FR2309039A1 - Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium - Google Patents

Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium

Info

Publication number
FR2309039A1
FR2309039A1 FR7611730A FR7611730A FR2309039A1 FR 2309039 A1 FR2309039 A1 FR 2309039A1 FR 7611730 A FR7611730 A FR 7611730A FR 7611730 A FR7611730 A FR 7611730A FR 2309039 A1 FR2309039 A1 FR 2309039A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
semi
making
semiconductor device
silicon layer
insulating silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR7611730A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
FR2309039B1 (enExample
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of FR2309039A1 publication Critical patent/FR2309039A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2309039B1 publication Critical patent/FR2309039B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
FR7611730A 1975-04-21 1976-04-21 Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium Granted FR2309039A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50048379A JPS51123562A (en) 1975-04-21 1975-04-21 Production method of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2309039A1 true FR2309039A1 (fr) 1976-11-19
FR2309039B1 FR2309039B1 (enExample) 1980-05-09

Family

ID=12801674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR7611730A Granted FR2309039A1 (fr) 1975-04-21 1976-04-21 Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4081292A (enExample)
JP (1) JPS51123562A (enExample)
CA (1) CA1059241A (enExample)
DE (1) DE2617398A1 (enExample)
FR (1) FR2309039A1 (enExample)
GB (1) GB1532456A (enExample)
NL (1) NL7604238A (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103767A3 (en) * 1982-08-23 1986-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of producing a semiconductor device by ion-implantation and device produced by the method

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2627855A1 (de) * 1976-06-22 1977-12-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei, einen pn-uebergang bildenden zonen unterschiedlichen leitungstyps sowie verfahren zu dessen herstellung
US4178191A (en) * 1978-08-10 1979-12-11 Rca Corp. Process of making a planar MOS silicon-on-insulating substrate device
US4197144A (en) * 1978-09-21 1980-04-08 General Electric Company Method for improving writing of information in memory targets
US4420765A (en) * 1981-05-29 1983-12-13 Rca Corporation Multi-layer passivant system
DE3138960A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur erzeugung elektrisch leitender schichten
JPS58101439A (ja) * 1981-12-12 1983-06-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4679308A (en) * 1984-12-14 1987-07-14 Honeywell Inc. Process for controlling mobile ion contamination in semiconductor devices
JPH0640577B2 (ja) * 1985-05-27 1994-05-25 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US4634473A (en) * 1985-09-09 1987-01-06 Rca Corporation Method for fabricating a radiation hardened oxide having structural damage
JPH0750693B2 (ja) * 1985-12-02 1995-05-31 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 酸化シリコン膜の製造方法
US4732867A (en) * 1986-11-03 1988-03-22 General Electric Company Method of forming alignment marks in sapphire
US5591661A (en) * 1992-04-07 1997-01-07 Shiota; Philip Method for fabricating devices for electrostatic discharge protection and voltage references, and the resulting structures
JPH0786515A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Nec Corp ポリシリコン抵抗体の形成方法
US5882961A (en) * 1995-09-11 1999-03-16 Motorola, Inc. Method of manufacturing semiconductor device with reduced charge trapping
US5672522A (en) * 1996-03-05 1997-09-30 Trw Inc. Method for making selective subcollector heterojunction bipolar transistors
US5677562A (en) * 1996-05-14 1997-10-14 General Instrument Corporation Of Delaware Planar P-N junction semiconductor structure with multilayer passivation
SE509780C2 (sv) * 1997-07-04 1999-03-08 Ericsson Telefon Ab L M Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande
JP5195186B2 (ja) * 2008-09-05 2013-05-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
CN105097570B (zh) * 2014-05-21 2017-12-19 北大方正集团有限公司 钝化层制造方法及高压半导体功率器件
KR102850766B1 (ko) 2020-10-08 2025-08-25 삼성전자주식회사 집적회로 장치 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1806643A1 (de) * 1967-11-29 1969-06-19 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH549285A (de) * 1972-12-14 1974-05-15 Ibm Verfahren zum herstellen amorpher halbleiterschichten.
FR2235483A1 (enExample) * 1973-06-29 1975-01-24 Ibm
FR2257334A1 (enExample) * 1973-08-02 1975-08-08 Motorola Inc
FR2266301A1 (enExample) * 1974-03-30 1975-10-24 Sony Corp

