DE2049061A1 - Stromlose Ablagerung duktilen Kupfers - Google Patents
Stromlose Ablagerung duktilen KupfersInfo
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Description
"Stromlose Ablagerung duktilen Kupfers1*. ä
Die Erfindung bezieht sich auf ein alkalisches wässriges strom·
loses Verkupferungabad und shcafft vereinfachte Verfahren zur Ablagerung
duktilen Kupfers.
Unter "Stromloser Verkupferung" ist hier die Ablagerung einer
haftenden Kupferschicht auf einer geeigneten Oberfläche durch chemische Reduktion in Abwesenheit einer äusseren Elektrizitätsquelle zu verstehen.
Eine derartige Verkupferung wird z.B. vielfach bei der Herstellung gedruckter Verdrahtungen, leitender Ueberzüge, die nachher elektrisch
weiter überzogen werden, und für Dekorationszwecke, verwendet.
Verschiedene stromlose Verkupferungebäder sind bereits bekannt, In der Regel enthalten derartige wässrige Lösungen Cupri-Ionen, Formaldehyd,
ein Alkalihydroxyd und einen Komplexbildner, der verhindert, dass •ie Cupro-Ionen in einem alkalischen Hiliep gefällt werden· Die Kupferablagerung
mit Hilfe eines derartigen Bades erfolgt duroh Reduktion von Cupri-Ionen zu Kupfer mittels des Formaldehyds, welohe Reaktion
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duroh eine katalytieche Oberfläche, z.B. ein katalytischea Metall oder
einen katalytisch gemachten (aktivierten) Kunststoff eingeleitet wird. Die bekannten stromlosen Verkupferungebäder weisen eine Anzahl
Nachteile auf. So weicht das Aussehen stromlos abgelagerten Kupfers oft stark von dem metallischen Kupfers ab. Es ist dann nioht metallisch
glänzend» sondern matt, hat eine schmutzige dunkle Farbe, weist ein·
grosse Sprb'digkeit, eine verhältnismässig geringe spezifische Leitfähigkeit
und eine schlechte LStbarkeit auf. Die Güte der Ablagerung der
bekannten Lösungen mit einer insbesondere anfänglich verhältnismäßig
hohen Ablagerungsgeschwindigkeit ist im allgemeinen niedrig und es ist kennzeichnend, dass die Ablagerungsgesohwindigkeit in vielen Fällen
schnell abnimmt und manchmal auf null herabsinkt.* Gewöhnlich werden denn auch langsam wirkende und somit auch stabilere Verkupferungslösungen
verwendet, mit deren Hilfe z.B. in 15 Minuten eine Basisschicht alt einer
Dioke von 0,1 bis etwa 0,25/um abgelagert wird, die dann auf elektrolytischem
Wege weiter zu der verlangten Dicke verkupfert wird. Meistens wird eine Schicht mit einer Dicke in der GrSssenordnung von 25 - 50/um
verlangt, wobei die/lektrolytieohe Verkupferung dann einen groaeen
Kostenaufwand und eine Anzahl zusätzlicher Bearbeitungen alt sich bringt.
Ausβerdem lässt sich elektrolytische Verkupferung meistens
schwer anwenden, wenn Kupfer naoh einem Muster abgelagert werden muss,
dessen Teile keinen ununterbrochenen Zusammenhang augweisen, (z.B. bei additiven Verfahren zur Herstellung gedruckter Verdrahtungen). Ein weiterer
Naohteil elektrolytischer Ablagerungen besteht darin, dass sie häufig infolge einer ungleichmässigen Stromdiohteverteilung Dickenuntersvhiede
aufweisen· Die käuflioh erhältlichen stromlosen Verkupferungelösungen sind im allgemeinen vom langsam wirkenden Typ und lassen sich
nicht auf wirtschaftliche Weise zur Ablagerung dicker, duktiler, blasen-
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freier und haftender Kupfersohichten verwenden. Dieae Lösungen weisen
ausserdem gewöhnlich die ungünstige Eigenschaft auf, dass sie ohnehin
schon geringe Ablagerungageschwindigkeit Während der Ablagerung abnimmt.
Eine der wenigen bekannten Lösungen zur stromlosen Verkupferunj
mit deren Hilfe eine Schicht aus Kupfer ausgezeichneter Duktilität bia zu einer Dicke von etwa 25 /um in 24 Stunden abgelagert werden kann, enthält
ein anorganisches Zyanid und/oder ein organisches Nitril (USA Patentschrift
5.095·309)· Nach einen anderen Verfahren wird die Ablagerung
duktilen Kupfers dadurch erzielt, dass Verkupferungslösungen statt Zyanid
und/oder Nitril z.B. Vanadiumpentoxyd, Natriumarsenit oder Kalsumantimontartrat
zugesetzt werden (USA Patentschrift 5.310.450). Alle erwähnten *
Zusätze haben den Nachfeil, dass sie eine starke Vergiftungswirkung auf
die Kupferablagerung ausüben, während die Wirksamkeit einer Lösung in gewissen Fällen völlig undpraktisch sofort beendet werden kann, wenn einige
Teilchen pro Hillion (p.p.m.) der betreffenden Verbindung vorhanden sind.
Dadurch muss die Dosierung besonders genau erfolgen, während auch auf
die Ueberwachung des Ablagerungsvorgangs die gröeete Sorgfalt verwendet
werden muss, Schliesslich sind eine Anzahl der erwähnten Verbindungen besonders
giftig.
Neulich ist ein- neues Verfahren zur stromlosen Verkupferung λ
bekannt geworden (USA Patentschrift 5.529.512), die hauptsächlich sum
Zweck hat, Kupfer bis zu einer Dicke von 25/um oder mehr mit einer Geschwindigkeit
von mindestens 6/um pro Stunde und vorzugsweise noch mehr
abzulagern. Zu diesem Zweck besteht in der VerkupferungslSsung wenigstens
ein grosser Teil des Komplexbildnerβ für Cupri-Ionen aus einem oder mehr
hydroxyalkylsubstituierten tertiären Aminen, während darin ausβerdem ein
kolloidales lösliches, nichtreaktives Polymer aufgenommen ist, das aus
der Gruppe gewählt wird, die Zelluloseäther, Hydroxyäthyl, Polyvinylal-
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kohol, Polyvinylpyrrolidon, Gelatin, Peptone, Polyamide und Polyacrylamide
umfasst. Der Polymerzusatz wirkt als Glanzmittel. Das Aussehen der
Kupfersohiobten, die mit Hilfe derartiger Lösungen abgelagert werden, ist
tatsächlich besonders befriedigend; die DuktilitKt der Schichten ist jedoch
in der Hegel marginal und sogar ungenügend, wenn die betreffenden Lösungen zur Herstellung gedruckter Verdrahtungen nach einem additiven
Verfahren verwendet werden.
Die Erfindung bezweckt, ein Bad zur stromlosen Verablagerung bis zu der verlangten Dioke zu schaffen, derart, dass die Duktilitat
guten elektrolytisohen Kupfers annähernd erzielt wird und dass die obenerwähnten
!lachteile der bekannten Bftder und Verfahren behoben werden,
während auf wirtschaftliche Weise mit diesem Verfahren glatte hellrote verhSltnismkssig dicke Kupfersohichten angemessener Duktilitlt mit einer
Geschwindigkeit von etwa 5/um pro Stunde oder mehr abgelagert werden
kSnnen.
Di· DuktilitKt kann daduroh bestimmt werden, dass die abgelagerte Kupferschicht teilweise von dem Substrat gelöst und dann in einer
Richtung fiber 180° abgebogen wird, wonach die Falte unter Druck flach gemaoht
wird. Damit ist ein einziger BiegungβVorgang vollendet. Die Schritte
werden wiederholt, bis die Schicht bricht, wodurch die Duktilität durch die Anzahl von Biegungsvorgängen ausgedrückt werden kann, die die
Sohicht aushalten kann. Zum Erhalten vergleichbarer Ergebnisse ist es
erwünscht, dass die Messungen an Kupferschichten mit einer vergleichbaren Sohiohtdioke von z.B. 15 bis 20 /um durchgeführt werden.
Bsi den Untersuchtungen, die zu der Erfindung geführt haben,
wurde davon ausgegangen, dass mit Rücksicht auf eine vielseitige Brauohbarkeit
die Duktilität mindestens zwei Biegungen betragen müsste. Bei dieser Untersuchung hat sich ergeben, dass die Duktilit&t des stromlos
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abgelagerten Kupfers τοη der Ablagerungsgeeohvindigkeit abhängig ist* was
aus der nachstehenden Tabelle hervorgeht, die für eine Badtemperatur
▼on 5O0C «uerifft.
- TABELLE -
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Badzueanaenaetxung (Mol/liter) CuSO.,5H2O EDTA(4Na) HaOH Ha2CO. HCHO
Schichtdicke( /um)
nach χ Stunden
nach χ Stunden
Mittlere Geschwindigkeit der Ablagerung /um/Stunde
Duktilitat
(Biegungen)
(Biegungen)
o, | 008 | 0,009 | o, | 10 | o, | - |
o, | 014 | 0,015 | o, | 10 | o, | 10 |
o, | 020 | 0,025 | o, | 10 | 10 | |
0,18 20/um in 13 Stunden 1,5
0,18 20/tun in 10 Stunden 2,0
0,18 25/üb in 6& Stunden 5,8
0,18 20/tun in 10 Stunden 2,0
0,18 25/üb in 6& Stunden 5,8
5-7
2*
2*
χ EDTA (4 Na) ist da· Tetranatriumsais τοη Aethylendiamintetraeseigsiure
CD CD CD
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Weiter stellte sich heraus, dass sich bei höhere Temperatur (75°C) in zwei Stunden 20/um Kupfer (10/um pro Stunde) mit einer Duktilität
von zwei Ms drei Biegungen aus einem verhältnismBssig unstabilen
Bad der folgenden Zusammensetzung ablagertet
EDTA (4Na) 0,02 H "
NaOH 0,10 " ··
HCHO 0,18 H «
Goldie (Plating, November 1964) konnte aus einem Bad der nachstehenden
Zusammensetzung:
CuSO4, ^H2O | 0,04 Mol/Liter |
Kaliumnatriumtartrat | 0,18 « " |
NaOH | 0,175 " " |
HCHO | 0,13 '· " |
bei 200C in zwei Stunden 1,54 mg Cu/cm2 (etwa 0,85 /um/stunde) ablagern«
Es wurde gefunden, dass aus einem derartigen Bad bei dieser Temperatur abgelagertes Kupfer der gestellten DuktilitKtsbedingung nicht entspricht«
Die kritische Geschwindigkeit, bei der noch Kupfer angemessener Duktilität
(mindestens zwei Biegungen) abgelagert werden kann* hat sich also als
grosser erwiesen, je nachdem die Badtemperatur höher ist.
Bei der Untersuchung, die zu der Erfindung geführt hat, wurde von der These ausgegangen, dass die Verbesserung der DuRtilität, die durci
Zusatz von z.B. anorganischem Zyanid, organischem Nitril, Vanadiumpentoiyi
Natriumarsenit oder Kaliumantimontartrat erhalten werden kann, der durch
einen derartigen Zusatz herbeigeführten Herabsetzung der Ablagerungsgeschwindigkeit
zugeschrieben werden müsste.
Es wurde aber gefunden, dass Verbindungen, die zweiwertigen Schwegel enthalten, wie Thioharnstoff und 2-Mercapto-benzothiazol, die
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2049Q61
manchmal zur Verbesserung der Stabilität von Verkupferungelösungen verwendet
werden, obgleich sie bereits in sehr geringen Mengen die Geschwindigkeit
der Kupferablagerung herabsetzen, im allgemeinen keine Verbesserung
der Duktilität, sondern vielmehr eine Verschlechterung der Duktilität bewirken. Auch wurde gefunden, dass gewisse kationogene oberflächenaktive
Verbindungen, wie Cetylpyridiniumchlerid und kationogenes PoIyäthylenimin
sowie die anionogene Verbindung Heptadecyl-Benzimidazol-Monosulfat
(Va-Saltz) auch keine Verbesserung der Duktilität bewirken, obgleich
sie ebenfalls die Ablagerungsgeschwindigkeit in erheblichem Masse herabsetzen.
All die erwähnten Zusätze beeinträchtigen, im Gegensatz zu Zyanid und Hitril, das Aussehen des abgelagerten Kupfers·
Ueberraechenderveiee wurde nun gefunden, dass sehr viele polyalkylenoxydische
(Polyalkoxy)-Verbindungen bei Anwendung in stromlosen Verkupferungelösungen die Eigenschaft aufweisen, dass sie sowohl die
Ablagerungsgesohwindigkeit des Kupfers herabsetzen als auch die Duktilität
und das Aussehen der Ablagerung verbessern, während sie ausserdem die
Neigung haben, die Grenze der brauchbaren Duktilität auf höhere Ablagerungsgesohwindigkeiten
zu verschieben. Dabei ist es wichtig, dass keiner der wesentlichen Bestandteile der Lösungen in einer Konzentration vorhanden
ist, die einen bestimmten Grenzwert überschreitet. Innerhalb der zulässigen Konzentrationebereiche sind aber viele Aänderungen möglich.
Das wäarige alkalische stromlose Verkupferungebad naoh der Erfindung zum Metallisieren mit duktilem Kupfer, das ein lösliches
Kupferβlas, einen oder mehrere Komplexbildner und Formaldehyd enthält,
ist dadurch gekennzeichnet, dass es frei von einem anorganischen Zyanid, einem organischen Nitril oder einer Verbindung einer der folgenden Sie-
mente istt Molybdän, Niob, Wolfram, Rhenium, Vanadium, Arsen, Antimon,
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Wismut, Actinium, Lanthan und die seltenen Erden, dass es als wesentliche
Beetandteile 0,01 - Ot1O Mol eines wasserlöslichen Kupfersalzes, insgesamt
0,01 - 0,80 Mol eines oder mehrerer Komplexbildner, die verhindern,
dass Cupri-Ionen aus der alkalischen Lösung gefällt werden, 0,05 - 0,50
Mol Alkalihydroxyd (pH etwa 11 - 13t5), 0,01 - 0,35 Mol Fomaldehyd oder
eine Formaldehyd liefernde Verbindung und - zur Verbesserung der Duktilität
des sich ablagernden Kupfers - eine wirksame Konzentration einer löslichen gegebenenfalls micellenbildenden nichtionogenen oder ionogenen
polyalkylenoxydischen Verbindung mit mindestens 4 Alkylenoxyd-(Alkoxy)-Gruppen
enthält.
Unter einer wirksamen Konzentration der polyäthylenoxydisohen λ
Verbindung ist eine Konzentration zu verstehen, die eine Verbesserung der Duktilität bewirkt, und die - falls aus der Lösung beim Fehlen der aktiven
Verbindung Kupfer einer ungenügenden Duktilität abgelagert wird wenigstens derart groes ist, dass eine Duktilität von mindestens zwei
Biegungen erhalten wird. Eine wirksame Konzentration führt auch nahesu stets eine Verbesserung der Farbe und der Blatte der Ablagerung sowie
meistens eine herabgesetzte Blasenbildung inder Oberfläche des abgelagerten Kupfers und eine verbesserte Haftung der abgelagerten Schicht herbei.
Obwohl im allgemeinen die Ablagerungsgeschwindigkeit de· Kupfers durch das Vorhandensein einer polyalkylenoxydischen Verbindung nach
der Erfindung herabgesetzt wird, hat sich herausgestellt, dass - in Abhängigkeit
von den Konzentrationen der wesentlichen Bestandteile der Verkupferungsloetung
- diese Geschwindigkeit nicht stets auf die kritische Geschwindigkeit herabgesetzt werden kann, bei der Kupfer mit einer Duktilität
von zwei Biegungen abgelagert wird· Aus diesen Grunde ist oben für jeden wesentlichen Bestandteil der Lösung ein hochstzulässiger Grenawert
für die Konzentration angegeben. Die Mindestgrenawerte für die Kon-
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aentrationen werden durch die Anforderung bestimmt, dass da· Kupfer dennooh
mit einer für praktieohe"Anwendung akzeptabelen Geschwindigkeit abgelagert
werden nuss. Zu jedem HSohetwert der Konsentration eine· wesentlichen
Bestandteiles gehören Höchstwerte für noch akzeptabel· Konsentrationen für übrigen Beetandteile, die in der Regel niedriger al· die erwähnten
Höchstwerte für die Konsentrationen dieser Beetandteil· sind. Bas
heiest also» dass, wenn in einer Verkupferungslosung der Grenswert der
Konsentration eines der Bestandteile überschritten wird« der technische
Effekt der Erfindung nicht mehr vollständig erseitl werden kann. Dies
bedeutet nicht, dass dies in einem Bad, in dem alle Konsentrationen den Grenzkonzentrationen entsprechen, wohl der Fall ist. Es hat aich herausgestellt,
dass die kritische Ablagerungsgeschwindigkeit auch noch etwas durch die Art des Komplexbildnerts für Cupri-Ionen beeinflusst wird, so
dass keine allgemein zutreffende kritisch· Geschwindigkeit für sämtliche
B&der mit polyalkylenoxydischen Verbindungen angegeben werden kann· Im
übrigen nimmt, wie bereits erwähnt wurde, die kritsche Geschwindigkeit
mit der Betriebstemperatur der VerkupferungslSsung su.
Es sei bemerkt, dass aus der USA Patentschrift 5.257.215 stromlose
VerkupferungsbSder vom oben bereits beschriebenen Typ bekannt sind,
die eine Zpanidverbindung und eine Mercaptoverbindung enthalt·»· Nach
dieser Patentschrift wird vorzugsweise dem Bad ein Netzmittel »gesetzt,
wobei einige Netsmittel erwähnt werden, die der Definition naoh der
Erfindung entsprechen. Es wurde jedoch gefunden, dass mit eines solchen
zyanidhaltigen Bad, dem ein solches Netsmittel zugesetzt wird, la Vergleich
zu den entsprechenden Bad ohne netzmittel die Duktilitlt durchaus
wicht verbessert wird. Biesen bekannten Bidarn haften die bereits beschriebenen
Nachteile an.
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entspricht der nachstehenden allgemeinen Formelt
wobei a + b + c^X4 ist. for die nichtmicellenbildenden Polyalkylenglycol«
trifft zu, dass R1-H und B„ - OH ist. Für die PolySthylenglycole ist
b - 0 und geht die Formel in H(OC-H.) . OH über. Für die Polypropylen-
e_ 4 A1T1C
glycole sind a und c beide gleich 0 und ist η - 3 » H(OC-Hg ). OH und für
die lolybutylenglycole sind a und c gleichfalls beide gleich 0 und ist
η - 4 * H(OC4Hg)1OH.
Polyftthylenglycole sind gut wasserlöslich, auch wenn sie ein
hohes Molekülgewicht haben. Sie eignen sich denn auch besondere gut zur Anwendung ie Rainen der Erfindung. Sogar eine Verbindung «it einem Mole- ä
külgewicht τοη 500.000 und a + c y 1100 erweist sich noch als wirkungsvoll.
Wenn das Molekülgewicht τοη Polypropylen- und Polybutylenglycolen zunimmt, nimmt die Löslichkeit ab. Wenn die Verbindungen in der Verkupferungslösung
TSllig unlöslich sind, eignen sie sich nicht zur Anwendung bei dem Verfahren nach der Erfindung. In bezug auf ihre Brauchbarkeit interessante
Verbindungen sind Blockpolymere mit a \ 1, b \ 1 und c \ 1
und η - 3. Es handelt sich dann um Verbindungen, die aus einem vorwiegend
hydrophoben Block τοη Propylenoxyd(Propoxy)-Gruppen bestehen, der sich
zwischen hydrophylen BloOken τοη Aethylenoxyd-(Aethoxy)-Gruppen befindet.
Derartige Verbindungen sind In vielerlei Zusammensetzungen und Molekülargewichten
unter de« Famen Pluronics (Vyandotte Chemicals Corp.) käuflich
erhältlich. Es hat sich gezeigt, dass polyalkylenoxydische Verbindungen,
die etwa 13 oder mehr Alkylenoxyd-(Alkoxyd)-Gruppen enthalten, innerhalb
eines sehr weiten Konzentrationebereiches wirksam sind, wenn sie in VerkupferungslSsungen angewandt werden, die entsprechend den oben angegebenen
Konzentrationsanforderungen zusammengesetzt sind. Dies lässt
sich aus den nachstehenden Ausftthrungsbeispielen herleiten, die ausserdem
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zugleich das erfindungegem&sse Verfahren veranschaulichen.
BEISPIEL 1.
Eine nit Chromsäure-Sohwefelsäure aufgerauhte auf Hartpapier
angebrachte Leimschioht auf Basis eines Gemisches τοη Polybutadienacrylonitril
und Cresolhars wurde örtlich auf photocheaischem Wege für die
stromlose Kupferabi©rung aktiviert. Diese Aktivierung wurde auf folgende
Weise durchgeführt. Zunächst wurde die Sohioht während kurser Zeit in
eine lichtempfindliche Lösung der nachstehenden Zusammensetzung getauohti
0,10 Hol Orthomethoxybenzoldiazosulfonat (Mg-SaIz)
0,017 " CadmiumIactat
0,017 " Calciumlactat.
0,017 " Milchsäure 10 g Liseapol N
entionisiertes tyasser bis zu 1 Liter.
Der pH-Wert der Lösung wurde auf 4 eingestellt. Die anhangende
Flttssigkeitsschicht wurde mit Hilfe eines kalten Luftströmeβ getrocknet.
Die lichtempfindliche Sohicht wurde dann hinter einem Negativ mit verhlltnismässig
breiten Linien während einer Minute mit einer reprographiechen Quecksilberdampflampe (Typ HPR 150 W) belichtet, die eich in
einer Entfernung von 42 om vom Negativ befand. Anschliessend wurde die
belichtete Schicht mit einer Lösung behandelt, bestehend aus
0,075 Mol Mercuronitrat
0,01 " Silbernitrat 0,15 " Salpetersäure
entionisiertem Wasser bis zu 1 Liter·
Da· dabei erhaltene Metallkeimbild wurde mit Silber dadurch etwa· verstärkt,
dass es während 1,5 Minuten mit einer Lösung behandelt wurde, bestehend aus ι
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OfO1 Mol Silbern!trat
0,025 " Metol 0,10 " Zitronensäure entionisiertem Wasser bis zu 1 Liter.
Das eo erhaltene Schwache Bild aus katalytischen Silberkeinen
wurde schliesslich stromlos in einer Verkupferungslöeung der folgenden
Zusammensetzung verkupfertt
0,028 Mol Kupfersulfat (5H2O)
0,030 " Athylendiamintetraaoetat (4Na)
0,13 " Formaldehyd
0,10 " Natriumhydroxyd "
χ ·· Polylthylenglycol, Wasser bis su 1 Liter»
Auf eine Anzahl auf die beschriebene Weise aktivierter Substrate wurden bei einer Badtemperatur von 500C Kupferechichten mit einer
Dicke von etwa 20/ua aufgewachsen. Ohne Zusatz des PolySthylenglycols
(x » 0) war die Ablagerungsgeschwindigkeit etwa 9 /um pro Stunde. £■ wurde dann nichtduktiles Kupfer (£ Biegung) abgelagert.
glycolen mit einer zunehmenden Anzahl von Aethoxygruppen die geringste J
effektive Konzentration festgestellt. Die angewandten Verbindungen sind in der Tabelle 1 zusammengefasst.
- TABELLE -
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- 14 - | .) OH Herateller 4 a+c |
300 " it μ ν | Pia. | 4569 | 1 | |
Carbowax 200 Union Carbide Chemicals Co. | 400 HMMM | 204906 | ||||
TABELLE 1 | •1 | 600 Il M M M | 0 | |||
H(OC2H | Il | 1540 M Il M It | Mol.Gewicht | a * | 5 | |
H | 4OOO MM M H | 190 - 210 | 4 - | 7 | ||
Il | 20 M " " " " | 285 - 515 | 6 - | 9 | ||
Il | 560 - 420 | θ - | 14 | |||
H | 570 - 650 | 13 - | 56 | |||
I5OO - 1600 | 29 - | 84 | ||||
5000 - 57OO | 68 - | 450 | ||||
I5OOO - 20000 | 540 - | |||||
Diese geringsten effektiven Konsentration (c) sind In Fig. 1
über der Anzahl von Aethozygruppen (n) aufgetragen. Die Kurv· durch die
experimentellen Punkte trennt ein Gebiet von Kupfer guter DuktilitSt von
einem Gebiet von Kupfer schlechter DuktilitEt. Ton den Verbindungen alt veniger als 8 bis 9 Aethoxygruppen aus· etwa 0,1 Mol pro Liter sugeeetst
werden, wenn Kupfer mit einer Duktilit&t von mindestens zwei Biegungen
abgelagert werden können soll. Für die Verbindungen mit einer greiseren Anzahl von Aethoxygruppen sind viel kleinere Konzentrationen genfigend. Es
ist dennooh empfehlenswert, eine die Grenzkonzentration etwa· «berechreitende
Konsentration zu verwenden. Es lassen sich dann Duktilitaten von
5 bis 8 Biegungen erhalten. Das duktile Kupfer wurde in diesem Fallen
mit einer Geschwindigkeit in der Grössenordnung von 1/um pro Stande abgelagert.
Es wies ein schönere» metallisches Aussehen und ein« geringere
Oxydation·empfindlichkeit als das aus Badern mit einer su geringen Menge
an Polyäthylenglyeol abgelagerte nichtduktile Kupfer auf. Ea let *u bemerken,
dass die Weise und das Mass der Aktivierung des Substrates sowie
di· Zusammensetzung der YerkupferungslSsung innerhalb der sngegebenen
Konzentrationsgrenzen quantitativ die kleinste effektive Konsentration eines PolyMhyleaglyools gevisseraassen beeinflussen, ohne dass dies
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übrigens zu einen anderen qualitativen Bild führt.
BEISPIEL 2.
Unter der Verwendung von Substraten, die auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise für die stromlose Kupferablagerung aktiviert worden
waren, wurden bei einer Badtemperatur von 50°C Kupferschichten Bit einer
Dicke von etwa 20 /οι mit Hilfe von Verkupferungelösungen aufgewachsen,
die die folgenden Bestandteile enthieltent
0,028 Hol Kupfersulfat (5H2O)
0,030 " Aethylendiamintetramoetat (4Na)
0,10 " Katriumhydroxyd 0,15 " Formaldehyd
y Gev.^i Riyalkylenglycol
Die verwendeten PolyalkylenglyeoIe und die Duktilit&ten der damit abgelagerten
Kupferschichten sind in der Tabelle 2 zusammengefasst. Alle
Verbindungen - mit Ausnahme von PPG 150 mit 2 bis 3 Propoxygruppen führen
eine erhebliehe Verbesserung der Buktilität herbei.
- TABELLE -
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a+c
y(Gev. Duktili-
Carbovax 6000
Polyox WSR-205 PPG 150 PPG PIO25
PPG 1200 PPG 2025
PBG B500
Pluronic L31
Pluronic L6I
Pluronic L64 Pluronic P68
Pluronic L81 Pluronic PE8 keine Zufügung
Hodag Chenical Corp.
Dow Chemical Co.
Dow Chemical Co.
Hodag Chemical Corp.
Union Carbide Chemicals Co,
Dow Chemical Co.
Wyandotte Chemicals Corp.
Union Carbide Chemicals Co,
Dow Chemical Co.
Wyandotte Chemicals Corp.
tt η η
It | •1 |
Il | η |
Il | π |
H | η |
>11000 | O |
O | 2-3 |
O | 17 |
O | 20-21 |
O | 34-35 |
O | 6-7 |
2 | 16 |
4 | 30 |
26 159 |
30 30 |
5 204 |
38 38 |
3
3
3
3
3
4
3
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
0,02 0,10 0,10
2,5
0,01 0,10
0,01 0,10
0,01 0,10
0,10 2,5
0,10
0,0001
0,001
0,10
0,10
0,0001
0,001
0,10
0,10
0,10
-C-* CO CD CD
PEN.4369
Venn R1 ein· hydrophobe Endgruppe ist, b « O und R2 - OH ist,
wird ein Molekül erhalten, dessen Löslichkeit in Wasser durch die Anzahl
im hydrophylen Rückstand vorhandener Aethylenoxydgruppen bestimmt wird.
Serartige Verbindungen sind typische micellenbildende oberflächenaktive
Verbindungen, von denen es übrigens bekannt ist, dass die Anzahl eine
Micelle bildender Moleküle abnimmt, wenn die Anzahl Aethoxygruppen im
Molekül zunimmt« Sie sind im allgemeinen nichtionogen und eignen eioh
besondere gut zur Anwendung im Rahmen der Erfindung.
Venn R1. ein Paraffinschweif, wie z.B. eine Lauryl-, Cetyl-,
Stearyl-, Myristyl- oder Oleylgruppe ist, handelt es sich um äthoxylierte
Fellalkohole oder besser gesagt um einen Aether eines Fettalkohols und
eines Polyäthylenglycolsj CX14(OCX) OH. Die Alkylgruppe kann auch
m cuti c. q. a+c
verzweigt sein« Zahlreiche wirksame oberflächenaktive Verbindungen dieser
Art sind käuflich erhältlich, wie z.B.t
von Farbenfabriken Bayer AG
Avolan IW
OH
OH
Brij (Reihe von Verbindungen)
Empilan K (Reihe)
Emulgin 05
010
010
Emulphor ON Ethosperse La (Reihe)
Reihe)
Lipal CSA
LA
MA
OA
LA
MA
OA
Loros (Reihe) Lubrol AL (Reihe) Peregal 0
B (Reihe)
RA (Reihe)
Atlas Chemical Ind. Marchon Products Ltd. General Aniline 8 Film Corp.
Henkel International GmbH Glyco Chemicals, Inc. Drew Chemical Corp.
Chem. T
I.C.I.
109818/185 3
Siponic E (Reihe) L (Reihe RA (Reihe
PHM.43b9
Für die chemiechen Daten in bezug auf diese Verbindung und die nachstehend
noch anzuführenden Verbindungen sei verwiesen auf No Cutcheon'e
Detergents and Emulsifiers I967 Annual, J.V. Mo.Cntcheon, Inc
R. kann auch eine Alkylarylgruppe, wie x.B. ein· Octylphenyl-,
Nonylphenyl- oder Dodeoylphenylgruppe, sein. Di· betreffenden Verbindungen
sind Alkylaryl&ther von Polyäthylenglycols C-8O^4-I"*riOC2H4^ 0H*
Wirksame käuflich erhältliche athoxylierte Alkylphenole sind z.B.i
Empilan NP
Hyonio PE (Reihe)
Hyonio PE (Reihe)
Chea-Y
Alkylphenol Marohon Products Ltd. Alkylphenol lopeo Cheaioal Co.
Igepal CA (Reihe) CO (Reihe) DM (Reihe) Lessagene (Reihe)
Lissapol N (Reihe) Lubrol E
L
L
Neutronyx 600 (Reihe) Poly Tergent B (Reihe) G (Reihe)
Retzanol NP (Reihe) Renex 600 (Reihe) Tergitol P (Reihe) NP (Reihe
Triton N (Reihe) X (Reihe)
General Aniline & FiIn Corp.
Chea-Y I.C.I. I.C.I.
Olin Mathieson Chemical Corp·
109818/1853
- 19 - PHH.4360
Die Enäbydroxylgruppe von Alkyl- und Alkylarylathern von Polyäthylenglycol
kann m±% Schvefelsäure verestert werden. R? geht dann in
0 - S - OH über. Es bilden 'sich Sulfate der Alkyl- bzw. Alkylaryl&ther
^O
von Polyäthylenglycol, die anionaktiv sind. Geeignete Sulfate sind z.B.ι
von Polyäthylenglycol, die anionaktiv sind. Geeignete Sulfate sind z.B.ι
glycol (Ha) - Marchon Products Ltd.
glycol (NH-) - Alcolac Chemicals Co. 4
glycol (Ma) - General Aniline & Film Corp.
CO-436 - eulfatierter Alkylphenyläther von Polyäthylen-
glycol (HH.) - General Aniline & Film Corp. Neutrenyx S-30 - sulfatierter Alkylphen.;lather von Polyäthylen.
glycol (Ha) - Onyx Chemical Co. S-60 - sulfatierter AlkylphenylSther von Polyäthylen-
glycol (HH-) - Onyx Chemical Co. Auch kann die Endhydroxylgruppe von Alkyl- und Alkylarylathern
von Polyäthylenglycol mit Phosphorsäure verestert werden. R9 wird in
/)E „ 2 ■
diesem Falle 0 - P - 0. Sie betreffenden Phosphatester sind anionaktiv.
v0H
Beispiele eindi ^
Beispiele eindi ^
Antara LB-400 - saurer Phosphatester eines Alkyläthers von Polyäthylenglycol
- General Aniline & Film Corp.
109Ö18/1853
- 20 - ΓΗΚ.4369
H(OC2H4)ft 0 - P - 0 , in der C-H2-^1 - Alkyl
0(C2H4O)0H
Ε« ist bemerkenswert, dass Fettsäureester von Polyäthylenglycol
en, 2.B. Verbindungen der Hyrj-Reihe (Atlas Chemical Ind.) oder
der Tween-Reihe (Atlas Chemical Ind.), bei zunehmender Konzentration in
der Regel vor dem Erreichen einer brauchbaren Verbesserung der Duktilität die Ablagerungsgesohwindigkeit des Kupfers aus Verkupferungslösungen in
erheblichem Masse verringern. Sie eignen sich daher weniger gut zur Anwendung im Rahmen der Erfindung. Im nachstehenden Ausftthrungsbeiepiel
wird die Wirkung einer Anzahl dieser micellenbildenden oberflächenaktiven Verbindungen vom nicht-ionogenen und anionogenen Typ im Detail beschrieben.
BEISPIEL 3.
BEISPIEL 3.
Es wurden zwei Verfahren zur Aktivierung geleimter Hartpapiersubstrate
angewandt, und ιwar»
Verfahren At die im Beispiel 1 beschriebene photochemieohe Silberbekeimung,
und
Verfahren Bt die Palladiumbekeimung.
Verfahren Bt die Palladiumbekeimung.
Platten (25 omK) aus chemisch aufgerauhtem geleimten Hartpapier (Beispiel
1) wurden für die stromlose Kupferablagerung dadurch aktiviert, dass tie bei Zimmertemperatur nacheinander behandelt werden in
- einer stillstehenden Lösung von 10 g Zinn(ll)ohlorid und
10 ml Salzsäure in 1 1 entionisiertem Wasser (? Minuten),
- entionisiertem Wasser (1 Minute)
- einer stillstehenden Lösung von 0,2 g Palladium(ll)ohlorid und
109818/ 1853
- 21 - PHh.4369
10 ml Salzsäure in 1 1 entionisiertem Wasser (3 Minuten),
- strömendem entionisiertem Wasser (10 Hinuten)·
In den Zinn(II)chlorid- und Palladium(II)chloridlöeungen
wurden die Platten jeweils nach 50 Sekunden umgekehrt. Die in diesem
Beispiel verwendete Verkupferungslösung hatte die folgend· Zusammensetzung:
0,028 Mol Kupfersulfat (5H3O)
0,030 " Aethylendiamintetraacetat (4Na),
0,10 " Natriumhydroxyd 0,13 M Formaldehyd,
ζ Gew.$ Polyoxyäthylenderivat, ä
Diese Lösung wurde bei einer Temperatur von 500C verwendet.
Die verwendeten Polyoxyäthylenderivate und die erzielten Ergebnisse sind in der Tabelle 3 zusammengefasst.
allgemeinen Formel R4 ■ H, b - 0 und R0-N n l+ C L ein Paraf-
R5
finesohweif ist. Es handelt sich dann um ein äthoxyliertes sekundäres
Amin, wenn R, z.B. noch eine Polyäthoxygruppe ist* R, » (CgH-O)-H.
0 *
dann z.B. J] n „
^ " CmH2rn+1
(Verbindungen vom Typ Ethomid von Armour Industrial Chemical Corp·).
Die Sthoxylierten Alkylamine sind potentille kationaktiv· Verbindungen,
insbesondere in einem sauren Milieu. Der kationaktive Charakter wird aber weniger ausgeprägt sein, je nachdem im KAlekul eine grössere Anzahl
Aethoxygruppe vorhanden ist. Diese Verbindungen eignen sioh besonders
gut zur Anwendung im Rahmen der Erfindung, was doch etwas überraschend
109818/1853
- 22 - PHir.4369
ist, weil gefunden wurde, dass gewisse nichtäthoxylierte kationaktive
Verbindungen die Kupferablagerung besonders stark rersögera und die Güte
des Kupfers beeinträchtigen.
Die Wirkung dieser Sthoxylierten Pettaaine wird an Hand des
nachstehenden Ausführungsbeispiels illustriert.
Beispiel IV.
Mit Carborundumpulver etwas aufgerauhte Glasplatten (8 cm2)
wurden für die stromlose Kupferablagerung dadurch aktiviert, dass sie
bei Zimmertemperatur nacheinander unter Schütteln behandelt wurden in
- TABELLE -
109318/1863
Polyoxyfithylen- Derivat |
Klasse | Hersteller | Mol.Gew. | Anzahl Aethoxy- grttppen |
ζ Gew. $ |
Akti- vier- unga- ▼er- fahren |
Duk- tili- tat |
Surfactant QS-44 | Alkylph#noxy-P.O. E. - Phoaphatester |
Rohan and Haas Co. | ca.800 | ca.8 | 0,10 | B | 6 |
Triton X - 100 | Ootylphenyläthtr | Il HHN | oa.650 | 9-10 | 0,005 0,02 0,05 0,10 |
A A A A |
\ 4 4 |
Liiaapol H | Honylphtnyllther | I.C.I. | ca.695 | oa.11 | o-,O5 | A | 3 |
Triton X - 102 | Octylphenyllther | Rohm and Haas Co. | ca.780 | 12-13 | 0,001 | B | 2* |
Triton X - 165 | Ootylph«nyl&thtr | π nun | oa.910 | OA. 16 | 0,005 | B | 3 |
Brei 35 | Laurylithtr | Atlas Chemical Inc | oa.980 | oa.20 | 0,001 0,02 Ο,ίΟ |
A A A |
2 4 7 |
Triton X - 305 | Octylphenylfither | Rohm and Haas Co. | ca.1530 | ca.30 | 0,001 | B | 3 ** |
Triton QS - 15 | äthoxyliertee Ha-SaIz | It W H M | ca.2390 | OÄ.35 | 0,0001 0,01 0,1 1 |
B B A A |
4 5 6 |
Gafac RE - 610 | Phoephateeter s | General Aniline & Film Corp. | oa.2440 | ca. 38 | 0,02 0,10 1 |
A A 1 |
4 5 4 |
Die Verbindung Brei 30, ein Laurylfither von PolySthylenglycol mit einem Mol-Gewicht von ca. 320 und 3-4 Aethoxygruppen,
ergibt Kupferschichten mit ungenügender Duktilitftt.
'NJ CD 4>CD CD CD
- einer Lösung von 50 g Zinn (Il)chlirid und
ml Salzsäure in 1 1 entionisiertem Wasser (2" Minuten)
- entionisiertem Wasser (1 Minute)
- einer Losung von 0,25 g Palladium(ll)chlorid und
ml Salzsäure in 1 1 entionisiertera Wasser (1 Minute)
- strömendem entionisiertem Wasser (1^ Minute).
Auf den auf diese Weise vorbehandelten Platten wurde bei 500C
eine Kupferschicht mit einer Dicke von 15 bis 20 /um abgelagert* Für jede
Platte wurden 200 ml der Verkupferungelösung verwendet. Diese Lösung hatte diefolgende Zusammensetzung:
0,028 Mol Kupfersulfat (5HgO)
0,030 " Aethylendiamintetraacetat (4Na) 0,10 " Natriumhydroxyd
0,12 " Formaldehyd 0,1 Gew.°fo eines äthoxylierten Fettamine
entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter. Die nachstehenden Polysthoxyverbindungen fanden Verwendung:
a. Sipenol ITI5 Fettamin, 15 Aethoxygruppen - Aloolac Chemical Corp.
b. Sipenol 1315 Fettamin, 15 Aethoxygruppen - Alcolao Chemical Corp.
c. Sipenol 1S 50 Fettamin, 50 Aethoxygruppen - Alcolac Chemical Corp.
d. Ethomen β/20 tertiäres Fettamin, 10 Aethoxygruppen - Armour Indus
trial Chemical Co.
e. Ethomen S/20 tertiäres Fettamin, 10 Aethoxygruppen - Armour Indus
trial Chemical Co.
f. Priminoχ T-15 aekundäres Fettamin, 15 Aethoxygruppen - Rohe und Haas
Co.
(CmH2m+1 " Cie-22 " H36-44^
109818/18£3
- 25 - PHN.4569
g. Priminox T-25 sekundäres Fettamin, 25 Äethoxygruppen - Rohm und Haas
Co.
Die aus einer Lö'eung ohne Polyäthoxyverbindung abgelagerte
Kupferschicht hatte eine Duktilität <, £ Biegung. Die aus Lösungen mit
einem Zusatz abgelagerten Schichten wiesen die folgenden Duktilitäten auf)
Zusatzt Biegungent
a 2
b . 3
ο 4i
d 2£
• 4*
f .3h
8 3k
Im Rahmen der Erfindung interessante Verbindungen sind die Thioether eines höheren Alkylmercaptans oder Polyäthylenglycole der
Formelι
Stabilität stromloser Verkupferungslösungen vergrössern. Es iet aber
auch bekannt, dass diese Verbindungen die Sprödigkeit der Ablagerung
fördern und dass sie in der Regel nur in sehr geringen Konzentrationen angewandt werden können, weil sie sonst die Kupferablagerung völlig
unterdrücken. Wenn in dasselbe Molekül ein die Stabilität und die Sprödigkeit förderndes Schwefelatom und eine Anzahl die DuktilitBt
fördernder Äethoxygruppen eingebaut werden, wie dies bei den obenerwähnten
äthoxylierten Thioäthern der Fall ist, lässt sich erwarten,
dass beim Vorhandensein einer genügenden Anzahl Aethoxygruppen die
Duktilität des abgelagerten Kupfers akzeptabel sein wird, während die
109818/185:1
- 26 - PHH.4369
Stabilität durch das Vorhandensein der Thioätherbrüoke verbessert werden
wird. Erforderlichenfalls kann der die Duktilitlt fördernde Effekt dadurch vergrb'ssert werden, dass ausserdem noch ein Polyalkylenglycol oder
eine oberflächenaktive Polyathoxyverbindung eines der bisher beschriebenen Typs zugesetzt wird.
Dieser Gedanke liess sich verwirklichen, wie im Beispiel V
auseinander gesetzt ist, wobei sich der überraschende Effekt ergab, dass die Konzentration des Thioethers im Zusammenhang mit dem Einfluss auf die Ablagerungsgeschwindigkeit viel weniger kritisch als bei anderen stabilisierenden organischen Schwefelverbindungen war·
BEISPIEL V,
auseinander gesetzt ist, wobei sich der überraschende Effekt ergab, dass die Konzentration des Thioethers im Zusammenhang mit dem Einfluss auf die Ablagerungsgeschwindigkeit viel weniger kritisch als bei anderen stabilisierenden organischen Schwefelverbindungen war·
BEISPIEL V,
Glasplatten, die auf die im vorhergehenden Beispiel beschriebene Weise für die stromlose Verkupferung aktiviert worden waren, wurden
mit einer Kupferschicht von 15 bis 20 Atm dadurch übersogen, dass sie bei
50 C in einer Verkupferungelösung behandelt wurden, die die folgende
Zusammensetzung aufwiest
Zusammensetzung aufwiest
0,05 Mol Kupfersulfat (5HgO)
0,075 N Aethylendiamintetraacetat (4Ha) 0,30 " Natriumhydroxyd
0,12 w Formaldehyd 0,01 Gew.^ Carbowax 4000
0,001 Gew. % äthoxylierter Thioäther entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter.
Die nachstehenden nichtionogenen Sthoxylierten Thioether
wurden verwendet ι
wurden verwendet ι
a. Siponic SK Thioäther von PolyBthylenglycol - Alcolac Chemical Corp.
b. Sterox SE Thioäther von PolyBthylenglycol - Monsanto Co.
c. Nonic 260 Tert.DodecylthioSther von Polyathylenglycol - Pennsalt
109818/1853
Die DuktilitSt der Kupferschicht, die aue einer Lösung ohne
Riyäthoxyverbindung abgelagert worden war» war £ Biegung» Die Duktilität
der Kupferschichten, die aus Losungen mit Zusätzen abgelagert worden
waren, war mindesten« 3 Biegungen. Die Stabilität eines Bades mit Zusätzen
war um einen Faktor 3 bis 4 grosser als die eines Bades ohne Zusätze.
Die Konzentration des ThioSthers kann auf 0,1 Gew.$ gesteigert werden, wenn dies in bezug auf die Löslichkeit zulässig ist, bevor eine
unzulässige Verzögerung der Kupferablagerung auftritt.
Schwefelverbindungen, wenn sie in e ner Menge zugesetzt werden, die Λ
kleiner ist als eine die Kupferablagerung völlig verhindernde Menge, eine stabilisierende Wirkung auf eine stromlose Verkupferungslösung, so dass
die Stabilität derselben vergrössert wird. In der USA Patentschrift
5.361.580 wird die Wirkung einiger Stabilisatoren (Thioharnstoff, Kaliumpolysulfid,
Thioglycolläure und 2-Mercaptobenzothiazol) beschrieben, die in Mengen von 0,001 bis 091 ag pro Liter Lösung verwendet werden, ohne
dasa übrigens die Grosse des technischen Effekts deutlich angegeben wird.
Wenn die beschriebene Beispiele reproduziert werden, stellt sich heraus, dass der stabilisierende Effekt unverkennbar auftritt; die Kupferschichten
weisen aber - insofern sie bis zu der erforderlichen Dicke abgelagert ™
werden können - eine völlig unzulängliche Deuktilität auf. Eine Untersuchung
in beBug auf den stabilisierenden Effekt von 2-Mercaptobenzothiazol
wurde in Electronic Industries von September 1962, S. 117 - 119 beschrieben.
Bei der untersuchung, die zu der Erfindung geführt hat, wurde
versucht, die Stabilität von Verkupferungelösungen, die eine Polyalkoxyverbindung
in einer Konzentration enthalten, die die Ablagerung guten duktiliten Kupfers sicher stellt, durch Zusatz einer der bekannten zwei-
109818/185 3
wertigen Schwefelverbindungen zu verbessern. Dabei wurde gefunden, dass
es besonders schwierig ist, die Stabilität dieser Bäder unter Beibehaltung
einer akzeptabelen Duktilität des abgelagerten Kupfers optimal zu verbessern. Es hat sich herausgestellt, dass von einer Anzahl geprüfter
Verbindungen das bisher noch nicht als Stabilisator für stromlose VerkupferungslöBungen
beschriebene i-Phenyl-5-meroaptotetrasol in Vereinigung
mit Poly-alkoxyverbindungen das gewünschte Resultat ergab. Di·
zugesetzte Menge an 1-Phenyl-5-mercaptotetrazol soll zwischen 0,01 und
1 mg pro Liter Lösung (einschliesslich der Grenzwerte) liegen. Das nachstehende
Beispiel illustriert diese Aueführungeform des Verkupferungsbades
nach der Erfindung.
BEISPIEL VI.
BEISPIEL VI.
Chemisch aufgerauhte geleimte Hartpapierplatten (25 cm" ) wurden
auf die im Beispiel III beschriebene Weise einer Palladiumbekeimung
unterworfen, um sie für die stromlose Verkupferung zu aktivieren. Di·
Platten wurden stillstehend bei 500C in 200 ml der folgenden Lösung
verkupfert»
0,05 Mol Kupfersulfat (5H2O)
0,075 " Aethylendiamintetraacetat (4Na)
0,50 " Natriumhydroxyd 0,19 " Formaldehyd 0,5 mg 1-Phenyl-5-merwaptotetrazol
1 g Carbowax 1540
entionieiertes Wasser bin 1 Liter.
In oinor T,ei1epanne von 5 Stunden wurde eine KupferscMcht von 20/Um mit
oinwr T1UJ-H HtJiI von mindottene ? Biegungen abgelagert. Wenn die PoIyn
Un*vv«7 l i .ridmig d* ·:! \i zugonetzt wujiie, wurdn eine spröde Kupferechicht
( <'J ]'.i o(r\;r)fi} Λ\ψ*1 «gort. IUe StabilJiHi. 'te Faden wr.rd» <1urnh A«n
J 9 0 1 8 / 1 P '<
·>
BAD ORiQSMAL
Zusatz dee i-Phenyl-5-mercaptotetrazole um einen Faktor θ vergröeeert.
Wenn statt 1 g Carbowax 1540 2 g Triton QS-15 zugesetzt wird, werden
entsprechende Ergebnisse erzielt.
Die Wahl des in Wasser löslichen Kupfersalzes für stromlose Verkupferungslösungen ist im wesentlichen auf wirtschaftliche Gründe
zurückzuführen. Kupfersulfat ist vorzuziehen, aber die Nitrate, Halogenide,
Acetate und andere lösliche Salze von Kupfer können auch Anwendung finden.
Komplexbildner in der Regel Komplexe bei einem Molarverhältnis 1 $ 1, a
gewöhnlich wird aber vorzugsweise ein Uebermass an Komplexbildner Verwendet.
Es sind viele Komplexbildner für Opri-Ionen bekannt. Vorzugsweise
werden nach der Erfindung Seignettesalz (Kaiiumnatriuatartrat),
Triäthanolamin und Alakalisalze von N-Hydroxy-äthyläthylendiamin-triessigaäure,
Aethylendiamintetraesaigsäure und Diäthylentriaminpentaessigsäure
und Gemische dieser Stoffe verwendet.
Reduktionsmittel, die in alkalischen stromlosen Verkupferungslosungen
verwendet werden, sind Formaldehyd und formaldehyerzeugende Verbindungen oder Derivate, wie Faraformaldehyd, Glyoxal und Trioxan.
Aus wirtschaftlichen Gründen wird von den Alkalihydroxyden vor· ™
zugsweise Natriumhydroxyd verwendet. Die Bäder können nochweniger wesentliche Bestandteile, wie z.B. Pufferetoffβ und Natriumcarbonat enthalten»
In bezug auf die Betriebstemperatur der Bäder soll die Tatsache berücksichtigt werden, dass die Geschwindigkeit, mit der Kupfer abgelagert
wird, mit zunehmender Temperatur zunimmt, und dassdann auch die
kritisch· Geschwindigkeit, bei dar Kupfer Bit einer Duktilität von mindestens
2 Biegungen abgelagert wird, grosser wird. Es ist also au· wirtschaftlichen
Gründen günstig, die Bäder bei einer die Temperatur des
109818/1853
Arbeitaraumes überschreitenden Temperatur zu verwenden. Andererseits soll
aber in Betracht gezogenwerden, dass die Stabilität der Bäder bei einer
höheren Temperatur schnell abnimmt. Die höchste Temperatur, bei der eine
Verkupferungelösung noch brauchbar ist* wird im wesentlichen Masse durch
die Art des Komplexbildners für die Cupri-Ionen bestimmt. Bäder mit
schwachen Komplexbildnern müssen im Hinblick auf die Stabilität der Lösungen bei niedrigerer Temperatur verwendet werden, während Bäder mit
starken Komplexbildnern vorzugsweise bei höherer Temperatur, in gewissen Fällen sogar bis zu 9O0C, verwendet werden können. In der Praxis können
Lösungen, die Kaliumnatriumtartrat, Triäthanolamin und/oder N-Hydroxyäthyläthylendiamintreacetat
(3Na) als Komplexbildner enthalten, bei Temperaturen von 15° C bis 400C verwendet werden; Lösungen auf Basis von
Aethylendiamintetraacetat (4Na) können bei Temperaturen von 2O0C bis
800C und Lösungen auf Basis von Diäthylentriaminpentaacetat (5Na) bei
Temperaturen von 60 C bis 90 C zur Verwendung kommen. Die letzteren
Bäder haben den Vorteil, dass aiefcei Zimmertemperatur nicht ablagern und
dann besonders stabil sind. Im Ruhezustand lässt man diese Bäder denn auch vorzugsweise auf Zimmertemperatur abkühlen. Die nachstehenden Ausführungsbeispiele
illustrieren die Erfindung bei Anwendung der verschiedenen Komplexbildner in einem Temperaturbereich von 15 C bis 90 C.
BEISMEL VII
Aehnliche aktivierte Substrate wie im Beispiel YI wurden
stromlos mit einer Kupferschicht mit einer Dicke von 15 bis 20 λ» versehen.
- TABELLE -
109818/1853
Zusammensetzung der Bäder und Ergenisae
KNa Tartrat HEDTA(5Na) NaOH
HCHO
Na2CO5 Surfactant Carbowax Geechwin-QS-44
60Ö0 digkeit
Biegungen
O,£23 Mol/l 0,15 Mol/l D,C26 0,15
-,023 0,15
0,80 0,80
0,40 Mol/l 0,32Mol/l 0,10Mol/l
0,40 0,52 0,10 10 g/l
0,40 0,52 0,10
0,20 0,52 0,80
0,20 0,32 0,80 5
0f7 /um/Stunde | 4 |
0,5 | 3 |
g/l 0,2 | |
nicht bestimmt | |
0,45" | |
fHEDTA (3Na) ist daa Trinatr-umsalz des N-hydroxyäthylSthylendiamintreacetats)
K) CD 4>CD CD CD
Bei 2O0C ist eine Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,7/um/Stunde superkritisch,
während eine Geschwindigkeit von 0,45/um/stunde hingegen nahezu
kritisch ist.
BEISPIEL VIII
BEISPIEL VIII
unter Verwendung ähnlicher aktivierter Substrate wurden die
nachstehenden Ergebnisse mit den tebellierten Verkupferungslösungen bei
einer Badtemperatur von 35°C erzielt (siehe Tabellen Seite 34). BEISPIEL IX
Auf Glasplatten, die auf die im Beispiel IV beschriebene Weise für die stromlose Kupferablagerung aktiviert worden waren, wurden Kupferschichten
mit einer Dicke von etwa 20/um dadurch abgelagert, dass sie
während 4 Stunden (Ablagerungsgeschwindigkeit 5/um/stunde) mit der nachstehenden
Verkupferungslöeung behandelt wurden, die auf 35°C gehalten
wurde und in der nicht gerührt wurde.
Zusammensetzung Verkupferungalöeungι
Zusammensetzung Verkupferungalöeungι
0,028 Mol Kupfersulfat (5HgO)
0,065 " Triethanolamin 0,20 " Natriumhydroxyd 0,19 " Formaldehyd
10 g Carbowax 4000 entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter.
Die abgelagerten Kupferschichten hatten eine DuktilitSt von
drei vollständigen Biegungen. Aus einem entsprechenden Bad ohne Carbowax
4OOO lagerte sich 10/um/stunde ab, aber die Duktilität war dann ^i
Biegung.
BEISI1IEL X
BEISI1IEL X
Glasplatten (8 era2) wurden während 1-J Minuten oberflächlich
mit Carborundumpulver (Teilchendurchmeaser etwa 37 /um) aufgerauht, mit
1 0 9 8 1 8 / 1 B 5 ?
entionisiertem Wasser abgeepüllt und getrocknet. Bann wurden die Platten
für die stromlose Verkupferung dadurch aktiviert, dass sie nacheinander
behandelt wurden nit
- einer Lösung von 50 g Zinn(II)Chlorid und 10 ml Salzsäure in 1 1 entiionisiertea
Wasser (2 Minuten bei 22°C
- entionisiertem Spülwasser (i£ Minuten)
- einer Lösung von 0,25 g Palladium^ II)chlorid und
- TABELLE -
109818/1
HCHO
Ha2CO5 Triton
«iS-15
«iS-15
Surfactant Carbowax Geschvin· QS-44 6000 digkeit
0,014Mol/l 0,033Mol/l O.OÖTMol/l
0,014 0,014 0,014 0,014 0,014
0,25Mol/l 0,20Mol/l 0,10Mol/l
0,033 0,035 0,033
0,067 - 0,25 0,20 0,10
0,067 - 0,25 0,20 0,10
0,067 - 0,25 0,20 0,10
0,067 Ot075Mol/l 0,25 0,20 0,10
0,067 0,075 0,25 0,20 0,10
g/l
g/l
g/l
10
20
nicht bestimmt
1,1/um/Stunde
1,5
0,7
1,0
1,0
Biegungen
HaOH
HCHO Carbowax
4000
4000
0,05 | Mol/l | 0,10 | Hol/l | 0, | 15 | Mol/l | 0,13 | Mol/l | 0, | 02 | g/l | 1m | β |
0,05 | 0,10 | 0, | 15 | 0,13 | 0, | 1 | 0, | 4 | |||||
0,05 | 0,10 | 0, | 15 | 0,13 | 1i | 0 | 0, | 2 | |||||
0,05 | 0,10 | 0, | 15 | 0,13 | 10 | ||||||||
/Stunde
<2 2
4 6
ro ο
CD
CJ)
ml Salzsäure in 1 1 entionisiertem Wasser (i mm
- entionisiertem Spülwasser (2 Minuten).
Die Geschwindigkeit der Kupferablagerung wurde mittels der Konzentration des Kupfersalzes in der Vekupferungslösung geändert. Die
χ Mol Kupfersulfat (5HpO)
0,20 " Aethylendiamintetraacetat (4Na)
0,10 " Natriumhydroxyd
0,18 " Formaldehyd
1 g Carbowax 4000
entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter«
Für jede Pia te wurden 200 ml Verkupferungslösung verwendet.
Die Betriebstemperaturen der Bäder waren 500C, 60°C und 75°C.
adtemp.
C
C
χ Dicke der abgeladerten mittlere Ablagerungs- Anzahl
Mol/l Kupferschient geschwindigkeit Bieg-
-um/stunde
0,03
0,05
0,06
0,07"
0,03
0,05
0,07"
0,05
0,05"
0,07"
24 20 20 23 20 18 20 21
31 21
1,4
3,3
5
10
3,3
5
10
2,8
4
9
6
4
9
6
4 4 3 * 5 6
i - 2 8
5 2
M Diese Bäder wiesen am Ende der Ablagerungsperiode Zeichen spontaner
Zersetzung auf.
109818/185?
Ee ist deutlich ersichtlich, dass die kritische Geschwindigkeit,
bei der Kupfer Bit einer Duktilität von mindestens 2 Biegungen abgelagert wird, grosser ist, je nachdem die Badtemperatur höher ist.
BEISPIEL XI
Die Kupferablagerung aus einem Bad der nachstehenden Zusammen*
setzung wurde vergleichsweise für drei Arten aktivierter Subetrate
gegebent
a. chemisch auegeraute geleimte Hartpapiersubstrate (Beispiel I), die
auf photochemischem Wege für die Jupferablagerung auf die im Beispiel I beschriebene Weise aktiviert waren (Silberbekeimung);
b. die gleichen Hartpapiersubetrate, die auf die im Beispiel X beschriebene
Weise aktiviert waren (Palladiumbekeimung);
c. mechanisch aufgerauhte Glaesubstrate (Beispiel X), die auf die im
Beispiel X beschriebene Weise aktiviert waren (Palladiumbekeimung).
0,028 Mol Kupfersulfat (5H3O)
0,030 " Aethylendiamintetraacetat (4Na)
0,10 " Natriumhydroxyd
0,12 " Formaldehyd
1 g Carbowax 4000
entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter.
Es wurden wieder Schichten mit einer Dicke von etwa 20/um
abgelagert. Die Ergebnisse kSnnen wie folgt zusammengefasst werdent
109818/1853
Badtempv | Substrat | mittlere Ablagerungen | Anzahl |
geschwindigkeit | Biegungen | ||
ν/ | /un/stunde | ||
50 | geleimtes Hartpapier/Ag | 1 | 5 |
50 | Glas/Pd | 1 | 6 |
60 | geleimtes Hartpapier/Ag | 2,2 | 6 |
60 | Glas/Pd | 2,1 | 6 |
75 | geleimtes Hartpapier/Ag | 4 | 7 |
75 | geleisites Hartpapier/Pd | 4 | 8 |
75 | Glas/Pd | 4,4 | 8 |
Es können keine wesentlichen Unterschiede in der Ablagerung auf den verschiedenen Substraten festgestellt werden. Wohl äussert sich
deutlich die Neigung einer besseren Duktilität bei einer höheren Badtemperatur.
BEISPIEL XII
BEISPIEL XII
Auf Glasplatten, die auf die im Beispiel X beschriebene Weise
aufgerauht und aktiviert waren, wurde während 4 Stunden Kupfer aus einer Verkupferungslösung der folgenden Zusammensetzung abgelagert!
0,028 Mol Kupferfulflat (5H2O)
0,04 " Diäthylentriaminpentaaoetat (5Na)
0,10 - Natriumhydroxyd > Bedt#mperaturj
0,19 " Formaldehyd
700C
5 g Surfactant QS-44
entionisiertes Wasser bis zu 1 Liter
Die Schichten, die eine Dicke von etwa 15/um aufwiesen, hatten
eine Duktilitfit von Ai Biegungen. Naoh der Ablagerung wurde das Bad auf
Zimmertemperatur abgekühlt und nach 24 Stunden aufs neue auf 70 C erhitzt,
wonach wiederum Glasplatten verkupfert wurden·
Ohne den Zusatz von Surfactant QS-44 wurde «in dunkles Kupfer
abgelagert, das eine DuktilitSt von nur i£ Biegung aufwies·
109818/185?
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE!- 38 - PHN,4369/ίΤ) Alkalieohee w&ssriges stromloses Verkupferungsbad sur Ablagerung duktilen Kupfers, das als wesentliche Bestandteile ein lSsliches Kupfersalz, einen oder mehrere Komplexbildner, Formaldehyd und eine PoIyoxyalkylenverbindung enthalt, daduroh gekennzeichnet, dass das Bad frei ▼on einem anorganischen Zyanid, einem organischen Nitril oder einer Verbindung der nachstehenden Elemente istt Mo, Nb, W, Re, V, As, Sb, Bi, Ac» La und seltene Erden, und die wesentlichen Bestandteile in den folgenden Mengen enthält ι0,01 - 0,10 Mol eines wasserlöslichen Kupfersalzes,Insgesamt 0,01 - 0,60 Mol eines oder mehrere Komplexbildenden Verbindungen, die die Ablagerung von Cupri-Ionen aus der alkalischen Lösung rerhinder,0,05 - 0,50 Mol Alkalihydroxy (pH etwa 11 - 13,5),0,01 - 0,35 Mol Formaldehyd oder einer formaldehyderzeugenden Verbindung undin einer effektiven Konzentration eine oder mehrere lSaliche gegebenenfalls micellenbildende niohtionogene oder ionogene polyalkylenoxydische Verbindungen, die mindestens 4 Alkylenoxyd-(Alkoxy)-Gruppen enthalten.2. Verkupferungebad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die polyalkylenoxydisohe Verbindung der allgemeinen FormelR1(C2H4O). (CnH2nO)b (C2H4O)0 R2entspricht, wobei a + b + ο ^ 4 und, wenn η - 0,3 oder 4 ist, R1-H und R» - OH, oder wenn η - 0, R. eine gegebenenfalls verzweigte Alkyl- oder Alkylarylgruppe ist und zugleich R2 eine Hydroxygruppe eine Sulfatgruppe oder eine gegebenenfalls mehrfach veresterte Phosphatgruppe darstellt, oder wenn η - 0, R1 » H ist und zugleich R2 eine Fettamin- oder109818/1853- 59 -Fettaaidgruppe oder eine mit einer gegebenenfalls verzweigten Alkylgruppe substituierte Mercaptogruppe darstellt.5. Verkupferungebad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die polyalkylenoxydische Verbindung ein Polyalkylenglycol mit mindestens 4 Aethoxy- und/oder Fropoxygruppen ist.4. Verkupferungsbad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die polyalkylenoxydische Verbindung ein gegebenenfalls mit Schwefelsäure oder Phosphorsäure veresterter Aether von Fettalkoholen und Alkylphenolen Bit PolySthylenglycolen'ist.5. Verkupferungebad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die polyalkylenoxydische Verbindung ein ithoxyliertes Fettamin der Fettamid ist·6. Verkupferungebad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die polyalkylenoxydische Verbindung ein äthoxylier&er Thioäther mit einer gegebenenfalls verzweigten Alkylgruppe ist, vorzugsweise in Vereinigung mit einer der Verbindungen nach den Ansprüchen 3 M« 5.7. Verkupferungebad nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass es ausserdem als Stabilisator in einer Menge von 0,01 - 1 ng pro Liter i-Pfcenyl-5-mercaptotetrazol enthält.Θ. Verfahren zur stromlosen Verkupferung unter Verwendung eines Verkupferungsbades nach einem der vorangehenden Ansprüche, das als Komplexbildnet für Cupri-Ionen Keliumnatriuatartrat, TriEthanolamin und/oder N-Hydroxyathyl&thylendiamintrinatriumacetat enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Badtemperatur zwischen 15 und 400C eingestellt wird· 9. Verfahren sur stromlosen Verkupferung unter Verwendung eines Verkupferungsbadea nach einem der Ansprüche 1 bis 7t das als Komplexbildnet für Cupri-Ionen Aethylendiamintetranatriumacetat enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Badtemperatur zwisohen 20 und 600C eingestellt wird.109818/18F?- 40 - PHN.456?10, Verfahren zur stromlosen Verkupferung unter Verwendung eines Verkupferungebades nach einem der Ansprüche 1 bis 7· das als Komplexbildnet für Cupri-Ionen Di&thylentriaminpent&natriumacetat enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Badtemperatur zwischen 60 und 9O0C eingestellt wird.11. Erzeugnisse, die durch die Verkupferungebäder nach einem der Ansprüche 1 bis 7 oder unter Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche θ bis 10 erhalten sind«109818/18F?
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6915718A NL6915718A (de) | 1969-10-16 | 1969-10-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2049061A1 true DE2049061A1 (de) | 1971-04-29 |
DE2049061B2 DE2049061B2 (de) | 1980-07-24 |
DE2049061C3 DE2049061C3 (de) | 1981-04-30 |
Family
ID=19808149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2049061A Expired DE2049061C3 (de) | 1969-10-16 | 1970-10-06 | Alkalisches wäßriges Bad und dessen Verwendung zur stromlosen Verkupferung |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3804638A (de) |
AT (1) | AT311145B (de) |
AU (1) | AU2101370A (de) |
BE (1) | BE757573A (de) |
CA (1) | CA947458A (de) |
CH (1) | CH550255A (de) |
DE (1) | DE2049061C3 (de) |
FR (1) | FR2065996A5 (de) |
GB (1) | GB1330332A (de) |
HK (1) | HK49576A (de) |
NL (1) | NL6915718A (de) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5627594B2 (de) * | 1975-03-14 | 1981-06-25 | ||
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- BE BE757573D patent/BE757573A/xx not_active IP Right Cessation
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- 1970-10-06 DE DE2049061A patent/DE2049061C3/de not_active Expired
- 1970-10-13 GB GB4859070A patent/GB1330332A/en not_active Expired
- 1970-10-13 CA CA095,339A patent/CA947458A/en not_active Expired
- 1970-10-13 CH CH1511570A patent/CH550255A/de not_active IP Right Cessation
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- 1972-04-06 US US00241806A patent/US3804638A/en not_active Expired - Lifetime
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DE2049061B2 (de) | 1980-07-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |