DE1806643A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1806643A1
DE1806643A1 DE19681806643 DE1806643A DE1806643A1 DE 1806643 A1 DE1806643 A1 DE 1806643A1 DE 19681806643 DE19681806643 DE 19681806643 DE 1806643 A DE1806643 A DE 1806643A DE 1806643 A1 DE1806643 A1 DE 1806643A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ions
semiconductor body
crystal
semiconductor
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19681806643
Other languages
English (en)
Other versions
DE1806643C3 (de
DE1806643B2 (de
Inventor
Marsh Ogden J
Mayer James W
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hughes Aircraft Co filed Critical Hughes Aircraft Co
Publication of DE1806643A1 publication Critical patent/DE1806643A1/de
Publication of DE1806643B2 publication Critical patent/DE1806643B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1806643C3 publication Critical patent/DE1806643C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/093—Laser beam treatment in general
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/165—Transmutation doping

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

Patentanwälte . 4 Düsseldorf, den 31. Oktober 1968
Dr. Ing. Eichenberg Cecilienallee 76 Il/Schn
Dipl.-Ing. Sauerland . 1 R Π fi R Λ Ί
Dr. Ing. König
Unsere Akte; 24 418
Hughes Aircraft Company, Centinela and laale Street,
Culver City, California, U.S.A.
"Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung"
Die Erfindung "bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung.
Unter den Verfahren, die in vergangenen Jahren zum Dotieren (oder Aktivieren) von Halbleitermaterial benutzt worden sind, hat das Verfahren der Ioneneinpflanzung, auch Spicktechnik genannt, erhebliehe Beachtung gefunden* Nachstehend wird das Verfahren der Ioneneinpflanzung kurz diskutiert, was für das Folgende nützlich sein mag.
Beim Verfahren der Ioneneinpflanzung werden Atome von Aktivatoren, sogenannter Verunreinigungen, zunächst ionisiert und hierauf mittels mannigfaltiger elektrischer und/oder magnetischer Felder in die Form von Strahlen verschiedenen Durchmessers und verschiedener Form gebracht und können auch veranlaßt werden, in verschiedenen Richtungen mit bestimmten Geschwindigkeiten fortzuschreiten. In direktem Gegensatz zum üblichen Diffusionsprozeß, wo sich die verfügbaren Atome im allgemeinen im Dampfzustande befinden und mit einer freiliegenden Fläche eines Halbleiterkörpers nur entsprechend den jeweils herrschenden thermodynamischen
9 η 9825/1325
1806843
Bedingungen in Berührung kommen, werden somit beim Verfahren der Ioneneihpflanzung Ionen des Aktivators veranlaßt, in die Gitterstruktur eines kristallinen Halbleiters in einer bestimmten Richtung und mit einer bestimmten Geschwindigkeit einzutreten, und sie können darin genau in einer vorgeschriebenen Konzentration und mit Steuerung auf einen gewünschten Grad von Gleichförmigkeit oder Abstufung (Gradation) piaziert werden.
Die vielen gerade dieser Methode der Ioneneinpflanzung anhaftenden Merkmale und potentiellen Torteile können jedoch unter Umständen durch unerwünschte Nebenwirkungen aufgehoben werden, nämlich durch Strahlungsschäden, die von in hohem Maße in Unordnung gebrachten Bereichen rings um die Bahn jedes dotierenden Partikels herrühren. Ferner können infolge der Tatsache, daß der Einpflanzungsprozeß seiner Natur nach keiner Gleichgewichtsbedingung genügt, die Anzahl von Terunreinigungen oder Aktivatoren auf sukstitutionellen Stellen und Zwischengitterplätzen von derjenigen abweichen, die beobachtet wird, wenn man eich des dem üblichen mehr entsprechenden Diffusionsverfahrens bedient.
Bs ist in der Halbleitertechnik wohl bekannt, daß das Einpflanzen oder Spicken beispielsweise einer Siliziumunterlage mit Antimonionen bei Verwendung eines Strahles von 20 000 Elektronenvolt bei Raumtemperatur schwere Schäden im Kristallgitter des Siliziums hervorruft, wobei das Antimon vom Zufall abhängige Stellungen in der beschädigten Gitterstruktur einnimmt. Jedes Antimonion, das in die Siliziumkristallfläche eintritt, verliert bei den Zusammenstößen mit dem Kristallgitter Energie und erzeugt einen Bereich in Porm eines beschädigten Pfades, der als Anhäufung und in der englischen Fachsprache als "cluster" bezeichnet wird. Dieser Pfad
909825/1325
hat ungefähr einen Durchmesser von 100 Ä und seine Tiefe hängt Ton der Strahlungsenergie ab. Eine Dosis von
14-/2
annähernd 10 T Ionen/cm beschädigt die bestrahlte Pläche in vollem Umfange.
Bei einer Strahlungsdosis von mehr als
Λ A O
10 Ionen/cm überlappen sich die Pfade oder Anhäufungen oder "cluster", die aus beschädigten Bereichen bestehen, so daß eine im wesentlichen amorphe Oberflächenschicht entsteht, deren Dicke im großen und ganzen der Reichweite der eingepflanzten Ionen äquivalent ist. IVLr eine solche Sättigungsdosis, die zu einer amorphen Oberflächenschicht führt, ist eine minimale Grlühtemperatur von etwa 65O0C notwendig, um wieder Ordnung in der Gritter struktur herzustellen und ein hohes Niveau von darin befindlichem substitutionellem Antimon zu schaffen. Es wurde gefunden, daß von allen untersuchten Aktivatoren oder Verunreinigungen, nämlich beispielsweise Gallium, Arsen, Indium, Antimon und Xenon nur Antimon und Arsen in der Lage sind, ein substitutionelles Niveau von mehr als 80$ nach dem Einpflanzen und Glühen zu erzeugen.
Es ist ferner in der Technik der Erzeugung von Schäden durch Kernstrahlung bekannt, daß hohe Temperaturen notwendig sind, um komplexe Schadensanhäufungen (oder "cluster") durch Glül&en zu beseitigen, die bei Raumtemperatur in Silizium induziert worden sind, und daß umso höhere Temperaturen nötig sind, je größer der Umfang des Schadens ist. In allen Fällen sind diese hohen Temperaturen nicht vereinbar mit der Behandlung anderer Komponenten bei der Herstellung der Halbleiteranordnungen, beispielsweise solchen Komponenten, die Bestandteile aus Metall mit niedrigem Sehmelz-
909825/1325
COPY
punkt enthalten.
Es ist somit wünschenswert und stellt die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe dar, einen Weg zu finden, mit niedrigeren Glühtemperaturen auszukommen. Ein Verfahren, das diese Aufgabe erfüllt, bildet den Gegenstand der Erfindung.
Das Verfahren nach der Erfindung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung besteht darin, daß zunächst ein kristalliner Halbleiterkörper der Ionenein-Pflanzung (Spicktechnik) ausgesetzt und der Halbleiterkristall sodann gekühlt wird, um Bereiche, die durch die Ioneneinpflanzung Schaden genommen haben, wiederherzustellen, wobei mindestens die erwähnten beschädigten Teile des Halbleiterkristalls gleichzeitig mit dem Glühen des Halbleiterkristalls mit Ionen eines elektrisch inaktiven Materials bestrahlt werden.
Statt eine mit Antimonionen gespickte Unterlage aus Silizium bei Temperaturen bis zu 800 und 90O0C zu glühen, wie dies bisher notwendig war, ist es möglich, eine niedrigere Temperatur zu verwenden und gleichwohl die Anzahl der Träger auf ein Niveau zu erhöhen, das in der Nähe des Niveaus vor dem Glühen liegt, gleichzeitig die Ordnung im Kristallgitter wiederherzustellen und ein hohes substitutioneiles Niveau sicherzustellen» Das Mittel, um beiden Anforderungen zu genügen, besteht in der Bestrahlung von beispielsweise mit Antimon gespickten Siliziumkristallen mit Ionen aus einem elektrisch inaktiven Material, beispielsweise Kohlenstoff, Neon oder Silizium während des Glühprozesses. Die Bestrahlung mit beispielsweise Kohlenstoff ionen gleichzeitig mit dem Glühprozeß erhöht, wie gefunden wurde, die Anzahl der Träger auf ein Ni-
909825/13 25
veau nahe dem Niveau, das vor dem Glühen vorhanden war, und reduziert die Glühtemperatur auf etwa 50O0Co
Die Erfindung liefert somit ein verbessertes Verfahren zur Wiederherstellung der Gitterstruktur der Kristalle der Halbleiteranordnung, die durch die Ioneneinpflanzung beschädigt worden war·
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile können in der Weise erreicht werden, daß zunächst in eine kristalline Halbleiterunterlage Ionen eines Aktivators, also einer Verunreinigung, beispielsweise bei Raumtemperatur eingepflanzt werden, worauf die Unterlage bei einer bestimmten höheren Temperatur geglüht wird, während gleichzeitig die Unterlage mit Ionen aus einem elektrisch inaktiven Material bestrahlt wird, so daß •ine niedrigere Glühtemperatur als andernfalls notwendig angewendet werden kann.
Der Ausdruck "Ion", wie er in iieser Beschreibung in Verbindung mit der oben genannten Ionenbestrahlung gebraucht wird, soll jeden Typ von ionisierten oder elektrisch geladenen Partikeln decken und kann auch Elektronen und ionisierte Neutronen einschließen.
