DE19939933A1 - Leistungs-Moduleinheit - Google Patents

Leistungs-Moduleinheit

Info

Publication number
DE19939933A1
DE19939933A1 DE19939933A DE19939933A DE19939933A1 DE 19939933 A1 DE19939933 A1 DE 19939933A1 DE 19939933 A DE19939933 A DE 19939933A DE 19939933 A DE19939933 A DE 19939933A DE 19939933 A1 DE19939933 A1 DE 19939933A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
module unit
unit according
power
conductive
base part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19939933A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19939933B4 (de
Inventor
William Grant
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siliconix Technology CV
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of DE19939933A1 publication Critical patent/DE19939933A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19939933B4 publication Critical patent/DE19939933B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P25/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details
    • H02P25/02—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details characterised by the kind of motor
    • H02P25/08—Reluctance motors
    • H02P25/092—Converters specially adapted for controlling reluctance motors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20845—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for automotive electronic casings
    • H05K7/20854—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Leistungs-Moduleinheit für einen Motor, bei dem die Moduleinheit zur Aufnahme sowohl der Hochleistungsbauteile, die zur Ansteuerung der Phasenwicklungen des Motors erforderlich sind, als auch der Steuerelektronik ausgebildet ist, die zur Steuerung der Betriebsweise der Hochleistungsbauteile erforderlich ist. Die Bauteile sind derart angeordnet, daß die von den Hochleistungsbauteilen erzeugte thermische Energie von der Steuerelektronik fort zur nachfolgenden Ableitung gelenkt wird. Ein isoliertes Metallsubstrat wird als das Basisteil der Moduleinheit verwendet, um die thermische Energie abzuleiten. Die Bauteile der Moduleinheit können leicht durch die Verwendung von lötfreien federnden Verbindungen von der Steuerelektronik zu den anderen Bauteilen in der Moduleinheit zusammengebaut werden. Die Moduleinheit umfaßt ein Basisteil, ein mit dem Basisteil gekoppeltes Leistungsgehäuse und eine Leiterplatte, die in einer inneren Kammer des Leistungsgehäuses angeordnet ist. Das Leistungsgehäuse weist eine Mehrzahl von Wänden, die die innenliegende Kammer bilden, sowie zumindest einen leitenden Bereich auf. Zumindest ein elektronisches Bauteil ist an dem leitenden Bereich befestigt.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Leistungs-Moduleinheiten der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art und insbesondere auf eine integrierte Leistungs- Gehäusebaugruppe zur Motorsteuerung unter Verwendung interner Anschlüsse zur Wärmeableitung.
Leistungs-Moduleinheiten, die Halbleiterbauteile verwenden, werden in vielen unter­ schiedlichen Anwendungen verwendet. Eine bevorzugte Anwendung von Leistungs- Moduleinheiten besteht in der Ansteuerung und Kontrolle von Motoren. Diese Leistungs-Moduleinheiten verwenden in vielen Fällen Feldeffekttransistoren (FET), ins­ besondere Leistungs-Metalloxyd-Feldeffekttransistoren (MOSFET) zur Lieferung von Leistung zur Speisung des Motors auf der Grundlage von Signalen, die von einer mit niedriger Leistung arbeitenden Steuerschaltung empfangen werden. Obwohl Feldeffekt­ transistoren in der Lage sind, die hohen Ströme zu schalten, die zur Speisung eines lei­ stungsfähigen Motors erforderlich sind, wie er beispielsweise in Kraftfahrzeug- Servolenkungsmechanismen verwendet wird, erzeugen sie auch eine erhebliche Menge an thermischer Energie, wenn sie diese großen Ströme schalten.
Es werden in vielen Fällen große Kühlkörper verwendet, um die von den Feldeffekttran­ sistoren erzeugte thermische Energie abzuleiten. Dies führt zu großen Modul- Gehäusegrößen und zu komplizierten Halbleiter-Befestigungsanordnungen. Weiterhin kann die Anordnung der empfindlichen Niedrigleistungs-Steuerschaltungen in der Nähe von Leistungshalbleitern die Zuverlässigkeit der Moduleinheit verringern und dessen Betriebsweise beeinflussen, und zwar aufgrund der schädlichen thermischen Energie, die von den Feldeffekttransistoren abgestrahlt wird.
Diese Modulgehäuse-Anforderungen können besonders bei Kraftfahrzeuganwendun­ gen schwierig zu erfüllen sein, bei denen die Leistungs-Moduleinheit klein sein muß und an der gleichen Stelle wie der angesteuerte Motor angeordnet werden muß. Beispiels­ weise wird das Ansteuermodul für einen Elektromotor in der Servolenkung in optimaler Weise direkt an den mechanischen Servolenkungs-Bauteilen angeordnet, die er ansteuert. Das Vorhandensein von großen Kühlkörpern oder einer aufwendigen Ver­ drahtung und Verkabelung zwischen den Leistungshalbleitern und der Modul- Steuerschaltung ist unerwünscht, weil hierdurch eine wirkungsvolle Ausnutzung der Leistungs-Halbleiterbauteile zur Steuerung eines Elektromotors verhindert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Leistungs-Halbleiter-Moduleinheit der eingangs genannten Art zu schaffen, die kompakt ist und in der Lage ist, ein hohes Drehmoment liefernde Elektromotoren anzusteuern.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß wird eine Leistungs-Halbleiter-Moduleinheit geschaffen, die kompakt ist, die in der Lage ist, Elektromotoren mit hohem Drehmoment anzusteuern, unter Ein­ schluß von Motoren mit geschalteter Reluktanz, und bei der die Steuerschaltung in der Moduleinheit integriert ist. Die Leistungs-Erd- und Motoranschlüsse erstrecken sich durch das Gehäuse der Moduleinheit derart, daß die Hochleistungs-Halbleiterbauteile direkt auf diesen befestigt sind. Die Hochleistungs-Halbleiterbauteile sind ohne die Ver­ wendung von Drähten oder Kabeln miteinander verbunden.
Die Leistungs-Moduleinheit der vorliegenden Erfindung ist so ausgebildet, daß sie die thermische Energie von der Steuerelektronik fort ableitet, wobei die von den Hochleistungs-Halbleiterbauteilen erzeugte thermische Energie auf ein metallisches Substrat-Basisteil übertragen wird, so daß sich eine zuverlässige Moduleinheit ergibt, die außerdem kompakt ist, so daß sie in der Nähe des Motors befestigt werden kann, den sie steuert.
Die vorliegende Erfindung ergibt eine elektronische Moduleinheit, die ein Basisteil und ein Leistungsgehäuse aufweist, das mit dem Basisteil verbunden ist. Das Leistungsge­ häuse weist eine Mehrzahl von eine innere Kammer bildenden Wänden und zumindest einen leitenden Bereich auf. Zumindest ein elektronisches Bauteil ist auf dem zumin­ dest einen leitenden Bereich befestigt. Eine Leiterplatte ist innerhalb der inneren Kam­ mer des Leistungsgehäuses angeordnet.
Die vorliegende Erfindung ergibt weiterhin eine isolierte Metallsubstrat-Platte für eine elektronische Moduleinheit, bei der die Platte ein thermisch leitendes metallisches Sub­ strat aufweist. Eine erste Isolierschicht ist an dem metallischen Substrat befestigt, wobei die erste Isolierschicht im wesentlichen das metallische Substrat bedeckt. Zumindest zwei leitende Bereiche sind an der Isolierschicht befestigt, wobei die zumindest zwei lei­ tenden Bereiche geätzt werden, um eine Mehrzahl von diskreten Bereichen zu bilden. Eine zweite Isolierschicht ist zwischen den zumindest zwei leitenden Bereichen ange­ ordnet, und eine Lötmaske ist auf dem zumindest einen leitenden Bereich angeordnet.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer zusammengebauten Leistungs-Moduleinheit gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 eine Vorderansicht einer zusammengebauten Leistungs-Moduleinheit gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 3 eine Seitenansicht einer zusammengebauten Leistungs-Modulheinheit gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 4 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht der zusammengebauten Leistungs-Modulheinheit gemäß den Fig. 1-3,
Fig. 5 eine Unteransicht eines Leistungsgehäuses, wie es in einer Leistungs- Modulheinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,
Fig. 6 eine Draufsicht auf ein Leistungsgehäuse, wie es in einer Leistungs- Modulheinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,
Fig. 7 eine Draufsicht auf eine Basisplatte, die bei einer Leistungs-Moduleinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,
Fig. 8 eine Schnittansicht eines Teils der Basisplatte nach Fig. 6,
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht einer Leistungs-Moduleinheit gemäß der vorliegen­ den Erfindung, die eine Basisplatte, ein Leistungsgehäuse und Hochleistungs- Halbleiterbauteile zeigt, die an dem Leistungsgehäuse befestigt sind,
Fig. 10 ein Schaltbild, das eine Hochleistungsschaltung für einen 4-Phasen-Wandler für einen geschalteten Reluktanzmotor unter Verwendung der in Fig. 9 gezeigten Bau­ teile zeigt.
Zur Erläuterung der Erfindung ist in den Zeichnungen eine Ausführungsform gezeigt, die derzeit bevorzugt wird, wobei es jedoch verständlich ist, daß die Erfindung nicht auf die genaue Anordnung und Ausführungsform beschränkt ist, wie sie dargestellt ist.
In den Figuren, in denen sich gleiche Bezugsziffern auf gleiche Elemente beziehen, zei­ gen die Fig. 1, 2 und 3 eine perspektivische Ansicht, eine Vorderansicht bzw. eine Seitenansicht einer zusammengebauten Moduleinheit 2 gemäß der vorliegenden Erfin­ dung. Die Leistungs-Moduleinheit 2 besteht aus drei Haupt-Teilbaugruppen, nämlich einem Leistungsgehäuse 4, einer Basisplatte 6 und einer Leiterplatte 8. Wie dies gezeigt ist, ist das Leistungsgehäuse 4 auf der Basisplatte 6 befestigt, und die Leiter­ platte 8 ist in den Hohlraum in dem Leistungsgehäuse 4 eingesetzt. Jede dieser Teil­ baugruppen wird weiter unten ausführlich erläutert.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Leistungs-Moduleinheit 2 in einer elek­ trisch angetriebenen Kraftfahrzeug-Senrolenkungsanwendung verwendet, bei der die elektrischen Bauteile einen 4-Phasen-Wandler für einen geschalteten Reluktanzmotor bilden. Entsprechend werden Halbleiterbauteile, wie beispielsweise Leistungs- MOSFET-Bauteile verwendet, um eine Gleichspannungs-Eingangsleistungsquelle in eine geeignete Wechselspannungs-Ausgangsleistung zur Ansteuerung des Motors umzuwandeln. Es ist weiterhin vorgesehen, daß die Leistungs-Moduleinheit gemäß der vorliegenden Erfindung in einfacher Weise zur Verwendung als Wandler für einen bür­ stenlosen Dreiphasen-Gleichstrommotor angepaßt werden kann.
Das Leistungsgehäuse 4 schließt Eingangsleistungsanschlüsse 10a, 10b und 10c ein, die vorzugsweise zum Empfang von Gleichspannungs-Eingangsleistung von einer (nicht gezeigten) äußeren Quelle ausgebildet sind. Beispielsweise ist der Anschluß 10a ein positiver Spannungsanschluß, der Anschluß 10b ist ein negativer Spannungsan­ schluß und der Anschluß 10c ist ein Fahrgestell-Erdanschluß. Das Leistungsgehäuse 4 schließt weiterhin Motor-Phasenanschlüsse 12a, 12b, 12c, 12d, 12e und 12f ein, die vorzugsweise zur Schaffung einer elektrischen Verbindung von der Leistungs- Moduleinheit 2 zu den verschiedenen Phasenwicklungen eines geschalteten 4-Phasen- Reluktanzmotors ausgebildet sind, den die Leistungs-Moduleinheit steuern soll. Es sei darauf hingewiesen, daß die Motor-Phasenanschlüsse 12a-12f einstückig mit dem Lei­ stungsgehäuse 4 abgeformt sind. Eine bevorzugte Schaltung für den elektronischen Leistungsabschnitt für die Leistungs-Moduleinheit 2 wird weiter unten ausführlicher beschrieben.
Die Leiterplatte 8 ergibt die erforderlichen Niedrigleistungs-Steuerschaltungen zur Ansteuerung der Hochleistungs-Steuergeräteelektronik, wie z. B. von hohe Ströme füh­ renden Leistungs-MOSFET-Bauteilen und Dioden. Die Niedrigleistungs-Steuer­ schaltung liefert typischerweise die Gate-Ansteuerspannung für die Hochleistungs- MOSFET-Halbleiter. Die einzelnen Niedrigleistungs-Schaltungsbauteile sind vorzugs­ weise auf der Oberseite 14 der Leiterplatte 8 befestigt. Eine Steckverbindung 16 ist an der Leiterplatte 8 befestigt, um externe Verbindungen an die Niedrigleistungs-Schaltung zu schaffen.
Eine elektrische Verbindung zwischen der Niedrigleistungs-Schaltung auf der Leiterplat­ te 8 und den Hochleistungs-Bauteilen 18, die auf dem Leistungsgehäuse 4 befestigt sind, wie dies weiter unten erläutert wird, wird mit Hilfe von S-förmigen Anschlußstiftver­ bindern 20 erreicht. Obwohl in Fig. 3 lediglich zwei derartige Verbinder gezeigt sind, sei darauf hingewiesen, daß zusätzliche Verbinder verwendet werden können, wie dies erforderlich ist. Obwohl die Verbinder 20 so gezeigt sind, als ob sie vorzugsweise S- förmig sind, können diese Verbinder irgendeine Form aufweisen, sofern sie einen elasti­ schen gelöteten oder Drahtkontaktierungs-Anschluß zwischen der Leiterplatte 8 und dem Leistungsgehäuse 4 ergeben. Wie dies gezeigt ist, ergeben die S-förmigen Stift­ verbinder 20 eine federnde elastische Verbindung zwischen der Leiterplatte 8 und dem Leistungsgehäuse 4, derart, daß durch die Befestigung der Leiterplatte 8 in dem Hohl­ raum in dem Leistungsgehäuse 4 die S-förmigen Stiftverbindungen 20 direkt mit einer metallischen Lasche 20 auf dem Leistungsgehäuse 4 in Kontakt kommen oder direkt mit einem Anschlußkissenbereich auf der Basisplatte 6 in Kontakt kommen.
Die Verwendung der S-förmigen Stiftverbinder 20 vermeidet die Notwendigkeit der Ver­ wendung einer an einem Rand angeordneten Reihe oder von Reihen von Verbindungs­ stiften. Verbindungsstifte, die in Form einer Kantensteckverbindung angeordnet sind, erfordern, daß die zu anderen Modulbauteilen, wie z. B. dem Leistungsgehäuse 4 oder der Grundplatte 6 zu überführenden Signale zu der gleichen allgemeinen Position auf der Leiterplatte geführt werden. Hierdurch werden unnötig lange Signalpfade eingeführt und die Empfindlichkeit gegenüber Störungen wird vergrößert. Im Gegensatz hierzu ermöglicht es die Verwendung der S-Stiftverbinder 20, daß Signale auf der Leiterplatte 8 direkt mit dem Leistungsgehäuse 4 oder der Basisplatte 6 dadurch verbunden wer­ den, daß jede Verbindung unabhängig von jeder anderen gemacht wird. Dies heißt mit anderen Worten, daß es die S-Stiftverbinder 20 ermöglichen, daß ein mit einem Modul­ bauteil zu verbindendes Signal an irgendeinem geeigneten Punkt in dem Signalpfad angeordnet werden kann. Hierdurch wird die Notwendigkeit der Einführung einer zusätzlichen Signal-Leiterbahnlänge vermieden und es ergibt sich eine bessere Störun­ empfindlichkeit für die Leistungs-Moduleinheit 2.
Die Leistungs-Moduleinheit 2 kann über Befestigungslaschen 24 befestigt werden, die zur Aufnahme geeigneter Befestigungselemente, wie z. B. Schrauben, ausgebildet sind, wie dies in der Technik gut bekannt ist. Die Leistungs-Moduleinheit 2 wird vorzugsweise über die Basisplatte 6 an einem Kühlkörper befestigt, so daß die von den Hochlei­ stungsbauteilen erzeugte Wärme abgeführt wird. Wie dies weiter unten ausführlich erläutert wird, ergibt die Basisplatte 6 eine thermische Verbindungsstrecke für die Hoch­ leistungsbauteile, so daß die Basisplatte 6 vorzugsweise eine isolierte Metallsubstrat- (IMS-)Struktur ist, die ein dickes Kupfer- oder Aluminiumsubstrat aufweist, das mit einem relativ dünnen Isolierfilm bedeckt ist, auf dem eine dünne, aus Kupfer oder ande­ rem leitenden Material bestehende lötbare Oberfläche angeordnet ist.
Fig. 4 zeigt eine auseinandergezogene Ansicht der Leistungs-Moduleinheit 2 gemäß der vorliegenden Erfindung. Das Leistungsgehäuse 4, die Basisplatte 6 und die Leiter­ platte 8 sind zur Schaffung einer kompakten Baugruppe und zur wirkungsvollen Ausnut­ zung der zur Verfügung stehenden Oberfläche angeordnet.
Das Leistungsgehäuse 4 wird mit der Basisplatte 6 durch Einsetzen von Befestigungs­ zapfen 26 in Befestigungsbohrungen 28 ausgerichtet und gekoppelt. Das Leistungsge­ häuse 4 ist so abgeformt, daß es leitende Bereiche 30 einschließt, auf denen Hoch­ leistungs-Halbleiterbauteile 18 beispielsweise durch Löten, mit Hilfe eines leitenden Epoxy-Materials oder dergleichen befestigt sind. Wenn das Leistungsgehäuse 4 an der Basisplatte 6 befestigt ist, sind die leitenden Bereiche 30 über jeweiligen Kontaktbahn- Bereichen angeordnet und mit diesen durch Löten oder durch eine leitende Klebever­ bindung verbunden. Dies ergibt eine elektrische Verbindung zwischen den Hochleistungs-Halbleiterbauteilen 18 und der Basisplatte 6.
Die Verbindung zwischen den leitenden Bereichen 30 und den Kontaktbereichen 32 erfüllt zwei nützliche Funktionen. Zunächst ergibt sich eine elektrische Verbindung zur Basisplatte, was die Verteilung von Leistungs- und Erdverbindungen und Hochlei­ stungssignalen zwischen den verschiedenen Hochleistungs-Halbleiterbauteilen 18 ermöglicht. Zweitens wird ein thermisch leitender Pfad von dem Hochleistungs- Halbleiterbauteilen 18 zur Basisplatte 6 geschaffen. Dieser thermisch leitende Pfad ermöglicht die Ableitung thermischer Energie von den Hochleistungs-Halbleiterbauteilen 18 und die Übertragung der thermischen Energie auf einen (nicht gezeigten) Kühlkör­ per, der mit der Basisplatte 6 gekoppelt ist.
Die Hochleistungsbauteile 18 sind auf der Oberseite der leitenden Bereiche 30 inner­ halb des Leistungsgehäuses 4 befestigt, während die Unterseite der leitenden Bereiche 30 mit den Kontaktbereichen 32 auf der Basisplatte 6 in Kontakt steht.
Die Leiterplatte 8 ist so ausgebildet, daß sie in das Leistungsgehäuse 4 derart paßt, daß eine Ausrichtkerbe 34 auf der Leiterplatte 8 mit einer Ausrichtlasche 36 auf dem Leistungsgehäuse 4 zusammenpaßt. Hierdurch wird eine richtige Ausrichtung der Lei­ terplatte 8 sichergestellt, wodurch der Zusammenbau der Leistungs-Moduleinheit ver­ einfacht wird. Beim Einsetzen in das Leistungsgehäuse 4 kommen die S-förmigen Stift­ verbinder 20 mit einem oder mehreren leitenden Bereichen 30 und/oder einem oder mehreren jeweiligen Anschlußkissen 38 auf der Basisplatte 6 in Eingriff. Dies ermöglicht die Herstellung elektrischer Verbindungen zwischen der Leiterplatte 8 und der Basis­ platte 6, wobei die Herstellung vereinfacht wird.
Während der Herstellung kann die Leiterplatte 8 mit ihren zugehörigen Bauteilen getrennt von den Hochleistungsbauteilen 18 und dem Leistungsgehäuse 4 zusammen­ gebaut werden. Sobald das Leistungsgehäuse 4 und die Basisplatte 6 zusammenge­ baut sind und alle Drahtkontaktierungen fertiggestellt sind, wie dies weiter unten erläu­ tert wird, wird die Leiterplatte 8 in einfacher Weise mit dem Leistungsgehäuse 4 zusam­ mengebaut. Nachteilige Auswirkungen von thermischer Energie auf die Leiterplatte 8 werden unter Verwendung der Konfiguration gemäß der vorliegenden Erfindung ver­ mieden. Die thermische Energie wird von den Hochleistungsbauteilen 18 zu einem an der Basisplatte 6 angebrachten Kühlkörper in einer Richtung von der Leiterplatte 8 fort übertragen.
Der innere Hohlraum, der von dem Leistungsgehäuse 4 und der Basisplatte 6 und der (nicht gezeigten) Abdeckung gebildet wird, wird mit einem Vergußgel, wie z. B. einem Silikonelastomer gefüllt.
Die Hochleistungsbauteile 18 schließen Leistungs-MOSFET-Bauteile Überbrückungswi­ derstände, Schottky-Dioden und einen Kondensator ein, wie dies weiter unten erläutert wird, wobei diese Bauteile dazu verwendet werden, um beispielsweise einen Wandler für einen Motor mit geschalteter Reluktanz zu schaffen. Obwohl die Leistungs- Moduleinheit der vorliegenden Erfindung bezüglich eines Wandlers für einen Motor mit geschalteter Reluktanz beschrieben wird, ist es für den Fachmann ohne weiteres zu erkennen, daß die Leistungs-Moduleinheit an irgendeine Konfiguration angepaßt wer­ den kann, die Leistungs-Halbleiterbauteile und eine Niedrigleistungs-Steuerschaltung verwendet.
Die Fig. 5 und 6 zeigen eine Unteransicht bzw. eine Draufsicht des Leistungsgehäu­ ses 4 gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Fig. 5 und 6 zeigen die leitenden Bereiche 30 mit weiteren Einzelheiten. Jeder der leitenden Bereiche 30 ist eine Verlän­ gerung der Anschlüsse 10a-10c und der Motor-Phasenanschlüsse 12a-12f oder eines mit Hinterschneidungen versehenen Abschnittes 40, der in den Kunststoff-Formteil- Abschnitt 42 des Leistungsgehäuses 4 eingebettet ist. Im Fall der Anschlüsse 10a-10c oder der Motor-Phasenanschlüsse 12a-12f erstrecken sich die leitenden Bereiche 30 durch das Kunststoff-Formteil 42 und sind an diesem festgelegt.
Fig. 5 zeigt die Unterseite 44 der leitenden Bereiche 30.
Fig. 6 zeigt die Oberseite 46 der leitenden Bereiche 30. Jeder der Anschlüsse 10a-10c und der Motor-Phasenanschlüsse 12a-12f weist einen leitenden Bereich 30 auf, der eine Unterseite 44 und eine Oberseite 46 aufweist. Wie dies weiter oben erläutert wur­ de, sind die Hochleistungsbauteile 18 auf einer jeweiligen Oberseite 46 befestigt, wäh­ rend die Unterseite 44 in elektrischem Kontakt mit einem jeweiligen Kontaktbereich 32 auf der Basisplatte 6 steht.
Die Verwendung von aneinander angrenzenden Anschlüssen 10a-10c und Motor- Phasenanschlüssen 12a-12f, auf denen Hochleistungsbauteile 18 befestigt sind, verein­ facht die Konstruktion und unterstützt die Wärmeverteilung und -ableitung.
Das Leistungsgehäuse 4 ist weiterhin mit durchgehenden Bohrungen 49 zur Aufnahme einer geeigneten (nicht gezeigten) Abdeckung versehen.
Die Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf die Basisplatte 6 gemäß der vorliegenden Erfin­ dung. Wie dies weiter oben erläutert wurde, ist die Basisplatte 6 vorzugsweise eine iso­ lierte Metallsubstrat-(IMS-)Struktur und kann unter Verwendung bekannter Techniken gebildet werden. Die Basisplatte 6 ist mit einem derartigen Muster versehen, daß sich ein Massezugang an das Substrat 48 über eine Masse-Ätzung 50 ergibt. Eine derartige IMS-Struktur ergibt eine gute thermische Leitfähigkeit von den Kontakmustertbereichen 32 durch das IMS zu dem Substrat 48. Das Substrat 48 ist vorzugsweise aus Alumini­ um, und es ist vorzugsweise ungefähr 3 mm (0,125 Zoll) dick. Das metallische Substrat stellt einen besseren Leiter für thermische Energie verglichen mit vielen anderen Mate­ rialien dar, wie z. B. Kunststoff, Glas usw. Weiterhin schützt die Steifigkeit des metalli­ schen Substrats die Moduleinheit gegenüber einem Brechen.
Das IMS ist mit einem derartigen Muster versehen, daß eine Vielzahl von elektrisch iso­ lierten leitenden Bereichen gebildet wird. Diese leitenden Bereiche ermöglichen eine Verteilung der positiven und negativen Leistungsverbindungen und der Phasenan­ schlüsse, sie ermöglichen getrennte Gate-Anschlußkissen und unterstützen die Über­ tragung von thermischer Energie durch das Substrat, ohne daß ein Kurzschluß zwi­ schen den verschiedenen Bauteilen hervorgerufen wird. Obwohl eine IMS-Struktur bevorzugt wird, können andere Basisplatten-Strukturen verwendet werden, wie z. B. Al-, AlSiC- und/oder Cu-Basisplatten, die beispielsweise unter Verwendung eines Al2O3- Flammsprühens isoliert werden können, oder direkt verbundene Kupfer- oder aus akti­ vem Metall bestehende Messing-Substrate.
Fig. 8 zeigt eine Schnittansicht entlang des Schnittes 8-8 in Fig. 7. Die resultierende Struktur, wie sie bei der vorliegende Erfindung verwendet wird, ist in Fig. 8 gezeigt. Gemäß Fig. 8 ist eine erste Isolierschicht oder ein Polymer-Film 52 auf dem Substrat 48 angeordnet. Ein leitender Bereich 54 ist auf der ersten Isolierschicht 52 angeordnet, und eine leitende Schicht 56 ist auf dem leitenden Bereich 54 angeordnet. Ein zweiter Isolier- oder Polymer-Film 58 ist über der leitenden Schicht 56 angeordnet, und ein lei­ tender Bereich 60 ist auf dem zweiten Isolierfilm 58 angeordnet. Die erste Isolierschicht 52 und die zweite Isolierschicht 58 weisen vorzugsweise eine Dicke von ungefähr 0,15 mm (0,006 Zoll) auf. Der leitende Bereich 54 wird derart hergestellt, daß wenn die Ver­ tiefung 62 in die leitenden und isolierenden Bereiche 54, 56, 58 und 60 geätzt wird, der leitende Bereich 54 plattiert werden kann, um sich quer durch die Vertiefung 62 zu erstrecken und um eine Schicht oberhalb des leitenden Bereichs 60 zu bilden.
Eine Plattierungsschicht ist auf dem oberen verlängerten Teil des leitenden Teils 54 angeordnet. Ein geeignetes Plattierungsmaterial, wie z. B. eine Nickelplattierung, kann verwendet werden, vorzugsweise mit einem Gold-Oberflächenüberzug. Der leitende Bereich 54 ist vorzugsweise ungefähr 0,033 mm (0,0013 Zoll) bis ungefähr 0,038 mm (0,0015 Zoll) dick, und er besteht vorzugsweise aus Kupfer. Die leitenden Bereiche 56 und 60 sind vorzugsweise ungefähr 0,06 mm (0,0024 Zoll) bis ungefähr 0,076 mm (0,0030 Zoll) dick, und sie sind vorzugsweise aus Kupfer hergestellt. Schließlich wird eine Lötmaske 66 auf die Plattierungsschicht 64 aufgebracht, soweit dies zweckmäßig ist, um einen unerwünschten elektrischen Kontakt während des Bauteil-Lötvorganges zu verhindern.
Ein Beispiel einer Leistungs-Moduleinheit, die die Hochleistungsbauteile verwendet, die zur Herstellung eines Wandlers für einen 4-Phasen-Motor mit geschalteter Reluktanz erforderlich sind, und die auf den leitenden Bereichen 30 befestigt sind, ist in Fig. 9 gezeigt. Zunächst sei darauf hingewiesen, daß es wünschenswert ist, einen Kondensa­ tor vorzusehen, der betriebsmäßig zwischen den +BUS- und den -BUS-Anschlüssen in einer Leistungsschaltung angeschaltet ist. Gemäß der Erfindung wird ein Kondensator 68 betriebsmäßig beispielsweise durch Löten zwischen dem positiven Anschluß 10a und dem negativen Anschluß 10b angeschaltet. Der Kondensator 68 liefert eine örtliche Energie, die in der Lage ist, relativ große Stromimpulse in die Leistungsschaltung zu lie­ fern.
Wie dies in Fig. 9 gezeigt ist, ist der Kondensator 68 in vorteilhafter Weise auf passen­ den leitenden Bereichen 30 befestigt, so daß er keinen wertvollen Oberflächenbereich verbraucht. Die Befestigung des Kondensators 68 auf diese Weise ergibt immer noch ein ausgezeichnetes elektrisches Betriebsverhalten, weil er integral innerhalb der Lei­ stungsschaltung in enger elektrischer Nähe zu den anderen Schaltungsbauteilen ange­ ordnet ist.
Weiterhin können gemäß der Erfindung Überbrückungswiderstände 70a und 70b inner­ halb des Leistungsgehäuses 4 angeordnet sein. In vorteilhafter Weise sind die Über­ brückungswiderstände 70a und 70b innerhalb der Leistungsschaltung in elektrischer Nähe zu den Hochleistungsbauteilen 18 derart angeordnet, daß wertvoller Oberflächenbereich der Grundplatte eingespart wird. Die Überbrückungswiderstände 70a und 70b weisen vorzugsweise einen Widerstandswert von 1 mΩ auf.
Fig. 10 zeigt ein Schaltbild des als Beispiel verwendetem 4-Phasen-Wandlers für einen geschalteten Reluktanzmotor gemäß Fig. 9. Wie dies in den Fig. 9 und 10 gezeigt ist, stellt der Motor-Phasenanschluß 12a den Eingang an die Motorphase A und die Motorphase C dar. Die Motor-Phasenanschlüsse 12b und 12c stellen die jeweiligen Ausgänge der Motorphase A und der Motorphase C dar. In ähnlicher Weise stellt der Motor-Phasenanschluß 12d den Eingang an die Motorphase B und die Motorphase D dar, während die Motor-Phasenanschlüsse 12e und 12f die jeweiligen Ausgänge der Motorphase B und der Motorphase D darstellen.
Der Kondensator 68 und die Überbrückungswiderstände 70a und 70b sind ebenfalls an ihren jeweiligen Anordnungspunkten innerhalb der Schaltung gezeigt.
Wie dies in Fig. 9 gezeigt ist, ist ein Thermistor 72 an der Basisplatte 6 befestigt, um die Temperatur der Leistungs-Moduleinheit 2 zu überwachen. Der Thermistor 72 stellt kein integrales Bauteil der Motor-Wandlerschaltung dar, so daß er in Fig. 10 nicht gezeigt ist.
Wie dies in den Fig. 9 und 10 gezeigt ist, sind die Eingangs-MOSFET-Bauteile 74a und 74b auf einem leitenden Bereich 30 befestigt und mit einem anderen leitenden Bereich 30 über eine Vielzahl von Drahtkontaktierungen 76 verbunden. Die Drahtkon­ taktierungen 76, die zur Verbindung eines Anschlusses eines Halbleiterbauteils 60 mit einem leitenden Bereich 30 oder einem Gate-Anschlußkissen 78 auf der Basisplatte 6 verwendet werden, können unter Verwendung irgendeiner bekannten Drahtkontaktie­ rungstechnik hergestellt werden. Die Eingangs-MOSFET-Bauteile 74a und 74b sind vorzugsweise 30 Volt-N-Kanal-MOSFET-Bauteile mit der Halbleiterplättchen-Größe 4.6. Wie der Begriff hier verwendet wird, bezieht sich die Halbleiterplättchen-Größe der MOSFET-Bauteile 74a und 74 sowie aller anderen Halbleiterbauteile auf die in der Industrie genormten Halbleiterplättchen-Größen.
Die Ausgangs-MOSFET-Bauteile 80a, 80b, 80c und 80d sind zwischen ihren jeweiligen Motor-Phasenanschlüssen 12b, 12c, 12e und 12f und den -BUS-Anschluß 10b ange­ schaltet. Die Gate-Elektroden der Ausgangs-MOSFET-Bauteile 80a-80d sind über Drahtkontaktierungsverbindungen mit einem Gate-Anschlußkissen 78 zur Verbindung mit der Steuerschaltungs-Leiterplatte 8 verbunden. Die Verbindung zwischen den Gate- Anschlußkissen 78 und der Leiterplatte 8 erfolgt in der weiter oben erläuterten Weise über S-förmige Stiftverbinder 20. Die Ausgangs-MOSFET-Bauteile 80a-80d sind vor­ zugsweise 30-Volt-, N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Bauteile der Halbleiterplättchen- Größe 4.
Eine Wechselspannungs-Phasendiode 82, die aus zwei parallelen getrennten Halblei­ terplättchen 82a und 82b besteht, ist auf dem leitenden Bereich 30 angeordnet und befindet sich in der Motor-Steuerschaltung derart, daß sie an ihrer Kathode mit dem Drain-Anschluß des Eingangs-MOSFET 74a und an ihrer Anode mit dem -BUS- Eingangsanschluß 10b verbunden ist. In ähnlicher Weise besteht eine B-/D- Phasendiode 84 aus zwei getrennten Dioden-Halbleiterplättchen 84a und 84b, und sie ist innerhalb der Motor-Steuerschaltung mit ihrer Kathode mit dem Drain-Anschluß des Eingangs-MOSFET 74b und an ihrer Anode mit dem -BUS-Anschluß 10b verbunden. Jedes der Dioden-Halbleiterplättchens 82a, 82b, 84a und 84b ist vorzugsweise ein 45- Volt-Schottky-Bauteil mit der Halbleiterplättchen-Größe 2.
Schließlich sind Dioden 86a-86d an einem leitenden Bereich 30 befestigt und innerhalb der Motor-Steuerschaltung derart angeordnet, daß jede jeweilige Diode 86a, 86b, 86c und 86d an ihrer Kathode mit dem +BUS-Anschluß 10a und mit ihrer Anode mit einem jeweiligen Motor-Phasenanschluß 12b, 12c, 12e bzw. 12f verbunden ist. Die Dioden 86a, 86b, 86c und 86d sind vorzugsweise 45 Volt-Schottky-Bauteile mit der Halbleiterplättchen-Größe 2.
Ein Betrieb des Wandlers für einen Motor mit geschalteter Reluktanz wird nunmehr anhand der Fig. 10 beschrieben. Es sei weiterhin bemerkt, daß die Betriebsweise jeder einzelnen Phase der 4-Phasen-Motorkonfiguration in der gleichen Weise erfolgt. Daher wird lediglich die Betriebsweise der Phase A hier beschrieben.
