DE2437430A1 - Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schichtInfo
- Publication number
- DE2437430A1 DE2437430A1 DE2437430A DE2437430A DE2437430A1 DE 2437430 A1 DE2437430 A1 DE 2437430A1 DE 2437430 A DE2437430 A DE 2437430A DE 2437430 A DE2437430 A DE 2437430A DE 2437430 A1 DE2437430 A1 DE 2437430A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline
- monocrystalline
- carrier substrate
- polycrystalline amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 1
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/003—Anneal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/122—Polycrystalline
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus einem monokristallinen Material auf einem monokristallinen
Trägersubstrat, wobei eine polykristalline amorphe Schicht auf dem Trägersubstrat
bei Temperaturen ausgebildet wird, die in einem Bereich zwischen etwa 500 C und etwa 600 C liegen.
Es ist bekannt, daß ein monokristallines Material, dessen Oberflächenschicht
durch Ionenimplantation beschädigt wurde, durch Glühen wieder in ein monokristallines Material des Ausgangs zustandes zurückverwandelt
werden kann. Wenn jedoch polykristalline amorphe Materialien auf einem
Fs/mü Träger-
503808/0350
MOHiIP-I 192
Trägersubstrat aufgebracht werden und dann dieses monokristalline Material
durch Glühen zur Umwandlung gebracht werden soll, stellt man fest, daß
eine Umwandlung in einen monokristallinen Zustand nicht möglich ist. Der Grund dafür, daß sich das Material nicht in einen monokristallinen Zustand
umwandeln läßt, liegt in dem mangelnden innigen Kontakt zwischen dem Trägersubstrat aus dem monokristallinen Material und der sehr
dünnen Schicht aus dem polykristallinen amorphen Material. In den meisten Fällen wird eine sehr dünne Oxydschicht auf dem Trägersubstrat ausgebildet
und bleibt zwischen diesem und der polykristallinen amorphen Schicht erhalten. In diesem Fall hat die monokristalline Eigenschaft des Trägersubstrats
keinen oder nur ganz geringen Einfluß auf die dünne polykristalline amorphe Schicht während des Glühprozesses.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, aus einer dünnen polykristallinen
amorphen Schicht auf einem monokristallinen Trägersubstrat durch geeignete Maßnahmen eine monokristalline Schicht herzustellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen dem
monokristallinen Trägersubstrat und der polykristallinen amorphen Schicht im Grenzschichtbereich eine innige Kontaktverbindung hergestellt wird, und
daß anschließend die Temperatur des Trägersubstrats auf etwa 600 C
bis etwa 900 C gebracht wird, um das polykristalline amorphe Material
in ein monokristallines Material umzuwandeln.
Weitere Merkmale und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von
weiteren Ansprüchen.
Die Maßnahmen der Erfindung sehen die Zerstörung der Grenzschicht zwischen der monokristallinen Substratschicht und der polykristallinen
amorphen Materialschicht vor, womit es durch einen herkömmlichen Glühprozeß möglich ist, aus einer polykristallinen amorphen Materialschicht
eine monokristalline Schicht wachsen zu lassen. Die innige Verbindung an der
- 2 - Λ Grenz-
509800/0850
-a-
MOlG IP-1.192
Grenzschicht bzw. die Zerstörung der Grenzschicht erfolgt in vorteilhafter
Weise durch eine Ionenimplantation.
Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung
mit den Ansprüchen. . .
Bei der Herstellung von Halbleiterelemeriten ist es wünschenswert und
notwendig, gewisse Elemente in einer extrem dünnen Schicht des Oberflächenmaterials
anzuordnen. Durch die Verwendung extrem dünner Materialschichten läßt sich die obere Grenzfrequenzdes Halbleiteraufbaus
durch die Möglichkeit der Verwendung von gestaltbestirnmenden Prinzipien verbessern, die eine Verringerung der parasitären Kapazitäten
im Halbleiteraufbau mit sich bringen. Die Ausbildung solcher extrem dünner Oberflächenschichtcn ist jedoch problematisch wegen dar sich widerstrebenden
Methoden, mit welchen diese Oberflächenschichten auf einem Trägersubstrat angebracht werden. Das Trägersubstrat enthält z. B. normalerweise
Verunreinigungen, die dotierend wirken. Eine Schwierigkeif besteht in der Ausbildung dünner Oberflächenschichten, die frei von Verunreinigungen
ist, welche aus dem Trägersubstrat in diese dünne Oberflächenschicht wander-n. Bei Temperaturen, die normalerweise zur Her-■
stellung epitaxialer Oberflächenschichten verwendet werden, wandern nämlich diese Verunreinigungen aus dem Trägersubstrat in die epitaxiale
Schicht, die darüber angeordnet ist. Diese Bearbeitungstemperaturen liegen normalerweise in einem Bereich von etwa 1000 C bis etwa 1200 C, d.h.
bei Temperaturen, bei denen ein Aus diffundieren von Elementen aus dem Trägersubstrat üblich ist;
Ein polykristallines amorphes Material wird mit wesentlich geringeren
Temperaturen als epitaxiale Schichten hergestellt. Jedoch scheiterte bisher der Versuch, das polykristalline amorphe Material in monokristallines Material
- 3 - ' um zu-
5 0 9 8 0 8/0850
MO ΠΠΡ-.1192
umzuwandeln. Untersuchungen der Gründe hierfür lassen erkennen,
daß der Mangel an einem intensiven Kontakt zwischen dem Trägersubstrat
und der polykristallinen Schicht eine wesentliche Ursache ist. Häufig wird auf dem Trägersubstrat vor der Ausbildung der polykristallinen
amorphen Trägerschicht eine sehr dünne Oxydschieht angebracht,
Es wird daher vorgeschlagen, die Verwendung einer Ionenimplantation
zur Zerstörung der Grenzschicht zwischen der polykristallinen amorphen Schicht und dem Trägersubstrat zur Begünstigung der Umwandlung
des polykristallinen Materials in ein monokristallines Mat erial während
eines nachfolgenden Glühprozesses zu benutzen,
In einer Reaktionskammer wird auf einem N -Trägersubstrat eine monokristalline
amorphe Siliciu.mschicht.mit einer Dicke von etwa 1 ,um ausgebildet.
Diese polykristalline Siliciumschicht ist im wesentlichen zu diesem Zeitpunkt nicht dotiert. Das Trägersubstrat mit der darauf ausgebildeten
dünnen polykristallinen amorphen Siliciumschicht wird dann aus der Reaktionskammer genommen und einer Ionenimplantation unterzogen,
mit welcher Siliciumatome durch die dünne polykristalline Schicht und in das Trägersubstrat eingeimpft werden können. Die Dichte der Strahlung
15 2
kann etwa in einem Bereich von 10 l Atomen/cm liegen. Diese Strahlung
wird gleichmäßig über der gesamten Oberfläche des Halbleiteraufbaus einwirken,lassen und bewirkt eine innige Vermischung der Materialien an
der Grenzschicht zwischen dem Trägersubstrat und der polykristallinen amorphen Schicht. Anschließend wird die Halbleiterscheibe in einen Glühofen
gebracht und für etwa eine Stunde bei einer Temperatur zwischen etwa 600 C und etwa 900 C geglüht, um das polykristalline amorphe Material
in ein monokristallines Material umzuwandeln. Diese dabei entstehende monokristalline Schicht ist für die weitere Ausbildung von Halbleiterelementen
geeignet.
- 4 - Beispiel 2
509808/0850
MO161P-1192'
In einer Reaktionskammer wird eine Halbleiterscheibe aus einemN -Silicium
angebracht und darauf eine dünne Schicht eines polykristallinen Materials
ausgebildet. Die Temperatur in der Reaktionskammer liegt dabei in einem
Bereich zwischen etwa 500 C bis etwa 600 C/ wobei eine Zusammensetzung aus Silan und einem Trägergas,· ζ. B0 Wasserstoff oder Stickstoff,
eingeleitet wird, damit sich die dünne amorphe Siliciumschicht auf dem. Siliciumsubstrat ausbildet» Während der Ausbildung dei* polykristallinen
Schicht werden Verunreinigungen in die Reaktionskammer eingeleitet, um eine gleichmäßig dotierte polykristalline amorphe Siliciumschicht auf dem
Trägersubstrat auszubilden. Nach Ablauf dieses Verfahrensschrittes hat
man eine polykristalline" amorphe Schicht auf der Trägerscheibe, die nunmehr
einer Ionenimplantation unterzogen wird, um Protone; durch die
polykristalline Schicht in "das Trägersubstrat einzuimpfen und die Grenzschicht
zwischen dem Trägersubstrat und der polykristallinen amorphen Schicht zu zerstören« Diese Ionenimplantation wird über der gesamten
Oberfläche der Halbleiterscheibe vorgenommen, um sicherzustellen, daß ein inniger Kontakt zwischen dem Silicium des Trägersubstrats und der
polykristallinen amorphen Schicht entsteht. Anschließend wird die Halbleiterscheibe
geglüht, wobei die Glühtemperaturen für etwa 15 Minuten bis etwa 120 Minuten mit Temperaturen von etwa 000 C bis etwa 900 C einwirken.
Eine N -Siliciumscheibe wird in einer Reäktiönskammer gebracht, um eine
polykristalline Schicht bei niederen Temperaturen aufzubringen. UnterVerwendung vori Silan und Wasser stoff gas wird eine amorphe Siliciumschicht
gleichmäßig auf der Halbleiterscheibe mit einer Dicke von I ,um oder weniger
ausgebildet» Dieses polykristalline Material kann dotiert oder undotiert sein.
- 5 - Das
5Q98 OJ/. 0:85 0. -■··■. , .
MOl 3IP-1192
D;is Aufbringen des polykristallinen Materials erfolgt bei einer
Temperatur von etwa 550 C in einer Atmosphäre, die Silan und
Wasserstoff enthält. Die Halbleiterscheibe wird dann entfernt und einer Ionenimplantation unterzogen, wobei Edelgasionen, z.B. H"
oder Si durch die polykristalline amorphe Schicht in die Trägerschicht eingeimpft werden. Die Implantation der Edelgasionen zerstört die
Grenzschicht zwischen dem Substrat und der polykristallinen amorphen Schicht und bewirkt einen innigen Kontakt dieser beiden Schichten miteinander.
Nach der Bestrahlung der gesamten Oberfläche der· Halbleiterscheibe
wird diese einem. Glühprozeß unterzogen, wobei die Halbleiterscheibe
auf eine Temperatur von etv/a 7(K) C für- eine Zeitdauer von
etwa 60 Minuten erhitzt wird, wodurch sich die polykristallin^ Mat erialschicht
in eine monokristalline Schicht umwandelt.
Schichten, die dicker als 1 ,um sind, können durch eine Wiederholung der
vorausstehend erläuterten Verfahren ausgebildet werden, wobei die
einzelnen Verfahr ens schritte für jede Schiebt des polykristallinen Materials
wiederholt werden. Nach der Umwandlung der ersten polykristallinen Schicht in eine monokristalline Schicht wird die Halbleiterscheibeerneut
mit einer polykristallinen amorphen Schicht versehen und die Grenzschicht zwischen dieser polykristallinen amorphen Schicht und der monokristallinen.
Schicht durch Ionenimplantation zerstört, Danach wir-d die Halbleiterscheibe
■ erneut geglüht, wobei sich die oberste polykristalline amorphe Schicht in
eine monokristalline Schicht verwandelt.
Die derzeit bekannten Temperaturbereiche für das Glühen von .hy;!; Ionenimplantation
zerstörten monokri stallin en Materialien., um wieder einen
niehtzerstörten Zustand iKvebei zuführen, entsprechen den Temperature!"].,
die für die Umwandlung des polykristallinen amorphen Material.·;: 'i\
eine monokristalline Form zweckmäßig sind,
« 6 » Patentansprüche
5 0 3 8 0 8/0850
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus einem monokristallinen Material auf einem .,nonokristallincn Trägersubstrat,
wobei eine polykristalline amorphe Schicht auf dem Trägersubstrat bei Temperaturen ausgebildet wird, die in einem
Bereich zwischen etwa 500 C und etwa Π00 C liegen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem monokristallinen Trägersubstrat
und der polykristallinen amorphen Schicht im Grenzschichtbereich eine innige Kontaktverbinolung.hergestellt wird, und daß anschließend
die Temperatur des Trägersubstrats auf etwa 600 C bis etwa 900 C gebracht wird, um das polykristalline amorphe Material
in ein monokristallines. Material umzuwandeln.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
polykristalline amorphe Materialschicht auf dem Trägersubstrat mit
einer Dicke von weniger als 1 ,um ausgebildet wird, und daß Ionen ' durch die polykristalline amorphe Materialsehicht in das Substrat
eingeimpft werden, um die Grenzschicht zu beschädigen und eine innige Kontaktverbindung zwischen dem Trägersubstrat und dem
polykristallinen amorphen Material herzustellen.
3. Verfahren nach Anspruch 2\ dadurch gekennzeichnet, daß
zur Ionenimplantati
eingeimpft werden.
eingeimpft werden.
zur Ionenimplantation Siliciumionen, Protonen, He - bzw. N -Ionen
509 808/08
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US385195A US3900345A (en) | 1973-08-02 | 1973-08-02 | Thin low temperature epi regions by conversion of an amorphous layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2437430A1 true DE2437430A1 (de) | 1975-02-20 |
Family
ID=23520419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2437430A Pending DE2437430A1 (de) | 1973-08-02 | 1974-08-02 | Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schicht |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3900345A (de) |
| JP (1) | JPS5038838A (de) |
| DE (1) | DE2437430A1 (de) |
| FR (1) | FR2257334B1 (de) |
| GB (1) | GB1423085A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3003285A1 (de) * | 1980-01-30 | 1981-08-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041458B2 (ja) * | 1975-04-21 | 1985-09-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS51123562A (en) * | 1975-04-21 | 1976-10-28 | Sony Corp | Production method of semiconductor device |
| JPS52112890A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Measuring method and controlling method for use in twoohead plane surface grinding machine |
| IT1115628B (it) * | 1976-05-11 | 1986-02-03 | Ibm | Processo per formare uno strato epitassiale di silicio monocristallino su un substrato di silicio |
| DE2627855A1 (de) * | 1976-06-22 | 1977-12-29 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei, einen pn-uebergang bildenden zonen unterschiedlichen leitungstyps sowie verfahren zu dessen herstellung |
| JPS5344170A (en) * | 1976-10-05 | 1978-04-20 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| US4098618A (en) * | 1977-06-03 | 1978-07-04 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation |
| JPS5466767A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Manufacture for sos construction |
| JPS54102685A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-13 | Waida Seisakushiyo Kk | Duplex head surface grinder |
| US4240843A (en) * | 1978-05-23 | 1980-12-23 | Western Electric Company, Inc. | Forming self-guarded p-n junctions by epitaxial regrowth of amorphous regions using selective radiation annealing |
| US4177084A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-04 | Hewlett-Packard Company | Method for producing a low defect layer of silicon-on-sapphire wafer |
| NL7810549A (nl) * | 1978-10-23 | 1980-04-25 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. |
| JPS5577146A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| US4358326A (en) * | 1980-11-03 | 1982-11-09 | International Business Machines Corporation | Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing |
| JPS57159017A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor single crystal film |
| JPS5837913A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2131407B (en) * | 1982-11-12 | 1987-02-04 | Rca Corp | Method of formation of silicon dioxide layer |
| JPS6116532A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板およびその製造方法 |
| US4597160A (en) * | 1985-08-09 | 1986-07-01 | Rca Corporation | Method of fabricating a polysilicon transistor with a high carrier mobility |
| IT1209682B (it) * | 1985-12-23 | 1989-08-30 | Sgs Microelettronica Spa | Processo per la fabbricazione mediante ricristallizzazione epitassiale di transistori ad effetto di campo a gate isolato con giunzioni a profondita' minima. |
| US5342792A (en) * | 1986-03-07 | 1994-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor memory element |
| JPS6310573A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5081062A (en) * | 1987-08-27 | 1992-01-14 | Prahalad Vasudev | Monolithic integration of silicon on insulator and gallium arsenide semiconductor technologies |
| US5290712A (en) * | 1989-03-31 | 1994-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming crystalline semiconductor film |
| ATE132919T1 (de) * | 1990-04-10 | 1996-01-15 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung einer halbleiterdünnschicht |
| JPH0492413A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Canon Inc | 結晶薄膜の成長方法 |
| US5266504A (en) * | 1992-03-26 | 1993-11-30 | International Business Machines Corporation | Low temperature emitter process for high performance bipolar devices |
| JP3240719B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜結晶の成長方法 |
| US6383899B1 (en) * | 1996-04-05 | 2002-05-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming polycrystalline semiconductor film from amorphous deposit by modulating crystallization with a combination of pre-annealing and ion implantation |
| KR100282709B1 (ko) * | 1998-08-28 | 2001-03-02 | 윤종용 | 반구형 실리콘을 이용한 캐패시터의 제조 방법 |
| US7285473B2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-10-23 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating low-defect-density changed orientation Si |
| US7060585B1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid orientation substrates by in-place bonding and amorphization/templated recrystallization |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL265823A (de) * | 1960-06-13 | |||
| US3370980A (en) * | 1963-08-19 | 1968-02-27 | Litton Systems Inc | Method for orienting single crystal films on polycrystalline substrates |
| US3519901A (en) * | 1968-01-29 | 1970-07-07 | Texas Instruments Inc | Bi-layer insulation structure including polycrystalline semiconductor material for integrated circuit isolation |
| GB1269359A (en) * | 1968-08-22 | 1972-04-06 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to semiconductors and methods of doping semiconductors |
| GB1250377A (de) * | 1968-08-24 | 1971-10-20 |
-
1973
- 1973-08-02 US US385195A patent/US3900345A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-16 GB GB3148974A patent/GB1423085A/en not_active Expired
- 1974-07-31 JP JP49087128A patent/JPS5038838A/ja active Pending
- 1974-08-01 FR FR7426806A patent/FR2257334B1/fr not_active Expired
- 1974-08-02 DE DE2437430A patent/DE2437430A1/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3003285A1 (de) * | 1980-01-30 | 1981-08-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1423085A (en) | 1976-01-28 |
| US3900345A (en) | 1975-08-19 |
| JPS5038838A (de) | 1975-04-10 |
| FR2257334A1 (de) | 1975-08-08 |
| FR2257334B1 (de) | 1976-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2437430A1 (de) | Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schicht | |
| DE3541587C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Halbleiterfilms | |
| DE3731742A1 (de) | Silizium-auf-isolator-halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen des bauelements | |
| EP1402567A2 (de) | Film oder schicht aus halbleitendem material und verfahren zur herstellung des films oder der schicht | |
| DE2808257B2 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| EP0939430A2 (de) | Herstellverfahren für eine polykristalline Siliziumstruktur | |
| DE102008064719B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements in einem Substrat | |
| DE2425993A1 (de) | Bindungsverfahren fuer eine dielektrische isolation von einkristall-halbleitergebilden | |
| EP0018520A1 (de) | Verfahren zur vollständigen Ausheilung von Gitterdefekten in durch Ionenimplantation von Phosphor erzeugten N-leitenden Zonen einer Siliciumhalbleitervorrichtung und zugehörige Siliciumhalbleitervorrichtung | |
| DE2752439A1 (de) | Verfahren zur herstellung von silicium-halbleiteranordnungen unter einsatz einer ionenimplantation und zugehoerige halbleiteranordnung | |
| DE1489258B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers | |
| DE2344320C2 (de) | Verfahren zur Kompensation von Grenzflächenladungen bei epitaktisch auf ein Substrat aufgewachsenen Siliziumdünnschichten | |
| EP0159617B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten MOS-Feldeffekttransistoren | |
| DE3032608A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
| DE2231891A1 (de) | Verfahren zum herstelllen amorpher halbleiterschichten | |
| DE2153862A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiter-Auf-Isolator (SOI)-Anordnung | |
| DE2611559C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen | |
| DE102004039208B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements mit einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone und Leistungsbauelement | |
| EP0005744B1 (de) | Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten | |
| DE3540452C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors | |
| DE102008039058A1 (de) | Halbleiterwafer für Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE2841201A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| DE2316095A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen mit komplementaer-kanal-feldeffekttransistoren | |
| DE2154386A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Schicht auf einem Halbleitersubstrat, bei dem das Selbstdotieren beim Aufwachsen der Schicht auf ein Mindestmaß verringert wird | |
| EP0255882A2 (de) | npn-Bipolartransistor mit extrem flachen Emitter/Basis-Strukturen und Verfahren zu seiner Herstellung |