DE2051892C3 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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DE2051892C3 DE19702051892 DE2051892A DE2051892C3 DE 2051892 C3 DE2051892 C3 DE 2051892C3 DE 19702051892 DE19702051892 DE 19702051892 DE 2051892 A DE2051892 A DE 2051892A DE 2051892 C3 DE2051892 C3 DE 2051892C3
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Description

60
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Derartige Anordnungen finden z. B. vielfach in monolithischen integrierten Halbleiterschaltungen Anwendung. Solche integrierte Schaltungen bestehen im <■>■> allgemeinen aus einer epitaktischen Schicht vom ersten Leitungstyp, die auf einem Substrat vom zweiten Leitungstyp angebracht und durch Trenndiffusionszonen vom zweiten Leitungstyp in gegeneinander elektrisch isolierte Inseln unterteilt ist Dabei können in einer derartigen Insel eine Anzahl von Schaltungselementen mit einer gemeinsamen Zone vorhanden sein, z. B. laterale Transistoren, bei denen die epitaktische Schicht vom ersten Leitungstyp die gemeinsame Basiszone bildet.
Unter »Halbleiterschaltungselementen« sind dabei, wie üblich, Schaltungselemente zu verstehen, die wenigstens eine Halbleiterzone enthalten und derart miteinander verbunden sind, daß sie eine elektrische Schaltung bilden können.
Unter Umständen, die von der verwendeten Schaltung abhängig sind, kann es besonders erwünscht sein, daß die Teile der erwähnten gemeinsamen Zone, die zu den unterschiedlichen Schaltungselementen der Gruppe gehören, im Betriebszustand alle nahezu das gleiche Potential aufweisen. Manchmal iäßt sich dies schwer verwirklichen, insbesondere wenn die gemeinsame Zone verhältnismäßig niedrig dotiert ist, und die Ströme, die im Betriebszustand über die gemeinsame Zone zwischen den Schaltungselementen der Gruppe fließen, nicht vernachlässigbar klein sind. Die gemeinsame Zone bildet dann zwischen den Elementen einen Widerstand, der zu einem unerwünschten Spannungsabfall zwischen den zu den Elementen gehörenden Teilen der gemeinsamen Zone Anlaß geben kann.
Man hat versucht, diesen Nachteil dadurch zu beheben, daß an der Stelle der erwähnten Gruppe von Schaltungselementen eine hochdotierte, vergrabene, an die gemeinsame Zone grenzende Schicht angebracht wird, so daß ein wesentlicher Teil des Stromes zwischen zwei zu der Gruppe gehörigen Schaltungselementen über die vergrabene Schicht und nicht über die niedriger dotierte gemeinsame Zone fließt.
So ist aus der US-PS 33 79 584 eine integrierte Schaltung mit zwei planaren Transistoren mit gemeinsamer Kollektorzone über einer gemeinsamen vergrabenen Schicht bekannt.
Aus der FR-PS 15 63 412 ist eine integrierte Schaltung mit einem Transistor und einem Widersland bekannt, die von einem Gebiet mit hoch- und niedrigdotierten Teilen des gleichen Leitungstyps umgeben sind. Die an der Stromführung dieser Schaltungselemente beteiligten wirksamen Zonen werden aber nicht durch Teile des erwähnten Gebiets gebildet.
Weiter ist aus der US-PS 33 41 755 ein Transistor bekannt, dessen Koilektorzone eine vergrabene Schicht mit hochdotierten, sich zur Oberfläche erstreckenden Anschlußzonen aufweist.
Weiter ist bereits (siehe DE-OS 20 32 315) eine integrierte Schaltung mit zwei Transistoren, deren Basiszonen in einer gemeinsamen hochdotierten Kollektorzone eingebettet sind, vorgeschlagen worden.
Der Erfindung liegt u. a. die Erkenntnis zugrunde, daß in vielen Fällen trotz der beschriebenen Maßnahme der durch die gemeinsame Zone fließende Strom und der damit einhergehende Spannungsabfall über Teilen dieser Zone nur in ungenügendem Maße beseitigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß die zu den einzelnen Halbleiterschal tungselementen gehörenden aktiven Teile des gemein samen Gebietes auf genau dem gleichen Potential gehalten werden.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1
gekennzeichnete Ausbildung der Halbleiteranordnung frelösL
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unterarisprüchen beschrieben.
Unter dem zu einem Schaltungselement gehörigen wirksamen Teil der gemeinsamen Zone ist derjenige Teil zu verstehen, in dem im wesentlichen der für die Wirkung des betreffenden Schaltungselementes wichtige Ladungstransport stattfindet.
Mit der Erfindung wird erreicht, daß sich die zu einer Gruppe gehörenden Schaltungselemente gleichsam in einer Mulde befinden, die infolge ihrer hohen Dotierung praktisch ein Äquipotentialgebiet bildet Dadurch, daß die hochdotierte Zone die Gruppe von Schaltungselementen praktisch völlig umgibt, werden der Teil des Stromes zwischen den Schaltungselementen der Gruppe, der durch den nicht zu der hochdotierten Zone gehörigen Teil der gemeinsamen Zone fließt, und der damit einhergehende unerwünschte Spannungsabfall in erheblichem Maße verringert.
Da die hochdotierte Zone einen im wesentlichen parallel zu der Oberfläche verlaufenden Stromweg bildet, braucht diese Zone nicht, oder nur in einem sehr kleinen Gebiet, kontaktiert zu werden, so daß auf der Oberfläche wenig oder kein Raum für Kontakte benötigt wird. Dadurch wird Raum erspart und außerdem kann die Anzahl von Kreuzungen zwischen den Leitern auf der Oberfläche verringert werden.
Die Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 2 hat den Vorteil, daß elektrische Verbindungen in Form von Metallschichten zwischen verschiedenen Schaltungselementen unbedenklich auf der die hochdotierte Zone bedeckenden, elektrisch isolierenden Schicht angebracht werden können. Dadurch wird eine größere Raumersparung erzielt.
In vielen Fällen genügt es, eine hochdotierte Zone zu verwenden, die sich unter der Gruppe von Schaltungselementen erstreckt und die Gruppe auf der Außenseite mit einem sich praktisch bis zu der Oberfläche erstreckenden Teil umschließt. Wenn aber der Effekt der Gleichmachung des Potentials der gemeinsamen Zone noch vergrößert werden soll, können zwischen von der Gruppe von Schaltungselementen einen Teil bildenden Untergruppen von einem oder mehreren Elementen eine oder mehrere Zwischenzonen vom ersten Leitungstyp angebracht werden, die zu der hochdotierten Zone gehören.
Die beschriebene Halbleiteranordnung kann in verschiedenen Konfigurationen und unter Verwendung bekannter und in der Halbleitertechnik üblicher Techniken hergestellt werden.
Die Erfindung ist von besonderer Bedeutung für integrierte Schaltungen, bei denen das Gebiet vom ersten Leitungstyp von dem übrigen Teil des Halbleiterkörpers durch einen PN-Übergang getrennt ist, der den Halbleiterkörper nur an der erwähnten Oberfläche schneidet. Das Gebiet vom ersten Leitungstyp bildet dann eine Insel der integrierten Schaltung.
Die im Gebiet vom ersten Leitungstyp vorhandenen Schaltungselemente können alle zu der erwähnten Gruppe gehören. In dem erwähnten Gebiet kann aber außerdem mindestens ein weiteres, nicht zu dieser Gruppe gehörendes Schallungselement angebracht sein, daß außerhalb der hochdotierten Zone liegt. Dadurch können gemeinsame Zonen einer Gruppe, /.. B. in einer Insel einer integrierten Halbleiterschaltung vorhandener Schaltungselemente in bezup auf nicht zu dieser Gruppe gehörende, in der Insel vorhandene weitere Schaltungselemente auf dem gleicher. Potential gehalten werden.
Eine sehr gedrängte Schaltung ergibt sich, wenn ein Teil der gemeinsamen Zone zugleich eine wirksame Zone eines oder mehrerer der erwähnten weiteren Schaltungselemente bildet.
Obgleich die erwähnte Gruppe von Schaltungselementen aus verschiedenartigen Schaltungselementen bestehen kann, wird diese Gruppe vorzugsweise durch
ίο Schaltungselemente gleicher Art gebildet. Die Weiterbildung der Erfindung nach den Ansprüchen 5 und 6 hat dabei den Vorteil, daß für die Emitterströme dieser Transistoren unter allen Umständen ein festes Verhältnis, und im Falle identischer Transistoren praktisch gleiche Werte erhalten werden, ohne daß die in bekannten Schaltungen dazu erforderlichen Emitterreihenwiderstände erforderlich sind.
Einige Ausführungsbeispiele der Halbleiteranordnung nach der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 schematisch eine Draufsicht auf einen Teil einer Halbleiteranordnung nach der Erfindung,
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt durch die Anordnung nach Fig. 1 längs der Linie H-Il in Fig. 1,
Fig. 3 das Schaltbild der in den Fig. 1 und 2 dargestellten Anordnung,
Fig.4 schematisch eine Draufsicht auf eine andere Anordnung nach der Erfindung,
Fig.5 schematisch einen Querschnitt durch die Anordnung nach F i g. 4 längs der Linie V-V der F i g. 4 und
Fig. 6, 7 und 8 schematisch Querschnitte durch Einzelheiten anderer Ausführungsbeispiele der Anordnung nach der Erfindung.
Die Figuren sind der Deutlichkeit halbct nicht maßstäblich gezeichnet. Entsprechende Teile sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet.
F i g. 1 zeigt schematisch in Draufsicht und F i g. 2 schematisch im Querschnitt längs der Linie H-Il der Fig. 1 einen Teil einer Anordnung nach der Erfindung. Die Anordnung bildet eine integrierte Halbleiterschaltung, von der das Schaltbild in F i g. 3 gezeigt ist.
Die Anordnung enthält einen Halbleiterkörper in Form einer Siliciumscheibe 1, von der eine Oberfläche 1 mit einer Isolierschicht 3 aus Siliciumoxyd überzogen ist. An die Oberfläche 2 grenzt ein N-Ieitendes Gebiet 4. In diesem Gebiet ist eine Gruppe aus drei lateralen PNP-Transistoren Ti, T^ und T1 mit Emitterzonen 18 und Kollektorzonen 19 (siehe Fig. 2) und mit einer gemeinsamen, einen Teil des N-Ieitenden Gebietes 4 bildenden N-Ieitenden Basiszone angebracht. In diesem Gebiet 4 ist weiter ein transversaler NPN-Transistor Ti angebracht, dessen Kollektorzone durch das gemeinsame N-Ieitende Gebiet 4 gebildet wird. Dieses Gebiet 4 besteht aus einer epitaktisch angewachsenen Schicht aus N-Ieitenden Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 0,6 Ω · cm und einer Dicke von 10 μπι, die auf einem P-Ieitenden Substrat 5 mit einem
to spezifischen Widerstand von etwa λ Ω ■ cm angebracht ist. Durch P-Ieitende Trennkanäle 6, die sich durch die ganze Dicke der epitaktischen Schicht 4 erstrecken, ist das Gebiet 4 mit den darin angebrachten Transistoren von '1Cm übrigen Teil des Körpers mittels eines
ι. · PN-Übergangs 7, der den Körper nur an ;k. Oberfläche 2 schneidet.
Die erwähnten Transistoren sind durch auf der Oxydschicht 3 angebrachte Aliiininiumschichten, die in
Fig. 1 schraffiert dargestellt sind, derart miteinander verbunden, daß die Schaltung nach F i g. 3 gebildet wird.
In dieser Schaltung ist es erwünscht, daß die Emitterströme der Transistoren 71, T2 und T3 einander gleich sind oder wenigstens ein festes gegenseitiges Verhältnis aufweisen. In der Praxis wird dies bei bekannten Strukturen meistens dadurch erreicht, daß in den Emitterkreisen Reihenwiderslände angebracht werden.
Dieses Ziel läßt sich aber auch dadurch erreichen, daß sowohl die Emitter wie auch die Basen der Transistoren auf nahezu gleiche Potentiale gebracht werden. In diesem Falle sind die Emitterströme der Transistoren Ti, T2 und T3 einander gleich, wenn die wirksamen EmiUcruberflächen dieser Transistoren einander gleich sind, während die Emitterströme bei ungleichen wirksamen Emitteroberflächen jedenfalls ein festes gegenseitiges Verhältnis haben.
Die Emitter können auf einfache Weise dadurch auf gleiche Potentiale gebracht werden, daß sie über die Aluminiumschicht 8 (siehe Fig. 1) direkt miteinander verbunden werden. Dabei sind die Emitter mit dem gemeinsamen Anschlußleiter in Form einer Aluminiumschicht 20 verbunden, welche Schicht unter Umständen auch durch einen aus Metall bestehenden Anschlußdraht oder eine hochdotierte diffundierte Zone ersetzt werden kann.
Infolge des verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstandes des Gebietes 4 kann der Basisstrom in der gemeinsamen Basiszone der lateralen Transistoren in der obenbeschriebenen Struktur Potenlialunterschiedc hervorrufen, die das gegenseitige Verhältnis der Emitterströme dieser Transistoren auf unerwünschte Weise ändern.
Um die wirksamen Teile der gemeinsamen Basiszone der Transistoren Ti, Ti und Tj auf dem gleichen Potential zu halten, enthält nach der Erfindung das Gebiet 4 eine hochdotierte N-leitende Zone in Form einer diffundierten vergrabenen Schicht 9 und diffundierter Gebiete 10, welche hochdotierte Zone innerhalb des Haibieiterkörpers die Gruppe (T\, Ti, T3) der lateralen PNP-Transistoren völlig umgibt und eine höhere Leitfähigkeit als der nicht zu der hochdodierten Zone gehörige zwischen den Transistoren Ti, T2 und Tz liegende Teil des Gebietes 4 aufweist. Der nicht zu der Gruppe (T\, Tj, T3) gehörige transversale NPN-Transistor T4 liegt dabei außerhalb der hochdotierten Zone. Die Teile 10 der hochdotierten Zone grenzen an einen Teil 11 der Oberfläche 2, der die Transistoren T], Ti und T3 völlig umgibt (siehe F i g. 1). Dadurch fließen Ströme in der gemeinsamen Basiszone dieser Transistoren praktisch lediglich über die hochdotierte Zone und der von dieser Zone eingeschlossene niedriger dotierte Teil des Gebietes 4 nimmt überall praktisch das gleiche Potential an.
Zur Vergrößerung dieses Effektes enthält die hochdotierte Zone außer den Teilen 9 und 10 noch (siehe F i g. 1 und 2) zwischen dem Transistor Ts und den Transistoren Ti und T2 eine an die Oberfläche 2 grenzende diffundierte hochdotierte N-leitende Zwischenzone 12, die sich der vergrabenen Schicht 9 anschließt, wobei jeder der Transistoren 71, Tj und T3 innerhalb des Halbleiterkörpers völlig von dieser Zwischenzone 12 und einem weiteren Teil (9, 10) der hochdotierten Zone umgeben ist Unter Umständen können erforderlichenfalls mehrere dieser Zwischenzonen angebracht werden.
In der oben beschriebenen Ausführungsform grenzt die Kollektorzonc des lateralen Transistors Ti an das Gebiet 10 der hochdotierten Zone, während der PN-Übergang zwischen dieser Kollektorzone und dem Gebiet 10 an der Oberfläche in einem Fenster in der
5 Oxydschicht 3 von der Aluminium-Kollektorkontaktschicht 13 des Transistors kurzgeschlossen ist, wodurch die Schaltung nach F i g. 3 erhalten wird, wobei der Kollektor des Transistors Ti über den Kollektorkontakt 13 und die hochdotierte Zone (9, 10, 12) mit der gemeinsamen Basiszone der Transistoren Ti, T2 und T1 verbunden ist.
Die Anordnung nach den Fig. 1 und 2 kann durch Anwendung in der Halbleitertechnik allgemein üblicher planarer Techniken hergestellt werden. Dabei wird z. B.
is von einem P-ieitenden Substrat ausgegangen, auf dem unter Verwendung bekannter Maskierungsverfahren zunächst die vergrabene Schicht 9 durch Diffusion einer langsam diffundierenden Verunreinigung, wie 7.. B. Arsen, angebracht und dann die epitaktische Schicht 4 angewachsen wird. Durch thermische Oxydation in feuchtem Sauerstoff bei 12000C wird die Oxydschicht 3 angebracht, in der durch bekannte Photolackätzverfahren Fenster an der Stelle der Trennkanäle S geätzt werden, welche Kanäle anschließend durch Diffusion von Bor angebracht werden. Dann werden mit Hilfe eines folgenden Photomaskierungs- und Diffusionsschrittes durch eine tiefe Phosphordiffusion die Gebiete 10 und 12 angebracht. Auf entsprechende Weise werden dann gleichzeitig die Basiszone des Transistors Ti und die Kollektor- und Emitterzonen der Transistoren Ti, T2 und T3 eindiffundiert, wonach die Emitterzone des Transistors Ti eindiffundiert wird. Nachdem Kontaktfenster geätzt worden sind, werden auf übliche Weise durch Aufdampfen, Maskierung oder Ätzung die unterschiedlichen Aluminiumschichten angebracht.
Das oben beispielsweise beschriebene Verfahren kann von dem Fachmann — in Abhängigkeit von den Umständen und den an die Anordnung zu stellenden Anforderungen — auf vielerlei Weise abgewandelt werden.
Unter Umständen, insbesondere wenn pro Oberflächeneinheit viele Verbindungen in Form von Metallstreifen angebracht werden müssen, kann es erwünscht sein, daß die hochdotierte Zone (9,10,12) völlig von der Oxydschicht 3 abgedeckt wird. Eine derartige Anordnung ist schematisch in Draufsicht in Fig.4 und schematisch im Querschnitt längs der Linie V-V in F i g. 5 dargestellt. Diese Anordnung ist größtenteils der nach den F i g. 1 und 2 ähnlich, aber der Kollektor des Transistors T3 ist in diesem Falle nicht mit der gemeinsamen Basiszone 4 verbunden, sondern über eine Aluminiumschicht 14 zu einem anderen Punkt der Schaltung geführt. Auf der Oxydschicht zwischen den Transistoren T3 und T4 ist dadurch Raum vorhanden zur Anbringung einer Aluminiumverbindungsleitung 15.
Der Kollektor des Transistors Ti ist in diesem Falle über ein N-leitendes Kontaktdiffusionsgebiet 16 und eine Aluminiumschicht 17 kontaktiert.
Wie oben bereits bemerkt wurde, ist es nicht
wi unbedingt notwendig, daß die hochdotierte Zone als eine an die Oberfläche grenzende völlig ununterbrochene Struktur ausgebildet wird. Beispielsweise zeigt F i g. 6 eine Struktur, in der die hochdotierte Zone aus einer N-leitenden vergrabenen Schicht 9 und N-leitenden Teilen 10 besteht, die von der Oberfläche her über eine derartige Tiefe eindiffundiert sind, daß zwischen den Gebieten 9 und 10 ein sehr schmales Gebiet 30 mit niedrigerer Dotierung verbleibt, das aber den Effekt der
Zone (9, 10) praktisch nicht beeinflußt, Ein derartiger schmaler »Spalt« kann /.. B. auch an der Oberfläche gebildet werden. Siehe F i g. 7. in r!:-r die Gebiete 10 von der vergrabenen Schicht 9 zu der Oberfläche diffundiert sind (wobei von einer schneller diffundierenden Dotierungsverunreinigung als die der Schicht 9 ausgegangen wird), wobei zwischen der Oberfläche und den Gebieten 10 noch eine sehr dünne niedriger dotierte Zone 311 vorhanden ist. In den beiden Beispielen sind innerhalb der Zone (9, 10) zwei laterale Transistoren mit Emitterzonen 32 und Kollektorzonen 33 angebracht, bei denen das N-Ieitcnde Gebiet 4 die gemeinsame Basiszone bildet.
Schließlich zeigt F i g. 8 schematisch im Querschnitt ein Beispiel einer Struktur, in der innerhalb der hochdotierten Zone (9, 10, 12) verschiedenartige Schaltungselemente angebracht sind, und zwar im vorliegenden Fall ein transversaler NI'N-Transistor mit einer Emitterzone 41 und einer Basiszone 42, und ein lateraler PNP-Transistor mit einer Emitterzone 43 und einer Kollektorzone 44. Dabei bilden die Kollektorzone des transversalen Transistors und die Basiszone des lateralen Transistors eine gemeinsame N-Ieitende Zone 4. die von der hochdotierten Zone (9, 10, 12) auf einem gleichen Potential gehalten wird. Der Anschluß an dl·:
gemeinsame Zone wird dabei durch einen örtlich auf der »/wischenwand« 12 angebrachten Metallkontakt 45 gebildet.
Es sei bemerkt, daß, obgleich in den beschriebenen Ausführungsbcispielen die hochdotierten Gebiete 9, 10, 12 durch Diffusion erhalten wurden, diese Gebiete erwünschtenfalls auch völlig oder teilweise durch Anwendung anderer z. B. epitaktischer Techniken oder durch lonenbeschuß gebildet werden können. So kann
ίο z. B. die vergrabene Schicht 9 eine hochdotierte epitaklische Schicht sein und die Gebiete 10 und 12 können durch Diffusion angebracht werden; auch andere Kombinationen können angewendet werden.
Es können auch andere Halbleitermaterialien als
ii Silicium verwendet werden, während die Isolierschicht statt aus Siliciumoxyd auch aus anderen Materialien, wie z. B. Siliciumnitrid oder Aluminiumoxyd, bestehen kann. Die in den Beispielen angegebenen Leitungstypen können durch die entgegengesetzten Leitungstypen ersetzt werden. Die Erfindung läßt sich auch vorteilhaft bei Halbleiteranordnungen mit anderen Schalungselementen als den in den Beispielen angegebenen Elementen, z. B. PN- oder Schottky-Dioden, lateralen Thyristoren u. dgl., anwenden, soweit wenigstens zwei dieser Elemente eine gemeinsame Zone aufweisen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einem an die Oberfläche des Körpers grenzenden Gebiet vom ersten Leitungstyp und einer Gruppe von mindestens zwei in diesem Gebiet liegenden Halbleiterschaltungselementen, die je eine Zone vom ersten Leitungstyp aufweisen, die einen wirksamen Teil dieses Gebietes bildet, wobei das IQ Gebiet eine epitaktische Schicht vom ersten Leitungstyp und eine vergrabene, sich unter der Gruppe von Halbleiterschaltungselementen parallel zur Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckende Zone des gleichen Leitungstyps, aber mit höherer is Leitfähigkeit als die angrenzende epitaktische Schicht enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte vergrabene Zone (9, 10) einen praktisch an die Oberflache (2) des Halbleiterkörpers (1) grenzenden hochdotierten Teil (10) vom ersten Leitungstyp aufweist, der die erwähnte Gruppe von Schaltungselementen (T1, T2, T3)SeItIiCh praktisch völlig umgibt, wobei die hochdotierte Zone höchstens nur örtlich an der Oberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) von einer Metallschicht (13) κ kontaktiert ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte Zone (9, 10) dort, wo sie an die Oberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) grenzt, von einer elektrisch isolierenden M Schicht (3) bedeckt ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte Zone (9, 10, 12) zwischen mindestens zwei zu der Gruppe gehörenden Schaltungselementen (T\, Ti) eine praktisch an die Oberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) grenzende hochdotierte Zwischenzone (12) vom ersten Leitungstyp enthält, wobei jedes dieser Schaltungselemente (Tu I3) innerhalb des Halbleiterkörpers praktisch völlig von der Zwischenzone (12) und dem übrigen Teil (9, 10) der hochdotierten Zone umgeben ist.
4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte Zone (9, 10) mit dem übrigen, nicht zu dem erwähnten Gebiet (4) vom ersten Leitungstyp gehörenden Teil (5) des Halbleiterkörpers (1) einen PN-Übergang (7) bildet.
5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der erwähnten Gruppe gehörenden Schaltungselemente (T\, Ti, Ti) laterale Transistoren sind.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der lateralen Transistoren (T\, Ti, Tj) durch einen gemeinsamen Anschlußleiter (8) miteinander verbunden sind.
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