SE509780C2 - Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande - Google Patents

Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande

Info

Publication number
SE509780C2
SE509780C2 SE9702598A SE9702598A SE509780C2 SE 509780 C2 SE509780 C2 SE 509780C2 SE 9702598 A SE9702598 A SE 9702598A SE 9702598 A SE9702598 A SE 9702598A SE 509780 C2 SE509780 C2 SE 509780C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
base
power transistor
emitter
layer
electrically connected
Prior art date
Application number
SE9702598A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9702598L (sv
SE9702598D0 (sv
Inventor
Ted Johansson
Larry Clifford Leighton
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9702598A priority Critical patent/SE509780C2/sv
Publication of SE9702598D0 publication Critical patent/SE9702598D0/sv
Priority to TW086117556A priority patent/TW420849B/zh
Priority to PCT/SE1998/000975 priority patent/WO1999001900A1/en
Priority to JP50699899A priority patent/JP2002508889A/ja
Priority to CA002294806A priority patent/CA2294806A1/en
Priority to CN98806912A priority patent/CN1261984A/zh
Priority to KR19997012152A priority patent/KR20010014103A/ko
Priority to EP98924718A priority patent/EP1027733A1/en
Priority to AU76820/98A priority patent/AU7682098A/en
Priority to US09/109,058 priority patent/US6077753A/en
Publication of SE9702598L publication Critical patent/SE9702598L/sv
Publication of SE509780C2 publication Critical patent/SE509780C2/sv
Priority to US09/524,782 priority patent/US6239475B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H01L29/66295—Silicon vertical transistors with main current going through the whole silicon substrate, e.g. power bipolar transistor
    • H01L29/66303—Silicon vertical transistors with main current going through the whole silicon substrate, e.g. power bipolar transistor with multi-emitter, e.g. interdigitated, multi-cellular or distributed emitter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

l0 15 20 509 780 ovanifràn i det epitaxiella skiktets aktiva områden. Metalliska förbindelseskikt formeras högre upp i strukturen.
Genom att variera dopningsgraden i kollektorn, basen och/eller emittern är det möjligt att erhålla olika typer av frekvens- och Olika genombrottsspänningskarakteristika. horisontella geometrier ger transistorer med olika strömkapaciteter.
Fältoxiden har för transistorer normalt två syften: komponentisolering och reducering av' parasitkapacitanser till substratet. För en bipolär effekttransistor behövs normalt ingen komponentisolering då kollektorn utgörs av substratet. Syftet med fältoxiden blir då att isolera metallskikten från substratet så att parasitkapacitanserna dem emellan minimeras.
En av de mest kritiska parametrarna för effekttransistorer vid mycket höga frekvenser är signalförstärkningen. Den kan uttryckas som (se exempelvis R. Allison, Silicon bipolar microwave power transistors, IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-27, No 5, s. 415, 1979): anal-f 1+ G§[ f J fm där G0 är det s.k. betavårdet, dvs. nollfrekvensförstärkningen, f är frekvensen och fimx är den maximala oscillationsfrekvensen (för effektförstärkning).
Vid högt betavärde och hög frekvens, dvs. då G0[ f) >>1 j-mäX kan förstärkningen G(f) uttryckas som 10 15 20 25 509 780 ~ fw 2_ f, ¿ Gm 4 f J -szxßhc f* där ff är maximal gränsfrekvens (för strömförstärkning), Rs är basresistansen och Q” är bas-kollektorkapacitansen.
De tre nyckelfaktorerna för att erhålla hög effektförstärkning är således maximal gränsfrekvens, minimal basresistans och minimal bas-kollektorkapacitans, se även exempelvis H.F. Cooke, Microwave Proc. IEEE, Col. 59, s. 1163, transistors: theory and design, 1971.
Genom att använda polykisel i emittern kan en högre gränsfrekvens erhållas utan att basresistansen blir för hög, jämfört med en enbart jonimplanterad emitter.
Basresistansen kan reduceras genom att krympa effekttransistorns vertikala dimensioner.
Bas-kollektorkapacitansen består dels av övergàngskapacitans och dels av metall-substratkapacitans. Övergàngskapacitansen ges av dopningsgraden på den lägst dopade sidan, dvs. och kan ej beroende på relationen mellan justeras mycket kollektordopning och bas-kollektorgenombrottsspänning.
Metall-substratkapacitansen kan enligt känd teknik reduceras dels genonx att öka fältoxidtjockleken såsom ovan påpekats och dels genom att minimera metalliseringsarean.
Den praktiskt maximala fältoxidtjockleken nås vid omkring 2.5-3 mn beroende på termisk budget, på övergångsläckage orsakad av processintegreringen. mekanisk stress samt på begränsningar i Genom att exempelvis använda HIPOX (high-pressure gšidaton) kan en tjockare ca 3 um tjock oxid erhållas på kortare tid och kollektorsidan,, 10 15 20 25 509 780 således uppfylla kraven på termisk budget. För att undvika stora höjdskillnader i erhállen yttopografi och underlätta vidare processning, kan en transistor med en tjock fältoxid framställas genom att det epitaxiella kollektorskiktet etsas ned ca hälften av' önskad fältoxidtjocklek utanför bas- och emitteromràdena, varefter nämnda nedetsade yta termiskt oxideras så att en huvudsakligen plan yttopografi erhålls. En upphöjning bildas dock i gränsomrádet mellan fältoxid och kisel, som mäste avetsas.
REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN Ändamålet med föreliggande uppfinning är att erhålla en vertikal bipolär effekttransistor med höga prestanda, särskilt en förbättrad förstärkning, vilken effekttransistor innefattar ett substrat, ett epitaxiellt kollektorskikt pà substratet, en bas och en emitter formerade i det epitaxiella skiktet.
Detta uppnås genom att reducera den parasitiska basmetall- kollektorsubstratkapacitansen, vilket enligt uppfinningen àstadkoms genom att introducera en fältplatta mellan ett till basen anslutet förbindelseskikt och fältoxiden, och vilken fältplatta ansluts elektriskt till emittern.
Fältplattan skall vara lokaliserad till effekttransistorns passiva område, dvs. utanför komponentomràdet.
Transistorn kan vidare företrädesvis innefatta en tjock fältoxid mellan det epitaxiella kollektorskiktet och högre liggande metalliska förbindelseskikt.
Framställning av den uppfinningsenliga bipolära effekttransistorn kan med fördel ske genom att en deponering, två mönstringar samt två etssteg tillfogas ett traditionellt 10 15 20 25 30 5Û9 780 processflöde. Fältplattan framställs genom deponering av ett elektriskt ledande skikt, följt av mönstring och etsning. Den elektriska anslutningen till emittern framställs genom mönstring och utetsning av ett kontakthàl i ett på fältplattan liggande isolerande skikt, varefter nämnda kontakthàl fylls av ett till emittern anslutet förbindelseskikt.
En fördel med uppfinningen är att effekttransistorns förstärkningskarakteristika förbättras avsevärt då en uppfinningsenlig fältplatta introduceras. Fältplattan minskar bas-kollektorkapacitansen pà bekostnad av bas- emitter- och emitter-kollektorkapacitansen. De senare är mindre viktiga vad det avser effekttransistorns förstärkningsegenskaper.
Effekttransistorns prestanda förbättras ytterligare då en tjock fältoxid utnyttjas i kombination med fältplattan.
FIGURBESKRIVNING Uppfinningen beskrivs närmare nedan under hänvisning till bifogade ritningar, vilka enbart visas för att illustrera uppfinningen, och skall därför ej på något sätt begränsa densamma.
Fig. 1 a visar i tvärsnitt en detalj av en uppfinningsenlig vertikal bipolär effekttransistor avsedd för högfrekvens- tillämpningar.
Pig. l b visar en principiell masklayout för en effekttransistors metalliska förbindelseskikt och en fältplatta enligt uppfinningen. 10 15 20 25 509 780 FÖREDRAGNA UTFöRINGs FORMER I fig. 1a betecknas med JJ. en detalj av en uppfinningsenlig vertikal bipolär effekttransistor avsedd för högfrekvens- tillämpningar. Effekttransistorn innefattar ett substrat 13 över vilket ett epitaxiellt skikt 15 är deponerat. Detta skikt 15, vilket företrädesvis är n-dopat, utgör hela eller del av effekttransistorns kollektor. Substratet 13 kan vara n-dopat och också utgöra en del av kollektorn, varvid kollektorkontakter àstadkoms pà substratets undersida.
Substratet 13 kan alternativt vara p-dopat eller vara av ett semiisolerande material, varvid en subkollektor àstadkoms mellan substratet 13 och det epitaxiella skiktet 15 och kollektorkontakter àstadkoms på det epitaxiella skiktets ovansida. Ett sådant s.k. “buried layer"-utförande âr ej visat i figurerna.
I det epitaxiella skiktet 15 är ett första till det epitaxiella skiktets övre yta angränsande p-dopat område 19 formerat, vilket utgör effekttransistorns bas. Vidare, är ett andra 'till det epitaxiella skiktets övre yta angränsande n-dopat omràde 21 formerat i det första omrâdet 19. Detta andra område 21 utgör effekttransistorns emitter.
Basen 19 respektive emittern 21 är elektriskt anslutna till ett första respektive ett andra metalliskt förbindelseskikt 31, 33.
I tvärsektionen i fig. la visas endast emitterns anslutning till förbindelseskiktet 33. Effekttransistorn kan lateralt vara av s.k. interdigitated-typ, exempelvis sáson1 beskrivs i US 5,488,252, av s.k. mesh-typ eller s.k. overlay-typ. Samtliga typer omnämns bl.a. i nämnda H.F. Cooke. 10 135 20 25 509 780 De metalliska förbindelseskikten 31, 33 är àtminstone bitvis separerade från det epitaxiella skiktet 15 av en isolationsoxid 17, vars kant 17a kan sägas utgöra en gränslinje mellan transistorns aktiva område, dvs. området där de aktiva komponenterna positioneras, och transistorns passiva område, dvs. omrâdet där isolationsoxiden 17 ligger och där huvuddelen av basens förbindelseskikt 27 samt basens bondpadd påträffas (ej visat i fig. la). Självfallet finns även ett passivt omrâde pà emittersidan med del av emitterns förbindelsemetall samt emitterns bondpadd (ej visat i fig. la). Effekttransistorn kan dessutom innefatta ett isolerande skikt 27 bitvis över isolationsoxiden 17.
Enligt uppfinningen är en fältplatta 25 lokaliserad mellan det första metalliska förbindelseskiktet 31 och isolationsoxiden 17.
Denna fältplatta 25 skall vara elektriskt ledande, exempelvis av n-dopat polykisel eller av metall, och ansluten till effekttransistorns emitter 19. Denna anslutning sker genom att minst ett kontakthàl 29 etsas i det isolerande skiktet 27, vilket kontakthàl 29 fylls av emitterns förbindelsemetall 33.
Pâ detta sätt transformeras en bas-kollektorkapacitans till en bas-emitterkapacitans och en emitter-kollektorkapacitans. Dessa senare kapacitanser är mindre viktiga vad det gäller påverkan pà effekttransistorns förstärkningsegenskaper.
Fältplattan enligt föreliggande uppfinning är i lateral led lokaliserad till det ovan nämnda första passiva området. I fig. la visas fältplattan 25 med dess mot det aktiva omrâdet liggande kant 25a tydligt lokaliserad till det passiva området, dvs. i fig. la till vänster om isolationsoxidens kant l7a. 10 15 20 25 509 780 I fig. lb visas en principiell masklayout för effekttransistorns metalliska förbindelseskikt 31, 33 vari fàltplattans laterala utsträckning enligt uppfinningen är indikerad 25. Här visas också det första passiva området 41 innefattandeÉbl.a. basens bondpadd 45 respektive omrâdet 43 med aktiva komponenter sàsom emitteromráden 21 samt p*-dopade baskontaktomráden;47, av vilka delar visas i fig. lb. Dessa områden 21, 47 överëappas av de metalliska förbindelseskikten 31, 33.
Den i fig. la visade detaljen 11 är ett tvärsnittïlängs med en av de i fig. lb visade metalliska emitterarmarna 33f Vidare indikeras den isolerande oxidens kant l7a liksom tre stycken kontakthàl 29, vilka är utetsade i det isolerande skiktet 27 och fyllda av metall fràn tre metalliska emitterarmar, vilka i sin tur utgör del av emitterns metalliska förbindelseskikt 33. Antalet kontakthàl är företrädesvis lika stort som antalet emitteromráden 21 och antalet metalliska emitterarmar. En relativt stor del av basens metalliska förbindelseskikt 31 visas också i fig. lb. Härvid inses att stora delar av basmetall-kollektorsubstratkapacitansen elimineras genom den uppfinningsenliga emitteranslutna fältplattan 25.
Ytterligare åtgärder som kan vidtagas för att minska denna kapacitans är enligt uppfinningen att använda en tjock isolationsoxid 17, företrädesvis av en tjocklek av åtminstone ca 2-3 um. Härvidlag förbättras effekttransistorns prestanda ytterligare.
Framställning av en uppfinningsenlig bipolär effekttransistor kan med fördel ske genom att en deponering, tvâ mönstringar samt tvá etssteg tillfogas ett traditionellt processflöde. 10 is 20 25 509 780 På det dopade epitaxiellt deponerade kollektorskiktet 15 deponeras traditionellt ett tunt skikt av en oxid följt av ett tunt skikt av en nitrid (ej visat i fig. la eller lb). Genom dessa tunna skikt sker jonimplantation av basen 19, varefter enligt uppfinningen ett kiselskikt, företrädesvis av en tjocklek av ca 200-500 nm, deponeras. Detta kiselskikt dopas, företrädesvis kraftigt, mönstras och etsas för erhållande av den uppfinningsenliga fältplattan 25. Dopningen kan ske antingen integrerat i det traditionella processflödet samtidigt som strukturens baksida dopas eller via en separat jonimplantation.
Alternativt framställs fältplattan 25 i metall varvid ingen dopning är nödvändig. Mönstring och etsning skall ske pà ett sådant sätt att fältplattan lokaliseras till effekttransistorns passiva område såsom visas i fig. la och lb.
Därefter deponeras ett isolerande skikt, särskilt ett TEOS- skikt, vilket skall mönstras och etsas för erhållande av det i fig. la visade isolerande skiktet 27. Detta måste emellertid ske i två separata steg beroende pà att utetsningen av de uppfinningsenliga kontakthàlen 29 skall avstannas mot kisel, medan den traditionella utetsningen av emitteröppningar och baskontaktöppningar skall avstannas mot nitrid. Företrädesvis mönstras och etsas det isolerande skiktet först för erhållande av kontakthälen 29 och därefter mönstras och etsas det för erhållande av emitteröppningarna och baskontaktöppningarna.
Framställningsprocessen fortsätter härefter pà traditionellt vis.
En vertikal bipolär effekttransistor enligt föreliggande uppfinning är främst avsedd för radiofrekvenstillämpningar, särskilt för användande i ett förstärkarsteg i en 10 10 509 780 radiobasstation, men kan också användas för exempelvis kabel-TV och satellittelefoni.
Effekttransistorns förstärkningskarakteristika förbättras avsevärt då en iuppfinningsenlig fältplatta introduceras genom att bas-kollektorkapacitansen minskas pà bekostnad av bas- emitter- och emitter-kollektorkapacitansen.
Uppfinningen är självfallet inte begränsad till de ovan beskrivna och pà ritningarna visade utföringsformerna, utan kan modifieras inom ramen för de bifogade patentkraven. I synnerhet uppfinningen begränsad av material, är ej geometrier eller dimensioner. Uppfinningen är exempelvis realiserbar i kisel såväl som i sammansatta halvledare, exempelvis III-V-halvledare såsom galliumarsenid. Vidare kan den bipolära effekttransistorn självfallet vara av pnp-typ.

Claims (12)

10 15 20 25 509 780 PATENTKRAV
1. Vertikal bipolär effekttransistor innefattande ett substrat, ett kollektorskikt av en första konduktivitetstyp pà substratet, en bas av en andra konduktivitetstyp elektriskt ansluten till kollektorskiktet, en emitter av nämnda första konduktivitetstyp elektriskt ansluten till basen, varvid basen och emittern är elektriskt anslutna till var sitt nætalliskt förbindelseskikt och dessa metalliska förbindelseskikt åtminstone bitvis är separerade frán kollektorskiktet av en isolationsoxid, k ä n ne t e c k n a d a v en mellan det till basen (19) elektriskt anslutna metalliska förbindelseskiktet (31) och isolationsoxiden (17) lokaliserad och till emittern (21) elektriskt ansluten fåltplatta (25).
2. Vertikal bipolär effekttransistor enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d a v att fältplattan (25) är lokaliserad till effekttransistorns passiva område (41), särskilt till det område över vilket det till basen (19) elektriskt anslutna förbindelseskiktet (31) och en till basen elektriskt ansluten bondpadd är lokaliserade.
3. Vertikal bipolär effekttransistor enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d a v att den är framställd huvudsakligen av kisel.
4. Vertikal bipolär effekttransistor enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d a v att den är framställd huvudsakligen av ett blandat halvledarmaterial, företrädesvis av galliumarsenid.
5. Vertikal bipolär effekttransistor enligt något av kraven 1-4, k ä n n e t e c k n a d a v att fältplattan (25) är dopad till nämnda första konduktivitetstyp 10 15 20 25 12 509 780
6. Vertikal bipolär effekttransistor enligt något av kraven 1-4, k ä n n e t e c k n a d a v att fältplattan (25) är framställd av metall.
7. Vertikal bipolär effekttransistor enligt nàgot av kraven 1-6, kännetecknad av att den är av s.k. interdigitated-typ.
8. Förfarande för att framställa en vertikal bipolär effekttransistor, vari ett kollektorskikt deponeras pá ett substrat och dopas till en första konduktivitetstyp, en bas av en andra konduktivitetstyp anordnas i elektrisk anslutning till kollektorskiktet, en emitter av nämnda första konduktivitetstyp elektrisk anslutning till basen, metalliska anordnas i förbindelseskikt anordnas i elektrisk anslutning till basen respektive emittern, och en isolationsoxid anordnas, vilken åtminstone bitvis separerar de metalliska förbindelseskikten från kollektorskiktet, känne tecknat av att en fältplatta (25) anordnas mellan det till basen (19) elektriskt anslutna metalliska förbindelseskiktet (31) och isolationsoxiden (17) och ansluts elektriskt till emittern (21) .
9. Förfarande enligt kravet 8, kännetecknat av att fältplattan (25) anordnas genom deponering av ett elektriskt ledande skikt, vilket skikt mönstras och etsas.
10. Förfarande enligt kravet 8 eller 9, k ä n n e t e c k n a t a v att fältplattan (25) anordnas inom effekttransistorns passiva område (41), särskilt inom det omrâde över vilket det till basen (19) elektriskt anslutna förbindelseskiktet (31) anordnas.
11. Förfarande enligt något av kraven 8-10, k ä n n e t e c k n a t av att fältplattan (25) framställs i kisel.
12. . av att att mönstra och etsa nämnda isolerande skikt kontakthàl 13 509 780 Förfarande enligt något av kraven 8-ll, k ä n n e t e c k n a t att fâltplattan (25) ansluts elektriskt till emittern genom ett isolerande skikt (27) anordnas över fåltplattan (25), kontakthàl (29) till fältplattan (25) framställs genom att (27), och att nämnda (29) fylls av det till emittern (21) elektriskt anslutna metalliska förbindelseskiktet (33).
SE9702598A 1997-07-04 1997-07-04 Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande SE509780C2 (sv)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9702598A SE509780C2 (sv) 1997-07-04 1997-07-04 Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande
TW086117556A TW420849B (en) 1997-07-04 1997-11-24 Bipolar power transistor and manufacturing method
AU76820/98A AU7682098A (en) 1997-07-04 1998-05-25 Bipolar power transistor and manufacturing method
CA002294806A CA2294806A1 (en) 1997-07-04 1998-05-25 Bipolar power transistor and manufacturing method
JP50699899A JP2002508889A (ja) 1997-07-04 1998-05-25 バイポーラ・パワー・トランジスタおよび製造方法
PCT/SE1998/000975 WO1999001900A1 (en) 1997-07-04 1998-05-25 Bipolar power transistor and manufacturing method
CN98806912A CN1261984A (zh) 1997-07-04 1998-05-25 双极功率晶体管及其制造方法
KR19997012152A KR20010014103A (ko) 1997-07-04 1998-05-25 바이폴라 전력 트랜지스터 및 그 제조 방법
EP98924718A EP1027733A1 (en) 1997-07-04 1998-05-25 Bipolar power transistor and manufacturing method
US09/109,058 US6077753A (en) 1997-07-04 1998-07-02 Method for manufacturing vertical bipolar transistor having a field shield between an interconnecting layer and the field oxide
US09/524,782 US6239475B1 (en) 1997-07-04 2000-03-13 Vertical bipolar transistor having a field shield between the metallic interconnecting layer and the insulation oxide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9702598A SE509780C2 (sv) 1997-07-04 1997-07-04 Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9702598D0 SE9702598D0 (sv) 1997-07-04
SE9702598L SE9702598L (sv) 1999-01-05
SE509780C2 true SE509780C2 (sv) 1999-03-08

Family

ID=20407650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9702598A SE509780C2 (sv) 1997-07-04 1997-07-04 Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande

Country Status (10)

Country Link
US (2) US6077753A (sv)
EP (1) EP1027733A1 (sv)
JP (1) JP2002508889A (sv)
KR (1) KR20010014103A (sv)
CN (1) CN1261984A (sv)
AU (1) AU7682098A (sv)
CA (1) CA2294806A1 (sv)
SE (1) SE509780C2 (sv)
TW (1) TW420849B (sv)
WO (1) WO1999001900A1 (sv)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0215185D0 (en) 2002-07-01 2002-08-07 Genovision As Binding a target substance
JP4626935B2 (ja) * 2002-10-01 2011-02-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6841795B2 (en) * 2002-10-25 2005-01-11 The University Of Connecticut Semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation
US6974969B2 (en) 2003-01-13 2005-12-13 The University Of Connecticut P-type quantum-well-base bipolar transistor device employing interdigitated base and emitter formed with a capping layer
US7109589B2 (en) * 2004-08-26 2006-09-19 Agere Systems Inc. Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds
US8483997B2 (en) 2008-06-26 2013-07-09 Qualcomm Incorporated Predictive modeling of contact and via modules for advanced on-chip interconnect technology
US8429577B2 (en) 2008-06-26 2013-04-23 Qualcomm Incorporated Predictive modeling of interconnect modules for advanced on-chip interconnect technology
CN102403223B (zh) * 2011-10-25 2013-04-17 丹东安顺微电子有限公司 改善贮存时间Ts一致性的功率晶体管制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3302076A (en) * 1963-06-06 1967-01-31 Motorola Inc Semiconductor device with passivated junction
JPS51123562A (en) * 1975-04-21 1976-10-28 Sony Corp Production method of semiconductor device
US4573064A (en) * 1981-11-02 1986-02-25 Texas Instruments Incorporated GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices
JPS59188970A (ja) * 1983-04-12 1984-10-26 Nec Corp 半導体装置
JP2518886B2 (ja) * 1988-02-25 1996-07-31 富士通株式会社 バイポ―ラ型半導体装置の製造方法
US5204735A (en) * 1988-04-21 1993-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency semiconductor device having emitter stabilizing resistor and method of manufacturing the same
JP2607616B2 (ja) * 1988-04-25 1997-05-07 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US4864379A (en) * 1988-05-20 1989-09-05 General Electric Company Bipolar transistor with field shields
JP2504547B2 (ja) * 1988-12-13 1996-06-05 日産自動車株式会社 バイポ―ラ形薄膜半導体装置
US5034337A (en) * 1989-02-10 1991-07-23 Texas Instruments Incorporated Method of making an integrated circuit that combines multi-epitaxial power transistors with logic/analog devices
US4918026A (en) * 1989-03-17 1990-04-17 Delco Electronics Corporation Process for forming vertical bipolar transistors and high voltage CMOS in a single integrated circuit chip
JP2808882B2 (ja) * 1990-05-07 1998-10-08 富士電機株式会社 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
JP2650519B2 (ja) * 1991-07-25 1997-09-03 株式会社日立製作所 横型絶縁ゲートトランジスタ
JPH05343413A (ja) * 1992-06-11 1993-12-24 Fujitsu Ltd バイポーラトランジスタとその製造方法
EP0590804B1 (en) * 1992-09-03 1997-02-05 STMicroelectronics, Inc. Vertically isolated monolithic bipolar high-power transistor with top collector
DE69431609T2 (de) * 1993-04-08 2003-06-26 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Bipolartransistor
US5373183A (en) * 1993-04-28 1994-12-13 Harris Corporation Integrated circuit with improved reverse bias breakdown
US5488252A (en) * 1994-08-16 1996-01-30 Telefonaktiebolaget L M Erricsson Layout for radio frequency power transistors
US5606195A (en) * 1995-12-26 1997-02-25 Hughes Electronics High-voltage bipolar transistor utilizing field-terminated bond-pad electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
US6239475B1 (en) 2001-05-29
EP1027733A1 (en) 2000-08-16
AU7682098A (en) 1999-01-25
TW420849B (en) 2001-02-01
US6077753A (en) 2000-06-20
CN1261984A (zh) 2000-08-02
WO1999001900A1 (en) 1999-01-14
JP2002508889A (ja) 2002-03-19
CA2294806A1 (en) 1999-01-14
SE9702598L (sv) 1999-01-05
KR20010014103A (ko) 2001-02-26
SE9702598D0 (sv) 1997-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5512496A (en) Method of making collector-up bipolar transistor having improved emitter injection efficiency
US5084750A (en) Push-pull heterojunction bipolar transistor
US4939562A (en) Heterojunction bipolar transistors and method of manufacture
US6696711B2 (en) Semiconductor device and power amplifier using the same
US11276764B1 (en) Method of making high frequency InGaP/GaAs HBTs
US6833606B2 (en) Fabrication of a heterojunction bipolar transistor with integrated MIM capacitor
SE509780C2 (sv) Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande
US6037646A (en) High-frequency GaAs substrate based schottky barrier diodes
US6127716A (en) Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof
US7352051B2 (en) Cascode, cascode circuit and method for vertical integration of two bipolar transistors into a cascode arrangement
US8410572B2 (en) Bipolar transistor with emitter and/or collector contact structure forming a Schottky contact and method of production
EP0782198B1 (en) High-voltage bipolar transistor utilizing field-terminated bond-pad electrodes
KR100434659B1 (ko) 콜렉터-업 ｒｆ 전력 트랜지스터
US4967253A (en) Bipolar transistor integrated circuit technology
US6495869B2 (en) Method of manufacturing a double-heterojunction bipolar transistor on III-V material
US20130256756A1 (en) Integrated circuit having a staggered heterojunction bipolar transistor array
JP2001515278A (ja) バイポーラ電力用トランジスタとその製造法
KR100205018B1 (ko) 이종접합 트랜지스터의 베이스층을 이용한 커패시터의제조방법
JP7480854B2 (ja) ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
KR100641055B1 (ko) 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
Johansson et al. Inside the RF power transistor
KR0138842B1 (ko) 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
EP0505942A1 (en) Method of integrating heterojunction bipolar transistors with heterojunction FETs and PIN diodes
JP2904981B2 (ja) 半導体集積回路装置
KR20010076080A (ko) 이종접합 쌍극자 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed