JP2002508889A

JP2002508889A - バイポーラ・パワー・トランジスタおよび製造方法

Info

Publication number: JP2002508889A
Application number: JP50699899A
Authority: JP
Inventors: ヨハンソン、テッド; レイトン、ラーリイ、クリフォード
Original assignee: テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン（パブル）
Priority date: 1997-07-04
Filing date: 1998-05-25
Publication date: 2002-03-19
Also published as: KR20010014103A; SE509780C2; EP1027733A1; SE9702598L; AU7682098A; TW420849B; WO1999001900A1; US6077753A; CN1261984A; SE9702598D0; US6239475B1; CA2294806A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、無線周波数へのアプリケーションを主として意図した垂直バイポーラ・パワー・トランジスタに関し、かつ前記バイポーラ・パワー・トランジスタを製造する方法に関する。そのパワー・トランジスタは、基板（１３）と、その基板上の第１導電形のコレクター層（１５）と、そのコレクター層に電気的に接続される第２導電形のベース（１９）と、そのベースに電気的に接続される前記第１導電形のエミッタ（２１）とからなり、前記ベースおよび前記エミッタはそれぞれ金属相互接続層（３１，３３）に電気的に接続されており、前記相互接続層（３１，３３）は、前記コレクター層（１５）から絶縁酸化膜（１７）によって少なくとも部分的に分離されている。本発明によると、パワー・トランジスタは、実質的に、前記エミッタに電気的に接続され、かつ前記ベースの前記金属相互接続層と前記絶縁酸化膜との間に配置されるフィールド・シールド（２５）からなる。

Description

【発明の詳細な説明】バイポーラ・パワー・トランジスタおよび製造方法技術分野本発明は、垂直バイポーラ・パワー・トランジスタおよびバイポーラ・パワー・トランジスタを製造する方法であって、前記パワー・トランジスタは、主として、高周波数へのアプリケーション、特に無線周波数へのアプリケーションを意図したものであるものに関する。従来技術高周波数でのパワー増幅用バイポーラ・トランジスタは、所定の供給電圧および動作周波数について、パワー増幅、丈夫さ、ブレークダウン電圧、ノイズ、歪み、容量、入力および出力インピーダンスなどに関する数多くの詳細な要件を満たさなければならない。最新の通信電子機器用の動作周波数は、無線波およびマイクロ波領域内で異なる。出力パワーについての要件は、数ワットから数百ワットの間で異なり、後者の場合には、ケーシング内で並列に接続されるいくつかの構成素子が用いられるであろう。パワー・トランジスタは、高信号レベルおよび高電流密度で動作する。現在利用できるコンピューター・ツールは、実際のアプリケーションにおける振る舞いや性能を詳細なやり方でシミュレートすることはできない。パワー・トランジスタ用に最も頻繁に用いられる半導体材料は、少なくとも３ＧＨｚ未満の周波数では、シリコンである。また、ホールに比べての電子のより高い移動度の故に、ｎｐｎ形の一次パワー・トランジスタが用いられる。トランジスタ構造は、通常、シリコン基板の裏面にコレクター・コンタクトをもつ垂直のものである。コレクター層は、基板上にエピタキシャルで堆積され、そしてフィールド酸化膜を能動領域の外のコレクター層の上に形成することができる。ベースおよびエミッタは、エピタキシャル層の能動領域に表面から下へと拡散またはイオン注入を通して形成される。金属の相互接続層が構造上、より上部に形成される。コレクター、ベースおよび／またはエミッタにおけるドーピングの度合いを異ならせることにより、異なる種類の周波数およびブレークダウン特性を得ることが可能である。異なる水平幾何構造により、異なる電流容量を備えるトランジスタとなる。トランジスタにおけるフィールド酸化膜は、通常２つの目的を果たす：構成素子の分離および基板への寄生容量の低減である。バイポーラ・パワー・トランジスタについては、通常、構成素子の分離は、基板によってコレクターが構成されるので必要ではない。そして、フィールド酸化膜の目的は、金属層を基板から分離し、それらの間の寄生容量を最小限化するものとなる。非常に高い周波数でのパワー・トランジスタのための最も重要なパラメーターの一つは、信号増幅である。信号増幅は、以下のように表されるであろう（例えば、Ｒ．アリソン（Ｒ．Ａｌｌｉｓｏｎ）によるシリコン・バイポーラ・マイクロ波パワー・トランジスタ（Ｓｉｌｉｃｏｎｂｉｐｏｌａｒｍｉｃｒｏｗａｖｅｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．マイクロ波理論および技術（ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒｙａｎｄＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）ＭＴＴ−２７巻第５冊ｓ４１５、１９７９年を参照）：ここで、Ｇ₀はいわゆるベータ値（ｂｅｔａｖａｌｕｅ）であり、それはゼロ周波数増幅であり、ｆは周波数、そしてｆ_maxは最大発振周波数（パワー増幅用）である。ベータ値および周波数が高いとき、すなわち、であるとき、増幅Ｇ（ｆ）は以下のように書けるであろう。ここで、ｆ_Tは最大境界周波数（ｍａｘｉｍｕｍｂｏｒｄｅｒｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）（電流増幅用）、Ｒ_bはベース抵抗、そしてＣ_bcはベース・コレクター容量である。このように、高パワー増幅を得るための３つの主要要素（キー・ファクター）は、最大境界周波数、最小ベース抵抗および最小ベース・コレクター容量である。例えば、Ｈ．Ｆ．クック（Ｈ．Ｆ．Ｃｏｏｋｅ）によるマイクロ波トランジスタ：理論と設計（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ：ｔｈｅｏｒｙａｎｄｄｅｓｉｇｎ）Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ第５９巻１１６３頁、１９７１年もまた参照のこと。エミッタにポリシリコンを用いることにより、イオン注入されただけのエミッタに比べてベース抵抗が高くなり過ぎることなく、より高いカットオフ周波数（ｃｕｔ−ｏｆｆｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）が得られるであろう。ベース抵抗は、パワー・トランジスタの垂直方向の大きさを低減することによって低減されるであろう。ベース・コレクター容量は、接合容量および金属・基板容量の双方からなる。接合容量は、最も少なくドープされた側、すなわちコレクター側におけるドーピングの度合いによって決定され、コレクター・ドーピングとベース・コレクタ・ブレークダウン電圧との間の関係の故に、あまり調整することができない。金属・基板容量は、上記で指摘されるようにフィールド酸化膜の厚さを増大させることにより、およびまた金属領域を最小限化することの双方により、周知技術によって低減することができる。実際上のフィールド酸化膜の最大の厚さは、熱供給（ｔｈｅｒｍａｌｂｕｄｇｅｔ）、機械的なストレスによって引き起こされる接合漏洩、およびプロセス集積化における限界によって、約２．５−３μｍで達成される。例えば、ＨＩＰＯＸ（ＨｉｇｈＰｒｅｓｓｕｒｅＯｘｉｄａｔｉｏｎ：高圧酸化）を用いることによって、約３μｍの厚さのより厚い酸化膜がより短い時間で得られ、前記より厚い酸化膜は、熱供給での要件を満たすものとなろう。得られた表面トポグラフィー（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ：微細構成）における高さの大きな差異を避け、かつさらなる加工を容易とするために、厚いフィールド酸化膜を有するトランジスタが、ベースおよびエミッタ領域の外側で、所望のフィールド酸化膜の厚さのおよそ半分程度、エピタキシャルのコレクター層をエッチバックし、そして続いて前記エッチバックされた表面を熱的に酸化して実質的に平面の表面トポグラフィーを得ることによって製造されるであろう。しかしながら、フィールド酸化膜とシリコンとの間の境界領域に高くなった領域が形成され、そしてこの高くなった領域はエッチされなければならない。発明の概要本発明の目的は、高性能、特に改良された増幅を備える垂直バイポーラ・パワー・トランジスタであって、基板と、前記基板上のエピタキシャル・コレクター層と、そのエピタキシャル層に形成されるベースおよびエミッタとからなる前記パワー・トランジスタを得ることである。これは、ベース金属・コレクタ基板の寄生容量を低減することによって達成され、それは、ベースおよびフィールド酸化膜に接続される相互接続層の間にフィールド・シールドを導入し、そのフィールド・シールドが、エミッタに電気的に接続されているものとすることによって、本発明により達成される。フィールド・シールドは、パワー・トランジスタの受動領域に、すなわち、構成素子領域の外に配置されるものである。トランジスタは、好ましくは、さらに、エピタキシャルのコレクタ層とその上に配置される金属相互接続層との間の厚いフィールド酸化膜からなる。本発明に関わるバイポーラ・パワー・トランジスタの製造は、１つの堆積工程、２つのマスキング工程および２つのエッチング工程を、通常のプロセスに加えることによって実行可能である。フィールド・シールドは、導電層を堆積し、続けてマスキングおよびエッチングをすることによって作られる。エミッタへの電気的な接続は、フィールド・シールド上に横たわる分離層中のコンタクト・ホールをマスキングおよびエッチングし、およびそれに続いて、前記コンタクト・ホールを、エミッタに接続される相互接続層で実質的に充填することによって達成される。本発明の利点は、発明に関わるフィールド・シールドが導入されるとき、パワー増幅器の増幅特性が著しく向上することにある。フィールド・シールドは、ベース・コレクター容量を、ベース・エミッタおよびエミッタ・コレクター容量を犠牲にして低減する。後者のものは、パワー・トランジスタの増幅特性に関しては、重要ではない。パワー増幅器の性能は、フィールド・シールドと組み合わされて厚いフィールド酸化膜が用いられるときさらに向上する。図面の簡単な説明本発明は、以下により詳細に記述されるが、添付される図面が参照され、それらは、本発明を例示して示しているに過ぎず、本発明の範囲をいかようにも制限するのに取り上げられるものではない。図１ａは、高周波数へのアプリケーションを意図した発明に関わるバイポーラ・パワー・トランジスタの詳細の断面図を示す。図１ｂは、本発明による、パワー・トランジスタの金属相互接続層のための主要マスク・レイアウトおよびフィールド・シールドを示す。実施例の詳細な説明図１ａにおいて、参照番号１１は、高周波へのアプリケーションを意図した発明に関わる垂直バイポーラ・パワー・トランジスタの詳細を示す。パワー・トランジスタは、上にエピタキシャル層１５が堆積される基板１３からなる。この層１５は、好ましくはｎ形にドープされており、パワー・トランジスタのコレクターの全部または一部を構成する。基板１３は、ｎ形にドープされていても良く、かつコレクターの一部を構成していても良く、コレクター・コンタクトは、基板の下側に作られている。代わりに、基板は、ｐ形にドープされるかまたは半絶縁材料であっても良く、基板１３およびエピタキシャル層１５との間にサブコレクターを、ならびにエピタキシャル層の上側にコレクター・コンタクトを作り出していても良い。そのような「埋め込み層」の実施例は、図には示されていない。エピタキシャル層１５において、エピタキシャル層の上表面の近隣に第１のｐ形ドープ領域１９が形成され、パワー・トランジスタのベースを構成している。また、エピタキシャル層の上表面の近隣に第２のｎ形ドープ領域２１が、第１の領域１９中に形成されている。この第２の領域２１は、パワー・トランジスタのエミッタを構成する。ベース１９およびエミッタ２１は、それぞれ、第１および第２の金属相互接続層３１，３３にそれぞれ電気的に接続される。図１ａに示される断面図においては、相互接続層３３へのエミッタの接続のみが示されている。パワー・トランジスタは横方向に、例えば米国特許５，４８８，２５２号に開示されるような、いわゆる互いに噛み合った（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）型のもの、いわゆるメッシュ（ｍｅｓｈ）型のもの、またはいわゆるオーバーレイ（ｏｖｅｒｌａｙ）型のものであり得る。前述の全ての型については、例えば、前述のＨ．Ｆ．クックによる参照文献に述べられている。金属相互接続層３１，３３は、少なくとも部分的にエピタキシャル層１５から絶縁酸化膜１７によって分離されており、その端部１７ａは、トランジスタの能動領域すなわち、能動構成要素が位置付けられる領域と、トランジスタの受動領域、すなわち絶縁酸化膜１７が配置され、かつベースの相互接続層２７の主要部分とベースのボンディング・パッドが見出される（図１ａには示されていない）領域との間の境界を構成するということのできるものである。もちろん、エミッタの側にもまた、エミッタの相互接続金属およびエミッタのボンディング・パッド（図１ａには示されていない）なる部分の備わる受動領域がある。パワー・トランジスタはまた、部分的に絶縁酸化膜１７の上にある絶縁層２７を含み得る。本発明によると、フィールド・シールド２５が、第１の金属相互接続層３１と絶縁酸化膜１７との間に配置される。このフィールド・シールド２５は、例えばｎ形にドープされたポリシリコンまたは金属の導電体であって、パワー・トランジスタのエミッタ１９に接続されるべきである。この接続は、絶縁層２７に少なくとも一つのコンタクト・ホール２９をエッチングすることによって達成され、前記コンタクト・ホール２９は、エミッタの相互接続金属３３で充填される。このように、ベース・コレクター容量は、ベース・エミッタ容量とエミッタ・コレクター容量に変換される。これらの後者の容量は、パワー・トランジスタの増幅特性への影響に関しては、重要ではない。横方向の大きさにおいて、本発明によるフィールド・シールドは、前述の第１の受動領域に配置される。図１ａにおいて、フィールド・シールド２５は、明らかに受動領域中に配置される能動領域に面する端部２５ａとともに、すなわち、図１ａにおいて絶縁酸化膜の端部１７ａの左に示されている。図１ｂには、パワー・トランジスタの金属相互接続層３１，３３のための主要マスク・レイアウトが示されていて、そこでは、本発明によるフィールド・シールドの横方向への延びが２５で指示されている。ここでまた、第１の受動領域４１が示されており、それは、とりわけ、ベースのボンディング・パッド４５および、それぞれエミッタ領域２１およびｐ＋形にドープされたベース・コンタクト領域４７であって、それらの一部は図１ｂに示されているもののような能動構成要素の備わる領域４３からなる。これらの領域２１，４７は、金属相互接続層３１，３３に重ねられる。図１ａに示される詳細１１は、図１ｂに示される金属エミッタ・アーム３３の一つに沿った断面図である。さらに絶縁酸化膜の端部１７ａが指示され、また３つのコンタクト・ホール２９も指示され、それらは絶縁層２７にエッチされていて、３つの金属エミッタ・アームからの金属で充填されており、それらは今度は、エミッタの金属相互接続層３３の一部を構成する。コンタクト・ホールの数は、エミッタ領域２１の数および金属エミッタ・アームの数だけ多くあるのが好ましい。ベースの金属相互接続層３１の比較的大きな部分もまた図１ｂに示されている。このように、ベース金属・コレクタ基板容量の大部分は、本改変により、フィールド・シールド２５に接続されるエミッタによって除去されるということが理解される。さらに、本発明により、この容量を低減するのに取られるであろう行いは、好ましくは、少なくとも約２−３μｍの厚さを有する厚い絶縁酸化膜１７を用いることである。このようにパワー・トランジスタの性能は、さらに向上する。発明に関するバイポーラ・パワー・トランジスタの製造は、従来のプロセスに１つの堆積工程、２つのマスキング工程および２つのエッチング工程を付け加えることによって実行可能である。ドープされ、エピタキシャルで堆積されたコレクタ層１５上には、伝統的には、薄い酸化膜層が堆積され、それに薄い窒化膜層が続く（図１ａまたは図１ｂには示されていない）。これらの薄膜層を通してベース１９のイオン注入が行われ、そしてそれに続いて、本発明によって、好ましくは約２００−５００ｎｍの厚さを有するシリコン層が堆積される。このシリコン層は比較的重くドープされ、マスクされ、エッチバックされて、本発明に関わるフィールド・シールド２５を得る。ドーピングは、従来のプロセスに、その構造の裏がドープされるのと同時に一体化されるか、または別のイオン注入において行われて良い。代わりに、フィールド・シールド２５は金属でも製造されるが、その場合にはドーピングは必要ではない。マスキングおよびエッチングは、図１ａおよび図１ｂに示されるように、パワー・トランジスタの受動領域にフィールド・シールドを配置するようなやり方で行われなければならない。絶縁層、特に、ＴＥＯＳ層が続いて堆積されるが、それはマスクされ、エッチされて図１ａに示される絶縁層２７を得るためのものである。しかしながら、これは、本発明に関わるコンタクト・ホール２９のエッチングがシリコンで止まってしまうため、２つの別の工程で行わなければならず、一方、エミッタ開口およびベース・コンタクト開口の従来のエッチングは、窒化膜で止まってしまう。好ましくは、絶縁層がマスクされ、エッチされて、まずコンタクト・ホール２９を得、そしてマスキングおよびエッチングが行われてエミッタ開口およびベース・コンタクト開口を得る。そして製造プロセスは、従来のやり方で続けられる。本発明による垂直バイポーラ・パワー・トランジスタは、無線周波数へのアプリケーション、特に、無線基地局の増幅器段階で用いることを主に意図しているが、また、例えば、ケーブルＴＶや衛星電話通信のために用いることもできる。パワー・トランジスタの増幅特性は、発明に関わるフィールド・シールドを導入することによって著しく向上させることができ、それは、ベース・エミッタおよびエミッタ・コレクタ容量を犠牲にして、ベース・コレクタ容量を低減するものである。本発明は、もちろん、上で記述され、また図面に示された実施例に限定されるものではなく、添付された請求の範囲内で変更されても良い。特に、本発明は、材料、幾何構造または大きさによって限定されるものではない。本発明は、例えば、シリコン、および化合物半導体、例えばガリウム砒素のようなIII−Ｖ族半導体において実行されて良い。また、バイポーラ・パワー・トランジスタは、もちろんｐｎｐ形のものであっても良い。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成１１年７月２日（１９９９．７．２）【補正内容】ここで、ｆ_Tは最大境界周波数（ｍａｘｉｍｕｍｂｏｒｄｅｒｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）（電流増幅用）、Ｒ_bはベース抵抗、そしてＣ_bcはベース・コレクター容量である。このように、高パワー増幅を得るための３つの主要要素（キー・ファクター）は、最大境界周波数、最小ベース抵抗および最小ベース・コレクター容量である。例えば、Ｈ．Ｆ．クック（Ｈ．Ｆ．Ｃｏｏｋｅ）によるマイクロ波トランジスタ：理論と設計（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ：ｔｈｅｏｒｙａｎｄｄｅｓｉｇｎ）Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ第５９巻１１６３頁、１９７１年もまた参照のこと。エミッタにポリシリコンを用いることにより、イオン注入されただけのエミッタに比べてベース抵抗が高くなり過ぎることなく、より高いカットオフ周波数（ｃｕｔ−ｏｆｆｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）が得られるであろう。ベース抵抗は、パワー・トランジスタの垂直方向の大きさを低減することによって低減されるであろう。ベース・コレクター容量は、接合容量および金属・基板容量の双方からなる。接合容量は、最も少なくドープされた側、すなわちコレクター側におけるドーピングの度合いによって決定され、コレクター・ドーピングとベース・コレクタ・ブレークダウン電圧との間の関係の故に、あまり調整することができない。金属・基板容量は、上記で指摘されるようにフィールド酸化膜の厚さを増大させることにより、およびまた金属領域を最小限化することの双方により、周知技術によって低減することができる。本発明に関わるバイポーラ・パワー・トランジスタの製造は、１つの堆積工程、２つのマスキング工程および２つのエッチング工程を、通常のプロセスに加えることによって実行可能である。フィールド・シールドは、導電層を堆積し、続けてマスキングおよびエッチングをすることによって作られる。エミッタへの電気的な接続は、フィールド・シールド上に横たわる分離層中のコンタクト・ホールをマスキングおよびエッチングし、およびそれに続いて、前記コンタクト・ホールを、エミッタに接続される相互接続層で実質的に充填することによって達成される。本発明の利点は、発明に関わるフィールド・シールドが導入されるとき、パワー増幅器の増幅特性が著しく向上することにある。フィールド・シールドは、ベース・コレクター容量を、ベース・エミッタおよびエミッタ・コレクター容量を犠牲にして低減する。後者のものは、パワー・トランジスタの増幅特性に関しては、重要ではない。パワー増幅器の性能は、フィールド・シールドと組み合わされて厚いフィールド酸化膜が用いられるときさらに向上する。図面の簡単な説明本発明は、以下により詳細に記述されるが、添付される図面が参照され、それらは、本発明を例示して示しているに過ぎず、本発明の範囲をいかようにも制限するのに取り上げられるものではない。図１ａは、高周波数へのアプリケーションを意図した発明に関わるバイポーラ・パワー・トランジスタの詳細の断面図を示す。図１ｂは、本発明による、パワー・トランジスタの金属相互接続層のための主要マスク・レイアウトおよびフィールド・シールドを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】１．基板と、その基板上の第１導電形のコレクター層と、そのコレクター層に電気的に接続される第２導電形のベースと、そのベースに電気的に接続される前記第１導電形のエミッタとからなり、前記ベースおよび前記エミッタは、それぞれ金属相互接続層に電気的に接続され、かつ前記金属相互接続層は、少なくとも部分的に絶縁酸化膜によって前記コレクター層から分離されている垂直バイポーラ・パワー・トランジスタであって、前記ベース（１９）に電気的に接続される前記金属相互接続層（３１）と前記絶縁酸化膜（１７）との間に配置され、かつ前記エミッタ（２１）に電気的に接続されるフィールド・シールド（２５）を特徴とする前記垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。２．前記フィールド・シールド（２５）が、前記パワー・トランジスタの受動領域（４１）中に、特に、上に前記ベース（１９）に電気的に接続される相互接続層（３１）および前記ベースに電気的に接続されるボンディング・パッドが配置される領域中に配置されることを特徴とする請求項１に記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。３．主としてシリコンから作られることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。４．主として化合物半導体材料から、好ましくはガリウム砒素から作られることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。５．前記フィールド・シールド（２５）が、前記第１導電形にドープされていることを特徴とする請求項１−４のいずれか一つに記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。６．前記フィールド・シールド（２５）が、金属から作られていることを特徴とする請求項１−４のいずれか一つに記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。７．いわゆる互いに噛み合った型のものであることを特徴とする請求項１−６のいずれか一つに記載の垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。８．基板上にコレクター層が堆積されて第１導電形にドープされ、そのコレクター層に第２導電形のベースが電気接続されて配列され、そのベースに前記第１導電形のエミッタが電気接続されて配列され、それらベースおよびエミッタにそれぞれ金属相互接続層が電気接続されて配列され、およびそのコレクター層からその金属相互接続層を少なくとも部分的に分離する分離酸化膜が配列される垂直バイポーラ・パワー・トランジスタの製造方法であって、そのベース（１９）に電気的に接続されるその金属相互接続層（３１）とその絶縁酸化膜（１７）との間にフィールド・シールド（２５）を配列し、かつ前記フィールド・シールド（２５）をそのエミッタ（２１）に電気的に接続する工程を特徴とする前記方法。９．導電層を堆積し、前記層をマスクしてエッチすることによって前記フィールド・シールド（２５）を配列する工程を特徴とする請求項８に記載の方法。１０．前記パワー・トランジスタの受動領域（４１）に、特に、上に前記ベース（１９）に電気的に接続される前記相互接続層（３１）が配列される領域に、前記フィールド・シールド（２５）を配列することを特徴とする請求項８または９に記載の方法。１１．前記フィールド・シールド（２５）がシリコンから作られることを特徴とする請求項８−１０のいずれか一つに記載の方法。１２．前記フィールド・シールド（２５）の上に絶縁層（２７）を配列し、前記絶縁層（２７）にマスキングをし、かつエッチングバックすることによって前記フィールド・シールド（２５）にコンタクト・ホール（２９）を作り出し、および前記コンタクト・ホール（２９）を前記エミッタ（２１）に電気的に接続される前記金属相互接続層（３３）で充填することによって、前記フィールド・シールド（２５）を前記エミッタに電気的に接続することを特徴とする請求項８− １１のいずれか一つに記載の方法。