DE2632920C3 - Stromlose Verkupferungslösung - Google Patents
Stromlose VerkupferungslösungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine stromlose VerkupferungslöF'ing,
enthaltend 0,001 bis 030 Mol/l Kupfersalz, 0,001
bis 0,60 Mol/l eines komplexbildenden Mittels für Kupfer(II)-ionen, 0,0005 bis 0,75 Mol/l eines Reduktionsmittels
zur Reduktion von Kupfer(II)-ionen, 0,05 bis 2,0 Mol/l Alkalihydroxid und ein oberflächenaktives
Mittel.
Die stromlose Verkupferung ist eine chemische Abscheidung von Kupfer auf der Oberfläche verschiedener
Substrate, wie isolierender Substrate, aus Metallen, Keramiken und Kunststoffmaterialien durch
chemische Reduktion ohne äußeren elektrischen Strom und wird auf verschiedenen Gebieten angewendet. Für
eine solche stromlose Verkupferung schlagen z. B. die US-PS 28 74 072 und 33 07 972 stromlose Verkupfenngslösungen
vor. Die herkömmlichen Lösungen enthalten im allgemeinen Kupfer(II)-ionen eines Kupfersalzes
wie Kupfersulfat, ein komplexbildendes Mittel für Kupfer wie Äthylendiamintetraessigsäure in ausreichender
Menge, um eine Fällung der Kupferionen im alkalischen Medium zu verhindern, ein Reduktionsmittel
wie Formaldehyd und ein Alkalihydroxid wie Natriumhydroxid. Diese herkömmlichen stromlosen Verkupferungslösungen
haben jedoch verschiedene Nachteile, wie eine schlechte Stabilität der Lösung und schlechte
Duktilität sowie geringen Glanz des abgeschiedenen Kupfers. Diese Nachteile sind weniger schwerwiegend,
wenn das stromlos abgeschiedene Kupfer eine Dicke in der Größenordnung von 0,1 μΐη hat und wenn außerdem
duktiles und glänzendes Elektrolytkupfer auf der Oberfläche des stromlos abgeschiedenen Kupfers
abgeschieden wird. Wenn jedoch eine verhältnismäßig dicke Schicht von über 30 μπι durch die stromlose
Verkupferungslösung geschaffen werden soll, z. B. im Falle einer gedruckten Schaltung, werden die obigen
Nachteile zu einem ernsthaften Problem,
Zur Behebung dieser Probleme sind in der Technik verschiedene Verfahren vorgeschlagen worden. Zum
Beispiel beschreibt die US-PS 30 95 309 die Verwendung eines löslichen anorganischen Cyanids als Zusatz
zur Verbesserung der Duktilität des abgeschiedenen Kupfers und schlägt die US-PS 38 04 638 die Verwendung
einer Polyalkylenoxidverbindung, die mindestens vier Alkylenoxidgruppen mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen
im Molekül enthält, vor, die in ausreichender Weise die
erhaltene Kupferschicht duktil machen soll. Ferner
ίο beschreibt die US-PS 34 75 186 den Zusatz einer
organischen Siliziumverbindung zur Verbesserung der Festigkeit, Duktilität und anderer Eigenschaften des
abgeschiedenen Kupfers und schlägt die US-PS 36 15 732 den Zusatz eines die Wasserstoffinklusion
is verzögernden Mittels wie Alkali- und Erdalkalicyanide
und -nitride, Verbindungen des Vanadiums, Molybdäns, Niobs, Wismuts, Wolframs, Rhodiums, A_sens, Antimons,
von Seltenerden der Aktiniumreihe und Seltenerden der Lanthanreihe, von Formaldehydadditionsmitteln
wie Alkalimetallsulfiten, -bisulfiten und -phosphiten und eines Salzes der Metalle der Gruppe VIII wie Eisen,
Nickel und Platin zur Verbesserung der Biege- oder Duktilitätseigenschaften des abgeschiedenen Kupfers
vor.
Aus den US-PS 34 85 643, 36 07 317, 37 20 525 und 38 44 799 sind ferner stromlose Verkupferungslösungen
bekannt, die als Zusatz Phenylpolyäthylenätherphosphat
Polyäthylenoxid, Trimethyjnonyläther von PoIyäthylenglykol,
enthaltend 6 Mol Äthylenoxid, bzw. einen organischen Phosphatester enthalten.
Auch bei Verwendung derartiger stromloser Verkupferungslösungen werden jedoch keine Kupferabscheidungen
mit hoher Duktilität erhalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine stromlose Verkupferungslösung zu schaffen, die Kupferabscheidungen mit hoher Duktitität ergibt und sich außerdem nicht spontan zersetzt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine stromlose Verkupferungslösung zu schaffen, die Kupferabscheidungen mit hoher Duktitität ergibt und sich außerdem nicht spontan zersetzt
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine stromlose Verkupferungslösung, enthaltend 0,001 bis
0,30Mol/I Kupfersalz, 0,001 bis 0,60 Mol/l eines komplexbildenden Mittels für Kupfer(II)-ionen, 0,0005
bis 0,75 Mol/l eines Reduktionsmittels zur Reduktion von Kupfer(II)-ionen, 0,05 bis 2,0 Mol/I Alkalihydroxid
und ein oberflächenaktives Mittel gelöst die dadurch gekennzeichnet ist, daß als oberflächenaktives Mittel
0,001 bis 1,0 g/l einer Verbindung der allgemeinen Formel
RfSO2N(R)RlC2H4Oi11H
zusetzt werden, in der R/einen Perfluoralkylrest mit 3
bis 12 Kohlenstoffatomen, R Methylen oder Polymethylen
mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen, R' ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoff atomen
und m eine ganze Zahl von 1 bis 15 darstellt.
Nach einer besonderen Ausbildung der Erfindung ist das oberflächenaktive Mittel die Verbindung der
Formel
C8F17SO2N(CHOCH2(C2H4O)14H.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin, daß Kupferabscheidungen mit hoher Duktilität
und gutem Aussehen erzielt werden und die Verkupfe* rungslösung auch bei hoher Temperatur sehr beständig
ist.
Wie defi Tabellen 1 bis 3 zu entnehmen ist, ergeben
die bisher bekannten stromlosen Verkupferungslösungen keine Kupferabscheidungen mit Duktilitätswerten,
wie sie nach der Erfindung erhalten werden können.
Zu verwendbaren Kupfersalzen gehören Kupfer(II)-sulfat,
Kupfer(ll)-nitrat, Kupfer(II)-chlorid und andere wasserlösliche Kupfersalze.
Alkalihydroxide wie Natriumhydroxid und Kaliumhydroxid werden verwendet, um die Verkupferungslösung
alkalisch zu machen. Im allgemeinen liegt der pH-Wert der stromlosen Verkupferungslösung bei 11,0 bis 14,0.
Ein pH-Wert kleiner als 11,0 sollte vermieden werden,
da keine Reaktion bei der stromlosen Verkupferung eintritt; ein pH-Wert über 14,0 führt zu einer spontanen
Zersetzung der Lösung.
Geeignete komplexbildende Mittel für die Kupferionen sind zum Beispiel Äthylendiamintetraessigsäure und
deren Alkalisalze, Rochellesalz, Citronensäure und deren Salze und andere Verbindungen, wie sie z. B. in
der US-PS 30 95 309 angeführt sind. Die Konzentration des komplexbildenden Mittels von 0,001 bis 0,60 Mol'I
reicht aus, eine Fällung von Kupferionen zu verhindern. Von diesen komplexbildenden Mitteln werden Äthylendiamintetraessigsäure
und die Alkalisalze davon bevorzugt, weil sie Kupfer(II)-komplexionen mit besserer
thermischer Stabilität bei höheren Temperaturen bilden; sie sind deshalb besonders bei einer Badtemperatur
über 50" C geeignet
Ein geeignetes Reduktionsmitte! ist Formaldehyd oder eine ähnliche Verbindung wie Paraformaldehyd.
Die gemäß der Erfindung verwendeten oberflächenaktiven Mittel der Formel 1 sind im Handel erhältlich,
wie das Älihylenoxidgruppen enthaltende oberflächenaktive
Mittel der Fo. mel
GF17SO2N(CH3)CtHC2H4O)14H
(FC-170 genannt) und ein Äthylenoxidgruppen enthaltendes
oberflächenaktives Mittel mit ähnlicher Formel wie (2) (FC-176 genannt).
Das oberflächenaktive Mittel der Formel 1 wird, wie oben angegeben ist, der stromlosen Verkupferungslösung
aus Kupfer(II)-ionen, einem komplexbildenden Mittel für Kupfer(II)-ionen, einem Reduktionsmittel wie
Formaldehyd und einem Alkalihydroxid als Zusatz zugesetzt, um das abgeschiedene Kupfer duktil zu
machen, eine spontane Zersetzung der Verkupferungslösung zu verhindern und ein zufriedenstellendes
Aussehen des abgeschiedenen Kupfers zu gewährleisten.
Das oberflächenaktive Mittel der Formel 1 besitzt eine sehr gute Wärmebeständigkeit und chemische
Beständigkeit und verringert außerdem die Oberflächenspannung. Zum Beispiel wird die Oberflächenspannung
einer 0,01%igen wäßrigen Lösung aus FC-170 und FC-176 auf 20 · 10"5N/cm bzw. 24 · 10-5N/cm gesenkt.
Darüber hinaus besitzt die hydrophobe Gruppe dieser oberflächenaktiven Mittel sowohl wasserabstoßende
als auch ölabstoßende Wirkung. Diese Eigenschaften der erfindungsgemäß verwendeten oberflächenaktiven
Mittel haben einen erwünschten Einfluß auf die Kupferabscheidung. Zum Beispiel wird das oberflächenaktive
Mittel nicht durch die stromlose Verkupfe* rüngslösung angegriffen trotz der starken Alkalität und
einer hohen Badtemperatur derselben über 50" C
Die durch Zusatz des oberflächenaktiven Mittels der Formel 1 erhaltenen Verbesserungen sind vermutlich
der Unterdrückung einer Abscheidung von Wasserstoff zuzuschreiben, was ansonsten zu schlechter Duktilität
Und einem dunklen rötlichbraunen Aussehen ohne Glanz und Glattheit führt Die Küpferabscheidungsre'
CuSO4 -5 H2O | 0,03 Mol/l |
EDTA (Äthylendiamintetra | |
essigsäure) | 0,035 Mol/l |
HCHO | 0,07 Mol/I |
NaOH | 0,230 Mol/I |
pH | 12,50 |
aktion wird aiitokatalytisch unter Erzeugung von
Wasserstoffgas ausgeführt, wie es durch die folgende Gleichung wiedergegeben wird:
Cu* + + 2HCHO + 4OH"
-> Cu" + 2H2O -I- 2HCO2 + H2
Die Badtemperatur sollfe beachtet werden, dt sie
einen merklichen Einfluß auf die Duktilität des abgeschiedenen Kupfers hat. Obwohl eine Verkupferung
unter Verwendung der Verkupferungslösung der Erfindung bei einer Temperatur von 0° bis 1000C
ausgeführt werden kann, liegt der bevorzugte Temperaturbereich bei 50° bis 1000C, wodurch die Duktilität des
abgeschiedenen Kupfers sehr hoch wird.
Die folgenden Tabellen geben die Resultate bei Verwendung von beispielhaften stromlosen Verkupferungslösungen
gemäß der Erfindung wieder, und zwar im Vergleich mit Beispielen, die außerhalb der
Erfindung liegen. Die Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse von Tests für eine Verkupferungslösung der folgenden
Zusammensetzung:
jo Die Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse der Tests bei Änderung der Zusammensetzung der Verkupferungslösung.
Die in der Tabelle 3 verwendete Verkupferungslösung ist bis auf das oberflächenaktive Mittel die gleiche
wie in der Tabelle 1. Die Tabelle 3 zeigt die Meßwerte
j5 für die Duktilität von Kupferabscheidungen aus
Verkupferungslösungen unter Verwendung von oberflächenaktiven Mitteln, die keine RySO2N-Gruppe
enthalten. In den Tabellen 1 bis 3 bedeutet das Zeichen *) ein Beispiel außerhalb der Erfindung zu Vergleichszwecken.
In diesen Beispielen wird die Duktilität des abgeschiedenen Kupfers bewertet durch einen Biegetest
einer stromlos abgeschiedenen Kupfertestprobe. Die verwendete Kupfertestprobe ist eine gewalzte
Kupferfolie mit einer Dicke von 10 μπι, einer Länge von
10 cm und einer Breite von 1 cm, und das Teststück wird in die stromlose Verkupferungslösung getaucht, um
Kupfer auf jeder Seite des Teststücks bis zu einer Dicke von etwa 10 μπι abzuscheiden. Nachdem die Verkupferung
beendet ist, wird das Teststück bis zu einem Winkel von 180° umgebogen und in seine ursprüngliche
Stellung zurückgebracht. Dieser Zyklus bildet eine Biegung (1). Diese Prozedur wird fortgesetzt, bis
schließlich das Teststück gebrochen ist, die Zahl der Biegungen wird registriert.
Wie aus den folgenden Tabellen hervorgeht, werden durch die Verwendung des oberflächenaktiven Mittels
der Formel 1 in der stromlosen Verkupferungslösung eine Verbesserung in der Duktilität des abgeschiedenen
Kupfers und im Aussehen des Überzugs erzielt, und
so zwar wahrscheinlich, weil der gemäß der Erfindung
vorgeschlagene Zusatz sowohl eine R/SO2N-Gruppe als
auch eine (Ci^OJmH-Gruppe enthält, und diese beiden
Gruppen sich in wirksamer Weise gegenseitig beeinflussen. Es ist ersichtlich, daß auch die Badtemperatur eine
große Wirkung auf die Duktilität ausübt. Wie man an
den Beispielen mit einer Temperatur über 5O0C erkennen kann, wird die Duktilität um 10 bis 25
Biegungen verbessert Außerdem verhindert das ober*
flächenaktive Mittel der Formel 1 eine spontane heißt bei einer solchen Temperatur geht die Reduk-
Zersetzung der Verkupferungslösung. Die herkömmt!- tionsrtaktion der Kupferionen in herkömmlichen
ehe Verkupferungslösung ohne ein solches nicbtioni- Verkupferungslösungen zu rasch vonstatten und entste-
sches oberflächenaktives Mittel unterliegt Instabilitäts- hen feinverteilte Kupferteilchen, die eine unbrauchbare
erscheinungen bei einer Temperatur über 600C. Das 5 Abscheidung bilden.
Tabelle 1
Zusatz | kein | Typ | Konzentration | Badtempe | Abscheid ungs- | Duktilität | Aussehen der |
kein | des Zusatzes | ratur | dicke | (Biegungen) | Abscheidung | ||
kein | (g/L) | (O | (μπι) | ||||
1*) | kein | - | - | 15 | 11,6 | 0,5 | dunkles Kupfer |
2*) | kein | - | - | 30 | 10,5 | 0,5 | dunkles Kupfer |
3*) | FC-170 | - | - | 65 | 10,8 | 0,5 | dunkles Kupfer |
4*) | - | - | 80 | 11,9 | 0,5 | dunkles Kupfer | |
5*7 | FC-170 | - | - | 85 | 12,1 | 0,5 | dunkles Kupfer |
6 | nichtionisch | 0,100 | 30 | 10,0 | 3,0 | glänzend metalli | |
FC-170 | sches Kupfer | ||||||
7 | nichtionisch | 0,050 | 50 | IU | 14,0 | glänzend metalli | |
FC-170 | sches Kupfer | ||||||
8 | ni:htionisch | 0,010 | 70 | 10,3 | 17,0 | glänzend metalli | |
FC-170 | sches Kupfer | ||||||
9 | nichtionisch | 0,100 | 85 | 10,6 | 25,0 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupfer | ||||||
10 | nichtionisch | 0,250 | 93 | 9,8 | 25,0 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupfer | ||||||
11 | nichtionisch | 0,150 | 15 | 10,2 | 2,5 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupfer | ||||||
12 | nichtionisch | 0,100 | 40 | 10,3 | 3,0 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupfer | ||||||
13 | nichtionisch | 0,100 | 50 | 9,8 | 13,0 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupfer | ||||||
14 | nichtionisch | 0,250 | 70 | 10,5 | 18,0 | glänzend metalli | |
FC-176 | sches Kupier | ||||||
15 | nichtionisch | 0,010 | 85 | 10,5 | 21,0 | glänzend metalli | |
Tabelle 2 | sches Kupfer | ||||||
16 | nichtionisch | 0,450 | 95 | 11,0 | 21,0 | glänzend metalli | |
sches Kupfer | |||||||
Badzusammensetzung | 17 18 | 19 20 | 21*) 22*) | ||||
Kupfernitrat (Mol/l)
EDTA (Mol/l)
Rochellesalz (Mol/l)
Natriumeitrat (Mol/l)
Formaldehyd (Mol/l)
Natriumhydroxid (Mol/I)
EDTA (Mol/l)
Rochellesalz (Mol/l)
Natriumeitrat (Mol/l)
Formaldehyd (Mol/l)
Natriumhydroxid (Mol/I)
FC-170 (g/l)
FC-176 (g/l)
FC-176 (g/l)
Badtemperatur ("Q
Abscheidungsdicke (μηι)
Abscheidungsdicke (μηι)
Duktilität (Biegungen) Aussehen der Abscheidung
0,06 0,09
0,04 0,38
0,100
12,8
70
10,2
10,5
glänzend
metallisches
Kupfer
0,01 0,02
0,32 0,22
0,100
12,3
70
10,5
13,0
glänzend
metallisches
Kupfer
0,03 0,06
0,07 0,25
0,100
12,5
35
9,0
3,0
glänzend
metallisches
Kupfer
0,03
0,06
0,07
0,25
0,07
0,25
0,100
12,6
glänzend
