DE2364753C2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE2364753C2 DE19732364753 DE2364753A DE2364753C2 DE 2364753 C2 DE2364753 C2 DE 2364753C2 DE 19732364753 DE19732364753 DE 19732364753 DE 2364753 A DE2364753 A DE 2364753A DE 2364753 C2 DE2364753 C2 DE 2364753C2
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Description

dadurch gekennzeichnet, dall nicht nur die Dotierungskonzentration des vierten Halblcilcrberciehcs (201) entsprechend zu der Dotierungskonzentration des ersten (4) und des /weiten Halblcitcrbcrciches (3) derart gewählt ist. daß über den /weiten PN-Übergang (14) in den ersten Halbleiterbercich (4) eine Injektion von Minoritälsladungsträgern solcher Stärke stattfindet, deizufolge die Konzentration der Minoritälsladungslrager im ersten Halbleiterbereich (4) über dessen Dicke im wesentlichen konstant ist, sondern auch der vierte Halbleiterbercich (201) mit dem zweiten Halbleiterbercich (3) über dessen Konlaktzone (7) verbunden ist und die den zweiten Halbleitcrbereich (3) kontaklicrende Elektrode (10) sowohl die Kontakizoiic (7) des zweiten Halbleiterbereiches (3) als auch den vierten Halbleiierbercieh (201) kontaktiert.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs. Ein derartiges Halbleiterbauelement ist aus der US-PS 22 310 bekannt.
Dm den Emitterwirkungsgrad eines Transistors und damit den Stromverstärkungsfaktor hit in Emitterschaltung zu erhöhen, ist es aus der genannten US-Patentschrift bekannt, im Emitierbereich einen dem Basis-Emittcr-PN-Übergang gegenüberstehenden zweiten PN-Übergang mit Hilfe eines vierten Halbleiterbereiches vom Leitfähigkeitstyp des Basisbereiches zu bilden, der in der US-Patentschrift als »Reflektorschichi« bezeichnet ist. Der Emitterbereich ist in der US-Patentschrift auch als »Pufferschicht« bezeichnet. Es ist auch angegeben, daß der spezifische Widerstand des vierten Halbleiterbereiches kleiner als der des Emitterbereiches sein soll oder, was das gleiche bedeutet, daß die Dotierungskonzentration im vierten Halbleiterbereich höher als im Emitterbereich zu wählen ist Ebenfalls soll der Abstand des zweiten PN-Übergangs vom Basis-Emitter-PN-Übergang kleiner als die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich sein. Durch diese Ausbildung wird bei dem bekannten Transistor der nutzlose und für einen guten Emitterwirkungsgrad schädliche Minoritätsladungsträgerstrom
ίο über den Basis-Emitter-PN-Übergang reduziert. Die Wirkung dieses vierten Halbleiterbereiches wird dementsprechend durch seine Dotierungskonzentration und die des Emitterbereiches bestimmt.
Nach der genannten US-Patentschrift ist aber der vierte Halbleiterbereich von keiner ohmschen Elektrode kontaktien und sein Potential daher schwebend. Des weiteren ist in der US-Patentschrift nichts darüber ausgeführt, wie die Dotierungskonzentration des vierten Halbleiterbereiches gewählt werden soll, um das angestrebte Ziel auch zu erreichen, nämlich den Minoritätsladungsträgerstrom im Emitterbereich nahe an Null zu bringen.
Es ist jedoch aus der DE-AS 10 90 329. in der ein Halbleiterbauelement ähnlichen Aufbaus beschrieben ist, ferner bekannt, daß der nutzlose Minoritätsladungsträgerstrom aus dem Basisbereich in den Emitterbereich durch eine /inhebungder Konzentration der Minoritälsladungsträger auf der dem Emitter-Basis-PN-Übergang gegenüberliegenden Seite des EmiUerbereiehes auf die Höhe der Konzentration der Minoritätsladungsträger am Basis-Emitter-PN-Übergang und damit durch eine Verringerung des Konzentrationsgefälles der Minorilätsladungsirager herabgesetzt wird. Dazu ist auf der dem Emiiiei Basis-PN-Ubei;; ng gegenüberliegenden Seite des EmiUerbereiehes eine sihr hoch dotierte llalbleiicrschichi mit dem gleichen Lciifahigkeitstyp wie dem des Emittcrbcreichcs vorgesehen. Nach dieser DE-Auslegcschrift ist außerdem eine geringe Rekombinalionsgesehwindigkeit an der Oberfläche des vierten Halbleiterbereiches vorgesehen, da eine Verkleinerung der OberflächeniL'kombinationsgcschwindigkcit die Anhcbung der Konzentration der Minoritätsladungsträgeranderdcm Emitter-Basis-PN-Übcrgang gegenüberliegenden Seite des I .mitterbereiches vergrößert.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs angegebenen Art so auszubilden, daß es gegenüber den bekannten Halbleiterbauelementen einen noch höheren Emitterwirkungsgrad und damit einen noch größeren Stromver-Stärkungsfaktor und gleichzeitig geringeres Rauschen
. und niedrigeren Basiswiderstand aufweist. Das Halbleiterbauelement soll sich auch als Schaltungselement einer integrierten Halbleiterschaltung zusammen mit anderen gebräuchlichen Transistoren, z. B. als komplementäre Transistorpaare, mit den einfachen, für deren Herstellung üblichen Verfahrensschritten herstellen lassen.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs angegeben.
Durch den zusätzlichen vierten Halbleiterbereich, der den ersten, bei einem Transistor den Emitterbereich darstellenden Halbleiierbercieh sowie die (obcrflächcnseitige) Konlaktzone des zweiten Halbleiterbereiches. also des Basisbereiches bei einem Transistor, teilweise
b5 überdeckt und eine den Leitfähigkeitstyp des zweiten Bereiches ergebende Dotierung zur Bildung eines zweiten, dem ersten Emittcr-Basis-PN-Übergang gegenüberliegenden PN-Übcrg;\ngs aufweist, wird er-
reicht, daß der Basiswiderstand kleiner als bei bekannten Halbleiterbauelementen wird und dann etwa gleiche Potentiale am vierten und am zweiten Halbleiterbereich und dadurch eine etwa g'eich starke Injektion von Minorilätsladungsträgern durch beide PN-Übcrgänge in den ersten Halbloiterbereich (den Emitterbereich) erhalten werden.
Das Halbleiterbauelement nach der Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten werden nachfolgend unter Bezug auf die Zeichnungen in einem Ausführungsbei- to spiel näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Teilschnittansicht eines NPN-Transistors nach der Erfindung,
F i g. 2 im oberen Teil den ungefähren Verlauf eines Dotierungsprofils über einen Schnitt senkrecht zur Folge der Halbleiterbereiche des Transistors nach Fig. 1, im unteren Teil den Konzentrationsverlauf der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich (zweiten Halbleiterbereich),
Fig. 3 die graphische Darstellung des Siromverstärkungsfaktors Λ/ν (eines Transistors in Emitterschaltung) eines Tranjistors nach F i g. 1 als Funktion des Kollektorstroms.
Fig.4 die graphische Darstellung des Verlaufes des Rauschfaktors eines Transistors nach Fig. 1 als Funktion der Frequenz bei einer Eingangsimpedanz von 1000 Ω.
Fig. 5 die graphische Darstellung des Verlaufs des Rauschfaktors eines Transistors nach F i g. 1 als Funktion der Frequenz, jetzt bei einer Eingangsinipedan/, voi 30 Ω.
Fig.'· eine graphische Darstellung der Einganysimpedanz jincs Transistors nach Fig. 1 als Funktion des Kollekt irstroms bei konstantem Rauschfaktor und
Fig. 7 die graphische Darstellung des Stromvcrstärkungsfaktors hu eines Transistors nach Fig. 1 in Abhängigkeit von der Temperatur.
Ein bevorzugtes Ausl'ührungsbeispiel des Halbleiterbauelements nach der Erfindung isl der in l-'ig. I gezeigte NPN-Transislor. Das Bczugszeichcn ( be- <to zeichnet dabei ein hoch dotiertes. N -leitendes Halbleitersubstrat, insbesondere ein Süi/.iumsubsirat. das mit Antimon stark dotiert ist. Die Dotierungskonzentration liegt vorzugsweise bei 4xl0lfcm '. Dies ergibt einen spezifischen Widerstand von etwa 0.01 Ωαη. Bei d eser Dotierung kann dieser Wert zwischen 0.008 und 0.012 Ωαιι streuen. Die Dicke des Siliziumsubstrats beträgt vorzugsweise etwa 230 um.
Auf das N4 -leitende Siliziumsubstrat I wird eine N -leitende epitaktische Siliziiimschicht 2 aufgebracht. die zusammen mit dem N "-leitenden Siliziumsubstrat den Kollektorbereich bildet. Die epilaktischc .Siliziumschicht 2 ist relativ gering mit Antimon dotier., jedoch ausreichend, um eine Dotierungskonzentration "on 7 χ \0u ciiv1 zu erreichen. Der spezifische Widerstand liegt bei etwa 8 bis ΙΟΩατι. Die N -leitende epitaktische Siliziumschicht 2 ist vorzugsweise um 20 μιτι siark.
Eine P- -leitende epitakiische Siliziumschicht 3 wird dann auf der N -leitenden Siliziumschicht 2 als Basisbereich für den Transistor ausgebildet. Als Doiierungsstoff kann Bor in einer solchen Menge vorgesehen werden, daß sich eine Dotierungskonzentration von IxIO111CnI ' ergibt. Der spezifische Widerstand beträgt dann I.5f2cm. Die Dicke der P -leitenden Siliziiimschicht 3 beträgt etwa 5 μηι.
Eine N -leitende epitaktische Siliziumschicht 4 wird dann auf der P -leitenden Siliziumschichi 3 als Emitterbereich erzeugt. Diese N--leitende Siliziumschichi 4 ist leicht mit Antimon dotiert, wobei die Dotierungskonzentration etwa 5.5 χ 10l3cm-3 beträgt. Der spezifische Widerstand liegt bei 1 Ω.ονη. Die Dicke dieser N --leitenden Siliziumschicht 4 beträgt etwa 2 bis 5 μπι. In die N--leitende Siliziumschicht 4 wird sodann als Emitter-Kontaklzone ein N+ -leitender Bereich 5 eindiffundiert. Diese Emitter-Kontaktzene 5 ist mit Phosphor in einer Dotierungskonzentration von 5 χ 103"cm ' dotiert und weist eine Tiefe von etwa 1,0 um auf.
Eine stark dotierte N+ -leitende Diffusionszone 6 wird dann als Mantel- und Kontaktzone zu dem Kollektorbereich vorgesehen. Diese N+-leitende Zone 6 durchdringt den P--leitenden Basisbereich 3 und die N--leitende Kollektorschicht 2. Als Doiierungsstoff wird Phosphor vorgesehen, und die Dotierungskonzentration liegt bei etwa 3 χ 10'" cm - s. Eine diffundierte P-Icitende Basiskontaktzone 7 dringt durch die N--leitende Eniiiierschichi 4 in den P -leitenden Basisbereich 3 und umgibt und begrenzt den Emitterbereich 4. Zur Dotierung wird Bor verwendet, und zwar so viel, daß sich eine Dotierungskonzentration von 7 χ 10'" cm '· ergibt.
Ferner ist ein P-Ieilcndcr Bereich 201 in den N - -leitenden Emitterbereich 4 eindil'fundiert. um einen PN-Übergang zwischen diesem (vierten) Halbleitcrben:ich und dem Emitterbereich 4 zu erzeugen. Dieser vierte Halbleiicrbereich 201 ist mit Bor dotiert. Die Dotierungskonzentration betragt 5 χ 10ls cm ', und die Tiefe des vierten Halbleiterbcreiches 201 liegt bei etwa 1.8 μηι. Der vierte P-leitende Halbleiterbereich 201 ist mit der Basiskontaktzonc 7 und daher mit dem Basisbereich J verbunden. Die Basiselektrode 10 koniaklien also nicht nur die B.isisknniakt/one 7. sondern außerdem den vierten Ikilbleiterbereich 201. Der Basisw idcrstand wird damit erniedrigt, da die Löcher sowohl über lWu Kmiiierbereich 4 hinweg als auch über die Basiskontaktzone 7 zum Basisbereich 3 transportiert werden. Die Potentiale in dem Basisbereich 3 und im vierten P-Iciteiulen Halbleiterbereich 201 sind praktisch gleich, und die Ladungsträger-Rekombination an der Basiselektrode 10 kann niedrig gehalten werden. Auch wird die angestrebte große Minoiitätsladtingslräger-Diffusionslängc im Kmiiicrbercieh und gleichzeitig ein relativ niedriger Basisvviderstand erreicht.
Eine schützende Sili/iumoxidschicht 204 deckt die Oberfläche der Halbleiterscheibe ab. Eine aus Aluminium bestehende Kollcktorelekirodc 9 ist mit dem N'-leitenden Siliziumsubstrat 1 verbunden. Auf der Emitterkontaktzone 5 ist eine Emitterelektrode 11 aus Aluminium angebracht.
Aus obigem ergibt sich, daß clic N -leitende Kollektorschicht 2 und der P -leitende Basisbereich 3 einen Kollektor-Basis-Übergang 12 bilden. Der P -leitende Basisbereich 3 und der N -leitende Emitierbercich 4 bilden einen Emitter-Basis-Übergang 13, und der N -leitende Emitterbereich 4 und der vierte P-loitende Hallileilerbcreich 201 bilden, wie bereits erwähnt, einen zusätzlichen PN-Übergang 14. Der Absti-nd zwischen dem Emitter-Basis-Übergang 13 und dem zusätzlichen PN-' ibcrgang 14 beträgt vorzugsweise 2 bis 5 μπι.
F i g. 2 veranschaulicht das Verunreinigungsprofil und die Minoritätsladungsträgerkonzentration im Emitterbereich des Transistors nach Fig. 1. Der oberste Teil der Figur zeigt das N '-leitende Siliziumsubstral 1. die N -leitende Kollekiorschicht 2. den P -leitenden
Basisbereich 3, den N -leitenden Emiucrbercich 4 und den P-Ieitendcn. vierten Malblcitcrbcrcich 201. Die Dotierungskonzentration in jedem dieser Bereiche ist im oberen Teil der Figur dargestellt, während im unteren Teil die injizierte Minoritäisladungsträgerkon-/cnlratioM im Emitterbereich aufgetragen ist, die sich aus den von dem ßasisbercich 3 und von dem vierten P-Icilendcii Halbleiterbercich 201 injizierten Minorilätsladungsträgcrn ergibt. Insbesondere zeigt die Neigung der Linie 101 den Konzentrationsgradienten, der über den Emiticr-Basis-Übergang 13 injizierten Minoriiäisladungsträgcr. während die Neigung der Linie 102 den Koiizentiniionsgradienten der über den zusätzlichen PN-Übergang 14 injizierten Minoritälsla dungslrägcr zeig!. Da die inji/.ierten Minoritätsladungs-Iräger in entgegengesetzten Richtungen fließen, ergibt sich eine im wesentlichen horizontale Linie 103. die einer etwa konstanten Konzentration der Minoritätsladungsiräger entspricht. Dieses charakteristische Merkmal ist in erster Linie dafür verantwortlich, dali ein sehr hoher /(//-Faktor bei sehr geringem Rauschfaktor erreicht wird. Um dies im einzelnen zu erläutern, sei angeführt, daß die Löcher, die Minoritätsladungsträger bei einem NPN-Transistor. die durch den Emitier-Basis-Übergang 13 injiziert werden, den zusätzlichen PN-Übergang 14 erreichen und in den P-Icitenden vierten Halbleilcrbereich 201 eintreten. Andererseits injiziert auch der P-Ieiicndc vierte llalblcitcrbcreich 201 Löcher in den N -leitenden limitlerbereich 4. und diese Löcher durchlaufen den Emitterbereich 4 und erreichen den Emiticr-Basis-Übergang 13. da die Dicke des N -leitenden Eniiiterbereichcs 4 kleiner ist als die Dil'fiisionslängc im N -leitenden Einitterbereich 4. lsi die Löcherinjektion vom P-Ieitenden vierten Halbleilcrbereich 201 groß genug, so kompensiert der Löcherstrom vom zusätzlichen PN-Übergang 14 zum Emittcr-Basis-PN-t llxTiMng Helen l.öchersironi vom !!miller-Basis-PN-I !bergung 13 zum zusätzlichen l'N-l Ibcr^ani; 14. Diese Kompensation lührl zu der angesiivblen Vermindern!!;: dos l.iiclierslronis von (.lern Basisbereich 3 zum Lmitierhereieh 4.
Das oben anhand von Fig. I beschriebene Aiisl'iihriingslieispiel eines Transistors ergibt einen hohen Stronnerstärkiingsl'aktiir hn bei gleichzeitig geringem Rauschfaktor. Zur ürlätitcrung dieser Eigenschaften wird auf die für einen NPN-Transistor bekanntlich geltende Beziehung zwischen dem Emitter« iikunjjsgrad ■)■ und der Stromdichte des Stroms über den Emit! er-Basis-PN-Übergang
Jn
Jn+Jp I+Jp/Jn
(1)
hingewiesen, worin Jn die Elcktronenstromdichte und /pdie Löcherstromdichte bezeichnet. Das Absinken der Löcherstromdichte Jp führt dazu, daß der Wert des Emitterwirkungsgrades i» gemäß Gleichung (1) annähernd Eins wird und damit der Wert für den Stromverstärkungsfaktor λ ebenfalls annähernd auf Eins ansteigt und somit auch der Wert des Stromverstärkungsfaktors hn sehr groß wird.
Für die Elektronenstromdichte Jn gilt bekanntlich
Jn= SL
Dn- Np
Ln
(2)
Jp
q ■ Dp ■ Pn Lp
/31 \
•(«"-0
worin L/7 die Elektronendiffusionslänge in dem P-Ieitenden Basisbereich, Lp die Löcherdiffusionslänge in dem N -leitenden Emillerbereich, Dn die Elektronendiffusionskonstante, Dp die Löcherdiffusionskonstante, Np die Elektronenkonzentration (Minoritätsladungsträgerkonzentration) in dem P-Ieitenden Basisbereich im Gleichgewichtszusland, Pn die Löcherkonzentration (Minorilätsladungsträgcrkonzeniration) im P-Ieitenden Emiiterbereich im Gleichgewichtszustand, ν die an den Emittcr-Basis-Übergang angelegte Spannung. T die Temperatur, q die Elcktroncnladiing und k die Bolizmann-Konstante bedeuten.
Als Verhältniswert Λ von Jp und Jn ergibt sich dann bekanntlich
Jp _ Ln Jn Lp
Dp_ Dn
Pn
Np
oder
δ =
W Dp NA Lp Dn ND
da
Pn
Np
Λί>
und für die Löcherstromdichte
gilt und die Dicke Wdes Basisbereiches die Elektronendiffusionslängc Ln im Basisbereich begrenzt. N* bezeichnet die Dotierungskonzentration im P-Ieitenden Basisbereich und Nu die Dotierungskonzentration im N -leitenden Emitterbereich.
Der niedrige Rauschfaktor läßt sich wie folgt erklären: Die Gitterdefekte in dem Gebiet des
-to Emitter-Basis-Übergangs 13 sind aufgrund des gering dotierten Emitterbereiches 4 und eines ebenfalls niedrig zu dotierenden Basisbereiches 3 stark heruntergesetzt. Die Dotierungskonzentration des Emitterbereiches 4 sollte mit Rücksicht auf den Rauschfaktor, die Lebensdauer r;» und die Minoritätsladungsträgerdiffusionslänge JLp auf einen Wert begrenzt werden, der etwas kleiner ist als 1018Cm--1. Ein anderer Umstand, der ebenfalls zu einem niedrigen Rauschfaktor führt, ist der. daß der Emitierstrom im niedrig dotierten
so Emitterbereich 4 und einem ebenfalls niedrig dotierten Basisbereich 3 weitgehend in Vertikalrichtung fließt.
Der hohe Stromverstärkungsfaktor hn für den Transistor nach Fig. 1 ist in Fig.3 durch zwei Linien 104 und 105 veranschaulicht. Die beiden Kurven geben Versuchswerte wieder, die an zwei verschiedenen Transistoren erhalten wurden. Diese Unterschiede in den beiden Kurven ergeben sich lediglich aus einem unterschiedlichen Planarmuster des Emiuerbereiches. Beide Kurven jedoch zeigen den sehr hohen Stromver-Stärkungsfaktor.
Fig.4 zeigt den Rauschfaktor des Transistors nach F i g. 1 als Funktion der Frequenz, wenn die Eingangsimpedanz 1000 Ohm. der Kollektorstrom 1 mA beträgt und eine Kollektor-Emiltervorspannung von 6 Voll anliegt. Der Wert des Rauschfaktors wird durch die Linie 106 wiedergegeben. Weiterhin zeigt die Linie 107 den Rauschfaktor für einen Vergleichstransistor. einen bekannten gebräuchlichen Transistor mit äußerst
niedrigem Rauschfaktor.
F i g. 5 zeigt eine der Fig. 4 ähnliche Darstellung, wobei die Linie 108 den Rauschfaktor des Transistors nach F i g. 1 angibt und die Linie 109 den Rauschfaktor für einen (bekannten) Vergleichstransistor zeigt. Die Kurven der Fi g. 5 sind auf eine Eingangsimpedanz von 30 Ohm bezogen, wobei jedoch der Kollektorstroni und die Spannung zwischen Kollektor und Emitter gleich wie bei den der F i g. 4 zugrunde liegenden Messungen waren.
F i g. 6 zeigt eine »Rauschkartc« für einen Transistor nach F i g. 1 und einen (bekannten) Vergleichsiransistor, wobei die Linie 110 die Eingangsimpedanz als Funktion des Kollektorslroms bei konstantem Rauschfaktor für den Vergleichsiransistor und die Linie 111 den entsprechenden Zusammenhang für einen Transistor nach Fig. 1 wiedergibt. Beide Darstellungen sind auf einen Raschfaktor von 3 dB bezogen.
Fi g. 7 schließlich zeigt die Abhängigkeit des Siromverstarkungsfakiors /;//. und zwar die von Ahn von der Temperatur. Die Darstellung ist ohne weitere Ei läuicrung verständlich, wenn gesagt wird, daß die Linie 112
sich auf einen bekannten Vergleichsiransistor bezieht, während die Linie 113 die Verhältnisse beim Transistor nach F i g. I wiedergibt.
Bei dem Ausl'ührungsbeispicl des NPN-Transistors nach F i g. I kann das an dem N N'-Übergang zwischen dem N -leitenden Emitterbereich 4 und der N ' -leitenden Emitterkontaktzone 5 vorhandene elektrische Feld einen Teil des über den Emitter-Basis-Übergang 13 in den Emitterbereich 4 injizierten Löcherstroms reflektieren. Das elektrische Feld an dem N- N +-Übergang trägt dann auch dazu bei. daß für die in Gleichung (3) angegebene Löcherstromdichie die aufgrund niedriger Rekombinationsgeschwindigkeit groLie Diffusionslänge der Löcher Lp in dem Emitterbereich 4 und nicht die kleinere Dicke des Emitterberciches 4 maßgebend ist.
Obgleich oben das Halbleiterbauelement nach der Erfindung unter Bezug auf F i g. 1 an dem Beispiel eines NPN-Transistors erläutert ist. kann ein PNP-Transistor ganz entsprechend ausgebildet werden. Es si·ι weiterhin darauf hingewiesen, daß auch ein NPNI'-Thyristor vorteilhaft nach der Erfindung ausgebildet werden kann.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Halbleiterbauelement mit
    — einem ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps,
    — einem zweiten Halbleiterbereich eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitfähigkeitslyps, der an den ersten Halbleiterbereich angrenzt und mit diesem einen ersten, in Flußriehtung zu .betreibenden PN-Übergang bildet,
    — einem dritten Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps, der an den zweiten HaIbleilerbereich an der dem ersten PN-Übergang gegenüberliegenden Seite iingren/t.
    — einem vierten 1 lalbleilerbeii ich des /weiten Lenfähigkcitsiyps und einer höheren Dotierungskonzentration ;ils die des ersten Halb-.leiierbereiches. der an den ersten I lalbleitcrbercieli an dessen dem ersten PN-Übergang gegenüberliegender Seite angrenzt und mit dem ersten Halbleiierbercieh einen /.wehen PN-Übergang in einem Abstand von dem eisten PN-Übergang bildet, der kleiner als die DifFusionslänge der Minoritätsladungsträger im ersten Halbleiterbercich ist, sowie mit
    — Elektroden zum Anlegen der Flußspannung an den ersten PN-Übergang zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbercich.
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