DE2617398A1 - Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung

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Teruaki Aoki
Takeshi Matsushita
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2627855A1 (de) * 1976-06-22 1977-12-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei, einen pn-uebergang bildenden zonen unterschiedlichen leitungstyps sowie verfahren zu dessen herstellung
US4178191A (en) * 1978-08-10 1979-12-11 Rca Corp. Process of making a planar MOS silicon-on-insulating substrate device
US4197144A (en) * 1978-09-21 1980-04-08 General Electric Company Method for improving writing of information in memory targets
US4420765A (en) * 1981-05-29 1983-12-13 Rca Corporation Multi-layer passivant system
DE3138960A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur erzeugung elektrisch leitender schichten
JPS58101439A (ja) * 1981-12-12 1983-06-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS5935425A (ja) * 1982-08-23 1984-02-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4679308A (en) * 1984-12-14 1987-07-14 Honeywell Inc. Process for controlling mobile ion contamination in semiconductor devices
JPH0640577B2 (ja) * 1985-05-27 1994-05-25 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US4634473A (en) * 1985-09-09 1987-01-06 Rca Corporation Method for fabricating a radiation hardened oxide having structural damage
JPH0750693B2 (ja) * 1985-12-02 1995-05-31 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 酸化シリコン膜の製造方法
US4732867A (en) * 1986-11-03 1988-03-22 General Electric Company Method of forming alignment marks in sapphire
US5591661A (en) * 1992-04-07 1997-01-07 Shiota; Philip Method for fabricating devices for electrostatic discharge protection and voltage references, and the resulting structures
JPH0786515A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Nec Corp ポリシリコン抵抗体の形成方法
US5882961A (en) * 1995-09-11 1999-03-16 Motorola, Inc. Method of manufacturing semiconductor device with reduced charge trapping
US5672522A (en) * 1996-03-05 1997-09-30 Trw Inc. Method for making selective subcollector heterojunction bipolar transistors
US5677562A (en) * 1996-05-14 1997-10-14 General Instrument Corporation Of Delaware Planar P-N junction semiconductor structure with multilayer passivation
SE509780C2 (sv) * 1997-07-04 1999-03-08 Ericsson Telefon Ab L M Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande
JP5195186B2 (ja) * 2008-09-05 2013-05-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
CN105097570B (zh) * 2014-05-21 2017-12-19 北大方正集团有限公司 钝化层制造方法及高压半导体功率器件
KR102850766B1 (ko) 2020-10-08 2025-08-25 삼성전자주식회사 집적회로 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3533857A (en) * 1967-11-29 1970-10-13 Hughes Aircraft Co Method of restoring crystals damaged by irradiation
US3897274A (en) * 1971-06-01 1975-07-29 Texas Instruments Inc Method of fabricating dielectrically isolated semiconductor structures
CH549285A (de) * 1972-12-14 1974-05-15 Ibm Verfahren zum herstellen amorpher halbleiterschichten.
US3871067A (en) * 1973-06-29 1975-03-18 Ibm Method of manufacturing a semiconductor device
US3900345A (en) * 1973-08-02 1975-08-19 Motorola Inc Thin low temperature epi regions by conversion of an amorphous layer
JPS532552B2 (enExample) * 1974-03-30 1978-01-28

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Publication number Publication date
US4081292A (en) 1978-03-28
JPS51123562A (en) 1976-10-28
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FR2309039A1 (fr) 1976-11-19
NL7604238A (nl) 1976-10-25
CA1059241A (en) 1979-07-24
FR2309039B1 (enExample) 1980-05-09

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