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3897274A (en) * 1971-06-01 1975-07-29 Texas Instruments Inc Method of fabricating dielectrically isolated semiconductor structures

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1806643A1 (de) * 1967-11-29 1969-06-19 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH549285A (de) * 1972-12-14 1974-05-15 Ibm Verfahren zum herstellen amorpher halbleiterschichten.
FR2235483A1 (enExample) * 1973-06-29 1975-01-24 Ibm
FR2257334A1 (enExample) * 1973-08-02 1975-08-08 Motorola Inc
FR2266301A1 (enExample) * 1974-03-30 1975-10-24 Sony Corp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103767A3 (en) * 1982-08-23 1986-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of producing a semiconductor device by ion-implantation and device produced by the method

Also Published As

Publication number Publication date
US4081292A (en) 1978-03-28
JPS51123562A (en) 1976-10-28
GB1532456A (en) 1978-11-15
NL7604238A (nl) 1976-10-25
CA1059241A (en) 1979-07-24
DE2617398A1 (de) 1976-11-04
FR2309039B1 (enExample) 1980-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2309039A1 (fr) Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium
BE826941A (fr) Procede pour deposer selectivement une couche de verre sur des dispositifs semi-conducteurs
BE798883A (fr) Procede pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant une configuration de conducteurs et dispositif fabrique de la sorte
CH546830A (fr) Procede et dispositif d'elaboration d'une couche mince.
FR2307281A1 (fr) Procede et dispositif pour la fabrication technique de porte-objets prerevetus
BE831612A (fr) Dispositif resistant en silicium polycristallin pour circuits integreset procede pour le fabriquer
BE783737A (fr) Dispositif semiconducteur et procede de fabrication de ce dispositif
FR2331884A1 (fr) Procede pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, et dispositif fabrique de la sorte
BE792614A (fr) Procede de realisation d'une couche d'oxyde sur un semi-conducteur
BE825406A (fr) Procede et dispositif pour la fabrication de sucreries et friandises emballees individuellement
BE791930A (fr) Dispositif electroluminescent et procede pour sa fabrication
FR2335952A1 (fr) Procede de fabrication d'une couche de masquage et dispositifs obtenus
FR2325194A1 (fr) Dispositif de pompage de charge pour semi-conducteur et son procede de fabrication
FR2344963A1 (fr) Procede de traitement d'une couche de nitrure de silicium d'un dispositif semi-conducteur
FR2279222A1 (fr) Procede pour doper une couche semiconductrice
FR2330146A1 (fr) Procede de gravure a alignement automatique d'une couche double de silicium polycristallin
FR2316732A1 (fr) Procede pour former des regions dielectriquement isolees dans un substrat semi-conducteur
FR2309977A1 (fr) Procede pour la realisation d'un dispositif semi-conducteur
FR2351065A1 (fr) Verre pour la passivation de dispositifs semiconducteurs
FR2003697A1 (fr) Procede pour favoriser l'adhesivite entre une pellicule et une couche support
FR2536208B1 (fr) Procede de formation de bioxyde de silicium et dispositif a semi-conducteurs avec une couche de bioxyde de silicium
BE788128A (fr) Dispositif pour l'isolement d'electrodes
BE789760A (fr) Procede et dispositif pour la fabrication de courroies dentees
FR2330147A1 (fr) Procede pour fabriquer un dispositif a semi-conducteurs
BE765980A (fr) Procede et dispositif de mesure de l'epaisseur d'une couche

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse