DE2546316C2 - Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3048083C2 (de) * 1980-12-19 1983-09-29 Ludwig 8900 Augsburg Fahrmbacher-Lutz Verfahren zur chemischen Entfernung von Oxidschichten von Gegenständen aus Titan oder Titanlegierungen
JPS59184532A (ja) * 1983-04-05 1984-10-19 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO1999046811A1 (de) * 1998-03-10 1999-09-16 Scacco Electronics Consulting Selektives ätzen von siliciumnitrid mit einem nasschemischen ver fahren
WO2019151090A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置およびエッチング液

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2828193A (en) * 1954-08-09 1958-03-25 Turco Products Inc Method for rejuvenation of aluminum treating solutions
JPS5141161B2 (enExample) * 1972-08-25 1976-11-08

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