DE2353376C3 - Glasurmasse zur Herstellung halbleitender Überzüge auf Porzellanisolatoren - Google Patents
Glasurmasse zur Herstellung halbleitender Überzüge auf PorzellanisolatorenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Glasurmasse auf der Basis einer SiO2-Al2O3-Grundglasur, der Zinnoxid
und Antimontnoxid zugemischt sind, zur Herstellung
eines halbleitenden Glasüber/uges auf Porzellanisdlatoren
bei Brenntemperaturen von 1200 bis 1315° C.
Eine solche Glasurmasse wird auf die Oberfläche des Isolators oder auf den ungebrannten Keramikkörper
des Isolators als wäßriger Schlicker aufgebracht und dann auf die Oberfläche aufgebrannt (GB-PS
982600, 1 112765 und 1213621). In der Praxis hat
es sich gezeigt, daß es erforderlich ist, das Zinnoxid in einer Menge von nicht weniger als 12,5 Gew.%,
bezogen auf die festen Komponenten der Masse, bt,s hinauf zu 45 Gew.% beizumischen, um eine Glasui masse
iuerhalten, die eine ausreichende Leitfähigkeit
besaß.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Glasurmasse dahingehend zu verbessern, daß sie die
gleiche, ausreichende Leitfähigkeit besitzt, ohne daß der Grundglasur derartige Mengen von Zinnoxid und
Antimontrioxid zugemischt werden müssen.
Dielte Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst* daß der GrundglasUf 3 bis 12,5 Gew.% Zitittlöxid
Und Antimontnoxid sowie 0,5 bis 3 Gew.% Zinkoxid, jeweils bezogen auf die festen KomporieiK-ten
der Masse, zugemischt sind, wobei die mittiefe
Partikcigröße des Zinnoxids Und des Antimontrioxids weniger als 0,5 μηι beträgt.
Die Vorteile, die mit einer derartigen Glasurmaae
erreicht werden können, sind:
a) eine zwei- bis dreifache Verringerung des negativen
Temperaturkoeffizienten des spezifischen Glasurwiderstandes im Vergleich zu den bekannten
halbleitenden Glasuren,
b) eine wesentlich verbesserte Korrosionsbeständigkeit der Glasur infolge des niedrigen Metalloxidgehaltes
und
c) geringere Kosten infolge von kleineren Anteilen der Metalloxide, die zum Erreichen der erforderlichen
Leitfähigkeit benötigt werden.
Der Zweck der Beigabe des Zinkoxides besteht darin, den spezifischen Glasurwiderstand in bezug auf
die Brenntemperatur zu stabilisieren.
ι? Vorzugsweise enthält die Glasurmasse das Zinnoxid
und das Antimontnoxid in einem Verhältnis im Bereich von 4:1 bis 50:1.
Besonders günstige Ergebnisse können erzielt werden, wenn die Glasurmasse das Zinnoxid und das An-
■20 timontrioxid in einem Verhältnis von 10:1 enthält.
Vorzugsweise enthält die Giasurmasse die Grundglasur in einer mittleren Partikelgröße von weniger
als ΙΟμηι und das Zinkoxid in einem Anteil von 0,5
bis 1 Gew.%, bezogen auf die festen Komponenten
.25 der Masse.
Beispiele von Glasurmassen zur Herstellung eines halbleitenden Glasüöerzuges auf Porzellanisolatoren
sind nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Änderung im spezifischen Oberflächenwiderstarid mit der Tem
peratur fur verschiedene Glasuren,
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Effekts der Eintauchzeit (währenddes Auftragens der Glasur) auf
den spezifischen Oberflächenwiderstand und Fig. 3 eine graphische Darstellung des Effekts der
Brenntemperatur auf den spezifischen Widerstand.
Grundsätzlich sind zwei verschiedene Arten von
halbleitenden Glasuren entwickelt vorden. In einer Ausführung, die nachstehend als eine »Einstufen«-
Glasur bezeichnet wird, werden das Zinnoxid und das Antimontrioxid in den richtigen Anteilen mit den
Grundglasurmateriahen und Wasser genascht, um einen
Glasurschlicker zu erzeugen. In der anderen Ausführung, die nachstehend als eine »Zweistufen« Glasur
bezeichnet wird, werden das Zinnoxid und das Antimontrioxid zunächst bei der optimalen Temperatur
vorkalziniert und dann gemahlen und in den richtigen Anteilen mit den Grundglasurmaterialien und
Wasser gemischt, um den Glasurschlicker zu erzeugen. In dem einen wie in dem anderen Fall wird der
Schlicker auf ungebrannte, jedoch trockene Porzellanisolatoren aufgebracht, oder er wird auf geschrühte
Porzellanisolatoren aufgetragen, und zwar durch Tauchen.
Aufspritzen oder Übergießen. Die Isolatoren werden dann in einem sorgfältig kontrollierten
Brennzyklus erhitzt, um die erforderlichen halbleitenden Eigenschaften der Glasur und die hohe mechanische
Festigkeit der Isolatorkörper und der Glasur entstehenzulassen.
Im Falle einer »Einstufen«-Glasür muß der Isolator
auf den die Glasur aufgetragen worden ist( auf eine Temperatur innerhalb des Bereiches gebracht
werdenj in dem die erforderlichen halbleitenden Eigenschaften
der Glasur Und die mechanischen Eigenschaften des Porzellanisolators erzeugt werden. Da
diese Eigenschaften ziemlich stark temperaturabhängig
sind, ist die Verwendung der »Einstüfen«-Gläsuf
O7C O / VJ
nur mit einei begrenzten Anzahl von Metalloxiden
möglich. Die »Zweistufene-Glasur bietet mehr Freiheit
beim getrennten Verarbeiten der halbleitenden Materialien bei ihren optimalen Kalzinierungstemperaturen.
Beispielsweise kann das Kalzinieren bei viel niedrigeren oder viel höheren Temperaturen durchgeführt
werden, als es erforderlich ist, um Porzellan und Beschichtungsglasuren guter Qualität entstehen
zu lassen. Verschiedene Metalloxide können in einer solchen halbleitenden Glasur verwendet werden.
Obgleich die Grundglasur- oder Deckglasursubstanz im allgemeinen einen gewissen Einfluß auf die
Eigenschaften der fertigen halbleitenden Glasur hat, sind verschiedene Substanzen mit guten Ergebnissen
verwendet worden. Zwei bevorzugte Grundglasurzusammensetzungen sind in den Beispielen 1 und 2 angegeben.
Beispiel 1 | 70,00 | 70,75 | |
•Jl UlIUgIC | isurzusamnicnbctzung A | 13,66 | 11,64 |
Komponente Ge\v.-% | 11,84 | 13.91 | |
SiO2 | 2,71 | 2,50 | |
Al2O3 | 0.76 | 0,6X | |
CaO | 0,34 | O,IS | |
K2O | 0,30 | 0,2« | |
Na2O | 0.09 | (!,06 | |
TiO2 | Beispiel 2 | ||
Fe2O, | Grundglasurzusammensetzung B | ||
MgO | Komponente Gew.-^ | ||
SiO2 | |||
Al2O, | |||
CaO | |||
K2O | |||
Na,O | |||
TiO | |||
Fe2O3 | |||
MgO |
In jedem Fall ist die mittlere Partikelgröße der Grundglasur geringer als 10 Mikron.
Die kleinen Partikelgrößen des Zinnoxids und des Antimontrioxids und die geringeren Mengen, mit denen
in der Glasursubstanz gearbeitet wird, verbessern den negativen Temperamrkoeffuienten des Widerstands
und verbessern die Korrosionsbeständigkeit und die allgemeine Gleichförmigkeit der entstehenden
Glasur. In Fig. 1 sind die negativen Temperaturkoeffizienten bzw. der Einfluß der Temperatur auf die
spezifischen Oberflächenwiderstände der entstehenden Glasuren graphisch dargestellt, die unter Verwendung
der »Einstufen«-Glasur (Kurve ,4), der
»Zweistufen«-Glasur (Kurve B) und einer bekannten Substanz unter Verwendung von Blauzinnoxid
(Kurve C) entstanden sind.
Bei der Verarbeitung von halbleitenden Glasuren ist festgestellt worden, daß der spezifische Glasurwiderstand
sehr stark auf die maximale Brenntemperatur Und im geringeren Maße auf die Zeitdauer dieser
maximalen Temperatur (bzw, Einwirkzeit) anspricht, ferner auch auf die Heizgeschwindigkeiten und die
Kühlgeschwindigkeiten Während des Brennvofganges. Weil die Ofentemperaturen in der Praxis niemals
gleichförmig sind, können starke Änderungen in dem spezifischen Glasurwiderstand auftreten. Da der Gesamtwiderstand
eines Isolators einigermaßen genau kontrolliert werden muß, kann das zu hohen Ausschußwerten
führen. Es ist festgestellt worden, daß dieses Problem dadurch beseitigt werden kann, daß
der Substanz eine geringe Menge Zinkoxid zugesetzt wird. Auf diese Weise kann ein Temperaturbereich
von 25 bis 50° C zwischen 1200 und 1315° C (maximale Brenntemperatur) erzeugt werden, in dem der
spezifische Glasurwiderstand im wesentlichen konstant bleibt. Der Effekt des Zinkoxids ist in Fig. 2
dargestellt, in er die Kurven AO, Al und A2 die Beziehung
zwischen dem spezifischen Widerstand und der maximalen Brenntemperatur für eine erste Glasursubstanz
zeigen, der Zinkoxid in Mengen von 0,1 und 2 Gew.% zugesetzx worden sind, und in der die
Kurven SO, B0,5, Bl, Bl die gleiche Beziehung für
eine andere Glasursubstanz darstellen, der Zinkoxid in den Mengen 0,0,5, 1 und 3 Gew « zugesetzt worden
ist. Es ist festgesieih worden, daß eir übermäßiger
Anteil von Zinkoxid den negativen Temperaturkoeffizienten des spezifischen Glasurwiderstandes erhöht
und radikal die mechanischen Eigenschaften der Glasur ' ecinträchtigt. Aus diesem Grunde muß der
Anteil von Zinkoxid auf 0,5 bis 3 Gew.% der Gesamtfesistoffe
in der Substanz begrenzt werden.
Eine »Einstufen«-Glasur gemäß der Darstellung im Beispiel 3 wurde auf trockenes, ungebranntes Porzel-
JO lan durch ein Tauchverfahren aufgetragen und bei
126ÜC C sechs Stunden lang gebrannt, was zu spezifischen
Oberflächenwiderständen im Bereich von 16 bis 100 Megohm pro Flächeneinheit für Tauchzeiten im
Bereich von 18 bis 12 Sekunden führte, wie das durch
Ji die Kurve A in Fig. 3 dargestellt ist.
»Einstufe η «-Glasur
5 Gew.-f* der Feststoffe
SnCi,
Sb,O,
ZnO
Grundglasursubstanz R
I Gew.-^ der Feststoffe
I Gew.-<7< der Feststoffe
93 Gew.-'* der Feststoffe
(Verhältnis von Wasser /u Fes'stoffen — 1.45)
Eine »Zweistufen«-Glasur gemäß der Darstellung im Beispiel 4 wurde auf trockenes, ungebranntes Porzellan
durch ein Tauchverfahren aufgetragen und bei 1260° C sechs Stunden lang gebrannt, was zu spezifischen
Oberflächenwiderständen im Bereich von 40 bis 400 Megohm pro Flächeneinheit bei Tauchzeiten irn
Bereich von 20 bis 12 Sekunden führte, wie das durch
die "f.urvp B in Fig. 3 dargestellt ist.
»Zweistufen«-Glasur
Sn(J2 + Sb2O,* 6 Gew-% der Feststoffe
ω ZnO I (_jew.-% der Feststoffe
Grundglasursubstanz B 93 Gew.-% der Feststoffe (Verhältnis von Wasser zu Feststoffen - 1,3)
Das Sternchen bedeutet 9 Teile SnO2 auf einen Teil
Sb2O,, kalziniert bei 345° C für die Dauer von einer
Stunde und zwanzig Mini'fen.
Der negative Temperaturkoeffizient Für diese beiden Glasuren beträgt gemäß der Darstellung in Fig. 1
weniger als 0,35% pro ° C. Er ist etwa um das Dreifache
geringer als der für Glasuren in bekannte Ausführung, bei denen Blauzinnoxid verwendet wird.
Der spezifische Widerstand einer Glasur kann dadurch erhöht werden, daß der Anteil von SnO2 und
Sb2O3 verringert wird, der in der Glasur vorhanden
ist, oder er kann durch Erhöhen dieser Anteile verringert werden. Änderungen in dem spezifischen
Glasurwiderstand können auch dadurch bewirkt wer^ den, daß das Verhältnis von SnO2. zu Sb2O3 oder das io ist.
Verhältnis von Wasser zu Feststoffe^ der Anteil an Zinkoxid, die Partikelgrößen der verschiedenen Glasurkomponenten
oder die Brenntemperatur und der Brennablauf geändert werden; Ferner kann der spezifische
Widerstand einer aufgetragenen halbleitenden Glasur dadurch erhöht oder verringert werden, daß
der Isolator, auf den die Glasur aufgetragen worden ist, nachgebrannt wird, und zwar bei einer anderen
Temperatur als der, bei der er zuerst gebrannt worden
Hierzu 2 BIaU Zeichnungen
Claims (6)
1. GIasurmasse auf Basis einer SiO1-Al1Q3-Grundglasur,
der Zinnoxid (SnO,) und Antimontrioxid zugemischt sind, zur Herstellung eines
halbleitenden Glasüberzuges auf Porzellanisolatoren bei Brenntemperaturen von 1200 bis
1315° C, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundglasur 3 bis 12,5 Gew.% Zinnoxid und Antimontrioxid
sowie 0,5 bis 3 Gew.% Zinkoxid, jeweils bezogen auf die festen Komponenten der Masse, zugemischt sind, wobei die mittlere Parr.ikelgröße
des Zinnoxids und des Antimonoxids weniger als 0,5 μΐη beträgt.
2. Glasurmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie das Zinnoxid und das Antimontrioxid
als vorcalciniertes Gemisch enthält.
3. Glasurmasse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie das Zinnoxid und
das Antimontnoxid in einem Verhältnis im Bereich
von 4:1 bis 50:1 enthält.
4. Glasurmasse nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß sie das Zinnoxid und
das Antimontnoxid in einem Verhältnis von 10:1 enthält.
5. Glasurmasse nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß sie die Grundglasur
in einer mittleren Partikelgröße von weniger als 10 pm enthält.
6. Glasur^ assc nachcirien^ der Arsspiüchi: I -5.
dadurch gekennzeichnet, daf sie das Zinkoxid in einem Anteil von 0,5 bis 1 Gew.%, bezogen auf
die festen Komponenten der Masse, enthält.
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