DE2243285A1 - Verfahren zur herstellung einer isolierenden schicht - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer isolierenden schicht

Info

Publication number
DE2243285A1
DE2243285A1 DE2243285A DE2243285A DE2243285A1 DE 2243285 A1 DE2243285 A1 DE 2243285A1 DE 2243285 A DE2243285 A DE 2243285A DE 2243285 A DE2243285 A DE 2243285A DE 2243285 A1 DE2243285 A1 DE 2243285A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
insulating layer
semiconductor
additional material
additional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2243285A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Leon H Kaplan
Francis Joseph Montillo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2243285A1 publication Critical patent/DE2243285A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6309—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/6322—
    • H10W74/43—
    • H10P14/6342—

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE2243285A 1971-09-27 1972-09-02 Verfahren zur herstellung einer isolierenden schicht Withdrawn DE2243285A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18383371A 1971-09-27 1971-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2243285A1 true DE2243285A1 (de) 1973-04-05

Family

ID=22674479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2243285A Withdrawn DE2243285A1 (de) 1971-09-27 1972-09-02 Verfahren zur herstellung einer isolierenden schicht

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS5338916B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
CA (1) CA974153A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2243285A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2154664B1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1407222A (cg-RX-API-DMAC10.html)
IT (1) IT964137B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8507601D0 (en) * 1985-03-23 1985-05-01 Standard Telephones Cables Ltd Integrated circuits
US5262336A (en) * 1986-03-21 1993-11-16 Advanced Power Technology, Inc. IGBT process to produce platinum lifetime control
KR910006164B1 (ko) * 1987-03-18 1991-08-16 가부시키가이샤 도시바 박막형성방법과 그 장치
US6838741B2 (en) * 2002-12-10 2005-01-04 General Electtric Company Avalanche photodiode for use in harsh environments

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5338916B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1978-10-18
CA974153A (en) 1975-09-09
FR2154664A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1973-05-11
GB1407222A (en) 1975-09-24
IT964137B (it) 1974-01-21
FR2154664B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1976-05-21
JPS4842678A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1973-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19829309B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid
DE1564963C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements
DE1589810A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1514038C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekt-Transistors mit isolierter Steuerelektrode
DE2259829C3 (de) Verfahren zur anodischen Bildung einer Oxidschicht auf mindestens 5% Gallium enthaltenden Verbindungshalbleitern, insbesondere GaP1GaAs, AlGaP, InGaP und InGaAs in einem wässrigen Elektrolyten
DE2513459A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
WO2002013275A1 (de) Elektronisches bauelement und herstellungsverfahren für ein elektronisches bauelement
DE1614540B2 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zu seiner herstellung
DE1489258C2 (de) Verfahren zum Herstellen des Stromkanals eines Feldeffekttransistors
DE1941279B2 (de) Feldeffekttransistor und verfahren zu seiner herstellung
DE1589899B2 (de) Halbleiteranordnung mit einem mehrschichtigen Isolierfilm und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3850632T2 (de) Supraleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE2243285A1 (de) Verfahren zur herstellung einer isolierenden schicht
DE2111633A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors
DE19612692C1 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid und Verwendung des Verfahrens
DE1923035A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit Passivierfilm
DE3212071A1 (de) Dielektrischer koerper vom intergranularen isoliertyp und verfahren zur herstellung desselben
DE3915594A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2063726B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2107991A1 (de) Hochleistungs Halbleiterbauelement. insbesondere Transistor, und Verfahren zum Herstellen dieses Bauelements
DE1589866A1 (de) Halbleiterbauelement mit einem Schutzueberzug und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2700094A1 (de) Verfahren zum herstellen von hybridoxiden
DE19721114B4 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid und Verwendung des Verfahrens
DE2533897C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus InSb
DE2013625A1 (de) Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8130 Withdrawal