DE2143824A1 - Halbleiteranordnung mit wenigstens einem aus einer Epitaxialschicht bestehenden Widerstand - Google Patents
Halbleiteranordnung mit wenigstens einem aus einer Epitaxialschicht bestehenden WiderstandInfo
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Description
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- 108l-l7.48lP(l7.482H) 1. 9. 1971
HITACHI LTD., Tokio (Japan)
Halbleiteranordnung mit wenigstens einem aus einer Epitaxialschicht bestehenden Widerstand
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit wenigstens einem aus einer Epitaxialschicht auf
einer Halbleiterunterlage bestehenden, gegenüber anderen Bauelementen isolierten Widerstand.
In Halbleiteranordnungen und insbesondere in integrierten Halbleiterschaltungen werden verschiedene Schaltungsbauelemente in einer einzelnen Halbleiterscheibe ausgebildet.
Unter diesen bestehen Widerstände, die passive Bauelemente sind, üblicherweise aus in einer Halbleiterunterlage
gebildeten Verunreinigungsdiffusionszonen mit gegenüber dem der Unterlage entgegengesetztem Leitungstyp.
Zum Beispiel· kann eine Verunreinigungsdiffusionszone,
die durch Eindiffundieren einer p-Verunreinigung in eine n-Siliziumepitaxialschicht,
die auf einer p-Siliziumunterlage
8i-(POS-2624i)-Tp-r (8)
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~2' 2U3824
aufgewachsen 1st, erzeugt ist, als Widerstand dienen. Ein "solcher Widerstand wird von den anderen Schaltungselementen
in der gleichen Halbleiterscheibe isoliert.
Da jedoch solche Widerstände eine höhere Verunreinigungskonzentration
als die der Unterlage oder der Epitaxialschicht aufweisen, ist ihr Widerstand niedriger als der der
Unterlage oder der Epitaxialschicht.
Es wurde auch angeregt, eine bestimmte Zone einer Epitaxialschicht
einzuschließen, um einen Widerstand darzustellen. Dabei ist es jedoch erforderlich, Anschlußelektroden
ohmisch in direkter Berührung mit der Epitaxialschicht auszubilden. Daher ergibt sich ein hoher Kontaktwiderstand
des ohmischen Anschlusses, und/oder die Anschlußelektrode nimmt eine erhebliche Fläche ein.
Wegen der verschiedenen vorstehend angedeuteten Beschränkungen bei einem aus einer Epitaxialschicht bestehenden
Widerstand beträgt bisher der höchste Einheitsflächenwiderstand, der sich bei einem solchen Widerstand erreichen
läßt, nur etwa 2 kQ ; daher wurde dieser Widerstandstyp
praktisch noch nicht in solchen Schaltungen wie Speichern verwendet, in denen Widerstandselemente mit hohem Widerstand
über einigen k£2 benötigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung
der eingangs genannten Art so auszubilden, daß das oder die Widerstandselemente einen erhöhten Einheitsflächenwiderstand
aufweisen, daß sich ein hoher Integrationsgrad der Anordnung erzielen läßt und daß man mit
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dieser Anordnung eine integrierte Halbleiterschaltung mit
Widerständen und anderen Schaltungsbauelementen erhalten kann, in der die Widerstände mit anderen Bauelementen ohne
Verwendung irgendeiner besonderen Verbindungsleitung gekoppelt sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
wenigstens eine erste Verunreinxgungsdiffusionszone hoher Konzentration einen Oberflächenteil der mit der Epitaxialschicht
bedeckten Halbleiterunterlage einnimmt, daß infolge Ausdiffusion der in der wenigstens einen ersten Diffusionszone enthaltenen Verunreinigung wenigstens eine Ausdiffusionszone
in der Epitaxialschicht vorliegt und daß eine zweite Verunreinigungsdiffusionszone eines dem der Epitaxialschicht
entgegengesetzten Leitungstyps einen bis zu der wenigstens einen Ausdiffusionszone reichenden Oberflächenteil der Epitaxialschicht
einnimmt und den Widerstand bildende Zone der Epitaxialschicht von anderen Bauelementen isoliert.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin
zeigen:
Fig. 1 a eine Aufsicht auf ein Ausführungsbeispiel der Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung;
Fig. 1 b einen Schnitt nach der Linie Ib-Ib in Fig. 1a;
Fig. 1 c und 1 d Teilschnitte durch andere Ausführungsbeispiele der Halbleiteranordnung gemäß der
Erfindung;
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Fig. 2 a eine Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel der Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung
;
Fig. 2 b einen Schnitt nach der Linie Hb-IIb in Fig. 2a; und
Fig. 3 einen Teilschnitt noch eines weiteren Ausführungsbeispiels der Halbleiteranordnung gemäß
der Erfindung.
Die Fig. 1 a und 1 b zeigen eine Halbleiteranordnung mit einem Widerstand gemäß der Erfindung. Die dargestellte
Halbleiteranordnung umfaßt z. B. eine p-Leitungstyp-Siliziumunterlage
11, eine p-Hochkonzentrations-Verunreinigungsdiffusionszone
14, die einen Teil der Unterlage 11 einnimmt,
eine auf der Unterlage einschließlich der Diffusionszone 14 angebrachte Epitaxialschicht 12, eine in der
Epitaxialschicht durch einen AusdiffusionsVorgang, der noch
beschrieben wird, gebildete Ausdiffusionszone ika, eine p-Hochkonzentrations-Verunreinigungsdiffusionszone
13, die einen Oberflächenteil der Epitaxialschicht einnimmt, der bis zur Ausdiffusionszone i4a reicht, um einen Teil der
Epitaxialschicht von anderen (nicht dargestellten) Bauelementen zu isolieren, und einen auf der Epitaxialschicht
einschließlich der Diffusionszone 13 angebrachten Isolierfilm 15. Der Teil der Epitaxialschicht, der von der Diffusionszone
13 und der Ausdiffusionszone i4a eingeschlossen
ist, stellt einen Widerstand 12a dar.
Die Epitaxialschicht T2, die Diffusionszone 13 und der
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Isolierfilm 15 werden bei Temperaturen von etwa 1000 C
gebildet. Während der Schritte der Hochtemperaturbehandlung wandert oder diffundiert die in der p-Hochkonzentrations-Verunreinigungsdiffusionszone
14 enthaltene Verunreinigung in die Epitaxialschicht 12 niedriger Verunreinigungskimzentration
aus. So erfährt ein Bodenteil dear Epitaxialschicht 12 angrenzend an die Diffusionszone 14 eine .Umkehr
des Leitungstyps zum p-Typ, wodurch die angedeutete
Ausdiffusionszone i4a erzeugt wird. Durch die Bildung der
Ausdiffusionszone i4a während der Wärmebehandlung wird die
Querschnittsfläche des Teils der Epitaxialschicht, der einen Stromweg darstellt, verringert. Mit anderen Worten wird
nur die Querschnittsfläche des in Fig. 1 a dargestellten
länglichen Widerstandes 12a reduziert, ohne daß seine Länge verändert wird. Der Widerstandswert des Widerstandes steigt
umgekehrt proportional zur Querschnittsfläche. Je höher die Temperatur bei der Wärmebehandlung oder je länger die
Dauer der Wärmebehandlung ist, um so größer ist der Anteil der Ausdiffusionszone i4a, die in der Epitaxialschicht 12
gebildet wird, an dieser Schicht, und um so höher ist der Widerstandswert des durch den restlichen Teil der Epitaxialschicht
gebildeten Widerstandes. So läßt sich der Widerstandswert des in dieser Weise gebildeten Widerstandes geeignet
wählen, indem das Ausmaß der Ausdiffusion in die Epitaxialschicht passend festgelegt wird.
Wenn beispielsweise die Epitaxialschicht 12 einen Widerstand von 0,5ri«cm und eine Dicke von 0,5 Mikron aufweist,
ist ihr Einheitsflächenwiderstand etwa 10 kß. .
Der Isolierfilm 15» der zum Schutz der Halbleiteran-
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Ordnung dient, kann ein Siliziumdioxidfilm von etwa 7000
bis 8000 A Dicke sein, der durch Erhitzen der Halbleiterscheibe
auf eine hohe Temperatur in einer oxidierenden Atmosphäre während einer Stunde erzeugt wird. Die Bezugsziffer 16 bezeichnet Elektroden, die an den entgegengesetzten
Enden des Widerstandes vorgesehen sind.
Fig. 1 c zeigt eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 b. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Tiefe
der Diffusionszone 13 im wesentlichen gleich der Tiefe des
Widerstandes 12a gemacht. Dadurch läßt sich die Isolation des Widerstandes beim gleichen Schritt der Bildung z. B.
einer Basiszone 13b eines getrennt erzeugten Transistors 18
schaffen, wodurch die Verfahrensschritte vereinfacht werden.
Fig. 1 d zeigt eine andere Abwandlung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 b. Hier ist die Tiefe der p-Diffusionsschicht
13 gleich der oder größer als die Dicke der Epitaxialschicht 12. Dabei läßt sich die p-Diffusionszone 13
gleichzeitig mit der Verunreinigungsdiffusion zur Bildung einer Isolationszone 19 erzeugen, die den Widerstand von
einem getrennt erzeugten Transistor 18 isoliert, wodurch 1Xe Zahl der Verfahrensschritte verringert wird. In den
Fig. 1 c und 1 d sind gleiche Bezugsziffern für gleiche Teile wie in den Fig. 1 a und 1 b verwendet.
Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß der erfindungsgemäße Aufbau der Halbleiteranordnung auch insofern vorteilhaft
ist, als sich die Herstellschritte vereinfachen.
Fig. 2 a und 2 b zeigen ein anderes Ausführungsbeispiel
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der Erfindung. Fig. 2 a ist eine Aufsicht zur Erläuterung
einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Widerstand R hohen Widerstandswertes» der sich zwischen Kollektorzonen
zweier Transistoren T1 und T„ erstreckt, die in einer einzigen
Halbleiterscheibe ausgebildet sind, und Fig. 2 ist ein Schnitt nach der Linie Hb-IIb in Fig. 2 a. Die dargestellte
Halbleiteranordnung umfaßt eine p-Unterlage 21,
n-Hochkonzentrations-Verunreinigungsdiffusionszonen 27 mit
20 *ϊ
einer Verunreinigungskonzentration von 10 Atomen/cm
zwecks Verringerung des Kollektorwiderstandes der Transistoren, eine p-Hochkonzentrations-Verunreinigungsdiffusionszone
2k mit einer Verunreinigungskonzentration von
20 T
10 Atomen/cm , eine auf die Oberfläche der Unterlage 21 einschließlich der Diffusionszonen Zk und 27 aufgewachsene
n-Epitaxialschicht 22, eine p-Diffusionszone 23, die einen Oberflächenteil der Epitaxialschicht 22 zwecks elektrischer
Isolation des Widerstandes R und der Transistoren T1 und
Tp gegenüber den anderen Schaltungselementen einnimmt, eine
p-Ausdiffusionszone 24a, die einen Teil der Epitaxialschicht 22 angrenzend an die Diffusionszone 2k einnimmt,
und n-Ausdiffusionszonen 27a, die Teile der Epitaxialschicht
22 angrenzend an die entsprechenden Diffusionszonen 27 einnehmen.
Außerdem sind p- und n-s-Verunreinigungsdiffusionszonen
28 bzw. 29, die die Basis bzw. den Emitter der Transistoren T und T2 darstellen, in der Epitaxialschicht 22
nach bekannten Halbleitertechniken erzeugt. Weiter sind ein Isolierfilm 25 zum Schutz der Bauelemente sowie Elektroden
26 vorgesehen.
Die Herstellung des vorstehend beschriebenen Aufbaus nach diesem Ausführungsbeispiel umfaßt mehrere Schritte von
Hochtemperaturwärmebehandlung der Halbleiterscheibe, und
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zwar den Schritt der Diffusion zur Bildung der isolierenden p-Diffusionszone 23 und die Schritte der Verunreinigungsdiffusion zur Bildung des Transistoraufbaus. Bei diesen
Schritten tritt eine Ausdiffusion der n- und p-Verunreinigungen
statt, so daß sich die Bildung der n-Ausdiffusionszonen 27a, die zur Verringerung des Kollektorwiderstandes
der Transistoren dienen, und der p-Ausdiffusionszonen 24a ergibt, um den Widerstand" R hohen Fiderstandswertes zu
schaffen. Entsprechend dem ersten Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 läßt sich die Querschnittsfläche der den Widerstand
bildenden Epitaxialschicht über der Ausdiffusionszone 24a einstellen, indem man die Temperatur und die Zeit der genannten
Wärmebehandlungen steuert. Auch führt, wie die Fig. 2 a und 2 b zeigen, der Widerstand R hohen Widerstandswertes
direkt zu den Kollektorzonen der Transistoren T1 und Tp, so daß eine Bereitstellung einer besonderen
Fläche zur Bildung von sonst benötigten Zuführungselektroden nicht erforderlich ist. So laßt sich die Unterlagenoberfläche,
die von dem Widerstand eingenommen wird, äußerst stark verringern, was sehr vorteilhaft für den
Integrationsgrad der Bauelemente ist. Beispielsweise läßt sich die Fläche des Widerstandes bei diesem Ausführungsbeispiel auf etwa ein Zehntel der Fläche senken, die im
Fall eines bekannten Halbleiterspeicher mit Transistoren T1 und T2 erforderlich ist.
Fig. 3 zeigt eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels
nach Fig. 2 b. In dieser Figur sind entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsziffern wie in Fig. 2 b bezeichnet. Bei
diesem Ausführungsbeispiel wird der Widerstandswert des Widerstandes R weiter gesteigert, indem man eine p-Verun-
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reinigungsdiffusionszone schafft, die einen Oberflächenteil
28a der Epitaxialschicht 22 über der Ausdiffusionszone 24a einnimmt. Die Erzeugung der p-Diffusionszone 28a führt offensichtlich
zu einer Verringerung der Querschnittsfläche des Widerstandes R, so daß sein Widerstandwert weiter erhöht
wird.
Obwohl sich die vorstehenden Ausführungsbeispiele auf die Verwendung einer p-Halbleiterunterlage bezieheji, ist
die Erfindung natürlich auch auf HalbleiteranordnungBn mit einer n-Halbleiterunterlage, d. h. mit einer Unterlage des
gleichen Leitungstyps wie des Leitungstyps des Widerstandes anwendbar.
Wie die Beschreibung zeigt, ist es erfindungsgemäß möglich, die Querschnittsfläche des aus einer Epitaxialschicht
bestehenden Widerstandes zu verringern und seinen Wider- , standswert zu steigern, indem man eine Ausdiffusionszone
erzeugt, was sehr vorteilhaft für die Fälle ist, wo Widerstände mit extrem hohem Widerstandswert erforderlich sind,
wie z, B. bei Speichern, und wo es erwünscht ist, die Integrationsdichte einer integrierten Schaltung zu steigern.
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Claims (3)
- Patentansprüche'Halbleiteranordnung mit wenigstens einem aus einer Epitaxialschicht auf einer Halbleiterunterlage bestehenden, gegenüber anderen Bauelementen isolierten Widerstand, dadurch gekennzeichnet , daß ,wenigstens eine erete Verunreinigun gsdif fusionszone (z. B. i4) hoher Konzentration einen Oberflächenteil der mit der Epitaxialschicht (z. B. 12) bedeckten Halbleiterunterlage (z. B. 11) einnimmt, daß infolge Ausdiffusion der in der wenigstens einen ersten Diffusionszone (z. Ö. 14) enthaltenen Verunreinigung wenigstens eine Ausdiffusionszone (z. B. i4a) in der Epitaxialschicht (z. B. 12) vorliegt und daß eine zweite Verunreinigungsdiffusionszone (z. B. 13) eines dem der Epitaxialschicht (z. B. 12) entgegengesetzten Leitungstyps einen bis zu der wenigstens einen Ausdiffusionszone (z. B. i4a) reichenden Oberflächenteil der Epitaxialschicht (z. B. 12) einnimmt und die den Widerstand bildende Zone (z. B. 12a) der Epitaxialschicht von den anderen B uelementen isoliert.
- 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leitungstyp der Epitaxialschicht (12) dem der Halbleiterunterlage (ii) entgegengesetzt ist (Fig. 1 b).
- 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verunreinigungsdiffusionszone (23) bis zur Halbleiterunterlage {21) reicht und wenigstens zwei aktive Bauelemente (T1, T_) einschließt (Fig. 2a, 2b).209812/10382U3824h. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie zusätzlich wenigstens eine Halbleiterzone (28a) aufweist, die einen Oberflächenteil der Epitaxialschicht (22) einnimmt und einen dieser entgegengesetzten Leitungstyp aufweist (Fig. 3).208812/1038
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Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879585A (de) * | 1972-01-24 | 1973-10-25 | ||
| JPS5197387A (de) * | 1975-02-21 | 1976-08-26 | ||
| US4005471A (en) * | 1975-03-17 | 1977-01-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor resistor having a high value resistance for use in an integrated circuit semiconductor device |
| US4057894A (en) * | 1976-02-09 | 1977-11-15 | Rca Corporation | Controllably valued resistor |
| JPS54152663U (de) * | 1978-04-14 | 1979-10-24 | ||
| JPS592161U (ja) * | 1983-05-06 | 1984-01-09 | 日本電気株式会社 | 集積化半導体論理装置 |
| IT1213217B (it) * | 1984-09-17 | 1989-12-14 | Ates Componenti Elettron | Dispositivo a semiconduttore a resistenza sepolta. |
| US5587696A (en) * | 1995-06-28 | 1996-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | High resistance polysilicon resistor for integrated circuits and method of fabrication thereof |
| KR100331296B1 (ko) * | 1995-12-20 | 2002-06-20 | 클라크 3세 존 엠. | 에피택셜 핀치 저항기 및 그 형성 방법 |
| US11189701B1 (en) | 2020-12-11 | 2021-11-30 | International Business Machines Corporation | Bipolar junction transistor with vertically integrated resistor |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3404321A (en) * | 1963-01-29 | 1968-10-01 | Nippon Electric Co | Transistor body enclosing a submerged integrated resistor |
| US3370995A (en) * | 1965-08-02 | 1968-02-27 | Texas Instruments Inc | Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits |
| US3564443A (en) * | 1966-06-29 | 1971-02-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device containing lateral and planar transistor in a semiconductor layer |
| FR155459A (de) * | 1967-01-23 | |||
| FR1520514A (fr) * | 1967-02-07 | 1968-04-12 | Radiotechnique Coprim Rtc | Procédé de fabrication de circuits intégrés comportant des transistors de types opposés |
| FR1559611A (de) * | 1967-06-30 | 1969-03-14 | ||
| US3575741A (en) * | 1968-02-05 | 1971-04-20 | Bell Telephone Labor Inc | Method for producing semiconductor integrated circuit device and product produced thereby |
| GB1226899A (de) * | 1968-07-17 | 1971-03-31 | ||
| US3569800A (en) * | 1968-09-04 | 1971-03-09 | Ibm | Resistively isolated integrated current switch |
| US3584269A (en) * | 1968-10-11 | 1971-06-08 | Ibm | Diffused equal impedance interconnections for integrated circuits |
| US3573573A (en) * | 1968-12-23 | 1971-04-06 | Ibm | Memory cell with buried load impedances |
| US3643235A (en) * | 1968-12-30 | 1972-02-15 | Ibm | Monolithic semiconductor memory |
| US3626390A (en) * | 1969-11-13 | 1971-12-07 | Ibm | Minimemory cell with epitaxial layer resistors and diode isolation |
| US3617827A (en) * | 1970-03-30 | 1971-11-02 | Albert Schmitz | Semiconductor device with complementary transistors |
| US3702947A (en) * | 1970-10-21 | 1972-11-14 | Itt | Monolithic darlington transistors with common collector and seperate subcollectors |
| US3676713A (en) * | 1971-04-23 | 1972-07-11 | Ibm | Saturation control scheme for ttl circuit |
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- 1971-09-06 NL NL7112235A patent/NL7112235A/xx unknown
Also Published As
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