DE2353376A1 - Halbleitende glasursubstanz - Google Patents

Halbleitende glasursubstanz

Info

Publication number
DE2353376A1
DE2353376A1 DE19732353376 DE2353376A DE2353376A1 DE 2353376 A1 DE2353376 A1 DE 2353376A1 DE 19732353376 DE19732353376 DE 19732353376 DE 2353376 A DE2353376 A DE 2353376A DE 2353376 A1 DE2353376 A1 DE 2353376A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glaze
substance
tin oxide
antimony trioxide
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19732353376
Other languages
English (en)
Other versions
DE2353376B2 (de
DE2353376C3 (de
Inventor
Olaf Nigol
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of DE2353376A1 publication Critical patent/DE2353376A1/de
Publication of DE2353376B2 publication Critical patent/DE2353376B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2353376C3 publication Critical patent/DE2353376C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/86—Glazes; Cold glazes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H01C17/06546—Oxides of zinc or cadmium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Insulators (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

22. Oktober 1973
Olaf Nigol
Etobicoke, Ontario, Canada
" Halbleitende Glasursubstanz "
Die Erfindung betrifft eine halbleitende Glasursubstanz zur Verwendung als eine elektrischleitende Glasurbeschichtung auf ■ keramischen Isolatoren. Solche Beschichtungen werden mitunter an Hochspannungskeramikisolatoren zum Zwecke der Bestimmung der Spannungsverteilung über deren Oberflächen hinweg verwendet, um die Tendenz zur elektrischen Entladung zu mindern.
409819/0813
Halbleitende Glasursubstanzen für diesen Zweck bestehen im allgemeinen aus einer Grundglasur, in die verschiedene Metalloxide eingebaut sind. Eine solche Glasursubstanz wird normalerweise auf die Oberfläche des Isolators oder auf den ungebrannten Keramikkörper des Isolators als eine wässrige Schlämme aufgegeben und dann auf die Oberfläche aufgebrannt. Die in der Grundglasur enthaltenen Metalloxide bestehen über1icherweise aus blauem Zinnoxid, bei dem es sich um ein vorkalziniertes Gemisch von Stannioxid, Antimonpentoxid und Zinnoxid handelt. In der Praxis hat es4 sich als'notwendig erwiesen, das blaue Zinnoxid in einer Menge von nicht weniger als 12,5 Gew.-% der Gesamtfeststoffe in der Substanz und bis zu 45 Gew.-% einzubauen, uin eine Gl asurbe schichtung mit einer brauchbaren Leitfähigkeit zu erzeugen.
Die Erfindung beruht auf der Feststellung, daß durch Einbauen eines Gemisches aus Stannioxid und Antimontrioxid, anstatt von Stannioxid und Antimonpentoxid, eine erheblich geringere Menge des Gemisches verwendet werden kann. Das ist möglich, weil Antimontrioxid eine natürlicherweise kleinere Partikelgröße als Antimonpentoxid hat. Die Vorteile der Erfindung, die auf dieser Feststellung beruht, sind:
a) eine zwei- bis dreifache Verringerung im negativen Temperaturkoeffizienten des spezifischen Glasurwiderstandes im Vergleiche zu vorhanden halbleitehden Glasuren, 409819/0813 - 3 -
b) eine stark verbesserte Korrosionsbeständigkeit der Glasuren wegen des niedrigeren Metalloxidgehalts und
b) geringere Kosten als Folge von kleineren Anteilen von Metalloxid, die zur Erzeugung der erforderlichen Leitfähigkeit benötigt werden.
Eine halbleitende Glasursubstanz gemäß der Erfindung ist aus einer Grundsubstanz zusammengesetzt, die Zinnoxid (SnO2), Antimontriöxid (Sb2O,) und Zinkoxid (Zno) enthält* wobei das Zinnoxid und das Antimontriöxid in einer Menge von 3 bis 12,5 Gew.-96 der Gesamtfest stoffe in der Substanz vorhanden sind und das Zinkoxid in einer Menge von 0,5 bis 5 Gew.-#> der Gesamtfeststoffe in der Substanz vorhanden ist. Zweck des Zinkoxides ist es, den spezifischen Glasurwiderständ in bezug auf die Brenntemperatur zu stabilisieren.
Vorzugsweise beträgt die mittlere Partikelgröße der Gruhdglasur weniger als 10 Mikron, und die mittlere· Partikelgrb'ße der Zinn- und Antlmonöxide beträgt weniger als 0,5 Mikron»
Beispiele von halbleitendenGülasuren gemäß der Erfindung und ihre Anwendung auf leramisehe Isolatoren sind nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher*beschrieben, in den Zeichenüngen sind: "
4098 19/0 8 13 ." ' ** 4 "
Fig, 1 eine graphische Darstellung der Änderung im spezifischen Qberflächenwiderstand mit der Temperatur für verschiedene Glasuren >
Fig, E eine graphische Darstellung des Effekts der
pintauchzeit (während des Auftragens der Glasur) auf den spezifischen. Oberfläehenwiderstand und
Fig. 3 eine g^SPtii§Qh.§ Darstellung des Effekts
F auf den spezifischen Widerstand»
Grundsätzlich sind zwe.i verschiedene Arten von halbleitenden Glasuren entwickelt worden, In einer Ausführung, die nachstehend als eine "Mnstufen"-;Glasur bezeichnet wird, werden das Zinnpxid und das Antimontrioxid in den richtigen Anteilen mit den Grundglasurmaterialien und Wasser gemischt, um eine Glasurschlämme bzw, einen Schlicker zu erzeugen. In der anderen Ausführung, cL±q nachstehend als eine " Zwei stuf en" τ Glasur be^ zeichnet wird, werden das Einnoxid und das Antimontrioxid zunächst bei der optimalen Temperatur vorkalziniert und dann gemahlen und in den richtigen Anteilen mit den Grundglasurmaterialien iind Wasser gemischt, um die Glasur schlämme bzw. den Glasurschlicker zu erzeugen. In dem einen wie in dem anderen Fall wird die Schlämme auf ungebrannte, jedoch trockene Porzellanisolatoren aufgegeben, oder sie wird auf vqrgebrannte (bisque)-
409819/0813 - 5 -
Porzellanisolatoren aufgegeben, und zwar durch. Tauelieh, Besprühen oder Übergießen. Die·Isolatoren werden dann in einem sorgfältig kontrollierten Brennzyklus erhitzt"*; um die erforderlichen halbleitenden Eigenschaften der Glasur und die hohe mechanische Festigkeit der Isolatorenkörper und der Glasur entstehenzulassen.
Im Falle einer "Einstufen"~Glasur muß der Isolator, auf den die Glasur aufgetragen worden ist, auf eine Temperatur innerhalb des Bereiches gebracht werden, in dem die erforderlichen halbleitenden Eigenschaften der Glasur und die mechanischen Eigenschaften des Porzellanisolators erzeugt werden. Da diese Eigenschaften ziemlich stark temperaturabhängig sind, ist die Ver-
ί . ■ - > wendung der "Einstufen"-Glasur nur mit einer begrenzten Anzahl von Metalloxiden möglich. Die "Zweistufen"-Glasur bietet mehr Freiheit beim getrennten Verarbeiten der halbleitenden Materialien bei ihren optimalen Kaizihierungstemperaturen. Beispielsweise kann das Kalzinieren bei viel niedrigeren oder viel höheren Temperaturen durchgeführt werden, al's es erforderlich ist,- um Porzellan und Beschichtungsglasureii guter Qualität entstehenzulassen. Verschiedene Metalloxide können in einer solchen halbleitenden Glasur verwendet werden. . : ;
Obgleich die Grundglasur- oder Deckglasursubstanz Im allgemeinen einen gewissen Einfluß < auf die'Eigenschäften der fertigen halb-
4 0 981,9/0.813 ;;;,..;· - 6 -
leitenden Glasur hat, sind verschiedene Substanzen mit guten Ergebnissen verwendet worden. Zwei bevorzugte Grundglasurzusammensetzungen sind in den Beispielen 1 und 2 angegeben.
Beispiel 1 Grundglasurzusammensetzung A
Komponente
SiO2 ' ■ 70.00
Al2O3 . 13.66
CaO 11.84
K2O 2.71
Na2O 0,76
TiOp 0.34
Fe2O3 0.3ο
MgO . ■ ■ . 0.09
Bei spie 12
Grundglasurzusammensetzung B
Komponente Gew.-%
, .,, 70.75
Al2O3. ,. . t . _.__,- . 11.64
■ - 7 -409 8 19/OSiV^ "
23S3378
K2Q ' !«§§
Q s ' .. ■ . ' Q.Ii
In ijedeim Fall i§1^ die mittlere Partikerlgr-9J|§ dergeringer als 1o. Mikron, . .
Das Gemisch aus Zinnoxid und ^"|iiP?ii53PiPxi4V §§1= §g vo,rkalzinier-t oder nipht, soll in der hal|>l§ittnd.en glasuF2; sammensetzung in einem Anteil γρίι | bis 1|tf gfie^f^ #§r samtfeststpffe in der |u§ammensetzung vorhanden isein, das Verhältnis von Zinnpxid zu Antimpn^rip.xia im. ge,rei§h k'.A bis 5p:1 liegt. Die mittlere^ fartiiE§lgrpfi!e iies§r Qxide beträgt vorzugsweise, weniger als. 0,5 Mikrpn? Elie, kleinen FartikelgFößen des Zinnpxids und d§§ Antimpntripxids und. dig geringeren Mengen, mit dengn in dgr glagursubstanz gerar|i§it.et wird, verbessern den negatiy§n ipempfraturkpeffi^ zientgn des Widerstands Und v§rb§s§ern die Kprrp§ipnsbe-. §täniigk§it und die. allgemeine £lei£?hf@3Pmigk§it der steh§nign gla§ur. In Fig. 1 igt der negative Tempers k@effizifnten bzw,, der Einfluß' der T.§mp!eratUiP auf den
Qberfläehenwiderstand d§r tntptehenden Glasu?» für halbleitende Glasuren dargestellt, 4ie
A09819/DIB13 \ "
- is -
Verwendung der "Einstufen"-Glasur (Kurve A), der "Zweistufen"-Glasur (Kurve B) und einer bekannten Substanz unter Verwendung von Blauzinnoxid (Kurve C) entstanden sind.
Bei der Verarbeitung von halbleitenden Glasuren ist festgestellt worden, daß der spezifische Glasurwiderstand sehr stark auf die maximale Brenntemperatur und im geringeren Maße auf die. Zeitdauer dieser maximalen Temperatur (bzw. Einwirkzeit) anspricht, ferner auch auf die Heizgeschwindigkeiten und die Kühlgeschwindigkeiten während des Brennvorganges. Weil die Ofentemperaturen in der Praxis niemals gleichförmig sind, können starke Änderungen in dem spezifischen Glasurwiderstand auftreten. Da der Gesamtwiderstand eines Isolators einigermaßen genau kontrolliert werden muß, kann das zu hohen Ausschußwerten führen. Es ist festgestellt worden, daß dieses Problem dadurch beseitigt werden kann, daß der Substanz eine geringe Menge Zinnoxid zugesetzt wird. Auf diese Weise kann ein Temperaturbereich von 25 bis 5o C zwischen 1200 und 1315 C (maximale Brenntemperatur) erzeugt werden, iddem der spezifische Glasurwiderstand im wesentliehen konstant bleibt. Der Effekt des Zinkoxids ist in Fig. 2 dargestellt, in der die Kurven AO, A1 und A2 die Beziehung zwischen dem spezifischen Widerstand und der maximalen Brenntemperatur für eine erste Glasursubstanz zeigen, der Zinkoxid in Mengen von 0,1 und 2 Gew.-% zugesetzt worden sind, und in der die Kurven BO, BO,5, BI, B2 die gleiche Beziehung für eine
- 9 4098 19/0813
andere Glasursubstanz darstellen, der Zinkoxid in den Mengen 0, 0,5, 1 und 3 Gew.-% zugesetzt worden ist. Es ist 'festgestellt worden, daß ein übermäßiger Anteil von Zinkoxid den negativen Temperatürkoeffizienten des spezifischen Glasurwider Standes erhöht und„radikal die mechanischen Eigenschaften der. Glasur beeinträchtigt. Aus diesem Grunde muß der Anteil von Zinkoxid auf 0,5 bis 3 Gew.-% der Gesamtfeststoffe in der Substanz begrenzt werden. -
Eine "Einstufen'.'-Glasursubstanz gemäß der Darstellung im Beispiel 3 wurde auf trockenes, ungebranntes Porzellan durch ein Tauchverfahren aufgetragen und bei 12600C sechs Stunden lang gebrannt, was zu spezifischen Oberflächenwiderständen im· Bereich von 16 bis 1 σο Megohm pro Flächeneinheit für Tauchzeiten im Bereich von 2obis to Sekunden führte, wie das durch die Kurve A in. Fig. 3 dargestellt ist. . ·
B ei s ρ i e 1 3 '.
" -Einstufen"- Glasur
SnO2 5 Gew.-% der Feststoffe " ''
/ Sb2O, . 1 Gew.-% der Feststoffe
' ZnO . 1 Gew.-% der Feststoffe
Grundglasursub- — -
stanz B 93 Gew.-% d.er Feststoffe
(Verhältnis von Wasser zu Feststoffen = 1.45) '■■._'. ■ 4Ό98Τ9708-1 3 '
'-1ο-
Eine "Zweistufen"-Glasursubstanz gemäß der Darstellung im Beispiel 4 wurde auf trockenes, ungebranntes Porzellan durch ein Tauchverfahren aufgetragen und bei 1260 sechs Studen lang gebrannt, was zu spezifischen Oberflächenwiderständen im Bereich von 4o bis 400 Megohm pro Flächeneinheit bei Tauchzeiten im Bereich von 2o bis 1o Sekunden führte, wie das durch die Kurve B in Fig.. 3 dargestellt ist. .
Beispiel 4 " Zweistufen"- Glasur
SnO2 + Sb2P^* 6 Gew.-% der Feststoffe
ZnO 1 Gew.-% der Feststoffe
Grundglasursubstanz B 93 Gew.-% der Feststoffe ( Verhältnis von Wasser zu Feststoffen = 1.3)
Das Sternchen bedeutete Teile SnOp auf ein Teil Sb?03» kalziniert bei 5450C für die Dauer von einer Stande und zwanzig Minuten. „ ' ; ' ' .'
Der negative Temperaturkoeffizient für dise beiden Glasuren beträgt gemäß der Darstellung in Fig. 1.weniger als O,35# pro 0C. Er ist etwa um das Dreifache geringer als der für Glasuren in bekannter Ausführung, bei denen Blauzinnoxid verwendet wird.
^09819/0813
Der spezifische Widerstand einer Glasur kann dadurch erhöht werden, daß 4er Anteil von SnO2 und Sb ^p% verringert wird, der in der Glasurschlämme vorhanden ist, oder er kann durch Erhöhen dieser Anteile verringert werden» Änderungen" in dem spezifischen Glasurwiderstand können auch dadurch bewirkt werden, daß die relativen Anteile von SnO2 und Sb2O, oder das Verhältnis von Wasser zu Feststoffen, der Anteil von Zinkoxid, die Partikelgrößen der verschiedenen Glasurkomponenten oder die Brenntemperatur und der Brennablauf geändert werden. Ferner kann der spezifische Widerstand einer aufgetragenen halbleitenden Glasur dadurch erhöht oder verringert werden, daß der Isolator nachgebrannt wird, auf den die Glasur aufgetragen worden ist, und zwar bei einer anderen Temperatur, als er zuerst gebrannt worden ist. '
. ■·■■.· - 12 -.
4098 19/08 13

Claims (7)

- 12 Patentansprüche
1. Halbleitende Glasur substanz, g e k e η η ζ, e i c h η e t durch eine Grundglasur mit Zinnoxid (SnO2)* Antimontrioxid (SbpO,) und Zinkoxid (ZnO), wobei das Zinnoxid und das Antimontrioxid in einem Anteil von 3 bis 12 Gew.-56 der Gesamtfeststoffe in der Substanz vorhanden sind und das Zinkoxid in einem Anteil von 0,5 bis 3 Gew.-% der Gesamtfeststoffe in der Substanz vorhanden ist.
2. Glasur substanz nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η ζ ei c h η e t, daß das Zinnoxid (SnO2) und das Antimontrioxid (Sb2O,,) als ein vorkalziniertes Gemisch eingebaut sind.
3. Glasursubstanz nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis von Zinnoxid zu Antimontrioxid im Bereich von 4:1 bis 50:1 liegt.
4. Glasursubstanz nach Anspruch Ϊ, 2 oder 3, dadurch gekennzei chne t, daß das Gewichtsverhältnis von Zinnoxid zu Antimontrioxid etwa 1o:1 beträgt.
5. Glasursubstanz nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere
-.-13-409819/0813
Partikelgröße der' Grundglasur weniger als 10 Mikron beträgt. . . * ;
6. Glasur sub s tanz nach Anspruch 5» d a durch g e k e η η ζ e i c h η et, daß die mittlere Partikelgröße des Zinnoxids und des Antimontrioxids weniger als
0,5 Mikron beträgt. - ,
7. Glasursubstanz nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t, ,daß.das Zink-. oxid in einem Anteil von 0,5 bis A,Q% der Gesamtfeststoffe in der Substanz vorhanden ist.
409819/0813
DE2353376A 1972-10-27 1973-10-25 Glasurmasse zur Herstellung halbleitender Überzüge auf Porzellanisolatoren Expired DE2353376C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US301340A US3888796A (en) 1972-10-27 1972-10-27 Semiconductive glaze compositions

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2353376A1 true DE2353376A1 (de) 1974-05-09
DE2353376B2 DE2353376B2 (de) 1978-10-26
DE2353376C3 DE2353376C3 (de) 1979-06-28

Family

ID=23162935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2353376A Expired DE2353376C3 (de) 1972-10-27 1973-10-25 Glasurmasse zur Herstellung halbleitender Überzüge auf Porzellanisolatoren

Country Status (16)

Country Link
US (1) US3888796A (de)
JP (1) JPS5314319B2 (de)
AR (1) AR196698A1 (de)
BE (1) BE806457A (de)
BR (1) BR7308286D0 (de)
CA (1) CA1006345A (de)
DE (1) DE2353376C3 (de)
ES (1) ES419958A1 (de)
FR (1) FR2204583B1 (de)
GB (1) GB1408210A (de)
IE (1) IE38408B1 (de)
IT (1) IT1004627B (de)
LU (1) LU68685A1 (de)
NL (1) NL7314784A (de)
NO (1) NO134004C (de)
ZA (1) ZA737827B (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS588564B2 (ja) * 1974-06-20 1983-02-16 松下電器産業株式会社 グレ−ズテイコウタイノ セイゾウホウホウ
US4098725A (en) * 1974-11-28 1978-07-04 Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Low thermal expansive, electroconductive composite ceramics
US3960779A (en) * 1975-04-21 1976-06-01 Canadian Porcelain Company Limited Semiconducting glaze composition
US4110260A (en) * 1975-09-25 1978-08-29 Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha (Tdk Electronics Co., Ltd.) Electroconductive composite ceramics
GB1501946A (en) * 1975-11-11 1978-02-22 Ngk Insulators Ltd Electrical insulators
GB1579245A (en) * 1977-05-02 1980-11-19 Ngk Insulators Ltd Electrical insulator with semiconductive glaze
US4187201A (en) * 1978-03-15 1980-02-05 Electro Materials Corporation Of America Thick film conductors
US4215020A (en) * 1978-04-03 1980-07-29 Trw Inc. Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
US4293838A (en) * 1979-01-29 1981-10-06 Trw, Inc. Resistance material, resistor and method of making the same
US4280931A (en) * 1979-08-14 1981-07-28 Zenith Radio Corporation Method and composition for electrically resistive material for television cathode ray tubes
SE507744C2 (sv) * 1996-11-06 1998-07-06 Ifoe Ceramics Ab Elektrisk isolator och sätt vid framställning av sådan isolator
PL206705B1 (pl) * 2002-09-13 2010-09-30 Ngk Insulators Ltd Półprzewodnikowy wyrób w postaci szkliwa, sposób wytwarzania wyrobu w postaci szkliwa oraz zastosowanie wyrobu w postaci półprzewodnikowego szkliwa
US8704097B2 (en) 2012-01-23 2014-04-22 General Electric Company High voltage bushing assembly
US8716601B2 (en) 2012-02-08 2014-05-06 General Electric Company Corona resistant high voltage bushing assembly
CN108218233B (zh) * 2018-02-07 2021-08-06 盐城工业职业技术学院 用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2857294A (en) * 1955-08-03 1958-10-21 Corning Glass Works Electroconductive article
US3383225A (en) * 1955-11-07 1968-05-14 Minnesota Mining & Mfg Acid-resistant enamels
US2909438A (en) * 1956-02-06 1959-10-20 Vitro Corp Of America Vitreous enamel compositions for aluminum and its alloys
US3095321A (en) * 1961-06-05 1963-06-25 American Lava Corp High hardness porcelain enamel composition, method of coating therewith and article produced thereby
GB1054163A (de) * 1964-05-18
US3493404A (en) * 1964-06-22 1970-02-03 Physical Sciences Corp Ceramic material
US3532524A (en) * 1966-10-06 1970-10-06 Owens Illinois Inc Glazing compositions and process
US3484284A (en) * 1967-08-15 1969-12-16 Corning Glass Works Electroconductive composition and method
US3607789A (en) * 1968-05-02 1971-09-21 Precision Electronic Component Electroconductive glaze and method for preparation
JPS4810925B1 (de) * 1969-09-27 1973-04-09
US3700606A (en) * 1970-09-30 1972-10-24 Air Reduction Electroconductive glaze and method for preparation

Also Published As

Publication number Publication date
BE806457A (fr) 1974-02-15
BR7308286D0 (pt) 1974-09-24
AU6138573A (en) 1975-04-17
NL7314784A (de) 1974-05-01
FR2204583A1 (de) 1974-05-24
IT1004627B (it) 1976-07-20
NO134004C (de) 1976-08-04
CA1006345A (en) 1977-03-08
FR2204583B1 (de) 1978-07-07
GB1408210A (en) 1975-10-01
DE2353376B2 (de) 1978-10-26
LU68685A1 (de) 1974-01-08
ES419958A1 (es) 1976-04-16
ZA737827B (en) 1974-09-25
NO134004B (de) 1976-04-26
IE38408L (en) 1974-04-27
US3888796A (en) 1975-06-10
AR196698A1 (es) 1974-02-12
IE38408B1 (en) 1978-03-01
JPS5314319B2 (de) 1978-05-16
DE2353376C3 (de) 1979-06-28
JPS4976096A (de) 1974-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3026200C2 (de) Nichtlinearer Widerstand
DE2353376A1 (de) Halbleitende glasursubstanz
DE1194539B (de) Widerstandsglasurmasse
DE2752559C3 (de) Dickschichtvaristor
DE2912402A1 (de) Glasartiges material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zu dessen herstellung
DE2520787B2 (de) Zündkerze mit Widerstand aus glasgebundenem Widerstandsmaterial K.K. Toyota Chuo Kenkyusho, Nagoya
DE2061670A1 (de) Spannungsabhangige Widerstände vom Oberflachensperrschichttyp
DE2052148C3 (de) Widerstandsmasse und deren Verwendung
DE2650211C2 (de) Keramischer Kondensator und Verfahren zur Herstellung
DE60301463T2 (de) Halbleitendes Glasur-Produkt, Methode zur Herstellung des Glasurproduktes und damit überzogener Isolator
DE3247224A1 (de) Zusammensetzungen fuer widerstaende und daraus hergestellte widerstaende
DE1097533B (de) Elektrischer Schichtwiderstand, insbesondere fuer Potentiometer, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1496544A1 (de) Glasmassen fuer elektrische Widerstandsschichten
DE1465704B2 (de) Widerstandsmasse zu. aufbrennen auf keramische widerstands koerper
DE2946679C2 (de)
DE3134584C2 (de)
DE2835562A1 (de) Material fuer einen glasartigen elektrischen widerstand und verfahren zu dessen herstellung
DE2604103C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktschichten auf keramischen Halbleiterkörpern u. Beschichtungsmaterial dafür
DE2065262C3 (de) Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Glasurmischungen auf Sn/Sb-Basis
DE3134586C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen mit stabförmigen Trägerkörpern
DE1193582B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandsschichten
DE2421861A1 (de) Keramik/metall-widerstandsmasse
DE973643C (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden oder halbleitenden Belaegen auf keramischen Isolierkoerpern
DE2731821C2 (de) Keramischer Kondensator
DE1640561A1 (de) Widerstandsmassen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee