Eine für feldgesteuerte Halbleiterbauelemente
verbreitet eingesetzte Struktur ist die Metall-Oxid-Halbleiter(MOS)-Struktur,
die aufgebaut ist aus einem Halbleiter, einem auf dem Halbleiter
angeordneten dielektrischen Oxid und einer Gateelektrode auf dieser
Oxidschicht. Durch Anlegen einer Gatespannung an die Gateelektrode
kann der elektrische Widerstand in einem an das Oxid angrenzenden
Kanalgebiet im Halbleiter gesteuert werden.
Die für die Funktion und Stabilität von MOS-Bauelementen
entscheidenden elektrischen Eigenschaften einer MOS-Struktur werden
im wesentlichen durch die Eigenschaften der Grenz fläche zwischen
dem Oxid und dem Halbleiter und die Eigenschaften des Oxidvolumens
geprägt.
Die Eigenschaften der Grenzfläche
zwischen Oxid und Halbleiter umfassen die Dichte der festen Ladungen
und die Dichte der umladbaren Zustände und können durch Messung der Kapazität C der
MOS-Struktur in Abhängigkeit
von der angelegten Gatespannung (CV-Messung) ermittelt werden. Die
festen Ladungen und umladbaren Zustände an der Grenzfläche verschieben
einerseits die Einsatzspannung, d.h. die Gatespannung, ab der sich
ein leitfähiger
Inversionskanal im Halbleiter ausbildet, und verringern andererseits
die Beweglichkeit der Ladungsträger
im Inversionskanal. Die Volumeneigenschaften des Oxids umfassen
den Leckstrom durch das Oxid bei niedrigen Feldstärken sowie
die Durchbruchsfeldstärke
und können
durch Messung des Stromes I durch die MOS-Struktur in Abhängigkeit
von der angelegten Gatespannung (IV-Messung) charakterisiert werden. Der
Leckstrom im Oxid darf während
des Betriebs des MOS-Bauelements nicht zu hoch werden, da sonst
durch Ladungsträgerinjektion in
das Oxid die Eigenschaften des MOS-Bauelements verändert werden
und eine Langzeitstabilität
des Bauelementes nicht mehr gewährleistet
ist. Eine wesentliche Voraussetzung für MOS-Bauelemente ist somit
ein Herstellungsprozeß zum
Erzeugen hochwertiger Oxidschichten auf dem für die MOS-Struktur vorgesehenen
Halbleiter.
Zum Herstellen einer Oxidschicht
auf dem Halbleiter Siliciumcarbid (SiC) ist neben chemischer Dampfphasenabscheidung
(CVD) die thermische Oxidation des SiC bekannt. Bei der thermischen
Oxidation wird die zu oxidierende Oberfläche des SiC bei Prozefltemperaturen
von typischerweise größer 1100°C einer sauerstoffhaltigen
Gasatmosphäre ausgesetzt.
Der Sauerstoff reagiert chemisch mit dem SiC unter Bildung von Siliciumdioxid
(SiO2) und flüchtigen Kohlenstoffoxid. Bei
diesem thermischen Oxidationsprozeß wird das SiC-Material von
seiner Oberfläche
her aufgebraucht und die SiO2-Schicht wächst in
den SiC-Halbleiter hinein.
Man unterscheidet zwei Grundtypen
der thermischen Oxidation, die trockene Oxidation und die feuchte
Oxidation (Naßoxidation).
Bei der trockenen Oxidation enthält
die Oxidations-Gasatmosphäre Sauerstoff
mit einem möglichst
geringen Wassergehalt, beispielsweise mit einer Restfeuchte von
unter 5 ppm. Bei der feuchten Oxidation wird Wasserdampf als wesentlicher
Bestandteil der Oxidationsatmosphäre verwendet.
Aus E. Stein v. Kamienski et al ., „Defects
in differently annealed oxides on 4H- and 6H SiC", Technical Digest
of International Conference on SiC and Related Materials, Kyoto,
Japan, 1995, Seiten 211–212
ist ein Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf SiC des 4H-
und des 6H-Polytyps durch trockene Oxidation oder feuchte Oxidation
bei einer Prozeßtemperatur
von 1150°C
bekannt. Es wird angegeben, daß die
feuchte Oxidation zu besseren Ergebnissen hinsichtlich der festen
Ladungen führt
als die trockene Oxidation. Das bereits oxidierte SiC wird zum Ausheilen
einer auf die Oxidation folgenden Nachbearbeitung (Folge-Ausheilung)
(Post-Oxidation-Anneal) in einer Inertgasatmosphäre mit Argon (Ar) oder Stickstoff
(N2) bei einer Temperatur von 1150°C unterzogen.
Durch die Folge-Ausheilung werden nach den Angaben der Autoren die
Dichte der Grenzflächenladungen
und der festen Ladungen sowie der Elektronenhaftstellen im Oxid
deutlich reduziert.
In A. Rys et al., „Modeling
and Characterization of Thermally Oxidized 6H Silicon Carbide, Journal
of Electrochemical Society, Vol. 142, No. 4, April 1995, Seiten
1318–1322
wird ein Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf SiC des 6H-Polytyps angegeben,
bei dem das SiC in einer feuchten Oxidationsatmosphäre bei Temperaturen
zwischen 1100°C und
1250°C oxidiert
wird. Die feuchte Oxidationsatmosphäre wird präpariert, indem Sauerstoff durch destilliertes
Wasser bei 95°C
geleitet wird (Wasserpfeiffenprinzip). Nach der Oxidation wird eine
Folge-Ausheilung in einer Gasatmosphäre mit Argon, Stickstoff, Wasserstoff
oder Helium durchgeführt.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe
zugrunde, ein Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid
durch thermische Oxidation anzugeben, so daß die Oxidschicht in einer
MOS-Halbleiterstruktur vorteilhafte elektrische Eigenschaften zeigt.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung
gelöst
mit den Merkmalen der Ansprüche
1 bzw. 2 bzw. 3. Das Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf
Siliciumcarbid umfaßt
zwei nacheinander auszuführende
Oxidationsschritte. In einem ersten Oxidationsschritt wird das Siliciumcarbid
an einer Oberfläche
in einer Gasatmosphäre,
die einen wenigstens zehnmal größeren Anteil
an Sauerstoff als an Wasser enthält, bei
einer oder mehreren Prozeßtemperaturen
zwischen 800° und
1500°C oxidiert.
In einem zweiten Oxidationsschritt wird das nun bereits an seiner
Oberfläche
mit einer Oxidschicht versehene Siliciumcarbid in einer Gasatmosphäre mit einem über dem
0,15fachen eines Sauerstoffanteils liegenden Anteil an Wasser bei
einer oder mehreren Prozeßtemperaturen
zwischen 800°C
und 1500°C
weiter oxidiert. Wenigstens einer der beiden Oxidationsschritte
wird erfindungsgemäß bei mindestens
einer Temperatur durchgeführt,
die außerhalb
des Bereichs von 1000°C
bis 1300°C
liegt. Der erste Oxidationsschritt entspricht einer trockenen thermischen Oxidation
des Siliciumcarbids, während
der zweite Oxidationsschritt einer feuchten thermischen Oxidation
des Siliciumcarbids entspricht.
Aus der
DE 19612692 C1 ist als
Lösung
der Aufgabe ein Verfahren bekannt, das auf der thermischen Oxidation
von Siliciumcarbid in einem Temperaturbereich zwischen 1000°C und 1300°C beruht. Hierbei
macht man sich die durch experimentelle Untersuchungen gewonnene
Erkenntnis zunutze, daß die
Eigenschaften der Grenzfläche
zwischen einer thermisch gewachsenen Oxidschicht und Siliciumcarbid
bei feuchter Oxidation besser sind als bei trockener Oxidation,
und daß umgekehrt
die Volumeneigenschaften des thermisch auf dem Siliciumcarbid gewachsenen
Oxids bei trockener Oxidation besser sind als bei feuchter Oxidation.
Ausgehend von dieser Erkenntnis wird das Siliciumcarbid nicht wie
beim Stand der Technik mit nur einer Oxidationsart (trocken oder
feucht) oxidiert, sondern durch Kombination der beiden Oxidationstypen
in der angegebenen, besonderen Reihenfolge, nämlich erst die trockene Oxidation
und dann feuchte Oxidation. Durch diese besondere Kombination der
beiden Oxidationstypen werden die guten Grenzflächeneigenschaften zwischen
Oxidschicht und Siliciumcarbid einer feuchten Oxidation und zugleich
die guten Volumeneigenschaften in der Oxid schicht einer trockenen
Oxidation erreicht, bezüglich
der elektrischen Eigenschaften also die Vorzüge der trockenen mit denen
der feuchten Oxidation vereinigt.
Die vorliegende Erfindung beruht
auf der Erkenntnis, daß das
Verfahren aus der früheren,
nicht vorveröffentlichten
Anmeldung auch in einem im Vergleich dazu nach beiden Seiten hin
erweiterten Temperaturbereich durchgeführt werden kann. So erlaubt es
das erfindungsgemäße Verfahren,
durch Wahl einer besonders großen
oder besonders kleinen Temperatur für die durchzuführenden
Oxidationsschritte auf etwaige Erfordernisse der Prozeßführung Rücksicht
zu nehmen. Durch die Wahl einer besonders hohen Temperatur (jenseits
von 1300°C)
können
so beispielsweise aufgewachsene Kristallstrukturen besser ausgeheilt
und implantierte Fremdatome besser aktiviert werden. Durch Wahl
einer besonders niedrigen Temperatur können beispielsweise andere,
bereits auf der Kristallstruktur aufgebrachte Strukturen vor thermischer
Schädigung
bewahrt werden. Die Güte der
entstehenden Oxidschichten wird dabei nicht in Frage gestellt, mit
abnehmender Temperatur muß lediglich
mit einer längeren
Dauer des Verfahrens bei gleicher erwünschter Ausbeute gerechnet
werden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des Verfahrens ergeben sich aus den von den Ansprüchen 1,
2 bzw. 3 jeweils abhängigen
Ansprüchen.
Vorzugsweise wird bei einem der beiden
Oxidationsschritte, für
den an sich ein Temperaturintervall zwischen 1000°C und 1300°C vorgesehen
sein soll, mindestens eine Prozeßtemperatur zwischen 1050°C und 1250°C eingestellt.
Das Verhältnis von Sauerstoffanteil
zu Wasseranteil in der Gasatmosphäre beim ersten Oxidationsschritt
wird ferner vorzugsweise auf wenigstens 106 :
1 (eine Million zu eins) eingestellt.
Beim zweiten Oxidationsschritt wird
dieses Verhältnis
von Sauerstoffanteil zu Wasseranteil in der Gasatmosphäre dagegen
in einer vorteilhaften Ausführungsform
unter 1 : 10 eingestellt.
Im Anschluß an den zweiten Oxidationsschritt
wird in einer besonders vorteilhaften Ausführungsform das an seiner Oberfläche oxidierte
Siliciumcarbid in einem ersten Folge-Ausheilungs-Schritt einer Gasatmosphäre mit einem
Inertgasanteil von wenigstens 90 % bei Prozeßtemperaturen zwischen 800°C und 1500°C ausgesetzt.
Dadurch können Ausheilprozesse
in der aufgewachsenen Oxidschicht stattfinden. Die Unterschiede
der elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Oxide zwischen trockener und
feuchter Oxidation bleiben auch nach diesem technologischen Ausheilschritt
erhalten.
Ferner kann das an seiner Oberfläche oxidierte
Siliciumcarbid nach dem zweiten Oxidationsschritt auch in einer
Feuchtoxidations-Gasatmosphäre
abgekühlt
werden.
Vorteilhaft ist auch ein Abkühlen des
an seiner Oberfläche
oxidierten Siliciumcarbid nach dem ersten Folge-Ausheilungs-Schritt in einem
zweiten Folge-Ausheilungs-Schritt in einer Gasatmosphäre mit einem
Inertgasanteil von wenigstens 90 %. Der Inertgasanteil kann Stickstoff
oder auch wenigstens ein Edelgas enthalten.
Da die feucht oxidierte Teilschicht
der Oxidschicht nur für
die Grenzfläche
zum SiC benötigt wird,
kann die Dicke dieser Teilschicht deutlich geringer sein als die
Dicke der trocken oxidierten Teilschicht. Vorzugsweise wird mit
dem ersten Oxidationsschritt deshalb wenigstens 80 % der Schichtdicke der
Oxidschicht an der Oberfläche
des Siliciumcarbid erzeugt.
Die bevorzugte Anwendung des Verfahrens ist
die Oxidation von einkristallinem Siliciumcarbid als Halbleitermaterial.
Die mit einem Verfahren gemäß der Erfindung
hergestellte Oxidschicht ist besonders vorteilhaft in einer MOS-Halbleiterstruktur
mit einem Halbleitergebiet aus einkristallinem Siliciumcarbid eines vorgegebenen
Leitungstyps, einem an einer Oberfläche dieses Halbleitergebiets
angeordneten Basisgebiet aus einkristallinem Siliciumcarbid vom
entgegengesetzten Leitungstyp wie das Halbleitergebiet, einem durch
das Basisgebiet vom Halbleitergebiet getrennten Sourcegebiet aus
einkristallinem Siliciumcarbid vom gleichen Leitungstyp wie das
Halbleitergebiet, und der auf einer Oberfläche des Basisgebiets angeordnetem
Oxidschicht, auf der eine Gateelektrode angeordnet ist. Die MOS-Struktur
weist eine besonders niedrige Einsatzspannung auf und auch eine
hohe Langzeitstabilität
und Temperaturstabilität, da
eine vorzeitige Degradierung der MOS-Struktur infolge Aufladung
des Oxids durch Leckströme
vermieden wird.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf
die Zeichnung Bezug genommen, in deren
1 und 2 die beiden Verfahrensschritte des
Verfahrens zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid (SiC),
3 das
mit der Oxidschicht versehene Siliciumcarbid als Ergebnis der in
den 1 und 2 veranschaulichten Verfahrensschritte
und
4 ein
Ausführungsbeispiel
eines MOSFETs in Siliciumcarbid jeweils schematisch veranschaulicht
sind. Einander entsprechende Teile sind mit denselben Bezugszeichen
versehen.
1 zeigt
Siliciumcarbid (SiC) 5 mit einer Oberfläche 50. Das Siliciumcarbid 50 kann
insbesondere ein vergleichsweise dickes Substrat (Wafer) sein oder
auch eine auf einem Substrat abgeschiedene SiC-Schicht. Vorzugsweise
ist das Siliciumcarbid 5 halbleitend und vorzugsweise einkristallin
aus einem vorgegebenen Polytyp, vorzugsweise 6H oder 4H. Die Oberfläche 50 des
Siliciumcarbid 5 wird nun in einem nicht dargestellten
Oxidationsofen einer Gasatmosphäre
ausgesetzt, die einen Sauerstoffanteil O2 enthält und weitere
Gasanteile, die mit X bezeichnet sind. Die weiteren Gasanteile X
können
insbesondere Wasserdampf (H2O) enthalten
sowie weitere Gase, die in den Oxidationsprozeß an der Oberfläche 50 nicht
oder nur unwesentlich eingreifen (Inertgase). Der Wasseranteil in
der Gasatmosphäre O2_ + X beträgt vorzugsweise höchstens
ein Zehntel des Sauerstoffanteils O2. Unter
Anteilen werden dabei und im folgenden Volumenanteile verstanden. Aufgrund
des vergleichsweise geringen Wasseranteils in der Gasatmosphäre wird
das Siliciumcarbid 5 trocken oxidiert. Der Wasseranteil
in der Gasatmosphäre
wird vorzugsweise möglichst
gering eingestellt und kann durch besondere apparative Maßnahmen unter
1 ppm (= 10–6)
des Sauerstoffanteils eingestellt werden. Die Prozeßtemperaturen
an der Oberfläche 50 werden
im allgemeinen zwischen 800°C
und 1500°C
eingestellt und vorzugsweise zwischen 1000°C und 1250°C. Der Gesamtdruck der Gasatmosphäre kann
dabei variiert werden.
Der Sauerstoff O2 in
der Gasatmosphäre
reagiert nun chemisch mit dem Silicium (Si) im Siliciumcarbid 5,
und es bildet sich eine thermische Oxidschicht aus Siliciumdioxid
(SiO2) an der Oberfläche 50 des Siliciumcarbid 5.
Der Kohlenstoff (C) des Siliciumcarbid 5 reagiert mit dem
Sauerstoff O2 zu Kohlenmonoxid (CO), das
als flüchtiges
Reaktionsprodukt in die Gasatmosphäre entweicht. Durch den Materialverbrauch
weicht die Oberfläche 50 des
Siliciumcarbid 5 zurück.
Das Ergebnis dieses thermischen Oxidationsprozesses
gemäß 1 ist eine trocken oxidierte erste
Oxidschicht 20 auf der Oberfläche 50 des Siliciumcarbid 5,
die in 2 dargestellt
ist. Die Dicke dl dieser ersten Oxidschicht 20 kann über die
zeitliche Dauer des in 1 dargestellten
Trockenoxidationsprozesses eingestellt werden.
Das mit der ersten Oxidschicht 20 versehene Siliciumcarbid 5 wird
nun gemäß 2 einer Feuchtoxidationsgasatmosphäre ausgesetzt.
Diese Feuchtoxidationsgasatmosphäre
enthält
als für
die Oxidation wesentlichen Bestandteil Wasserdampf (H2O)
und weitere Gasanteile Y, insbesondere Sauerstoff (O2)
und gegebenenfalls Inertgase. Diese Gasatmosphäre für die Feuchtoxidation kann
beispielsweise pyrogenisch durch Verbrennen von Wasserstoff (H2) und Sauerstoff (O2)
zu Wasser (H2O) oder durch Durchleiten von
Sauerstoff (O2) durch siedendes Wasser (H2O) (Wasserpfeiffenprinzip) erzeugt werden.
Der Wasseranteil in der Feuchtoxidationsgasatmosphäre H2O + Y liegt vorzugsweise um wenigstens einen
Faktor 10 höher
als der Sauerstoffanteil in dieser Gasatmosphäre. Es kann allerdings auch schon
mit Wasseranteilen beginnend ab dem etwa 0,15fachen des Sauerstoffanteils
in der Feuchtoxidationsgasatmosphäre H2O
+ Y gearbeitet werden. Die Prozeßtemperaturen bei dem Feuchtoxidationsprozeß gemäß 2 liegen im allgemeinen
im gleichen Temperaturbereich wie beim Trockenoxidationsprozeß gemäß 1, müssen aber natürlich nicht
identisch sein. Vorzugsweise liegen aber wenigstens bei einem der
beiden Oxidationsschritte die Prozeßtemperaturen in einem Bereich
zwischen 800°C
und 1000°C
oder 1300°C
und 1500°C.
Infolge von Diffusion der an der
Oxidationsreaktion beteiligten Komponenten durch die erste Oxidschicht 20 oxidiert
nun das Siliciumcarbid 5 von seiner Oberfläche 50 her
weiter, und es bildet sich eine feucht oxidierte, weitere Oxidschicht
unter der ersten Oxidschicht 20, die in 3 als zweite Oxidschicht 21 dargestellt
ist. Die Oberfläche 50 des
Siliciumcarbid 5 weicht entsprechend weiter zurück. Die Dicke
d2 der zweiten Oxidschicht 21 wird
durch die Dauer des Feuchtoxidationsprozesses gemäß 2 eingestellt. Da die zweite
Oxidschicht 21 hauptsächlich
für die
guten Grenzflächeneigenschaften
zum Siliciumcarbid 5 benötigt wird und die trocken oxidierte, erste
Oxidschicht 20 die guten Volumeneigenschaften gewährleistet,
wird die Dicke d2 der zweiten Oxidschicht 21 im
allgemeinen kleiner gewählt
als die Dicke d1 der ersten Oxidschicht 20.
Vorzugsweise ist das Verhältnis
d2/(d1 + d2) höchstens
0,2 und vorzugsweise höchstens
0,1. Das bedeutet, daß der
Anteil der zweiten Oxidschicht 21 an der gesamten, aus der
ersten Oxidschicht 20 und der zweiten Oxidschicht 21 zusammengesetzten
Oxidschicht 2 auf dem Siliciumcarbid 5 bezüglich der
Schichtdicken bei höchstens
20 % bzw. höchstens
10 % liegt. Die Gesamtdicke d1 + d2 der Oxidschicht 2 liegt in allgemeinen
zwischen etwa 20 nm und etwa 100 nm.
Die Prozefltemperaturen können auch
während
der Oxidationsprozesse als Funktion der Zeit geändert werden, solange sie in
dem angegebenen Temperaturbereich bleiben.
Das in 3 dargestellte
Siliciumcarbid 5 mit der Oxidschicht 2 kann nun
in einer nicht dargestellten Ausführungsform einem ersten Folge-Ausheilungs-Schritt
unterzogen werden. Bei diesem ersten Folge-Ausheilungs-Schritt wird
die in 3 mit 22 bezeichnete
Oberfläche
der Oxidschicht 2 einer Gasatmosphäre mit einem Inertgasanteil
von wenigstens 90 % bei Prozeßtemperaturen
zwischen 800°C
und 1500°C
ausgesetzt. Ein besonders geeignetes Inertgas ist Stickstoff (N2) oder auch ein Edelgas, insbesonders Argon
(Ar). Durch den ersten Folge-Ausheilungs-Schritt kann die aufgewachsene
Oxidschicht 2 ausheilen, was die Eigenschaften der Oxidschicht 2 verbessert
und insbesondere die Dichte der festen Ladungen und Haftstellen
verlagert.
Im Anschluß an den ersten Folge-Ausheilungs-Schritt
kann in einem zweiten Folge-Ausheilungs-Schritt vorzugsweise in
derselben Inertgasatmosphäre
wie im ersten Folge-Ausheilungs-Schritt das
oxidierte Siliciumcarbid 5 mit der Oxidschicht 2 abgekühlt werden
auf eine Temperatur, bei der das oxidierte Siliciumcarbid 5 aus
dem Oxidationsofen entfernt wird, beispielsweise auf 800°C.
Nach dem zweiten Oxidationsschritt (Feuchtoxidation)
ist ferner auch ein Abkühlen
in der Feuchtoxidationsgasatmosphäre möglich.
Die mit dem Verfahren erzielten Verbesserungen
der Grenzflächeneigenschaften
der Oxidschicht sind bei Siliciumcarbid 5 vom p-Leitungstyp noch
ausgeprägter
als beim n-Leitungstyp.
Vor dem ersten Oxidationsschritt,
der Trockenoxidation gemäß 1, wird im allgemeinen das
Siliciumcarbid 5 in den Oxidationsofen eingefahren unter
Inertgasatmosphäre,
vorzugsweise Stickstoff, vorzugsweise mit geringer Sauerstoffbeigabe und
bei einer vorgegebenen Anfangstemperatur, beispielsweise 800°C. Der Oxidationsofen
wird dann hochgeheizt auf die gewünschten Prozeßtemperaturen
zwischen 800°C
und 1500°C
unter Beibehaltung der Gasatmosphäre. Sodann wird bei den nun
erreichten Prozeßtemperaturen
die Gasatmosphäre ausgetauscht
durch die Trockenoxidationsgasatmosphäre.
4 zeigt
einen lateralen MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET), der in Siliciumcarbid
gebildet ist. Der MOSFET umfaßt
ein Substrat 7 aus einkristallinem SiC eines vorgegebenen
Leitungstyps, eine auf diesem Substrat 7 epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschicht 6 aus
einkristallinem Siliciumcarbid desselben Leitungstyps wie das Substrat 7,
ein vorzugsweise durch Ionenimplantation in die Halbleiterschicht 6 erzeugtes
Basisgebiet 5' vom entgegengesetzten Leitungstyp wie die
Halbleiterschicht 6 und ein Sourcegebiet 3 sowie
ein Draingebiet 4, die vorzugsweise durch Ionenimplantation
in das Basisgebiet 5' eingebracht sind und durch das Basisgebiet 5' voneinander
getrennt werden. Das Sourcegebiet 3 und das Draingebiet 4 sind
vom gleichen Leitungstyp wie das Basisgebiet 5'. An der
Oberfläche 50' des das
Sourcegebiet 3 und das Draingebiet 4 verbindenden
Teilgebiets (Kanalgebiets) des Basisgebiets 5' ist eine
Oxidschicht 2' erzeugt durch eines der zuvor beschriebenen
Verfahren. Auf dieser Oxidschicht 2' ist eine Gateelektrode 11 angeordnet.
Zur elektrischen Isolation ist ferner eine im Vergleich zur Oxidschicht 2' dicke,
weitere Oxidschicht 8 auf den freien Oberflächen des
Basisgebiets 5' und der Halbleiterschicht 6 angeordnet,
die auch die Gateelektrode 11 von einer dem Sourcegebiet 3 zugeordneten
Sourceelektrode 10 und einer dem Draingebiet 4 zugeordneten
Drainelektrode 12 elektrisch isoliert. Des weiteren ist
ein Halbleitergebiet 9 in das Basisgebiet 5' implantiert mit
einer zugehörigen
Elektrode 13, das vom gleichen Leitungstyp wie das Basisgebiet 5' ist
und das Potential des Basisgebiets 5' bestimmt.
Vorzugsweise ist die Halbleiterschicht 6 vom n-Leitungstyp
und das Basisgebiet 5' vom p-Leitungstyp. Das Sourcegebiet 3 und
das Draingebiet 4 sind dann entsprechend vom n-Leitungstyp.
Eine mit dem Oxidationsverfahren gemäß der Erfindung hergestellte
Oxidschicht kann natürlich
auch in einem von dem lateralen Aufbau des Ausführungsbeispiels der 4 abweichenden MOSFET, beispielsweise einem
vertikalen MOSFET, eingesetzt werden und auch in allen anderen Siliciumcarbid-Bauelementen mit
einer MOS-Struktur.