DE2102352A1 - Hochfrequenzbetnebene Spruhvor richtung - Google Patents

Hochfrequenzbetnebene Spruhvor richtung

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DE2102352A1 DE19712102352 DE2102352A DE2102352A1 DE 2102352 A1 DE2102352 A1 DE 2102352A1 DE 19712102352 DE19712102352 DE 19712102352 DE 2102352 A DE2102352 A DE 2102352A DE 2102352 A1 DE2102352 A1 DE 2102352A1
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Description

International Business Machines Corporation,Armonk,N.Y. 10504/üSA
Hochfrequenzbetriebene Sprüfvorrichtung
Die Erfindung betrifft eine hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung mit einer flachen, als Substratträger ausgebildeten Anode und einer planparallel gegenüber der Anode angeordneten flachen Kathode in einer evakuierbaren Sprühkammer und mit einer Antikathode aus auf die Substrate zu sprühenden Material auf der der Anode augekehrten Seite der Kathode. Bei Sprühvorrichtungen dieser Art kommt es darauf an, daß das Antikathodenmaterial wenigstens in den Bereichen,von denen das aufzusprühende Material ausgeht, überall gleiche Temperatur hat und auch in möglichst gleichem Maße unter dem Einfluß der Hochfrequenzenergie steht, damit das abgesprühte Material möglichst gleichmäßig die auf der Anode angeordneten Substrate trifft. Aus diesem Grunde hat man bei einer bekannten Vorrichtung dieser Art das Antikathodenmaterial auf die Kathode aufgetragen. Das ist aber fertigungstechnisch außerordentlich umständlich, weil man dann nachdem das Antikathoäenmaterial
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abgetragen ist eine neue Kathode oder eine neue beschichtete Kathode einsetzen muß, also die ganze Kathode nachGein das Antika-· ihodenmaterial einmal verbraucht ist unbrauchbar wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß die Kathode ohne besondere Zwischenbehandlung immer wieder verwendet werden kann.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Antikathode auswechselbar einen Spalt zur Kathode freilassend, planparallel zur Kathode angeordnet ist und daß der Spalt bei Betrieb mit einer dielektrischen, wärmeleitenden Flüssigkeit gefüllt ist und gegen die Sprühkammer abgedichtet ist. Nach der Erfindung ist die Antikathode auswechselbar gegenüber der Kathode angeordnet, aber planparallel 1ZVl dieser gehaltert. Man kann nach der Erfindung die Antikathode ?Ur sich auswechseln, wenn das Antikathodenmaterial verbraucht ist. Die Kathode bleibt davon unberührt, sie muß allenfalls kurzzeitig aus dem Wege geräumt werden damit man an die Antikathode herankommt zum Zwecke des Auswechselns. Die für eins einwandfreie funktion erforderliche gleichmäßige Erhitzung und Energiebe.1 a~ stung der Antikathode wird sichergestellt durch den Spalt und die Füllung des Spaltes.
Man kann bei Vorrichtungen nach der Erfindung eine optimale Sprühwirkung erzielen und dennoch die Antikathode für sich auswechseln, also zum Beispiel auch Antikathoden aus verschiedenen Materialien bereithalten, so daß mit ein und derselben Kammer und auch mit ein und derselben Kathode je nach Bedarf verschiedene Materialien versprüht werden können. Eine entsprechende Arbeitsweise wäre bei der bekannten Vorrichtung, bei der das Antikathodenaaterial direkt an der Kathode befestigt ist nur möglich, wenn aan entsprechend -ziele Kathoden bereithält und das ist wesentlich kostspieliger.
)ie Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.
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ORIGINAt
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η tier- Zeichnung zeigt
igur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel im Sclmitt
und
igur 2 bis 5 je ein weiteres Ausführungsbeispiel aus
schnittsweise im Schnitt.
In Figur 1 ist eine hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung dargestellt, in der die Antikathodenanordnu.ng nach der Erfindung Ver- \jendang finden kann. Mit 10 ist eine evakuierbare Kammer bezeichnet, die mit ionisiertem Gas gefüllt ist. Die Kanunervandung besteht aus einem Zylinder 11 aus elektrischJLeitendem Material, der an beiden Stirnseiten durch eine Bodenplatte 1 2 und eine Deckplatte 13, die beide elektrischjleitend sind, verschlossen ist. Hit 14 sind Dichtringe bezeichnet, die eine vakuumdichte Abdichtung ermöglichen.
;2in Edelgas, vie zum Beispiel Argon, wird über die Leitung 15» die durch ein Ventil absperrbar ist, in die Kammer 10 eingelassen» Das Gas im Innern der Kammer 10 wird mittels einer Vakuump\\mpe 16 auf einembestimmten niedrigen Druck gehalten. Die Saugseite der Vakuumpumpe 16 isj: zu diesem Zweck an die Kammer 10 angeschlossen.
Innerhalb der Kammer 10 ist die Antikathodenanordnung 17, die eine Kathode l8 und eine Antikathode 19 aufweist an der Deckplatte 13 befestigt. Die Antikathode 19 besteht aus demjenigen Material, das auf eine Vielzahl von Substrate 20 gesprüht werden soll.
/ie Antilcathode 19 besteht vorzugsweise aus dielektrischem Mate- -IcJ-, wie beispielsweise Quars, und ist scheibenförmig ausgebildet. Der Eavid 21 ist abgeschrägt und sclvyolbe'aschwanaartig Ui
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BAD
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den entsprechend abgeschrägten inneren Rand 22 eines Tragringes Γ.3 eingesetzt. Der äußere Rand 24 des Tragringes 23 ist ebenfalls abgeschrägt und zwar mit dem gleichen Anstellwinkel wie der Rand 21 und der Rand 22.
Der Tragring 23 paßt mit seinem abgeschrägten äußeren Rand schwalfoenschwanzartig hinter den in gleicher V7eise abgeschrägten inneren Icand 25 eines Klemmringes 26. Die Abschrägungen sind alle mit zur Kathode offenem winkel orientiert. Der Klemmring 26 ist an der Deckplatte 13 befestigt und besteht aus elektrischleitendem Material und hält mithin die Antikathode 19 an der Deckplatte 13 -
Die der Antikathode 19 zugekehrte Vorderfläche der Kathode 18 grenzt nicht unmittelbar an die Antikathode 19 an, so daß zwischen Kathode 18 und Antikathode ein Spalt 27 stehenbleibt, der mit einem Material gefüllt ist, das gute Wärmeleitungseigenschaften katp gute elektrische Leitungseigenschaften hat, aber unter den gegebenen Bedingungen nicht aushärtet, also flüssig bleibt. Das Material hat außerdem einen niedrigen Verdampfungsdruck, so daß es nicht in nennenswertem Umfang verdampfen kann wenn es in ein partielles Vakuum gelangt. Bei dem Material kann es sich um ein flüssiges Metall oder eine metallische Paste handeln. Als Beispiel für ein flüssiges Metall kommt Galliumarsen oder Quecksilber in Frage. Eine geeignete metallische Paste kann als Metallanteil Silber enthalten.
Damit das Füllmaterial in dem Spalt 27 verbleibt, ist ein Ring 28 vorgesehen, der lösbar an einem Flansch der Deckplatte 13 befestigt ist und unter Zwischenschaltung eines Dichtringes 32 an der Antikathode 19 anliegt. Für den Dichtring 32 ist eine ringförmige Nut 33 im Ring 28 vorgesehen. Die durch den Dichtring ersielte Dichtung braucht nicht vakuumdicht zu sein. Mit 30 ist ein sich einwärts erstreckender Flansch des Ringes 28 bezeichnet, dessen innerer Durchmesser kleiner ist als der äußere Durchmesser des kreisscheibenförmigen Kopfes 31 der Kathode 18. Dieser Flansch
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30 bildet mithin einen vorderen Anschlag für die Kathode 18. v:-enn mithin der Kathodenkopf 31 auf dem Plansch 30 lastet, dann ist die Spaltbreite des Spaltes 27 durch die konstruktiven Abmessungen der beschriebenen Teile genau festgelegt und das flüssige Katall oder die metallische Paste sind in diesem Spalt 27 eingeschlossen.
Eas Material innerhalb des Spaltes 27 kann auch nicht zwischen f.em Rand 21 der Antikathode 19 und dem Rand 22 des Tragringes 23 hindurch in die Kammer 10 flieöen. Auf Grund der erwähnten physikalischen Eigenschaften des Füllniaterials für den Spalt 27 gelangt, die Hochfrequenzenergie, die von einer Hochfrequenzspannungs- *fe cuelle 34 an die Kathode gelangt mit hohem Wirkungsgrad an die Antikathode 19* während die Antikathode 19 gleichseitig auf Grund rer guten Wärmeleitfähigkeit des Füllmaterials durch den Xathoden-Lopf 31 gekühlt wird.
ler Kathodenkopf 31 seinerseits iird durch ein Kühlmittel gekühlt, ^as einen inneren Kanal 35 der Kathode 18 durchströmt. Bei dem mhlmittel kann es sich beispielsweise um Wasser handeln, das durch einen zum Kanal 35 koaxialen Kanal 36 mit ringförmigem Querschnitt zuströmt und durch den Kanal 35 vieder abströmt, und ßabei Kühlschlangen, die den Kathodenkopf 31 durchziehen, aber in eier Zeichnung nicht eingezeichnet sind, durchströmt. Die Antikathode 19 wird auf diese Weise durch ständiges Kühlen des Kathoden- φ kopfes 31 ebenfalls gekühlt.
üit 40 ist eine Abdeckplatte bezeichnet, die auf die Außenfläche 41 der Deckplatte 13 aufgesetzt ist und dort befestigt ist. Ein 0-P.ing 42, der in eine Ringnut 43 eingesetzt ist, dient als Abilichtung. Mit 45 ist eine zweite Vakuumpumpe bezeichnet, deren
ogseite an die zwischen Abdeckplatte und Declcplatte stehengebliebene Kammer 44 angeschlossen ist, die bei Betrieb evakuiert wird.
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Die beiden Vakuumpumpen 16 und 45 werden in gegenseitiger Abhängigkeit betrieben, so daß in beiden Kammern 10 uad 44 möglichst weitgehend der gleiche Druck entsteht, damit über die Antikathode möglichst kein Druckabfall stattfindet. Diese Bedingung wird auch eingehalten während die beiden Kammern evakuiert werden, also der Druck in den Kammern langsam vom atmosphärischen Ausgangsdruck auf das Betriebsvakuum abgesenkt wird, desgleichen wenn nach Abschluß des Betriebes das Vakuum in den Kammern wieder aufgefüllt wird auf atmosphärischen Druck, so daß also keine Situation entstehen kann, bei der eine größere Druckdifferenz über der Antikathode abfällt beziehungsweise vom Druck der Kammer 44 zum Druck der Kammer 10 besteht. Für diesen abhängigen Betrieb werden die Drücke in den beiden Kammern ständig gemessen und auf Grund der so gewonnenen Meßwerte werden die Vakuumpumpen 16 tmd 45 in der genannten gegenseitigen Abhängigkeit betrieben.
Mit 46 sind mehrere Kühlschlangen bezeichnet, die in der Kammer 44 entlang der inneren Wandung 47 der Deckplatte 13 angeordnet 3ind. Durch diese Kühlschlangen 46 strömt Kühlwasser,um die Kammer 44 auf einer vorbestimmten Betriebstemperatur zu halten. Auf diese Weise wird die Kühlung der Antikathodenanordnung 17 unterstützt.
Die Substrate 20 werden wie bereits bemerkt mit Material der Antikathode 19, das durch die auf die Antikathode ausgeübte Hochfrequenzenergie ausgesprüht wird besprüht. Die Substrate 20 sind gegenüber der Antikathode 19 auf einem Substrathalter 51 angeordnet, der aus einer Montageplatte 52 und einer in diese eingesetzten Tragplatte 53 besteht. Die Montageplatte 52 ist an stützen 54 befestigt, die aus isolierendem oder leitenden Material bestehen können und zwar so, daß zwischen den Substraten 20 und der Antikathode 19 ein Zwischenraum stehenbleibt>. Mit 55 ist eine Kühlschlange bezeichnet, die von Kühlwasser oder anderem x:ühl~ mittel bei Betrieb durchströmt ist und gleichzeitig als Elektrode
und die elektrischjleitende Montageplatte 52 mit einer äußeren
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Spannungsquelle verbindet. Die Kühlschlange 55 dient dazu, die Montageplatte und die Tragplatte auf eine bestimmte Betriebstemperatur zu kühlen. Die Kühlschlange 55 ist an einer elektrisch :l iolierenden Durchführung 56 vakuumdicht durch die Bodenplatte hiLndurchgeführt. Die Montageplatte 52 wirkt als Anode und wird durch den Kühlwasserstrom in der Kühlschlange 55 bei Betrieb gekühlt.
Bei dem in Figur 2 nur ausschnittsweise dargestellten Ausführungsbeispiel sind die nicht dargestellten Teile genauso ausgestaltet w:.e in Figur ι gezeichnet. Gleiche Teile aus Figur 1 und 2 sind nit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Zwischen dem Kathodenkopf 3, und der Antikathode 19 ist wieder ein Spalt 27 ausgespart, der, \/:.e auch bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1, mit einem Material gefüllt ist, das die gleichen Eigenschaften hat wie im Text zu Figur 1 erläutert. Unterschiedlich gegenüber Figur 1 ist eine Dichtung 60, die aus Plastikmaterial oder dergleichen besteht und d'-n Spalt 27 nach außen abdichtet und zu diesem Zweck zwischen die Antikathode 19 und einen inneren Flansch 61 des dem Ring 28 entsprechenden Ringes 62 gelegt ist. Der Ring 62 ist ebenso wie d€:r Ring 28 an der Deckplatte 13 lösbar befestigt.
Der dem Tragring 23 entsprechende Tragring 63, der aus dielektrischem Material, zum Beispiel Quarz, besteht, reicht zum Unterschied gegenüber dem Ausführungsbeispiel aus Figur 1 bis an den P.jng 62 heran. Aus diesem Grunde weist der Ring 62 unten eine äußere Abschrägung 64 auf, die der Abschrägung des inneren Randes (V-Λ Tragringes 63 angeformt ist. Mit 65 ist ein dem Klemmring -fr,tsprechender Klemmring bezeichnet, der auch die gleiche Funktion hc, ι 1VIe der Klemmring 2G.
Der Spalt 27 ist durch die Dichtung 60 abgedichtet, die durch An- ').:mck des Ringes 62 belastet ist, so daß das im Spalt 27 vorhande-• - flüssige Material nicht aus dem Spalt austreten kann.
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iei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 3 sind wieder die nicht dargestellten Teile genauso ausgebildet wie nach Figur«? 1 und gleiche Teile mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Zwischen dem. Kaihodenkopf 31 und der Antikathode 76 ist auch bei diesem Ausfühlungsbeispiel ein Spalt 27 vorgesehen. An Stelle der '-jeckpl&Aite '.st eine Deckplatte 70 vorgesehen, aeven unterer Flansch 72 eine innere Abschrägung 71 aufweist. Mit 73 ist ein King bezeichnet, dessen äußerer Rand 74 abgeschrägt ist und an ά&τ Abschrägung anliegt.
Der King 73 weist einen unteren inneren Flansch 75 auf, der von c.ußen an der Antikathode 76 anliegt. Die Antikathode 76 ist genauso ausgebildet wie die Antikathode 19 mit der Ausnahme, daß der land 77 der Antikathode statt schräg wie bei den Ausführungsbeispielen nach Figur 1 und 2 gerade ist.
rar Rand 77 der Antikathode 76 ist in einen Dichtring 79 eingefaßt. Der Dichtring 79 hat L-förmigen Querschnitt und sein einer Querschnittsschenkel paßt zwischen den äußeren Rand der Anti" i-athode 76 und den inneren Band 78 des Ringes 73, während der andere Schenkel oben auf der Antikathode 76 liegt.
Ler Dichtring 79 besteht aus Plastik und ist durch eine Vielzahl von auf den Umfang verteilt angeordneten Haltern 80 nach hinten gegen den Flansch 75 gepreßt. Die Halter 80 sind an dem Flansch 72 lösbar befestigt. Das Material im Spalt 27 kann nicht zwischen der Oberfläche der Antikathode 76 und der unteren Außenfläche des Dichtringes 79 oder zwischen der unteren Außenfläche der Antikathode 76 und der oberen Außenfläche des Flansches 75 hindurchflies- ssii. Es kann also kein Füllmaterial aus dem Spalt 27 in die Kammer 10 gelangen.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 4 ist die Antikathode 85 t jpfförmig. Der Boden des Topfes ist mit ?·>€ und der Mantel mit
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bsseichnet. Die Antikathode 85 ist an der Deckplatte 88 der Sprüh-Icanaaer mittels eines geschlossenen Ringes 89 befestigt. Der King 89 besteht aus elektrischem Isoliermaterial, wie es beispielsweise iintei1 der Bezeichnung Teflon bekannt ist, und hat einen schrägen inneren Kand. Dem schrägen inneren Rand 90 ist der schräge äußere Hand eines verdickten Kopfringes 91 der Antikathode 85 angepaßt. Der Ring 89 ist an der Deckplatte 88 mittels nicht dargestellter Bolzen und Schrauben befestigt.
Mit 92 ist ein Dichtring bezeichnet, der zwischen der Deckplatte 88 und dem Ring 89 zur Abdichtung der Sprühkaimier vorgesehen ist.
Mit 93 ist ein Dichtring bezeichnet, der zwischen dem Rand 90 des Ringes 89 und dem verdickten Kopfring 91 der Antikathode 85 ange- ätä ordnet ist und an dieser Stelle die Kammer dichtet. Die Dichtringe S-2 und 93, die die Sprühkammer nach außen abdichten, sind also V alcuumdichtungen.
viit 94 ist eine Kathode bezeichnet, die innerhalb der Antikathode 35 angeordnet ist. Der Kopf 95 der Kathode weist einen Abstand zur inneren Oberfläche des Bodens 86 der Antikathode 85 auf, so daß sin Spalt 96 stehenbleibt, der mit einem Material gefüllt ist, das lie gleichen Eigenschaften hat vie das Füllmaterial des ersten Ausführungsbeispiels. Dieses Material gestattet den Wärmefluß vom Boden 86 zur Kathode 94 und den elektrischen Energiefluß von der Kathode 94 zum Boden 86 der Antikathode 85-
¥egen der Form des Kathodenkopfes 95 gelangt die Hochfrequenzenergie aus der Hochfrequenzenargiequelle 97 nur an den Boden 86 der Antikathode 85 und an die unmittelbar angrenzenden Teile des Hanteis 87, also die tief gelegenen Teile. Der Sprülivorgang geht also in erster Linie von dem flachen Boden. 86 aus, dessen untere freie Oberfläche parallel zur Anode ist.
Die Kathode 94 wird durch einen Kühlv/asserstrom gekühlt, der im Innern der Röhre 98 strönt uv-d den Xathodenkop.? 95 durchsetzt,
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ί» i V- ~U V ν/ --^
Die .;B3iI flüssigkeit gelangt durch einen Kanal 99 wie ri^-für^uysn Qr:ar~cäaitt in das Innere des iCathodsnkopfes 95 i'^cl von .-:.:■. -.var-ück durch eine zur äußeren il'iiire 100 koaxiale Röhre :■?&.
f'ie äußere Röhre 10u der Kathode 94 ist an einem TAw ι Cr· b hastige vj\a an -ainem Ring 102 gehaltart, welch letzterer s:.xs el^hci-iichevn Isoliermaterial besteht. Dar äußere Kanc. 103 das Eingüs; . ü:j i^t abgeschrägt und gegen den entsprechend abgesch^q 1 ü?. :;.:ιη·ώ:οΘη. ^ati-:· 105 U23 Hinges 91 durch den. Dichtring 105 ^bgciöichtc.:.
Mit '.06 ist ein weiterer Dichtring bezeichnet, der zv/J jchen c.eni Ring 101 und dem Ring 102 liegt. Die Dichtringe 1G5 und 105 eichten die Kammer 107 im Innern der Antikathode 95 nach außen ab. Man kann mithin die Kammer 107 teilweise evakuieren, indem man sie über eine Saugleitung 109 an die Saugsaite einer Vakuumpumpe 108 anschließt.
Die übrigen in Figur 1 nicht dargestellten Teile sind wie in Figur 1 dargestellt ausgebildet.
Figur 5 seigt ein fünftes Ausführungsbeispiel, das den au:-; r-\i-gur 4 sehr ähnlich ist. Im folgenden werden "rar die gegenüber Figur 4 unterschiedlichen Teile erläutert. An Stelle der Kathode 94 ist eine Kathode 110 vorgesehen, deren Kathodenkopf mit Abstand zum Boden 86 der Antikathode 85 angeordnet ist, so daß ein Spalt 114 dazwischen stehenbleibt. Die Kathode 110 besteht sus einem Rohr und einem flachen Kathodenkopf 111 . Der innere Kanal ι': 3 des Rohrs mündet in den Spalt 114. Mit 116 ist ein Ring bezeichne^ in den das Rohr 112 eingesetzt ist und der mit einem abgeschrägten äußeren Rand dem entsprechend abgeschrägten inneren Rand das verdickten Kopfes 91 der Antikathode 85 angepaßt und liegt an dieser an»
Der Sing 116 besteht aus einem kompressiblen, elektrisch^, soli er enden Material und bildet eine Flüssigkeitsdichtung zwischen dem Kopf 91 und dem Rohr 110. Durch den :<a.n£l 113 wird bei Betrieb eine d:" t.'lelctrische Flüssigkeit alü :iühl)ft:i tte.l ei:H.->i-M: c.üL die den
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SAD
■ 1 ■- Λ Ο '5 Λ ■ -J t. J
j.-": Ti 4 ":".nd die Kammer 115 ausfüllt und die Κακ:: sr Ii 3 durch
. /U'/cnbruch 11.7 wieder verläßt. Die Olxlflüisigi^-sj.t ::.';:ltei: die n.G von dem Kopf VIl v:a6 gestattet die Kochfr-squsnxeaei-gicüberc'-av?.g von dem Kopf 111 an den Boden So der Arrcü'aüiede 95. Die
ihfrequeaasnergiG wird von einer Hoci).frequen?,ener-giequelle 11 8, -' an das el^lU:ν:; ι; ;1ι leitend a'asgebildete Rohr lic angeschlossen .■. eingespeist. Ein Beispiel für eine gesicjnete Kühlflüssigkeit .fleiouisisrtes lasser.
ΐ in Figur 5 niclrfc dargestellten Teile sind wie bai dem Auaftih-•gsbsispiel nach Fig-ur 1 ausgebildet.
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ÖAD ORIGINAL

Claims (1)

  1. Meine Akte:
    P 15 938 / FI 968 081
    30. Dezember 1970
    ANSPRÜCHE
    "■ . J Kochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung mit einer flcichen. ^—^ als Substratträger ausgebildeten Anode und einer planparallel gegenüber <der Anode angeordneten flachen Kathode in einer evakuierbaren Sprühkammer und mit einer Antikathode aus auf die Substrate zu sprühendenxMaterial auf der der Anode zugekehrten Seite der Kathode, dadurch gekennzeichnet, daß die Antikathode {19,66,85} auswechselbar einen Spalt (27,96,114) zur Kathode freilassend, planparallel zur Kathode (31,1's1* angeordnet ist und daß der Spalt bei Betrieb mit einer dielektrischen, wärmeleitenden Flüssigkeit gefüllt ist und gegen die Sprühkaramer (W ,...) abgedichtet ist.
    £. Sprühvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,, daß die Kathode {31) in einer nach außen abgedichteten und zur Sprühkammer (1O) vakuumdicht abgedichteten Kathodenkaramer (44) untergebracht ist, die von flüssigem Kühlmittel eines Süßeren Kühlsystems gekühlt wird.
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    :> sprühvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kathodenkammer (44) an das äußere Kühlsystem angeschlossene Kühlschlangen (47) angeordnet sind und daß die Kathodenkammer an die Saugseite einer Vakuumpumpe (55} angeschlossen ist, die so steuerbar ist, daß der Druck in der Kathodenkammer (44) immer weitgehend dem in der Sprühkammer (10) gleicht.
    4. Sprühvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenkammer (115) und der spalt (114) miteinander kommunizieren und in·eine die Kathode (110) durchsetzende, an ein äußeres Kühlsystem angeschlossene Kühlmittelleitung einbezogen sind.
    5. Sprühvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Antikathode eine flache, runde Scheibe mit abgeschrägtem Rand ist, die in einen entsprechend abgeschrägten Tragring (23) aus Isoliermaterial eingesetzt ist und daß der Tragring (23) einen abgeschrägten äußeren Rand aufweist, mit dem er von einem Klemmring (26) hinterfaßt wird, der an einem Flansch einer Deckplatte (13) lösbar verschraubt ist und daß innerhalb der Kathodenkammer (44) ein Ring (28,62, 79) vorgesehen ist, der den Spalt 27 zur Kathoäenkasnn-ar hin abdichtend umgibt.
    6. Sprühvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring (28) starr ist und einen inneren unteren Flansch aufweist, auf dem sich der Kathodenkopf (31) abstutzt und mit einer Ringdichtung (33) gegen das Ziel (19) abgedichtet ist und daß der Ring (28) von der Deckplatte (13) lösbar ist.
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    ' Vt
    7- Sprühvorrichtung nach Anspruch 5, dadurcit .güisi-aisioia-iip-i:, daß der King (79) aus elastischem Dichtmaterial bar;teilt und wn mit der Deckplatte (13) verschraubten Haltern (80) s^gen einen unteren inneren Plansch (75) der Deckplatte (70), auf dem sich auch die Antikathode (76) abstützt und auf Ίΐζ-. /u.-.tikaihcdr· (56) gepreßt wird.
    8. Sprühvorrichtung nach einem oder mehreren der vorher9spenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, das die Kathoden?*·aifuner- (44, 107) durch eine lösbare Abdeckplatte (40,102) nach außen verschlossen ist und daß die Kathode (31,94) bei abgenoiismener Abdeckplatte (40) aus der Kathodenkammer herausnehmbar ist und daß die Antikathode (I9t85) bei herausgenommener Kathode von außen zum Auswechseln zugänglich ist.
    109831/U96
    9ÄD
    Leerseite
DE2102352A 1970-01-22 1971-01-19 Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung Expired DE2102352C3 (de)

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US (1) US3630881A (de)
JP (1) JPS5021156B1 (de)
DE (1) DE2102352C3 (de)
GB (1) GB1311042A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
US5423971A (en) * 1993-01-19 1995-06-13 Leybold Aktiengesellschaft Arrangement for coating substrates
DE19958857A1 (de) * 1999-06-16 2000-12-21 Leybold Systems Gmbh Sputterkathode

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54117639U (de) * 1978-02-06 1979-08-17
US4268374A (en) * 1979-08-09 1981-05-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High capacity sputter-etching apparatus
US6689254B1 (en) * 1990-10-31 2004-02-10 Tokyo Electron Limited Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor
EP0592174B1 (de) * 1992-10-05 2001-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung eines optischen Speichermediums, Zerstäubungsmethode
EP0625792B1 (de) * 1993-05-19 1997-05-28 Applied Materials, Inc. Vorrichtung und Verfahren zur Erhöhung der Zerstäubungsrate in einem Zerstäubungsgerät
US5487822A (en) * 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5433835B1 (en) * 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5738770A (en) * 1996-06-21 1998-04-14 Sony Corporation Mechanically joined sputtering target and adapter therefor
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
US6086735A (en) * 1998-06-01 2000-07-11 Praxair S.T. Technology, Inc. Contoured sputtering target
DE19916938A1 (de) * 1999-04-15 2000-10-19 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Kühlung eines Targets mit einem Kühlmedium
US6551470B1 (en) * 1999-06-15 2003-04-22 Academy Precision Materials Clamp and target assembly
AU2001227109A1 (en) * 2000-01-27 2001-08-07 Nikon Corporation Method for preparing film of compound material containing gas forming element
US6416634B1 (en) * 2000-04-05 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition
US6503380B1 (en) 2000-10-13 2003-01-07 Honeywell International Inc. Physical vapor target constructions
TWI269815B (en) * 2002-05-20 2007-01-01 Tosoh Smd Inc Replaceable target sidewall insert with texturing
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7156470B1 (en) * 2004-06-28 2007-01-02 Wright James P Wheel trim hub cover
US7479210B2 (en) * 2005-04-14 2009-01-20 Tango Systems, Inc. Temperature control of pallet in sputtering system
CN108788124B (zh) * 2018-05-28 2019-10-11 北京梦之墨科技有限公司 一种导电油墨及丝网印刷方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3369991A (en) * 1965-01-28 1968-02-20 Ibm Apparatus for cathode sputtering including a shielded rf electrode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3369991A (en) * 1965-01-28 1968-02-20 Ibm Apparatus for cathode sputtering including a shielded rf electrode

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
US5423971A (en) * 1993-01-19 1995-06-13 Leybold Aktiengesellschaft Arrangement for coating substrates
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
DE19958857A1 (de) * 1999-06-16 2000-12-21 Leybold Systems Gmbh Sputterkathode
DE19958857B4 (de) * 1999-06-16 2014-09-25 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Sputterkathode

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5021156B1 (de) 1975-07-21
DE2102352B2 (de) 1980-10-02
DE2102352C3 (de) 1981-08-27
GB1311042A (en) 1973-03-21
US3630881A (en) 1971-12-28

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