EP0413740A1 - VERFAHREN ZUM ERHÖHEN DER BESTÄNDIGKEIT VON HOCH-T c?-SUPRALEITERN GEGEN UMGEBUNGSEINFLÜSSE - Google Patents
VERFAHREN ZUM ERHÖHEN DER BESTÄNDIGKEIT VON HOCH-T c?-SUPRALEITERN GEGEN UMGEBUNGSEINFLÜSSEInfo
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 halogen hydrocarbon Chemical class 0.000 claims 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl chloride Chemical compound CC(C)(C)Cl NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/46—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with organic materials
- C04B41/49—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes
- C04B41/4905—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes containing silicon
- C04B41/4922—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes containing silicon applied to the substrate as monomers, i.e. as organosilanes RnSiX4-n, e.g. alkyltrialkoxysilane, dialkyldialkoxysilane
- C04B41/4933—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes containing silicon applied to the substrate as monomers, i.e. as organosilanes RnSiX4-n, e.g. alkyltrialkoxysilane, dialkyldialkoxysilane containing halogens, i.e. organohalogen silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/82—Coating or impregnation with organic materials
- C04B41/84—Compounds having one or more carbon-to-metal of carbon-to-silicon linkages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0716—Passivating
Definitions
- the present invention relates to a method for increasing the resistance of high-T c superconductors to environmental influences.
- the method involves treating a high-T c superconductor material in the form of powder, grains, thin layers or ceramic bodies with an organohalosilane, such as (CH 3 ) 3 SiCl.
- H 2 O which is adsorbed on the surface of the superconductor material, is removed with elimination of HCl, whereby (CH 3 ) 3 SiOH adsorbates are formed.
- Surface hydroxide groups typically surface groups of oxides
- Water-repellent (CH 3 ) 3 SiO groups are bound to the surface to be protected.
- the superconductor material treated in this way is not wetted by water and shows a considerably higher resistance to environmental influences than untreated material.
- an organohalosilane such as (CH 3 ) 3 SiCl.
- This process step is particularly effective in the case of oxidic high-T c solar conductor materials which are based on divalent element (E) and, if appropriate. on trivalent element (M) are slightly inferior.
- the superconducting oxides "impregnated" in this way are clearly water-repellent and are not wetted by liquid water. No significant deterioration in properties was observed after treatment with H 2 O for one week.
- alkylhalosilanes or halogenated hydrocarbons such as tertiary butyl chloride, (CH 3 ) 3 CC1, can of course also be used.
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Description
Verfahren zum Erhöhen der Beständigkeit von Hoch-Tc-Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erhöhender Beständigkeit von Hoch-Tc-Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse .
Eine der Hauptschwierigkeiten, die einer breiteren technischen Anwendung der in jüngerer Zeit bekannt gewordenen Hoch-Tc-Supraleitern entgegensteht, ist die Unbeständigkeit dieser Materialien gegen Umgebungseinflüsse, insbesondere Feuchtigkeit.
Durch die vorliegende Erfindung wird dieses Problem durch Einführen wasserabweisender Oberflächenschutzgruppen in die Oberfläche der Supraleitermaterialien ganz erheblich verringert, wenn nicht sogar praktisch behoben.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des vorliegenden
Verfahrens wird ein Hoch-Tc-Supraleitermaterial in Form von Pulver , Körnern, dünnen Schichten oder Keramikkörpern mit einem Organohaiogensilan, wie ( CH3 ) 3SiCl behandelt . H2O, das an der Oberfläche des Supraleitermaterials adsorbiert ist , wird dabei unter HCl-Abspaltung beseitigt, wobei ( CH3 ) 3SiOH-Adsorbate entstehen. Oberflächenhydroxidgruppen (typische Oberflächengruppen von Oxiden) werden ebenfalls unter HCl-Abspaltung umgewandelt . Hierbei werden an der zu schützenden Oberfläche wasserabstoßende ( CH3 ) 3SiO-Gruppen gebunden. Das so behandelte Supraleitermaterial wird von Wasser nicht benetzt und zeigt eine im Vergleich zu unbehandeltem Material ganz erheblich höhere Beständigkeit gegen Umgebungseinflüsse.
Bei einer bevorzugten Aus führungs form der vorliegenden
Erfindung wird das gegen Umgebungseinflüsse zu schützende
Supraleitermaterial vor der eigentlichen Oberflächenschutzbehandlung kurz mit H2O vorbehandelt . Dies geschieht zweckmäßigerweise durch Behandeln in einem feuchten, z. B.
H2O-gesättigten Argonstrom. Dieser Verfahrensschritt ist besonders wirksam bei oxidischen Hoch-Tc-Suoraleitermaterϊalien, welche an zweiwertigem Element (E ) und ggf . an dreiwertigem Element (M ) leicht unterschüssig sind.
Solche an E und ggf . M leicht unterschüssige Materialien sind in der deutschen Patentanmeldung P 38 05 954.1-45 vorgeschlagen und genauer beschrieben. Ein besonders bevorzugtes Material ist YBa 1 , 95Cu 3O 6, 45 + 0 ,25 Hier besteht auch nicht die Gefahr einer Ba (OH) 2- oder BaC03 -Bildung .
BEISPIEL : Ein Suoraleitermaterial vom Typ YBa 2-y Cu 3 O x
( x etwas kleiner als 7 ) in Form von Pulver , Granulat, einer dünnen Schicht oder einem geformten, gesinterten Körper wird einige Minuten einem feuchten Argon-Strom ausgesetzt, getrocknet und dann ca. 1 Stunde in flüssiges Silan (CH3 ) 3 SiCl eingetaucht. Anschließend werden das überschüssige Silan und die gebildete Chlorwasserstoffsäure HCl unter Unterdruck entfernt.
Die in dieser Weise " imprägnierten" supraleitenden Oxide sind deutlich wasserabweisend und werden von flüssigem Wasser nicht benetzt. Nach einwöchiger Behandlung mit H2O wurde noch keine wesentliche Verschlechterung der Eigenschaften beobachtet .
Anstelle des oben erwähnten Trimethylchlorsilans können selbstverständlich auch andere geeignete Alkylhalogensilane oder auch Halogenkohlenwasserstoffe wie tertiäres Butylchlorid, (CH3 ) 3CC1 , verwendet werden.
Claims
1. Verfahren zur Erhöhung der Beständigkeit von Hoch-T c Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Supraleiters mit wasserabweisenden Oberflächenschutzgruppen versehen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter mit einem Halcgenkohlenwasserstoff oder einem Organohalogensilan, insbesondere einem Alkylhalogensilan, behandelt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter mit (CH3)3SiCl behandelt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter vor der Oberfiächenschutzbehandlung mit H2O vorbehandeit wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorbehandlung mit einem feuchten Inertgasstrom erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter ein oxidisches Material ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Supraleitermaterial einen unterstöchiometrischen Anteil an zweiwertigem Element enthält.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3816029A DE3816029A1 (de) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | Verfahren zum erhoehen der bestaendigkeit von hoch-t(pfeil abwaerts)c(pfeil abwaerts)-supraleitern gegen umgebungseinfluesse |
DE3816029 | 1988-05-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP0413740A1 true EP0413740A1 (de) | 1991-02-27 |
Family
ID=6354116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP89905673A Withdrawn EP0413740A1 (de) | 1988-05-10 | 1989-05-10 | VERFAHREN ZUM ERHÖHEN DER BESTÄNDIGKEIT VON HOCH-T c?-SUPRALEITERN GEGEN UMGEBUNGSEINFLÜSSE |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0413740A1 (de) |
JP (1) | JPH04501700A (de) |
DE (1) | DE3816029A1 (de) |
WO (1) | WO1989010909A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2010335A1 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-09 | Ronald H. Baney | Method for protective coating superconductors |
DE4117489A1 (de) * | 1991-05-28 | 1992-12-03 | Siemens Ag | Chemische politur einer oberflaeche eines kupfer enthaltenden keramischen supraleiters |
DE4304573A1 (de) * | 1993-02-16 | 1994-08-18 | Forschungsgesellschaft Fuer In | Passivierungsschicht für Hochtemperatur-Supraleiter und Verfahren zu ihrer Aufbringung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1060424A (fr) * | 1952-07-19 | 1954-04-01 | Rhone Poulenc Sa | Procédé d'hydrofugation de corps solides |
FR1180848A (fr) * | 1956-08-09 | 1959-06-09 | Thomson Houston Comp Francaise | Papier de mica résistant à l'eau |
FR1323478A (fr) * | 1962-06-04 | 1963-04-05 | Dow Corning | Traitement de matières par des alkoxysilanes entraînés à la vapeur d'eau |
DE3635260A1 (de) * | 1986-10-16 | 1988-04-28 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum wasserabweisendmachen von saugfaehigen anorganischen baustoffen |
-
1988
- 1988-05-10 DE DE3816029A patent/DE3816029A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-05-10 EP EP89905673A patent/EP0413740A1/de not_active Withdrawn
- 1989-05-10 JP JP1505452A patent/JPH04501700A/ja active Pending
- 1989-05-10 WO PCT/EP1989/000511 patent/WO1989010909A1/de not_active Application Discontinuation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See references of WO8910909A1 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04501700A (ja) | 1992-03-26 |
WO1989010909A1 (en) | 1989-11-16 |
DE3816029A1 (de) | 1989-11-16 |
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|
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