DE2304647C2 - Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper

Info

Publication number
DE2304647C2
DE2304647C2 DE2304647A DE2304647A DE2304647C2 DE 2304647 C2 DE2304647 C2 DE 2304647C2 DE 2304647 A DE2304647 A DE 2304647A DE 2304647 A DE2304647 A DE 2304647A DE 2304647 C2 DE2304647 C2 DE 2304647C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
conductivity type
area
producing
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2304647A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2304647A1 (de
Inventor
Wolfgang Dipl.-Phys. 8021 Taufkirchen Wenzig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2304647A priority Critical patent/DE2304647C2/de
Priority to NL7400646A priority patent/NL7400646A/xx
Priority to GB248774A priority patent/GB1428302A/en
Priority to IT19803/74A priority patent/IT1006157B/it
Priority to FR7403136A priority patent/FR2216675B1/fr
Publication of DE2304647A1 publication Critical patent/DE2304647A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2304647C2 publication Critical patent/DE2304647C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
DE2304647A 1973-01-31 1973-01-31 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper Expired DE2304647C2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2304647A DE2304647C2 (de) 1973-01-31 1973-01-31 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
NL7400646A NL7400646A (enExample) 1973-01-31 1974-01-17
GB248774A GB1428302A (en) 1973-01-31 1974-01-18 Production of doped zones in semiconductor bodies
IT19803/74A IT1006157B (it) 1973-01-31 1974-01-25 Procedimento per formare una zona drogata in un corpo di materiale semiconduttore
FR7403136A FR2216675B1 (enExample) 1973-01-31 1974-01-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2304647A DE2304647C2 (de) 1973-01-31 1973-01-31 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2304647A1 DE2304647A1 (de) 1974-08-01
DE2304647C2 true DE2304647C2 (de) 1984-06-28

Family

ID=5870476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2304647A Expired DE2304647C2 (de) 1973-01-31 1973-01-31 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper

Country Status (5)

Country Link
DE (1) DE2304647C2 (enExample)
FR (1) FR2216675B1 (enExample)
GB (1) GB1428302A (enExample)
IT (1) IT1006157B (enExample)
NL (1) NL7400646A (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2056168A (en) * 1979-08-01 1981-03-11 Gen Instrument Corp Method of fabricating P-N junction with high breakdown voltage
DE3017313A1 (de) * 1980-05-06 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hoher blockierspannung und verfahren zu seiner herstellung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3197710A (en) * 1963-05-31 1965-07-27 Westinghouse Electric Corp Complementary transistor structure

Also Published As

Publication number Publication date
DE2304647A1 (de) 1974-08-01
IT1006157B (it) 1976-09-30
FR2216675A1 (enExample) 1974-08-30
NL7400646A (enExample) 1974-08-02
FR2216675B1 (enExample) 1978-11-10
GB1428302A (en) 1976-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3853778T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements.
DE112010005271B4 (de) Bipolare Halbleitervorrichtungen
DE2823967C2 (enExample)
DE2238450C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE2703877A1 (de) Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge
DE2419019C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sperrschichtfeldeffekttransistors
DE69427904T2 (de) Integrierte Halbleiterdiode
WO2001024276A1 (de) Ladungskompensationshalbleiteranordnung
DE1941075A1 (de) Oberflaechensperrschicht-Diode und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2357376A1 (de) Mesa-thyristor und verfahren zum herstellen von mesa-thyristoren
DE10127950B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
DE1614929A1 (de) Elektrisches Halbleiterelement
DE2006729C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode
DE2304647C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
DE3421927A1 (de) Vertikal-mos-transistor
DE2930780C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines VMOS-Transistors
DE10337808B3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit Ladungskompensationsstruktur
DE3005627A1 (de) Verfahren zum herstellen einer mehrstufen-mesa
DE1464703C3 (enExample)
DE102004060210A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Trenndiffusionszone
DE3205458C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit einer I↑2↑L-Schaltungsanordnung und einem der mehreren hochsperrenden Transistoren
CH670172A5 (enExample)
DE2851186A1 (de) Transistor vom mesatyp und verfahren zur herstellung dieses transistors
DE2363577A1 (de) Kombination aus einem bipolaren transistor und einem mos-feldeffekttransistor
DE1489031C (de) Transistor mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee