DE2338355B2 - Widerstaende mit nichtlinearer stromspannungskennlinie - Google Patents

Widerstaende mit nichtlinearer stromspannungskennlinie

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DE2338355B2
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Yoshikazu Kobayashi
Takeshi Takatsuki Masuyama
Michio Hirakata Matsuoka
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    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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Description

Die Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen Widerstand, bestehend aus einem gesinterten Widerstandskörper mit einer Zusammensetzung, die als Hauptbestandteil Zinkoxid (ZnO) und als Zusätze in der Größenordnung von jeweils wenigen Mol-% Wismutoxid (Bi2O3), Antimonoxid (Sb2O3) und eine Manganverbindung aufweist, und mit an den gegenüberliegenden Oberflächen des Widerstandskörpers angebrachten Elektroden, wobei der gesinterte Widerstandskörper 0,1 bis 3,0% Wismutoxid (Bi2O3), 0,05 bis 3,0 Mol-% Antimonoxid (Sb2O3) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganfluorid (MnF2) enthält, nach Patent 23 10 437.
Ein spannungsabhängiger Widerstand, der neben Zinkoxid (ZnO) Zusätze von Wismutoxid (Bi2O3), Antimonoxid (Sb2O3) und einer Manganverbindung enthält und dessen Spannungsabhängigkeit auf die Masse selbst zurückzuführen ist, ist aus der DE-OS 02 452 bekanntgeworden.
Ferner ist ein spannungsabhängiger Widerstand auf der Basis von Zinkoxid bekanntgeworden, dem neben Anteilen von Wismutoxid und Cerfluorid auch Kobaltoxid und Manganoxid zugesetzt werden können (NL-OS 70 06 480).
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, einen spannungsabhängigen Widerstand der eingangs genannten Art im Hinblick auf einen hohen η-Wert auch in einem Bereich der Stromdichte über 10 A/cm2 bei einer gleichzeitigen hohen Leistungsaufnahme für Energiespitzen zu verbessern.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß das Manganfluorid (MnF2) durch Cerfluorid ersetzt ist
Weitere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen herausgestellt
Durch die Vermischung von Zinkoxid mit Wismutoxid, Antimonoxid und Cerfluorid wird überraschenderweise erreicht, daß man einen hohen Unterdrückungseffekt zur Unterdrückung der z. B. bei Blitzeinschlägen auftretenden Energie und außerdem nur einen kleinen Folgestrom erhält
Derartige Eigenschaften und Vorteile lassen sich weder durch eine Mischung von Zinkoxid mit Wismutoxid und Antimonoxid, noch durch eine Mischung von Zinkoxid mit Wismutoxid und Cerfluorid erreichen, und außerdem ergibt sich aus dem Stand der Technik kein Hinweis darauf, daß die erfindungsgemäße Zusammensetzung des Widerstandes die erzielten Vorteile herbeiführt
Anhand der Zeichnung wird eine bevorzugte
jo Ausführungsform der Erfindung näher erläutert. Die Figur zeigt eine teilweise Querschnittsansicht des spannungsabhängigen Widerstandes.
Bevor die spannungsabhängigen Widerstände im einzelnen beschrieben werden, soll deren Aufbau unter Bezugnahme auf die Figur erläutert werden, in der die Ziffer 10 einen spannungsabhängigen Widerstand bezeichnet, der als wirksames Element einen gesinterten Widerstandskörper 1 mit einem Paar Elektroden 2 und 3 enthält, die an den gegenüberliegenden Oberflächen des Widerstandskörpers angebracht sind. Der Sinterkörper 1 wird auf eine nachfolgend beschriebene Art und Weise hergestellt Leitungsdrähte 5 und 6 sind mit den Elektroden 2 und 3 durch ein Verbindungsmittel 4, wie z. B. ein Lötmittel od. dgl. leitend verbunden.
ν-, Der spannungsabhängige Widerstand besteht aus einem Sinterkörper aus Zinkoxid als Hauptbestandteil und Zusätzen von 0,1... 3,0 Mol-% Wismutoxid (Bi2O3), 0,05... 3,0 Mol-% Antimonoxid (Sb2O3) und 0,1... 3,0 Mol-% Cerfluorid (CeF3), wobei die Elektroden auf gegenüberliegende Oberflächen des Sinterkörpers aufgebracht sind. Ein solcher Widerstand ist infolge seiner Masse selbst spannungsabhängig. Sein C-Wert läßt sich also ohne Beeinträchtigung des n-Wertes durch Ändern des Abstandes zwischen den gegenüberliegenden Oberflächen einstellen. Er hat bei Stromdichten von mehr als 10 A/cm2 einen hohen n-Wert sowie eine hohe Stabilität gegen Stromstöße.
Bei Verwendung des erfindungsgemäßen Widerstandes als wirksames Element für einen Blitzableiter hat
bo dieser Blitzableiter einen geringeren Folgestrom als bisher erreichbar war.
Der Sinterkörper 1 läßt sich nach bekannten Verfahrensweisen der Keramiktechnik herstellen. Die oben erläuterten Ausgangsmaterialien der vorgehenden
b5 Beschreibung werden in einer Naßmühle vermischt, um eine homogene Mischung herzustellen. Die Mischungen werden getrocknet und in einer Form bei Drücken von 49 bis 490 bar zu der gewünschten Gestalt verpreßt Die
Preßkörper werden dann in Luft bei 1000 bis 145O0C eine bis zehn Stunden lang gesintert und dann auf Raumtemperatur (ca. 15 bis 30° C ofengekühlt Die Mischungen können bei 700 bis 1000° C vorkalziniert und gepulvert werden, um beim nachfolgenden Preßvorgang leichter behandelbar zu seia Der zu verpressenden Mischung kann, ein geeignetes; Bindemittel wie Wasser, Polyvinylalkohol usw. zugegeben werden. Vorzugsweise wird man die gegenüberliegenden Oberflächen des Sinterkörpers mit einem Schleifpulver läppen — beispielsweise Siliziumkarbid mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 50 bis ΙΟμπι. Die Sinterkörper werden mit Hilfe einer geeigneten Methode auf den gegenüberliegenden Oberflächen mit Elektroden verseben — beispielsweise durch Aufbringen eines Silberfarbbelages oder durch Aufdampfen oder Aufsprühen eines Metalls wie Al, Zn oder Sn.
Die Spannungsabhängigkeit wird von der Art der verwendeten Elektroden praktisch nicht beeinflußt, sie ist aber von der Dicke der Sinterkörper abhängig. Insbesondere ändert sich der C-Wert proportional mit der Dicke der Sinterkörper, während der n-Wert von der Dicke fast unabhängig ist. Daraus läßt sich mit Sicherheit ableiten, daß die Spannungsabhängigkeit auf
20 die Masse selbst zurückgeht, nicht jedoch auf die Elektroden.
Die Zuleitungsdrähte können an den Elektroden auf bekannte Weise durch Lot angebracht werden. Einfacherweise verwendet man auch einen leitenden Klebar aus Silberpulver und Harz in einem organischen Lösungsmittel. Die Widerstände nach der Erfindung haben eine hohe Stabilität gegenüber Wärme und Stromstößen, wobei eine Prüfung auf dip letztgenannte Eigenschaft nach der Norm No. 156 des Japanese Electro technical Committee (JEC) ausgeführt wurde. Der η- und der C-Wert änderten sich nach Durchlaufen der Heizzyklen und den Stromstoßtests nicht wesentlich. Für eine hohe Stabilität gegenüber Feuchtigkeit und Stromstößen ist es vorteilhaft, die Widerstände auf bekannte Weise in ein feuchtigkeitsfestes Harz — wie Epoxyharz oder Phenolharz — einzubetten.
Verwendet man die spannungsabhängigen Widerstände nach der Erfindung als wirksames Element von Blitzableitern, dann weisen diese wesentlich verbesserte Folgeströme und eine verbesserte Unterdrückung von Blitzstromstößen auf.
In den folgenden Beispielen werden Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert.
Beispiel
Das Ausgangsmaterial aus 98,0 Mol-% Zinkoxid, 0,5 Mol-% Wismutoxid, 1,0 Mol-% Antimonoxid und 0,5 Mol-% Cerfluorid wurde 24 Stunden in einer Naßmühle vermischt, die Mischung dann getrocknet und uiuer einem Druck von 245 bar in einer Form zu Scheiben von 40 mm Durchmesser und 25 mm Dicke verpreßt.
Die Preßkörper wurden in Luft unter den in der Tabelle 1 angegebenen Bedingungen gesintert und dann auf Raumtemperatur ofengekühlt. Die Sinterkörper wurden an den gegenüberliegenden Oberflächen mit Siliziumkarbidschleifpulver mit einem mittleren Teilehendurchmesser von 30 μηι auf die in der Tabelle 1 angegebenen Dicken abgeschliffen. Auf die gegenüberliegenden Oberflächen des Sinterkörpers wurde auf bekannte Weise eine Aluminiumschicht aufgesprüht
Die Tabelle 1 zeigt die elektrischen Eigenschaften der resultierenden Widerstandselemente. Sie zeigt daß der C-Wert sich etwa proportional zur Dicke des Sinterkörpers ändert, während der n-Wert im wesentlichen "dickenunabhängig ist Wie unmittelbar er 'htlich, ist die Spannungsabhängigkeit des Sinterkörpers auf die Masse selbst zurückzuführen.
Tabelle 1
Dicke
(mm)
(bei 1 mA)
0,1 bis 1 mA
Sinterbedingungen
20 (Ausgangswert) 1820 14
15 1345 14
10 910 13
5 455 14
20 (Ausgangswert) 1700 13
15 1260 13
10 855 12
5 430 12
20 (Ausgangswert) 3400 14
15 2620 14
10 1720 15
5 870 14
1200°C,5Std.
12O0°C,5Std.
1200°C,5Std.
1200°C,5Std.
13500C, 1 Std.
1350° C, 1 Std.
1350° C1I Std.
1350° C, 1 Std.
1000° C, 10 Std.
1000° C, 10 Std.
1000° C110 Std.
1000° C, 10 Std.
Beispiel
Zinkoxid mit Zusätzen von Wismutoxid, Antimonoxid und Cerfluorid in der Zusammensetzung der Tabelle 2 wurde auf die gleiche Weise wie im Beispiel 1 zu spannungsabhängigen Widerständen verarbeitet. Die Dicke war 20 mm. Die Tabelle 2 zeigt die resultierenden die /j-Werte zwischen 0,1 und 1 mA einerseits und 100 und 1000 A andererseits sind. Beim Impulstest wurden 2 Impulse von 4 χ ΙΟμβ und 1OkA angelegt. Wie ersichtlich, ergibt die Kombination von Wismutoxid, Antimonoxid und Cerfluorid als Zusätze hohe n-Werte
elektrischen Eigenschaften, wobei die Werte n\ und n2 und geringe Änderungen.
Sb2O3 5 23 38 355 n\ n2 6 nach dem Test (%) ΔΠ2
0,1 bis 100 bis
Tabelle 2 mA) 1 mA 1000 A Änderung An\
0,05 Elektrische Eigenschaften des 11 10 -8,0
0,05 CeF3 resultierenden Widerstandes 12 11 AC -7,7
3,0 C 11 10 -15 -7,6
Zusatz (Mol-%) 3,0 12 10 -17 -7,1
0,05 0,1 (bei 1 ι 12 12 -17 -14 -5,1
Bi2O3 0,05 3,0 1350 13 11 -16 -16 -7,3
3,0 0,1 1070 12 10 -16 -15 -4,4
3,0 3,0 1900 11 11 -16 -14 -4.6
0,1 1,0 0,1 1730 14 13 -15 -13 -3,7
0,1 3,0 2200 Beispiel 3 -17 -13
0,1 0,1 1940 -15 -12
0,1 3,0 2430 -16
3,0 0,5 2200 -13
3,0 1820
3,0
3,0
0,5
Zinkoxid mit den Zusätzen der Tabelle 3 wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 zu spannungsabhängigen Widerständen verarbeitet Die Tabelle 3 zeigt die resultierenden elektrischen Eigenschaften, ebenso wie
die Änderung von C und η nach dem Impulstest, der auf 25 2.
die gleiche Weise wie im Beispiel 2 ausgeführt wurde. Wie ersichtlich, ergibt die Zugabe von Kobaltoxid oder Manganoxid gemäß Patentanspruch 2 einen höheren n-Wert und geringere Änderungen als die des Beispiels
Tabelle 3 Sb2O3 CeF3 CoO MnO Elektrische Eigenschaften des "I m Änderung nach dem Test (%)
Zusatz (Mol-%) resultierenden Widerstandes 0,1 bis 100 bis
C 1 mA 1000 A AC An\ Ani
Bi2O3 0,05 0,1 0,1 _ 17 12
0,05 0,1 3,0 — (bei 1 mA) 17 !2
0,05 3,0 0,1 — 950 18 12 -14 -14 -8,2
0,1 3,0 0,1 0,1 — 1100 18 12 -14 -13 -5,6
0,1 0,05 0,1 0,1 — 920 17 13 -12 -12 -6,4
0,1 0,05 3,0 3,0 — 1300 18 13 -14 -13 -6,2
0,1 3,0 0,1 3,0 — 1120 20 12 -13 -14 -6,2
3,0 0,05 0,1 3,0 — 1080 21 13 -12 -12 -5,7
0,1 3,0 3,0 0,1 — 1310 20 13 -13 -11 -6,4
0,1 0,05 3,0 0,1 — 1290 19 12 -14 -12 -7,1
3,0 3,0 0,1 0,1 — 1230 18 13 -14 -12 -6,1
0,1 3,0 3,0 3,0 — 1)50 20 12 -13 -13 -5,4
3,0 0,05 3,0 3,0 — 1510 19 11 -13 -13 -6,1
3,0 3,0 0,1 3,0 — 1500 19 13 -14 -10 -5,3
0,1 3,0 3,0 0,1 — 1470 19 14 -12 -10 -7,2
3,0 3,0 3,0 3,0 — 1790 18 12 -11 -10 -4,8
3,0 1,0 0,5 0,5 — 1600 24 16 -13 -12 -5,9
3,0 0,05 0,1 — 0,1 1750 22 15 -12 -10 -6,2
3,0 0,05 0,1 — 3,0 1680 20 13 -10 -8,3 -3,0
0,5 0,05 3,0 — 0,1 1130 21 13 -13 -13 -7,1
0,1 3,0 0,1 — 0,1 1170 22 14 -14 -12 -5,1
0,1 0,05 0,1 — 0,1 950 22 15 -13 -13 -6,4
0,1 0,05 3,0 — 3,0 1400 20 14 -12 -12 -7,0
0,1 3,0 0,1 — 3,0 1140 20 13 -12 -12 -5,6
3,0 0,05 0,1 — 3,0 1150 19 15 -12 -12 -6,3
0,1 3,0 3,0 — 0,1 1420 19 14 -12 -13 -7,0
0,1 0,05 3,0 — 0,1 1400 21 15 -13 -11 -5,7
3,0 3,0 0,1 — 0,1 1390 19 14 -13 -12 -5,3
0,1 3,0 3,0 — 3,0 1330 20 13 -13 -11 -4,8
3,0 0,05 3,0 — 3,0 1760 20 14 -13 -13 -6,1
3,0 3,0 0,1 — 3,0 1620 20 15 -12 -12 -6,7
0,1 3,0 3,0 — 0,1 1610 23 14 -11 -12 -5,4
3,0 3,0 3,0 — 3,0 2000 22 14 -12 -14 -4,8
3,0 1,0 0,5 — 0,5 1740 25 18 -13 -13 -5,5
3,0 1950 -12 -12 -4,7
3,0 1800 -10 -8,0 -2,7
0,5
den führt die 3 Sb2O3 7 23 38 355 ) CeF3 CoO 0,1 Zugabe von 4 zeigt die 5 0,1 bzw. von 8 höheren η Werten i gemäß Patentan- die Änderungen von C 4 zeigt Änderung nach den m elektronische Verwendung Zyklen, in denen die 65 keitstest m 22 AC Δη\ 1 j C- und Wie ersichtlich, sind diese 5 zeigt
dem Verfahren des Zinnoxid oder 0,1 Wie ersicht- — — 0,5 und geringeren und η nach dem i d. resultierenden Widerstandes Test (%) (bei 1 mA) 0,1 Heizzyklustes Bauelemente gefunden hat. Der 0C Umgebungstemperatur bis 100 bis 19 Widerstände nach dem Heizzyklen- des n-Wertes der
Widerständen Tabelle 4 Beispiel 4 0,1 Chromoxid, — — - 10,0 Änderungen als die des Beispiels 3. Die Tabelle Impulstest, der dem des Beispiels 2 entsprach. C Widerstände umfaßte 5 gehalten, dann schnell auf -20° C abgekühlt und 30 min ImA 1000 A) 19 Ätl2 keitstest und dem Feuchtig-
resultierenden Zusätze (Mol-% 0,05 wurde nach 0,1 0,5 gemäß Patentanspruch 3 — — - 0,1 ebenfalls 1850 30 min auf 85 auf dieser Temperatur gehalten wurden. Der Feuchtig- 33 21 -10 -10 gering. Änderungen sehr
lieh, 0,05 1 zu spannungsabhängigen 0,1 0,5 — — 0,5 2040 40 25 - 9,2 - 9,1
Bi2O 0,05 Zusätzen der Tabelle 4 Die Tabelle 0,1 0,5 — — 10,0 Chromoxid und Siliziumoxic 2150 35 21 -10 - 8,2 -5,3 Die Tabelle
Zinkoxid mit 1,0 Beispiels elektrischen Eigenschaften. 0,5 3,0 — — 0,1 spruch 4 zu 2270 38 22 - 9,4 - 6,4 -3,8
1,0 verarbeitet. zusätzliche 0,5 3,0 — — 0,5 2800 45 20 - 8,0 - 5,8 -4,5
0,1 1,0 Siliziumoxid 0,5 3,0 - — 10,0 2650 37 18 - 9,5 -10 -3,9
0,1 3,0 3,0 0,1 0,05 - 0,05 0,1 Elektrische Eigenschaften 3050 37 22 - 9,7 - 7,3 -2,7 :
0,1 3,0 3,0 0,1 MnO SnO2 Cr2O3 SiO2 0,5 - 0,05 0,5 3300 38 18 -10 - 7,3 -4,2
0,5 3,0 3,0 0,1 3,0 0,05 10,0 3650 36 20 -10 - 9,4 -3,9 ;
0,5 0,05 0,1 0,5 0,05 - 0,5 0,1 2350 37 20 -11 - 8,4 -5,4 :
0,5 0,05 0,1 0,5 0,1 0,1 0,5 0,5 0,5 2480 40 27 -10 - 8,1 -6,3
3,0 0,05 0,1 0,5 0,1 0,5 3,0 - 0,5 10,0 2600 42 20 -10 - 8,1 -6,4
3,0 1,0 0,5 3,0 0,1 3,0 0,05 - 3,0 0,1 2720 39 20 - 9,1 - 7,4 -4,3
3,0 1,0 0,5 3,0 0,5 0,1 0,5 3,0 0,5 3500 49 23 - 7,0 - 6,2 -4,2
0,1 1,0 0,5 3,0 0,5 0,5 3,0 3,0 10,0 3200 42 21 - 8,5 - 7,1 -4,4
0,1 3,0 3,0 0,1 0,5 3,0 3800 42 21 - 9,7 - 9,2 -2,7
0,1 3,0 3,0 0,1 3,0 0,1 4100 38 22 -10 -10 -5,4
0,5 3,0 3,0 0,1 3,0 0,5 4600 37 20 - 9,6 - 9,3 -6,1
0,5 0,05 0,1 0,5 3,0 3,0 2450 37 21 - 9,4 -10 -6,2
0,5 0,05 0,1 0,5 0,1 2600 38 23 - 8,7 - 9,3 -6,6
3,0 0,05 0,1 0,5 0,1 - 6050 40 21 - 8,7 - 8,4 -5,0
3,0 1,0 0,5 3,0 0,1 - 2830 39 20 - 9,2 - 7,3 -6,2
3,0 1,0 0,5 3,0 0,5 3600 50 21 - 7,9 - 5,4 -4,9
0,1 1,0 0,5 3,0 0,5 5600 42 20 - 8,5 - 8,3 -3,8
0,1 3,0 3,0 0,1 0,5 3720 40 22 - 8,4 - 9,2 -2,5
0,1 3,0 3,0 0,1 3,0 - 4400 41 23 - 8,4 - 7,2 -5,7
0,5 3,0 3,0 0,1 3,0 - 8850 43 24 - 8,7 - 9,1 -6,2
0,5 0,05 0,1 0,5 3,0 2900 42 23 - 8,4 - 7,7 -5,9
0,5 0,05 0,1 0,5 0,1 - 3150 47 28 - 7,2 - 7,4 -5,7
3,0 0,05 0,1 0,5 0,1 4800 44 23 - 8,4 - 6,2 -5,2
3,0 1,0 0,5 3,0 0,1 - 3300 43 22 - 7,3 - 6,4 -5,4
3,0 1,0 0,5 3,0 0,5 4500 58 22 - 6,1 - 5,1 -6,1
0,1 1,0 0,5 3,0 0,5 - 5300 44 22 - 6,8 - 5,5 -6,8
0,1 3,0 3,0 0,5 - 4500 45 - 7,3 - 7,5 -2,0
0,1 3,0 3,0 3,0 5200 43 - 7,5 - 6,2 -4,5
0,5 3,0 3,0 3,0 - 9000 42 - 8,5 - 6,2 -4,3
0,5 3,0 - Beispiel 5 -5,4
0,5 0,1 Die Widerstände der Beispiele 2,3 und 4 wurden nach -5,3
3,0 0,1 - einem Verfahren geprüft, daß eine breite
3,0 0,1 - für wurde bei 40°C und 95% relativer Luftfeuch-
3,0 0,5 tigkeit 1000 Std. lang durchgeführt. I
0,5 die mittlere Änderung des
0,5 -
3,0
3,0
3,0 -
Tabelle 5
ίο
Probe Nr.
Heizzyklentest (%)
AC Am\
Feuchtigkeitstest (%)
AC An,
Beispiel 2 -4,8 -6,2 -5,0 -5,2 -6,7 -6,1
Beispiel 3 -2,9 -5,7 -3,6 -3,5 -5,2 -3,9
Beispiel 4 -1,8 -3,7 -1,3 -1,3 -3,8 -1,4
Beispiel 6
Aus den spannungsabhängigen Widerständen nach Beispiel 2, 3 und 4 wurden Blitzableiter mit einer Reihenschaltung von 3 Widerständen und einer Funkenstrecke aufgebaut. Der C-Wert der drei Widerstände betrug insgesamt etwa 7 kV. Der Impulstest wurde ausgeführt, indem man 2 Impulse von
Tabelle 6
Probe Nr.
Beispiel 2
Beispiel 3
Beispiel 4
4 χ 10 μβ und einer Stromdichte von 1500 A/cm2, die einer Wechselspannung von 3000 V überlagert waren, auflegte. Die Tabelle 6 weist Folgeströme von weniger als 1 μΑ aus, und die Änderung der elektrischen Eigenschaften war die gleiche wie nach dem Impulstest der Beispiele 2,3 und 4.
Folgestrom
unter 1 μΑ
unter 0,5 μΑ
unter 0,1 μΑ
Beispiel 7
Aus den spannungsabhängigen Widerständen der Beispiele 2,3 und 4 wurden Blitzableiter lediglich durch Serienschaltung von jeweils 3 Widerständen aufgebaut, d. h. also ohne zusätzliche Funkenstrecke. Der C-Wert betrug insgesamt etwa 7000 V. Der Impulstest wurde genauso durchgeführt wie in Beispiel 6 beschrieben. Der Folgestrom ergab sich zu weniger als 1 μΑ, wie in der jo Tabelle 6, und die Änderungen der elektrischen Eigenschaften nach den Tests waren die gleichen wie nach den Impulstests der Beispiele 2, 3 und 4. In weiteren Impulstests wurden Impulse mit einer Anstiegszeit von 0,01 μ5 angelegt. Hierbei war die
J5 Anstiegszeit des durch den Ableiter fließenden Stromes kürzer als 0,05 μ5.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Spannungsabhängiger Widerstand, bestehend aus einem gesinterten Widerstandskörper mit einer Zusammensetzung, die als Hauptbestandteil Zinkoxid (ZnO) und als Zusätze in der Größenordnung von jeweils wenigen Mol-% Wismutoxid (Bi2O3), Antimonoxid (Sb2O3) und eine Manganverbindung aufweist, und mit an den gegenüberliegenden Oberflächen des Widerstandskörpers angebrachten Elektroden, wobei der gesinterte Widerstandskörper 0,1 bis 3,0% Wismutoxid (Bi2O3), 0,05 bis 3,0 Mol-% Antimonoxid (Sb2O3) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganfluorid (MnF2) enthält, nach Patent 23 10437, dadurch gekennzeichnet, daß das Manganfluorid (MnF2) durch Cerfluorid (CeF3) ersetzt ist
2. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gesinterte Widerstandskörper (1) zusätzlich noch 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) oder 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) enthält
3. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gesinterte Widerstandskörper (1) zusätzlich noch 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) und 0,05 bis 3,0 Mol-% Chromoxid (Cr2O3) oder 0,1 bis 3,0 Mol-% Zinnoxid (SnO2) oder 0,1 bis 10,0 Mol-% Siliziumdioxid (SiO2) enthält
4. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gesinterte Widerstandskörper (1) zusätzlich noch 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO), 0,05 bis 3,0 Mol-% Chromoxid (Cr2O3) und 0,1 bis 10,0 Mol-% Siliziumdioxid (SiO2) enthält, wobei der Gehalt an dem Hauptbestandteil Zinkoxid (ZnO) 99,4 bis 72 Mol-% beträgt.
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