IT1006157B - Procedimento per formare una zona drogata in un corpo di materiale semiconduttore - Google Patents
Procedimento per formare una zona drogata in un corpo di materiale semiconduttoreInfo
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- IT1006157B IT1006157B IT19803/74A IT1980374A IT1006157B IT 1006157 B IT1006157 B IT 1006157B IT 19803/74 A IT19803/74 A IT 19803/74A IT 1980374 A IT1980374 A IT 1980374A IT 1006157 B IT1006157 B IT 1006157B
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2304647A DE2304647C2 (de) | 1973-01-31 | 1973-01-31 | Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| IT1006157B true IT1006157B (it) | 1976-09-30 |
Family
ID=5870476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| IT19803/74A IT1006157B (it) | 1973-01-31 | 1974-01-25 | Procedimento per formare una zona drogata in un corpo di materiale semiconduttore |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2304647C2 (enExample) |
| FR (1) | FR2216675B1 (enExample) |
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| IT (1) | IT1006157B (enExample) |
| NL (1) | NL7400646A (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2056168A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-11 | Gen Instrument Corp | Method of fabricating P-N junction with high breakdown voltage |
| DE3017313A1 (de) * | 1980-05-06 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit hoher blockierspannung und verfahren zu seiner herstellung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3197710A (en) * | 1963-05-31 | 1965-07-27 | Westinghouse Electric Corp | Complementary transistor structure |
-
1973
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-
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- 1974-01-30 FR FR7403136A patent/FR2216675B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| FR2216675B1 (enExample) | 1978-11-10 |
| GB1428302A (en) | 1976-03-17 |
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