Der Ausdruck "Ionen eines elektrisch inaktiven Materials", wie er in dieser Beschreibung benutzt wird, bezieht sich auf Ionen aus Stoffen, welohe den leitfähigkeitstyp des verwendeten Halbleitermaterials nicht beeinflussen·
Das Verfahren nach der Erfindung soll nachstehend in größerer Ausführlichkeit in Verbindung mit dem folgenden Beispiel erläutert werden.
In einen Siliziumkristall werden Antimonionen 909825/132 5
bei Raumtemperatur mittels eines Strahles von 20 000 Elektronenvolt eingepflanzt. Nach dieser Einpflanzung erscheint der Kristall in seiner 3?ärbnng mil« chig, zum Unterschied von der normalen bläulichen Parbe von einkristallinem Silizium, was auf Schaden hindeutet. Der Kristall wird sodann bei 50O0C zehn Minuten lang geglüht und dabei gleichzeitig mit Kohlenstoffionen unter Verwendung eines Strahles von 20 000 Elektronenvolt bestrahlt. Bei Rückkehr ssur Raumtemperatur erscheint der geglühte und mit Kohlenstoff fc bestrahlte Kristall nicht mehr milchig, was darauf hindeutet, daß der Schaden behoben oder in erheblichem Maße heruntergesetzt worden ist. Die Bestrahlung mit Kohlenstoff erhöht die Wirkung des Glühens, den durch die Einpflanzung entstandenen Schaden zu beseitigen, in erheblichem HaSe und stellt den anfänglichen Zustand der kristallinen Struktur, also den Zustand Tor der Ein·» Pflanzung, im wesentlichen wieder her«, Zuvor waren Temperaturen von etwa 65O0O asu-: ßllöiem von nicht mit Kohlenstoff bestrahlten Kristallin notwendig, um das gleiche Niveau zu erhalten, ferner wurde gefunden, daß der Bestrahlung mit Kohlenstoff bei 5000O die bestrahlte Probe etwa zehnmal soviel substitutionelle Antimondonatoren enthielt wie eine Probe, die nieht mit Kohlenstoff bestrahlt worden war„
Es hat den Anschein, daß der Kohlenstoff den dissoziierten, komplexen Schadensanhäufungen ("cluster") Energie zuführt, während er den beschädigten Bereich epitaxial wiederherstellt, und zwar ausgehend von einer inneren Zone des Kristalls in Sichtung nach außen zur Oberfläche.
Der Torteil der Verwendung von Ionen ein·» . . Elements, wie beispielsweise Kohlenstoff, das leichter
909825/132 5
BAD ORIGlNAl.
ist al· das Element, aus dem die eingepflanzten oder gespickten Ionen bestehen, liegt darin, daß das leichtere Ion eine größere Reichweite bei der gleichen Bestrahl ungs energie hat. Infolgedessen erreichen während des G-liihens die aus dem leichteren Element bestehenden Ionen die volle Tiefe des beschädigten Bereiches, um Energie zu dem Zweck zu liefern, die Struktur an der Grenze zwischen beschädigtem und unbeschädigtem Material wiederherzustellen und infolgedessen dafür zu sorgen, daß die Epitaxie fortschreitet. Jedoch könen Ionen Ton schwereren Elementen in gleicher Weise benutzt werden, wenn die Energien entsprechend erhöht werden, um die nötige Reichweite zu erhalten.
Ss wurde ferner beobachtet, daß die Verwendung von Kohlenstoffionen od.dgl· in der oben beschriebenen Weise dazu benutzt werden kann, den spezifischen Widerstand eines Halbleiterkörpers zu steuern, um auf diese Art beispielsweise in einer Unterlage von niedrigem spezifischem Widerstand einen Bereich hohen spezifischen Widerstandes zu schaffen.
Alternativ kann das Verfahren nach der Erfindung angewendet werden, um das Kristallwachstum unter Bedingungen zu steigern, wo es sich um aufgedampfte oder chemisch niedergeschlagene filme handelt und Epitaxie des die Unterlage bildenden Kristalls erwünscht ist. Bestrahlung mit beispielsweise Kohlenstoff kann während des Aufbringens oder nach dem Aufbringen des Pilms geschehen. Es sei ferner erwähnt, daß das Verfahren zusätzlich die Verwendung niedrigerer Temperaturen gestattet, wenn es sich um Kristallwachstumsprozesee handelt.
Es sei hiermit klargestellt, daß jede Art von Halbleitermaterial oder isolierendem oder halbiso-
909825/1325
lierendem Material von kristalliner Struktur in den Bereich der Erfindung und der Ansprüche fällt. Silizium und Germanium sind repräsentativ. Doch "braucht es sich nicht ausschließlich um diese Stoffe zu handeln.
Die vorstehende Beschreibung und die darin angegebenen Beispiele dienen lediglich der Erläuterung. Jede Abweichung und Abwandlung fällt in den Bereich der Ansprüche, soweit sie dem Sinn und Zweck der Erfindung entspricht.
909825/1325

Claims (1)

  1. m 9 -
    Hughes Aircraft Company, Centinela and Teale Street, s==sss3s=a=ssBzsscssSBSsss===as=s=2sssss3=ss===sn
    Quiver Pity, California, TJoSeA0
    Patentansprüche %
    1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, bei dem ein kristalliner Halbleiterkörper zunächst dem Verfahren der Ioneneinpflanzung (Spicktechnik) unterworfen und der Kristall hierauf geglüht wird, um solche Kristallteile, die durch die loneneinpflanzung beschädigt worden sind, wiederherzustellen, wobei mindestens die beschädigten Bereiche des Halbleiterkristalls gleichzeitig mit dem Glühen des Kristalls mit Ionen aus •inem elektrisch inaktiven Material bestrahlt werden.
    2« Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch inaktive Material mindestens Kohlenstoff, Silizium, Germanium oder Neon enthält«
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die eingepflanzten Ionen von Antimonionen gebildet werden und der Halbleiterkörper aus Silizium oder Germanium besteht·
    4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,dadurch gekennzeichnet, daß die eingepflanzten Ionen von Indiumionen gebildet werden und der Halbleiterkörper aus Germanium besteht.
    5ο Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a duroh gekennzeichnet, daß die Glühtemperatur ungefähr 50O0O beträgt.
    8 0 9 8 2 5/1325 :
    - ίο —
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß die eingepflanzten Ionen in Bereiche von niedrigem spezifischem Widerstand des Halbleiterkörpers eingepflanzt werden, um dadurch in dem Halbleiterkörper Bereiche hohen spezifischen Widerstandes zu erzeugen»
    7· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mindestens teilweise durch epitaxiales Niederschlagen hergestellt wird, während er gleichzeitig mit Ionen aus elektrisch inaktivem Material bestrahlt wird.
    909825/1325
DE1806643A 1967-11-29 1968-11-02 Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial durch Ionenimplantation mit anschließender Glühbehandlung Expired DE1806643C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68673167A 1967-11-29 1967-11-29

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1806643A1 true DE1806643A1 (de) 1969-06-19
DE1806643B2 DE1806643B2 (de) 1973-09-13
DE1806643C3 DE1806643C3 (de) 1975-03-27

Family

ID=24757506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1806643A Expired DE1806643C3 (de) 1967-11-29 1968-11-02 Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial durch Ionenimplantation mit anschließender Glühbehandlung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3533857A (de)
DE (1) DE1806643C3 (de)
FR (1) FR1592021A (de)
GB (1) GB1205288A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2083348A1 (en) * 1970-03-17 1971-12-17 Western Electric Co Doping a silicon substrate by ion bombard-ment
FR2117977A1 (de) * 1970-12-09 1972-07-28 Philips Nv
FR2309039A1 (fr) * 1975-04-21 1976-11-19 Sony Corp Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1280199A (en) * 1968-12-27 1972-07-05 Hitachi Ltd Method for producing semiconductor device utilizing ion implantation
US3732471A (en) * 1969-11-10 1973-05-08 Corning Glass Works Method of obtaining type conversion in zinc telluride and resultant p-n junction devices
US3918996A (en) * 1970-11-02 1975-11-11 Texas Instruments Inc Formation of integrated circuits using proton enhanced diffusion
US3864174A (en) * 1973-01-22 1975-02-04 Nobuyuki Akiyama Method for manufacturing semiconductor device
US3881964A (en) * 1973-03-05 1975-05-06 Westinghouse Electric Corp Annealing to control gate sensitivity of gated semiconductor devices
US3888701A (en) * 1973-03-09 1975-06-10 Westinghouse Electric Corp Tailoring reverse recovery time and forward voltage drop characteristics of a diode by irradiation and annealing
US3933527A (en) * 1973-03-09 1976-01-20 Westinghouse Electric Corporation Fine tuning power diodes with irradiation
US3877997A (en) * 1973-03-20 1975-04-15 Westinghouse Electric Corp Selective irradiation for fast switching thyristor with low forward voltage drop
US3928082A (en) * 1973-12-28 1975-12-23 Texas Instruments Inc Self-aligned transistor process
US3902926A (en) * 1974-02-21 1975-09-02 Signetics Corp Method of making an ion implanted resistor
US3950187A (en) * 1974-11-15 1976-04-13 Simulation Physics, Inc. Method and apparatus involving pulsed electron beam processing of semiconductor devices
DE2507366C3 (de) * 1975-02-20 1980-06-26 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Unterdrückung parasitärer Schaltungselemente
US3982967A (en) * 1975-03-26 1976-09-28 Ibm Corporation Method of proton-enhanced diffusion for simultaneously forming integrated circuit regions of varying depths
US4013485A (en) * 1976-04-29 1977-03-22 International Business Machines Corporation Process for eliminating undesirable charge centers in MIS devices
DE2756861C2 (de) * 1977-12-20 1983-11-24 Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Verfahren zum Ändern de Lage des Fermi-Niveaus von amorphem Silicium durch Dotieren mittels Ionenimplantation
JPS5772320A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Toshiba Corp Manufacture of semconductor device
US4358326A (en) * 1980-11-03 1982-11-09 International Business Machines Corporation Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing
US4391651A (en) * 1981-10-15 1983-07-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming a hyperabrupt interface in a GaAs substrate
US4436557A (en) 1982-02-19 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Modified laser-annealing process for improving the quality of electrical P-N junctions and devices
WO2005040854A2 (en) * 2003-10-22 2005-05-06 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method and apparatus for reversing performance degradation in semi-conductor detectors
US11306492B2 (en) 2016-06-24 2022-04-19 Apache Industrial Services, Inc Load bearing components and safety deck of an integrated construction system
US11976483B2 (en) 2016-06-24 2024-05-07 Apache Industrial Services, Inc Modular posts of an integrated construction system
US11624196B2 (en) 2016-06-24 2023-04-11 Apache Industrial Services, Inc Connector end fitting for an integrated construction system
US11293194B2 (en) 2016-06-24 2022-04-05 Apache Industrial Services, Inc Modular ledgers of an integrated construction system

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2787564A (en) * 1954-10-28 1957-04-02 Bell Telephone Labor Inc Forming semiconductive devices by ionic bombardment
US3272661A (en) * 1962-07-23 1966-09-13 Hitachi Ltd Manufacturing method of a semi-conductor device by controlling the recombination velocity
US3326176A (en) * 1964-10-27 1967-06-20 Nat Res Corp Work-registration device including ionic beam probe
US3457632A (en) * 1966-10-07 1969-07-29 Us Air Force Process for implanting buried layers in semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2083348A1 (en) * 1970-03-17 1971-12-17 Western Electric Co Doping a silicon substrate by ion bombard-ment
FR2117977A1 (de) * 1970-12-09 1972-07-28 Philips Nv
FR2309039A1 (fr) * 1975-04-21 1976-11-19 Sony Corp Dispositif semi-conducteur et procede pour realiser dans celui-ci une couche semi-isolante en silicium

Also Published As

Publication number Publication date
DE1806643C3 (de) 1975-03-27
DE1806643B2 (de) 1973-09-13
GB1205288A (en) 1970-09-16
FR1592021A (de) 1970-05-04
US3533857A (en) 1970-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1806643A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102015103810B4 (de) Herstellen von Halbleitervorrichtungen mit Erzeugen und Ausheilen von strahlungsinduzierten Kristalldefekten
DE2056220C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102015109961A1 (de) Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers
DE1942598A1 (de) Halbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3731742A1 (de) Silizium-auf-isolator-halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen des bauelements
DE2046833A1 (de) Verfahren zur Herstellung isolierter Halbleiterzonen
DE2437430A1 (de) Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schicht
DE1544275C3 (de) Verfahren zur Ausbildung von Zonen unterschiedlicher Leitfähigkeit in Halbleiterkristallen durch Ionenimplantation
DE2262024A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen bzw. halbleiterschaltungen
DE2513034A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dotierten duennen halbleiterschichten
DE3123234C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI
DE112014005188T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
DE2005271C3 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE2231891A1 (de) Verfahren zum herstelllen amorpher halbleiterschichten
DE2341311B2 (de) Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpern
DE2449542B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer amorphen Schicht auf einem Halbleitersubstrat
DE2611559C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen
DE1963131A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen
DE2060348A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und durch dieses Verfahren hergetellte Halbleiteranordnung
DE2253683A1 (de) Ionengespickter widerstand und verfahren zum herstellen eines derartigen widerstands
DE10260286B4 (de) Verwendung eines Defekterzeugnungsverfahrens zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
DE1764372B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1113034B (de) Diffusionsverfahren zur gleichzeitigen Bildung von PN-UEbergaengen in mehreren Halbleiter-koerpern von Halbleiteranordnungen
WO2023194094A1 (de) Verfahren zur herstellung eines aufwachssubstrats, aufwachssubstrat und strahlungsemittierender halbleiterchip

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee