DE2546316A1 - Verfahren zur behandlung von koerpern mit einem aetzmittel fuer aluminiumoxid, insbesondere bei der herstellung von halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur behandlung von koerpern mit einem aetzmittel fuer aluminiumoxid, insbesondere bei der herstellung von halbleiteranordnungen

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DE2546316A1 DE19752546316 DE2546316A DE2546316A1 DE 2546316 A1 DE2546316 A1 DE 2546316A1 DE 19752546316 DE19752546316 DE 19752546316 DE 2546316 A DE2546316 A DE 2546316A DE 2546316 A1 DE2546316 A1 DE 2546316A1
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Description

ί"Γ.\τ:·:ίν. M- !'-VIiJ 8. ΊΟ. 7")
Α!ϊη ■: ■ : tut Ί-Anti.· ..--Ci ν;-«' '1
"Vorfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Ätzmittel für Aluminiumoxid, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen".
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Ätzmittel zum Entfernen von Aluminiumoxid, auf ein Verfahren zur HersteJlung von HalbJ.eitoranordnungen, das einen Schritt umfasst, bei dem ein halbleitormaterialhaltlger Körper einer .Behandlung mit einem Ätzmitxel zum Entfernen von Aluminiumoxid unterworfßn wird, sowie an Γ Gegenstände, in.sberiondr.ee Ha.lbleitoranordtiun-ien, die durch die^os Vorfahren ]ierf;eijte LIt sind,
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ί. ν> t '
8.10.75
Von Körpern in.it; darauf angebrachtem Aluminluraoxid, z.B. in situ gebildetem Aluminiumoxid, kann dieses Aluminiumoxid völlig oder teilweise durch Ätzen entfernt werden, Auch ist ermöglich, diese Behandlung zum Reinigen einer Oberfläche oder eines Oberflächenteiles, auf der odor dem möglicherweise unerwünschtes Aluminiumoxid vorhanden sein könnte, zu verwenden. So kann sich auf der Luft ausgesetztem Aluminium Aluminiumoxid bilden, das als ein dünner Film das Aluminium abdeckt. Ein derartiger dünner Film kann bei weiteren Bearbeitungen störend sein. So kann ein derartiger Film bei der Herstellung von Lötverbindungen mit dem Aluminium, z.B. durch eine schlechte Benetzung der Oberfläche mit dem Lot, Schwierigkeiten bereiten, wodurch die Herstellung einer mechanisch festen Verbindung verhindert wird. Wenn an Aluminium elektrisch leitende Verbindungen angebracht werden müssen, kann eine solche dünne Aluminiumoxidschicht das Erhalten eines gut leitenden Übergangs zwischen dem Aluminium und einem darauf angebrachten Leiter· erschweren. Um die Gefahr des Auftretens dieser Nachteile zu verringern, ist es erwünscht, eine Alumxiiiumoberflache zuvor einer Behandlung mit einem Ätzmittel für Aluminiumoxid zu unterwerfen, auch wenn man nicht weiss, ob Aluminiumoxid auf dor Oberfläche vorhanden ist oder nicht.
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ORIGINAL INSPECTED
2b46316
Vl)V 7h596c 8.10.73
ISin bekanntes Ätzmittel, für Aluminiumoxid ist z.H. eine Lösung von Chromoxid. (CrO,,) und Pliosphoi'riäure (il POl) in Wasser. E±n anderes bekannte» Ätzmittel für Aluminiumoxid ist eine Lösung von Alkali-U1IuOX1Xd in verdünnter Schwefelsäure. Derartign Ätzmittel sind, jedoch vonig selektiv und. die Ergebnisse der Ätzbeliandlung sind nicht immer rcprodiizierbar. Insbesondere können dieser Ätzmittel gehobeneni'al3 s vorliandenes Alujniniuii! angreifen, vas im alJ.gomeinen unerwünscht ist und insbcsondeiO bei Strukturen mit dünnen Aluminiumschichton schädliche Folgen haben würde.
Solche dünnen Alumlatiumschichten finden insbesondere in der HalbloitertecJmik Anwendung, wobei Aluminiumschichten zum Kontaktieron des Halbleiters und für leitende Verbindungen vorwendet werden. Veiter ist in der Halbleitertechnik die Anwendung von Schichten aus Aluminiumoxid vorgeschlagen λ^οτάο.η, wobei eine solche Schicht in ein bestimmtes Muster gebx-acht werden soll. Auch dabei können sich Probleme ergeben, dadurch, dass mit den obengenannten bekannten -Ätzmitteln näohstliegondo odor unterliegende TeiJo aus einem anderen Material, z.J3. Teile aus in"t'';i .1 iscliein Material und insbesondere beim Vorban·- rlojji-.c· in von Fluoriojioji 'JViIo au«. Sil.ir.i.uiiivorbä jiiij",« ji , wi ti iJj/ϊ ir; üiiii'jxid odor r;iKlr;ron pi'lici 609817/ 1 U2
_ it, —
PHF 7'+39 6c 8.10.73
haltigen Oxiden, &.B. Borsilikat- oder Phosphosilikatß'las, angegriffen \iex%dnn können.
Die Erfindung "bezweckt u.a., ein selektiveres Ätzmittel für Aluminiumoxid zu schaffen. Nach dex" Erfindung ist ein Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Ätzmittel zum Entfernen von Aluminiumoxid dadurch gekennzeichnet, dass das verwendete Ätzmittel aus einer Lösung eines Fluorids in einem organischen Lösungsmittel besteht', welche Lösung praktisch frei von Fluorwasserstoff und von ungebundenem Wasser ist.
Unter dom Ausdruck "pi-aktisch frei von ungebundenem Wasser" ist hier zu verstehen, dass praktisch kleine Vassermoleküle in ungebundenem Zustand vorhanden sind. Dieser Ausdruck schliesst praktisch wasserfreie Lösungen und Lösungen ein, in denen praktisch alle Vassermoleküle auf irgendeine Weise an andere Bestandteile, z.B. das Lösungsmittel, gebunden sind. Die Möglichkeit einer Bindung an solche anderen Bestandteile hat ausserdem den Vorteil, dass gegebenenfalls beim Ätzvorgang gebildete Wassermoleküle direkt gebunden werden können.
Als Fluorid in der Lösung wird vorzugsweise Ammoniumfluorid verwendet, Dadurch kann Einführung von Motallionen aus dem Ätzmittel und damit eine mögliche Oberfläohenvorunreinigung verhindert
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HIF 7'i.V 8.10,73
werden. Insb«soiidöi*e kann das Yorhandcr.soan solchor Metallioncii einon verunreinigenden Effekt auf eine herzustellende Halbleiteranordnung haben. Insbesondere können Alkaliioneu} z.B. Natiüumioncn, UnStabilitäten bei mit Siliciumoxid überzogenen Halbleiter an Ordnungen herbeiführen.
Organische Lösungsmittel können z, «B. aus den Alkoholen, insbesondere mehrfachen Alkoholen, gewählt werden. Geeignete Lösungsmittel aus dieser Gruppe sind Äthylenglycol und Glycerin,
Ein anderes geeignetes Lösungsmittel ist Eisessig. Essigsäure ist eine schwächere Säure als Fluorwasserstoffsäure, so dass z.B. beim Lösen von Ammoniumfluorid in Eisessig· praktisch kein Fluorwasserstoff gebildet werden kann.
Es sei noch bemerkt, dass Ätzmittel mit Fluorwasserstoff in einen; organischen Lösungsmittel, z.B. Äthylenglycol, Glycerin oder Methanol, zum Ätzen von Glassohichten auf Basis von Siliciumoxid, insbesondere zur Anwendung in der Halbleitertechnik, u.a. zum öffnen von Fenstern in Silixium oxidschichten, z.B, zum Freilegen unterliegender Metalloberflächen, wie Oberflächenteile von Aluminiumleitern, an sich bekannt sind. Ein arideres bekann tos Ätzmittel für Siliciumoxid zur Anwendung bei der Hex'Steilung von Halbleitern ι Ordnungen besteht aus einem
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Gemisch von komscn trier ter Fluorwasserstoffsäure , einem Puffer und einem organisch en Werkstoff, der Wasser absoi-bieren kann, z.B, einer organischen Säurte, einem Alkohol, wie ÄtJiylenglycol oder Glycerin. Als Beispiel sei ein Ätzmittel erwähnt, das dadurch, erhalten wird, dass etwa -^r kg konzentrierte!· Fluorwasserstoffsäure
Gew.% HF, Rest Wasser), nahezu 2 kg einer wässerigen Ammoniumfluoridlösung (ho Gew.$ NHrF) und. 1 Liter Eisessig (100 fo Essigsäure) miteinander gemischt werden. Diese Ätzmittel enthalten HF und können sehr viel Wasser enthalten. So ist es wahrscheinlich, dass das Ätzmittel der zuletzt genannten Zusammensetzung noch eine giOsse Menge ungebundenen Wassers enthält.
Dagegen hat sich herausgestellt, dass die Ätzmittel zur Anwendung bei dem Verfahren nach der Erfindung, in denen Fluorwasserstoff praktisch nicht vorhanden ist, Aluminiumoxid in einer Zeit lösen können, in der Siliciumoxid in viel geringerem Masse angegriffen wird.
Um den Itzvorgang genau beherrschen zu können, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei denen Schichten aus Isoliermaterial in der GrössenOrdnung von Ö»1 /um gebräuchlich sind, werden vorzugsweise nicht zu hohe Konzentrationen des Fluoride angewandt, damit beim wenig-
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stems örtlichen Wegätzen einer Aluminiurnoxidschicht eine ziemlich gut regelbare ÄtzgesclMvindigkeit erhalten werden kann, wobei Angriff von Schichten aus anderen Materialien als Aluminiumoxid, 7, .13. Siliciumoxid, auf ein Mindestinass beschränkt bleiben kann. Bei einer reinigenden Ätzbehändlung einer Aluminiumoberfläche genügt aus&erdem eine kurzzeitige Behandlung, um einen etwaigen sehr dünnen Aluiuiiixunioxidfilm zu entfernen — ungeachtet der Anwendung einer konzentrierten oder einer mehl'* "verdünnten Losung des Fluoride, Eine mehr verdünnte Lösung weist dann den Vorteil eines noch geringeren Angriffes etwaiger Materialien auf Basis von Siliciumoxid auf. Nach einer bevorzugten Ausführungsform besteht das verwendete Ätzmittel daher aus einer Lösung von höchstens 30 g Ammoniumfluorid. pro Liter des organischen Lösungsmittels, insbesondere pro Liter Eisessig. In der Praxis werden Ätzmittel bevorzugt, die nicht extrem niedrige Ätz— geschwindigkeiten für Aluminiumoxid ergeben und auch nicht zu schnell wirkungslos werden. So wird bei der letzteren Lösung die Menge an Ammoniumfluorid vorzugsweise nicht niedriger als 10 g pro Liter des Lösungsmittels gewählt.
Die bei dem Verfahren nach der Erfindung zu verwendenden Ätzflüssigkeiten entfernen Aluminiumoxid viele Male schneller als Siliciumoxid oder andere
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bei der Herstellung von HaIble.iteranordnungen verwendete?, siliciuniox&dhaltige Is0lie3rmat0rJ.al.ien, wie Borsilikatgläsor und Phosphosilikatgläser. Weiter wird Siliciumnitrid praktisch nicht angegriffen·
Die nach der Erfindung zu verwendenden Ätzmittel sind, wie auch oben bo3r'oits angegeben würde, insbesondere zur Anwendung bei"der Herstellung von Halbleitoranordnuiigon geeignet. Die Erfindung bezieht sich daher wcsiterhiu auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem die obengenannte erfindungsgemässe Behandlung mit einem Ätzmittel zum Entfernen von Aluminiumoxid bei einem halbloitermaterialhaltigen Körper angewendet wird« Diese Behandlung kann dabei dazu stattfinden, eine auf einem .Halbleiterkörper angebrachte Schicht aus A12O„ völlig oder teilweise wegzuätzen, z.B. um ein bestimmtes Muster dieser Schicht, z.B. unter Verwendung einer geeigneten Photoresistmaske, zu erhalten. Die Anwendung eines Musters aus einer isolierenden Aluminiumoxidschicht ist bei Halbleiteranordnungen an sich bekannt. So kann eine Aluminiumoxidschicht zusammen mit einer darunter liegenden Siliciumoxidschicht in unterliegendem Silicium negative Ladungsträger abstossen und positive Ladungsträger· anziehen, wodurch eine Oborflächeninvorsion in p-lei tenclem Silicium entgegenwirkt wird. Auch kann durch oberflächeiche Oxidation
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einer AluinlnluMi.-'-ch teilt eine auf djoaor Schicht .liegende isolierende AIn iid η :i.uiiioxii] i; o] i:i. c Ii L erhalten wer~ den. Die Aluminiumschicl)t kann dabei geniäso einem bostiiiunteii Leitcrmuster angebracht sein( das Teile von HalbJ.eiter.sclia 1 tungselonien ten mit anderen Scha Itungr·-- e 1 einen i; te ilen oder mit Anschlussstellen zum Verbinden mit Anschlüssen an einem oborliegonden Leitermuster verbindet. Dazu kann vorteilhaftonveiso der Halbleiterkörper mit dem Ätzmittel nach der Erfindung behandelt werden, wobei das unterliegende Aluminium örtlich freigelegt werden kann, ohne dass es selber bei der Ätzbehandelung in erheblichem Masse angegriffen wird. Statt eines Photoresists kann auch eine Jl tümaskierung aus Siliciumoxid, verwendet werden, weil Siliciumoxid während der anzuwendenden Dauer der Ätz-behandlung nur wenig angegriffen wird.
Ein solche Behandlung mit dem erfiridungsgemässen Ätzmittel kann nun auch vorteilhaft dazu verwendet werden, Sielion zum Anscliliessen an eine Alumi.uiumschicht oberflächlich zu reinigen, damit eine gut leitende Verbindung mit daran angeschlossenen Leitern, z.B. Leitern, die zu einem zweiten Muster* in einer Doppelschichtverdrahtung gehören, oder aufgedampften, aufgesplitterter., auf galvanischem Wege angebrachten, gelöteten oder auf andere Veise angebrachten Leiter* zum Anschliessen leitender Vtr-
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bindu.nf.yeu an don Ila lbloi bor-körper, erlialbon wird.
Die Erf imluug bezieht sieh auch, auf Halbleitex'anordiiungon, bei deren Herstelltmg eine Behandlung mit dom errind.ung-sgema.sson Ätzmittel stattgefunden hat.
Die Erfindung· beschränkt sich jedoch nicht auf die Anwendung bei Halbleiteranordnungen. lOin anderes Beispiel ist eine auf einem Isolator angebrachte Aluininiumver drah bung, an . die Leiter, z.B. durch Löten, eingeschlossen wer*den müssen.
Als Ausführungsbeispiel wird ein Reinigungsschritt bei der· Behandlung von Anschlusssteilen einer Aliiminiumverdrahturig, die aus einem Muster einer Aluminiumschicht auf einem Untergrund, Z6B. einer Platte aus isolierendem Berylliurnoxid, besteht, beschrieben, welche Verdrahtung stellenweise mit verschiedenen Schaltteilen, z.B. Halbleiteranordnungen, wie HaIbleiterschaltungselomenten und/oder integrierten Schaltungen, und/oder anderen Schaltteilen verbunden werden soll. Insbesondere wenn der Untergrund mit Verdrahtung einige Zeit der Luft ausgesetzt gewesen ist, kann die freigelegte Aluminiumoberflache mit einem dünnen Aluniiniumoxidflim, z.B. mit einer Dicke in der Grössenordnung von 0,01 /tun, überzogen sein. Eine solche dünne Oxidschicht genügt, um beim Anbringen olektx'iscli leitender und mechanisch gut
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PHI·' ?'Γ,·;··0 S. 10.7:5
hafiondor Anac;]ilüssG Schwierigkeiten zu (a'gobcn. Untex'g^und und Verdrahttuig worden nun in ein Ätzbad für Aluminiumoxid eingetaucht, das aus oinor Lösung von 15 ß" Ainiuoniumfluorid pro Liter Eiwcfssig besteht. Die Temperatur des Bades ist zwischen 200C und 300C gewählt. Nach einer Behandlung von 1 Minute ist in genügendem Masse sichergestellt, dass ein etwa gebildeter dünner Aluniiniunioxidfllm entfernt ist. Die Platte wird dann mit entionisiertem Vasscr gespült und schnell mit Hilfe eines Stromes trockenei· Luft, z.B. während einiger Sekunden, getrocknet. Die Aluminiumoberfläche ist dann genügend von Aluminiumoxid gereinigt. Iimoi-Iialb der dann folgenden Stunde können xivcTi gut haftende Anschlüsse an der Aluminiumoborfläche angebracht werden, z.B. durch Löten oder VMrme-Druck-Verbinden, z.B. mit AluminaVumdraht, von dem wenigstens ein Endteil in demselben Ätzbad behandelt worden ist. Ohne eine solche Ätzbehandlung könnte eine solche Alumxniumverbxndung auf bekannte Weise durch Ultraschallschweissen ex*lialten werden, aber ein solcher Schweissvorgang ist verhältnismassig kompliziert und kann weiter zu mechanischen Beschädigungen führen.
Das Befestigen elektrischer Anschlüsse an einer Aluminiumverdrahtung wurde auch mit Erfolg bei der Herstellung von Halbleitex-anordnungen angewandt, bei denen auf einer Seite eines Halbleiterkörpers aus
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pi ir 7 k 59 6 c 8.K). 75
Silicium ein odor mohr Halbleltei'schal iimgselemente gebildet sind, wobei die Halbleiteroberfläche auf dieser Seite mit einer Isolierschicht aus Siliciumeioxid versehen ist, die gegebenenfalls teilweise in Borsilikatglas und/oder Phosphosililcatglas iimgowandelt ist und in dear Kontaktf ens tor angebracht sind. Dann wix-d eine Aluminiumschicht auf der Isolierschicht und in den Fenstern auf an sich bekannte Weise gemäss einem Leitermuster angebracht, wobei in den Fenstern Kontakte auf den unterliegenden Halbleiterteilen hergestellt werden und die auf dem Isolator liegenden Teile leitende Verbindungen bilden zwischen diesen Kontakten untereinander oder zwischen diesen Kontakten und Anschlussstellen, die ebenfalls durch axif der Isolierschicht liegende Teile der Aluminiumschicht gebildet werden und zum Verbinden mit Anschlüssen an der Halbleiteranordnung nach Aussen oder mit einem nächsten geschichteten Verdrahtungsmuster in einem System mit sogenannter Doppelschichtverdrahtang dienen. Dem Aluminium kann auf an sich bekannte Weise ein geringer Siliciumgehalt zugesetzt sein.
Vor dem Verbinden der Anschlussstellen
wird die Aluminiuinoberf lache dieser Anschlussstellen unter Verwendung einer Ausführungsform des erfindungsgcinässen Vorf ahrens mit ο j nein Atzm.it te.1 für Aluminiumoxid gereinigt, das aus einer Lösung von IO bis 30 gt
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z.B. 15 bis 20 g, Ammoniumfluorid in Eisessig besteht, welche Behandlung 1 Minute dauert, wonach auf die obonbesehr!ebene Weise gespült" wird. Die Aluminiumoberfläche ist dann genügend rein, um gute Anschlüsse mit an den Anschlussstellen auf obenbeschriebene Weise anzubringenden Leitern zu erhalten, wenn die gereinigte Oberfläche inzwischen nicht zu lange feuchter Luft ausgesetzt wird. Während der kurzzeitigen Einwirkung des Ätzmittels v/erden etwa freiliegende Teile der Isolierschicht und der zu reinigenden Aluminiumschicht praktisch nicht angegriffen, auch nicht bei Anwendung von Aluminium mit einem geringen Siliciumgehalt, das dui'-ch bekannte Ätzmittel für Aluminiumoxid im allgemeinen leichter als reines Aluminium angegriffen wird. Auch wird eine etwa freiliegende Alumiriiumoberflache, die in den Fenstern angebracht ist und einen ohmschen Kontakt mit dem unterliegenden Silicium bildet, bei der hier beschriebenen Ausführungsform praktisch nicht durch das Ätzmittel angegriffen.
Zuvor kann auf dem Aluminiummuster eine Isolierschicht angebracht werden, z.B, dadurch, dass auf an sich bekannte Weise Siliciumoxid aufgebracht wird und an den Anschlussstellen z.B. unter Verwendung einer Photoresis tmaskicrung und einer für Siliciumoxid gebräuchllcJ on Ätzflüssigkcit aus ο in em Ge--
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misch von konzentrierter IMiiorwassorstoffaUuro und oi~ nor konzentrierten wässerigen Lösung von Ammonium— riuorid Fenster geätzt" wordeij . Die Reinigungsbehand™ lung' mit Ammoniumfluorid in Eisessig kann später stattfinden, bevor1 die gewünschten Anschlüsse angebracht werden oder eine Doppelschichtverdrahtung z.B. mit Hilfe einer· zweiten Aluminiumschicht gebildet xvird.
Es ist auch möglich, die zuerst angebrachte Aluminiumver drall tun g mittels einer dichten Aluminiiim— oxidschicht zu schützen. Bei einer derartigen Ausführung wird diese Schicht mit einer Dicke von 0,1 /um auf einer eine geringe Menge an Silicium enthaltenden AlutniniTamschicht mit einer ursprünglichen Dicke von 0,8 /um durch eine gebräuchliche anodische Oxidation in einem Elektrolytbad aus einer Lrjsurig von Weinsäure und/oder Ammoniumtartrat bei 25°& während 1 bis 5 Minuten mit einer Spannung von 80 V gebildet. Die Oberfläche mit dem auf diese Weise überzogenen Aluminiummuster wird weiter mit einer Siliciuirioxidschicht als Unterlage für eine zweite Vordrahtungs» schicht überzogen. Zur Herstellung von Kontakten zwischen den beiden Verdrahtungen werden an den betreffenden Stellen Fenster in die Siliclumoxldschicht geätzt, wie ob cm geschrieben is te Die Aluminiumoxidschiehi; wird daboi nicht (Jurohgeiitzt„ Vor dom An»
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-AS-
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bringen der Aluminiumscbicht für die zweite Verdrahtung soll die AluminiuiJioxidsobieht an den Stellen der Fenster zum Freilegen des unterliegenden Aluminiums eircfernt worden« Dazu wird ein erf indungsgoiriässses Ätzmittel, beispielsweise eine Lösung von 20 g Ammoniumfluoi'id pro Liter Eisessig bei. 200C, verwendet. Nach etwa 7 Minuten ist in den Fon stern das dichte» Aluminiumoxid verschwunden und elm» reine AIuminiumoberfläche freigelegt. Nach Spülen und Trocknen wird dia zweite Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1,2 /um durch Uberdampfen ira Vakuum angebracht, wobei ein guter Kontakt zwischen den beiden Aluminiumschich~ ten an den Stellen der Fenster in der zwiscbonliegen~ den Siliciuinoxidschicht ex'halten wird. Die zweite Al-Schicht wird dann in das gewünschte Mustei1 mit Anschlussstellen jjjur Herstellung von Verbindungen mit der Halbleiteranordnung gebracht. Vor dem Anbringen dieser Anschlüsse wird wieder eine Behandlung mit einem Ätzmittel für Aluminiumoxid nach der Erfindung, durchgeführt.
Die vorhergellenden Ausführungsformen sind hier beispielsweise gegeben, aber im Rahmen der Er·- findung sind noch sehr viele andere Ausführungsformen möglich, sowohl in bezug auf die Zusammensotz\mg von Ά b's.i.' L t:teln Πίτ Ali]'".in.iumnx:i(l aJ μ auch in br; zug auf ;»)'!( ro Anwendungen.
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PIiF 7h 59do 8.1 ο. 75
Sofern es sich um din Herstellung von HaIbleitervuiordnun/ven handelt, beschränkt sich die Ei-fin-dung weiter nicht auf die Amfendung von Silicium als Halbleitermaterial, sondern umfasst sie auch die Anwendung anderer· Halbleitermaterialien, z.B. Germanium,
TIJ V TI VI
Halbleiter vom A B -Typ und Halbleiter vom A" "B " -Typ,
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Claims (1)

  1. PHF 7 V
    8. ιυ«.73
    Pat on 1 ansyyrüeho :
    1» Verfahren zur Behandlung von Körpern nut einem Ätzm.ittel zum Entfernen von Aluminiumoxid, dadurch gekennzeichnet, daiis das verwendete Ätziiii i.1 öl aus oinei1 Lösung eines Fluoride in einem orgaiiisclie»] Lösungsmittel bestellt, weiche Lösung pj --aktiven frei von Fluorwasserstoff und ungebundenem Wasser ist.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluorid- in dem verwendeton Ätzmittel aus AnimoniunifIuOX1Id besteht.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass daa organische Lösungsmittel in dem verwendeten Ätzmittel aus Äl;hylengl3rcol bestellt. h. Verfahx-en nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ■gekennzeichnet-, dass das organische Lösungsmittel in dem verwendeten Ätzmittel aus Glycerol besteht. 5« Vorfahren nach Anspruch 1 odei' 2, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Lösungsmittel in dem verwendeten Ätzmittel aus Eisessig besteht.
    6. Verfahren nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung höchstens 30 g Ammoniumfluorid pro Liter enthält.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet s dass die Lösung mindestens 10 g Ammoiiiumfluorrid pro Liter enthält.'
    8. Vox'Tahx en räch einem der· vorf.tfhondeji An-
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    PIJF r]'\y B. 10.75
    , dadurch gekennzeichnets dass cine auf einem Untergrund angebrachte Schicht aus Aluminiumoxid church Behandlung mit dom Ätzmittel wenigstens örtlich entfernt wird .
    9 . Vez-f ahren nach Anspruch 8, dadurcli gekenn·- zoichnot, dass die Aluminiumoxidschicht wenigstens örtlich von unterliegendem Aluminium entfernt· wird.
    10. Vcx-fahren nach, einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch, gekennzeichnet, dass eine Aliirnxniumoberflache durch die Behandlung mit dem Ätzmittel von etwa darauf gebildetem Aluminiumoxid gearoinigt wird. ;
    11. Verfahren nach einem der* Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekonnzeiclinet, dass das Ätzen beim Vorhandensein einer Siliciumverbindung in dem Köx\per stattfindet.
    12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch, gekennzeichnet, dass die Silxciumverbindung im Körper aus Silici\imoxid besteht.
    13· Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicitimverbindung im Körper aus Siliciumnitrid besteht.
    Ik. Verfahren zwo Herstellung von Halbleiteranordnungen, das den Schritt umfasst, bei dem ein halbloitermaterxalhaltigox-Körper einer Behandlung mit e.üiem Ä-tymi i. Lo 1 zaim Ejiti'orü^Ji von Α1ι.'!·"-ΐ.η1ι,ΐ·ιο>:·Λ(1 unterworfen v/ird, dadurch ^'komi/oicl/JieL, dass dieser
    6 0 9817/11-4 2
    8. 10.75
    Schx'itt aus ο in em Verfalircn iiacli einem dexm vox's teilenden Anspz-ücho besteh ι.
    15· Veri'ahrem zur Herstellung von Halblei tex*-
    anordnungon nach Anspruch 1^1, dadurcli gekennzeichnet, dass dtiXOh clioson Sclrritt die Oberfläche einer AIuminiumschlcht ^.vroiiißstens stolleiiweise iVeiijolegt und/oder gereinigt wird.
    1ό. Vea'fahreii nach Anspruch 15? dadurch gekennzeichnet, dass auf einem oder mehreren der freigelegten und/oder gereinigten Teilen dex" Aluminiumschicht eine oder.mehrere elektrisch leitende Verbindungen angebracht werden.
    6u9817/11/+2
DE2546316A 1974-10-18 1975-10-16 Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen Expired DE2546316C2 (de)

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