DE1521512C - Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung - Google Patents
Alkalisches Bad zur stromlosen KupferabscheidungInfo
- Publication number
- DE1521512C DE1521512C DE1521512C DE 1521512 C DE1521512 C DE 1521512C DE 1521512 C DE1521512 C DE 1521512C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper
- triamine
- complexing agent
- radicals
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 28
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 17
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 hydroxyl ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- UXCWQGQTBWILMA-UHFFFAOYSA-N OC(CNCCNCCN)(C(O)(O)O)O Chemical group OC(CNCCNCCN)(C(O)(O)O)O UXCWQGQTBWILMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L Copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged Effects 0.000 description 2
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N DETA Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABBQHOQBGMUPJH-UHFFFAOYSA-M Sodium salicylate Chemical compound [Na+].OC1=CC=CC=C1C([O-])=O ABBQHOQBGMUPJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-UHFFFAOYSA-L Sodium tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960002167 Sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N edta Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 150000003873 salicylate salts Chemical class 0.000 description 1
- 231100000489 sensitizer Toxicity 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004025 sodium salicylate Drugs 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft die stromlose Abscheidung von Kupfer, und ihre Aufgabe besteht in der Schaffung
verbesserter Bäder, aus denen stromlos Kupfer auf zu verkupfernden Oberflächen abgeschieden werden soll.
Die stromlose Kupferabscheidung bedeutet das chemische Aufbringen von Kupfer auf aktive Oberflächen
ohne eine äußere elektrische Stromquelle. Solche Verfahren und dafür geeignete Lösungen sind
bekannt und im Handel zu haben. Sie sind in vielen früheren Patentschriften, z.B." in der USA.-Patentschrift
3 011 920, beschrieben.
Bekannte Lösungen zur stromlosen Kupferabscheidung enthalten grundsätzlich vier in Wasser
gelöste Bestandteile. Es sind dies (1) eine Quelle für Cupriionen, in der Regel Kupfersulfat, (2) Formaldehyd
als Reduktionsmittel dafür, (3) Alkali, in der Regel ein Alkalimetallhydroxyd und für gewöhnlich
Natriumhydroxid in einer solchen Menge, daß die erforderliche Alkalität für die Wirkung der Lösung
gegeben ist, und (4) ein komplexbildendes Mittel für so das Kupfer in einer zur Verhinderung seiner Ausfällung
in alkalischer Lösung ausreichenden Menge.
Zahlreiche komplexbildende Mittel für solche Lösungen sind bekannt, z. B. die Verwendung von
Tartraten in Form von Rochellesalzen, Salicylaten, Citraten, Glycerin und Lactonen. Auch die Verwendung
von Aminen und Aminoverbindungen ist bekannt. So ist in der deutschen Patentschrift 731102
die Verwendung von Diaminen und Triaminen als Komplexbildner in stromlosen Verkupferungsbädern
beschrieben.
Es wurde nun gefunden, daß man bei Verwendung ganz spezieller Triamine als Komplexbildner besondere,
nachstehend näher angegebene Vorteile erzielt, und die Erfindung wird darin gesehen, daß der
Komplexbildner aus einem substituierten Triamin der Formel
R\
R2
Rs
N — (CH2)2 - N - (CH2)2 - N
besteht, in welcher mindestens drei der Reste R1, R2,
R3, R4 und Rs-(CH2)3OH-Gruppen und nicht mehr als
zwei dieser Reste —(CH2)2OH, -CH2COOH, -C2H4-COOH
oder inerte organische Reste sind, und daß mindestens 0,15 Mol dieses Triamins pro Mol Kupferionen
zugegen sind.
Das neue komplexbildende Mittel kann in den Verkupferungsbädern allein oder in Mischung mit einem
anderen Komplexbildner für Kupferionen verwendet werden. Nahezu reines Pentahydroxypropyldiäthylentriamin,
in welchem sämtliche R-Reste —(CHjJ)3OH
sind, ist gemäß der Erfindung bevorzugt.
Die durch die Erfindung gegebenen Hauptvorteile sind die folgenden:
(1) Eine sehr hohe Abscheidungsgeschwindigkeit des Kupfers, die in den meisten Fällen in etwa
10 Minuten eine ausreichende Verkupferung ergibt. / - . '
(2) Gleichmäßige Bedeckung der zu verkupfernden
Oberfläche. Die Verkupferung beginnt sofort, und innerhalb 1 Minute sind Oberflächen in der Regel
vollständig mit Kupfer ohne jede freie Stelle bedeckt.
(3) Ein weiter Betriebstemperaturbereich von mindestens 7 bis 38°C.
(4) Die Möglichkeit weiter Konzentrationsbereiche,
wobei die Abscheidungsgeschwindigkeit von der Konzentration innerhalb weiter Grenzen nahezu
unabhängig ist.
(5) Obwohl die Abscheidung mit hoher Geschwindigkeit einsetzt, fällt diese Geschwindigkeit doch
rasch ab, so daß eine vorherbestimmte Kupfermenge abgeschieden werden kann und eine verlängerte
Abscheidungszeit nur einen geringen Einfluß hat. Dadurch wird die für eine gleichmäßige
Produktionsleistung erforderliche Zeitkontrolle weniger wichtig.
(6) Der Nachschub von verbrauchten Komponenten wird bei ganz geringem analytischem Aufwand
ermöglicht. Die Menge von pro Quadratmeter verkupferter Oberfläche verbrauchten aktiven Bestandteilen
ist von der Abscheidungsdauer verhältnismäßig unabhängig, und der Nachschub kann auf der Basis von je 1 m2 verkupferter Oberfläche
ohne häufige Analyse berechnet werden.
(7) Das neue Mittel eignet sich für einen extrem weiten Anwendungsbereich der Verkupferung und
ergibt leicht Überzugsstärken von bis zu 1,75 μ.
(8) Die Kupferabscheidung ist von ausgezeichneter Qualität, sowohl was ihre Zusammensetzung als
auch ihr Aussehen betrifft.
(9) Das abgeschiedene Kupfer besitzt eine außergewöhnlich hohe elektrische Leitfähigkeit, was die
anschließende übliche Verstärkung der Verkupferung durch Galvanisierung sehr vereinfacht.
1 Mikron dicke oder dickere Überzüge können sofort bei Stromdichten bis zu 100 Ampere pro
Quadratmeter ohne Beschädigung oder Verbrennen der stromlos abgeschiedenen. Kupferschicht
galvanisch abgeschieden werden. Bei den meisten früheren stromlos abgeschiedenen Schichten
mußte die Galvanisierung bei Stromdichten von unter 40° Ampere begonnen werden, und die
Stromdichte konnte nur langsam auf den gewünschten Wert erhöht werden.
Man erzielt erfindungsgemäß eine gute Kupfer-zuKupfer-Verbindung. Nachstehend werden typische
Beispiele für erfindungsgemäße Verkupferungsbäder angegeben,
wobei, sofern nicht anders vermerkt, alle Teile Gewichtsteile sind. Beispiel 1 ist die derzeit bevorzugte
Lösung. D-I
CuSO4-5 H2O 10 g
Paraformaldehyd 9,3 g
NaOH 25 g
Wasser bis auf 11
Komplexbildner, einer der folgenden:
20 g | Dicke der | |
5g | Cu-Abscheidung* | |
1. Pentahydroxypropyl- | 9,9 g | |
diäthylentriamin | 5g | 165 |
2. obiges Triamin -f | 22,5 g | |
Natriumtartrat | 15 g | 185 |
3. obiges Triamin + | 6g | |
i-Gluconolacton | 5g | 203 |
4. obiges Triamin + | ||
Natriumsalicylat | 185 | |
5. obiges Triamin + Äthylen- | ||
diamin-tetra-essigsäure, | ||
Na4 · H2O | 185 | |
♦ Dicke der Cu-Abscheidung in 10 Minuten bei 24° C erhalten
in cm
Kupfersulfat ist die Kupferionenquelle, und das NaOH ergibt die gewünschte Alkalität, die in der
Regel bei pH 10 oder vorzugsweise höher liegt. Andere lösliche Kupfersalze und andere Alkalimetallhydroxyde
können verwendet werden.
Obwohl die vorstehend angegebenen Konzentrationen bevorzugt sind, ist die Konzentration doch
nicht kritisch, und brauchbare Mengen liegen innerhalb der dem Fachmann bekannten Grenzen. Es muß
so viel Kupfer verwendet werden, daß man einen brauchbaren Niederschlag erhält und so viel Alkali,
daß sich der erforderliche hohe pH-Wert einstellt. Die Formaldehydmenge muß als Reduktionsmittel
für das Kupfer in Anwesenheit einer katalytisch wirkenden Oberfläche ausreichen, und die Menge des
komplexbildenden Mittels muß zur Verhinderung der Ausfällung von Kupfer in alkalischer Lösung ausreichen.
Ganz allgemein liegen die Mengen dieser Bestandteile innerhalb der nachstehenden Konzentrationsgrenzen.
Konzentrationen
Cu++ 0,02 bis 0,12 Mol/Liter
Alkali 0,17 bis 1,25 Mol/Liter
HCHO 2 bis 20 Mol/Mol Cu++
Komplexbildner: insgesamt 1,1 bis 5 Mol/Mol Cu++
wovon das Triamin betragen muß 0,15 bis 5 Mol/Mol Cu++
Wie in den Beispielen und der Tabelle angegeben, muß auch die Gesamtmenge an Komplexbildner ausreichend
sein.
Da 1 Mol Komplexbildner zur komplexen Bindung von 1 Mol Kupfer erforderlich ist, ist ein leichter
Überschuß oder etwa 1,1 Mol das erforderliche Minimum. Etwa 2 Mol Komplexbildner pro Mol
Kupfer sind bevorzugt und größere Mengen bis zu mindestens 5 Mol können verwendet werden, obwohl
solche Mengen in der Regel aus wirtschaftlichen Gründen unerwünscht sind. Die erfindungsgemäßen
Hydroxy-Triaminkomplexbildner können allein oder in Mischung mit anderen Komplexbildnern verwendet
werden. Etwa 0,15 Mol Triamin pro Mol Kupfer bilden das ungefähre Minimum zur Erzielung der erfindungsgemäßen
Vorteile, weshalb größere Mengen bevorzugt sind.
Die erfindungsgemäßen Lösungen sind während einer längeren Abscheidung bei Temperaturen bis zu
etwa 18° C stabil. Oberhalb dieser Temperatur kann die Stabilität ohne eine zusätzliche Behandlung
ungenügend werden. Wenn dies der Fall ist, kann die Lösung durch Zusatz chemischer Stabilisierungsmittel
oder durch Belüftung entsprechend der Lehre der USA.-Patentschrift 2 938 805 stabilisiert werden.
Die erfindungsgemäßen neuen Lösungen können auf die zu verkupfernden Oberflächen auf beliebige
Weise aufgebracht werden. Am einfachsten taucht man die Oberflächen in einen die Lösung enthaltenden
Behälter, der zur Erzielung der gewünschten Temperatur beheizt oder gekühlt werden kann und dem
gegebenenfalls Stabilisatoren zugesetzt werden können oder in dem eine Belüftung erfolgen kann. Die
Lösungen scheiden auf einer großen Vielzahl bekannter, katalytisch wirkender Metalle oder auf nichtkatalytischen
Oberflächen Kupfer ab, z. B. auf mit bekannten Sensibilisierungsmitteln vorbehandelten Dielektrika.
Claims (2)
1. Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung, enthaltend Kupferionen, Hydroxylionen,
Formaldehyd und eine zur Verhinderung der Ausfällung von Kupferionen in alkalischer
Lösung ausreichende Menge eines Komplexbildners aus einer Aminoverbindung oder einer
Mischung einer Aminoverbindung mit einem anderen Komplexbildner für Kupferionen, dadurch
gekennzeichnet, daß die Aminoverbindung aus einem substituierten Triamin der
Formel
R5
R3
y N — (CH2)2 — N — (CH2)2 — N '
R2 R4
R2 R4
besteht, in welcher mindestens drei der Reste R1, R2, R3, R4 und R5 — (CH2)3OH-Gruppen und
nicht mehr als zwei dieser Reste —(CH2)2OH,
-CH2COOH, -C2H4-COOH oder inerte organische
Reste sind, und daß mindestens 0,15 Mol dieses Triamins pro Mol Kupferionen zugegen sind.
2. Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Triamin Pentahydroxypropyldiäthylentriamin
ist.
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69219645T2 (de) | Verfahren zur stromlosen Plattierung von Zinn, Blei oder Zinn-Blei-Legierung | |
DE1696312C2 (de) | Bad zum stromlosen Abscheiden von Kupferüberzügen | |
DE2457829A1 (de) | Verfahren und loesungen fuer die stromlose metallauftragung | |
CH682823A5 (de) | Platierungszusammensetzungen und -verfahren. | |
DE1621311A1 (de) | Stromlos metallabscheidende Badloesung | |
DE2723910C2 (de) | Zusatzgemisch und dessen Verwendung für Bäder zur elektrolytischen Abscheidung von Gold oder Goldlegierungen | |
DE1496916B1 (de) | Cyanidfreies,galvanisches Bad und Verfahren zum Abscheiden galvanischer UEberzuege | |
DE3400670A1 (de) | Waessriges goldsulfit enthaltendes galvanisches bad und verfahren zur galvanischen abscheidung von gold unter verwendung dieses bades | |
DE2300748C3 (de) | Wäßriges, alkalisches Bad zur stromlosen Verkupferung und dessen Verwendung | |
DE2222941C3 (de) | Verfahren zum Vorbehandeln von Acrylnitril/Butadien/Styrol-Harz-Substraten vor einer stromlosen Metallabscheidung | |
DE1521512B1 (de) | Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung | |
DE2249037A1 (de) | Verfahren zum plattieren von kupfer auf aluminium | |
DE1521512C (de) | Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung | |
DE2414650C3 (de) | Stromlos arbeitendes wässriges Verkupferungsbad | |
DE2346616B2 (de) | Bad zum stromlosen abscheiden von duktilem kupfer | |
DE1621352C3 (de) | Stabilisiertes alkalisches Kupferbad zur stromlosen Abscheidung von Kupfer | |
DE2750932A1 (de) | Cyanidfreies bad zur stromlosen goldabscheidung und verfahren zum abscheiden von gold | |
DE69011549T2 (de) | Elektroplattierung von Gold enthaltenden Legierungen. | |
DE1817355A1 (de) | Bad zum Abscheiden von metallischem Kupfer ohne Stromzufuhr von aussen | |
DE1521490C3 (de) | ||
DE2023304C3 (de) | Cyanidfreies galvanisches Bad | |
CH680449A5 (de) | ||
DE1811607A1 (de) | Verfahren zur Galvanisierung von Kunststoffen | |
DE1796110C3 (de) | Wässriges Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender und porenfreier Palladiumüberzüge | |
DE1496917C (de) | Galvanisches Bad und Verfahren zum Abscheiden galvanischer Überzüge |