metallisches Kupfer
0,03 0,06
0,07 0,25
12,5
35
10,5
0,5 dunkel
0,03
0,06 0,07 0,25
12,6
35
9,2
0,5 dunkel
M,
'ί |
Tabelle 3 | 26 32 | 7 | 920 | 8 | Dicke der | Duktilität | I |
Ablagerung | (Biege | -X. | ||||||
Badzusammensetzung | μιπ | festigkeit) | I | |||||
4
t |
(US-PS Nr.) | Zusatz | Badtempe | 4 | ||||
Konz. des | ratur | 11,0 | 6 | 1 | ||||
Zusatzes | 0C | 10,7 | 7 | 1 | ||||
23*) (34 85 643) | 9,4 | 0,5 | I | |||||
24*) (3607 317) | Phenylpolyäthylenätherphosphat | 70 | Iv | |||||
25*) (37 20 525) | Polyäthylenoxid | 100 mg/1 | 70 | |||||
L: | Trimethylnonyläther von Poly | 6 mg/1 | 70 | 11,8 | 7,5 | |||
Γ
L |
äthylenoxid, enthaltend 6 Mol | 0,14 mg/1 | j | |||||
ί | 26*) (38 04 638) | Äthylenoxid | I | |||||
Γ, | Nä-Salz von Polyoxyäthylen- | 70 | 10,9 | 6 | ||||
\ | derivat (Molgew. 2390,35 Äthoxy- | 10 g/I | I | |||||
ι | 27*) (38 04 638) | gruppen | 9,6 | 4 | P | |||
ε | Aikyjphenoxy-poiyoxyäthyien- | 70 | 10,8 | 1 | U I |
|||
28*) (38 44 799) | nlincnhafpatpr | 200 mg/1 | 10,4 | 4 | e. | |||
ι, | 29*) | organisches Phösphätestef | 70 | F, r·· |
||||
f β. |
30*) | ChH23CON(C2H4OH)2 | 0,25 g/l | 70 | I | |||
j
ι |
C12H25O(C2H4O)4H | 50 mg/1 | 70 | I | ||||
ί
ι |
100 mg/1 | I | ||||||
ί | I | |||||||
I | ||||||||
j |
I
I |
|||||||
6 |
I
I: |
|||||||
fr- S |
Ϊ I |
|||||||
ί | ||||||||
Claims (3)
1. Stromlose Verkupferungslösung, enthaltend
0,001 bis 0,30 Mol/l Kupfersalz, 0,001 bis 0,60 Mol/l
eines komplexbildenden Mittels für Kupfer(II)-ionen, 0,0005 bis 0,75 Mol/I eines Reduktionsmittels
zur Reduktion von Kupfer(II)-ionen, 0,05 bis 2,0 Mol/l Alkalihydroxid und ein oberflächenaktives
Mittel, dadurch gekennzeichnet, daß als oberflächenaktives Mittel 0,001 bis 1,0 g/l einer
Verbindung der allgemeinen Formel
RzSO2N(ROR(C2H4O)171H
zugesetzt werden, in der R/- einen Perfluoralkylrest
mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen, R Methylen oder Polymethylen mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen, R' ein
Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen und m eine ganze Zahl von 1 bis
15 darstellt
2. Stromlose Verkupferungslösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das oberflächenaktive
Mittel die Verbindung der Formel
C8F17SO2N(CH3)CH2 (C2H4O)14H
ist
3. Stromlose Verkupferungslösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung eine
Badtemperatur von 50° bis 100° C aufweist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762632920 DE2632920C3 (de) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Stromlose Verkupferungslösung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762632920 DE2632920C3 (de) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Stromlose Verkupferungslösung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2632920A1 DE2632920A1 (de) | 1978-01-26 |
DE2632920B2 DE2632920B2 (de) | 1978-08-24 |
DE2632920C3 true DE2632920C3 (de) | 1979-04-19 |
Family
ID=5983627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762632920 Expired DE2632920C3 (de) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Stromlose Verkupferungslösung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2632920C3 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6033358A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めっき液 |
-
1976
- 1976-07-19 DE DE19762632920 patent/DE2632920C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2632920A1 (de) | 1978-01-26 |
DE2632920B2 (de) | 1978-08-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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