03 Mitsumaru Kagaku Kabushiki Kai Process for recovering magnetic powder from magnetic recording material
US4824763A (en) * 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
US4857143A (en) * 1988-12-16 1989-08-15 International Business Machines Corp. Wet etching of cured polyimide
US5041488A (en) * 1989-09-19 1991-08-20 Potter Paint Co. Temporary camouflage paint
US7205265B2 (en) 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US20040018949A1 (en) * 1990-11-05 2004-01-29 Wai Mun Lee Semiconductor process residue removal composition and process
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3016261B2 (ja) * 1991-02-14 2000-03-06 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5139607A (en) * 1991-04-23 1992-08-18 Act, Inc. Alkaline stripping compositions
US7144849B2 (en) * 1993-06-21 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US5419779A (en) * 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
JP2679618B2 (ja) * 1994-04-26 1997-11-19 日本電気株式会社 剥離液組成物および剥離洗浄方法
US6248599B1 (en) * 1999-10-13 2001-06-19 International Business Machines Corporation Top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
US6455331B2 (en) 1997-10-31 2002-09-24 International Business Machines Corporation Process of top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
US6159666A (en) * 1998-01-14 2000-12-12 Fijitsu Limited Environmentally friendly removal of photoresists used in wet etchable polyimide processes
US6440647B1 (en) 1998-02-26 2002-08-27 Alpha Metals, Inc. Resist stripping process
MXPA99010269A (es) * 1999-10-04 2003-07-03 Nizar Georges Issa Shahin Sustancia removedora de esmalte vitreos o peltresy sus procedimientos de preparacion y de aplicacion.
US6682607B1 (en) 2002-03-05 2004-01-27 Sandia Corporation Reconditioning of semiconductor substrates to remove photoresist during semiconductor device fabrication
US7767637B2 (en) * 2007-05-16 2010-08-03 Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc Solvent for urethane adhesives and coatings and method of use
US9868867B1 (en) 2012-11-26 2018-01-16 Russell Scott Manley Solvents and uses thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE685312C (de) * 1936-08-25 1939-12-15 Fritz Hermann Hausleiter Mittel zum Entfernen von Kolloidschichten oder Kolloidschischtresten von Flachdruckblechen
US3551204A (en) * 1967-08-08 1970-12-29 Amicon Corp Process and composition for recovering electronic devices from encapsulation in potting compounds
US3625763A (en) * 1968-12-04 1971-12-07 Bunker Ramo Conformal coating stripping method and composition
US3813309A (en) * 1969-12-23 1974-05-28 Ibm Method for stripping resists from substrates
US3930857A (en) * 1973-05-03 1976-01-06 International Business Machines Corporation Resist process
US3871929A (en) * 1974-01-30 1975-03-18 Allied Chem Polymeric etch resist strippers and method of using same
US3988256A (en) * 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
US3980587A (en) * 1974-08-16 1976-09-14 G. T. Schjeldahl Company Stripper composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942249A1 (de) * 1979-10-19 1981-05-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur entfernung von fotofolien von leiterplatten

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5356023A (en) 1978-05-22
FR2402891B1 (de) 1980-10-24
FR2402891A1 (de) 1979-04-06
US4078102A (en) 1978-03-07

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