Der Betrieb des Wandlers für den mit geschalteter Reluktanz arbeitenden Motor umfaßt drei getrennte Vorgänge, nämlich einen Magnetisierungsvorgang, einen Freilaufvor­ gang und einen Vorgang mit erzwungener Entmagnetisierung. Die Magnetisierung, der Freilaufvorgang und die Entmagnetisierung werden durch geeignetes Ein- und Aus­ schalten der Leistungs-MOSFET-Bauteile bewirkt. Während der Magnetisierung einer Phase zum Hervorrufen einer bestimmten Motorfunktion werden der Eingangs- MOSFET 74a und der Ausgangs-MOSFET 80a durch Anlegen einer geeigneten Gate- /Source-Spannung eingeschaltet. Das Einschalten der MOSFET-Bauteile 74a und 80a ruft einen Strompfad von dem +BUS-Anschluß 10a durch den Überbrückungswider­ stand 70a, die A-Phasenwicklung des Motors und durch den -BUS-Anschluß 10b her­ vor.
Während des gut bekannten Freilauf-Schaltungsbetriebs bleibt der Ausgangs-MOSFET 80a eingeschaltet, während der Eingangs-MOSFET 74a abgeschaltet wird. Dies führt zum Fließen eines Freilaufstroms während des Zusammenbruchs des Feldes der A- Phasenwicklung des Motors durch den Überbrückungswiderstand 70a, die A- Phaseneingangdiode 82 und durch den Ausgangs-MOSFET 80a.
Der abschließende Vorgang ist der Vorgang mit erzwungener Entmagnetisierung, bei dem irgendwelche verbleibende magnetische Energie in den Kondensator 68 überführt wird. Während des Vorganges mit erzwungener Entmagnetisierung sind der Eingangs- MOSFET 74a und der Ausgangs-MOSFET 80a abgeschaltet. Dies führt dazu, daß Strom von dem -BUS-Anschluß 10b durch die Eingangsdiode 82, durch den Überbrüc­ kungswiderstand 70a und durch die Phase A des Motors mit geschalteter Reluktanz fließt, wodurch dessen Strompfad durch die Ausgangsdiode 86a vervollständigt wird.
Die Kombination der Magnetisierungs-, Freilauf- und erzwungenen Entmagnetisierungs­ vorgänge in jeder der vier Motorphasen ermöglicht es der Leistungs-Moduleinheit 2, in wirkungsvoller Weise den Betrieb eines komplizierten Motors zu steuern, beispielsweise eines elektrischen Servolenkungsmechanismus bei einer Kraftfahrzeuganwendung. Die kompakte Größe und die Verlustwärme-Ableiteigenschaften der Leistungs-Moduleinheit 2 ermöglichen es, daß sie auf oder in der Nähe des Servolenkungsmechanismus ohne Gefahr von Schäden an den empfindlichen Steuerelektroniken auf der Leiterplatte 8 befestigt werden kann.
Damit ergibt die Leistungs-Moduleinheit der vorliegenden Erfindung ein kompaktes, jedoch leistungsfähiges Bauteil, das die elektronischen Hochleitungsbauteile und die Niedrigleistungs-Steuerschaltungen integriert, die zur Steuerung des Modul-Betriebes erforderlich sind. Die Leistungs-Moduleinheit der vorliegenden Erfindung ist so ausge­ bildet, daß die thermische Energie von den Hochleistungsbauteilen 18 in wirkungsvoller Weise über die Basisplatte 6 zur Ableitung von der Leiterplatte 8 übertragen wird, wobei ein extern angebrachter Kühlkörper oder irgendein anderes bekanntes Wärmeablei­ tungsverfahren verwendet wird.
Die Anordnung des Leistungsgehäuses 4, der Basisplatte 6 und der Leiterplatte 8 in Verbindung mit den S-förmigen Stiftverbindern 20 ermöglicht es, daß die Leistungs- Moduleinheit 2 leicht zusammenbaubar ist und die Ausnutzung der zur Verfügung ste­ henden Oberfläche zu einem Maximum gemacht wird, während die Gesamtgröße der Moduleinheit zu einem Minimum gemacht wird. Dies wird weiterhin durch die Verwen­ dung einer Basisplatte 6 erreicht, die ein sehr stark thermisch leitendes Material, wie z. B. Aluminium, als ein Substrat verwendet, auf dem mehrschichtige leitende Muster geätzt und angeordnet sind. Diese Anordnung ermöglicht es, daß Leistungs- und Erd- Sammelleitungen und Verbindungen getrennt von den einzelnen Signal-Anschlußkissen und Steuerelektronik-Anschlußkissen angeordnet werden, wodurch weiterhin die Aus­ nutzung der Ressourcen zu einem Maximum gemacht wird.

Claims (21)

1. Elektronische Leistungs-Moduleinheit, gekennzeichnet durch:
ein Basisteil (6)
ein mit dem Basisteil (6) gekoppeltes Leistungsgehäuse (4), das eine Mehrzahl von Wänden aufweist, die eine innere Kammer bilden, und mit zumindest einem leiten­ den Bereich (30),
zumindest ein elektronisches Bauteil, das auf dem zumindest einen leitenden Bereich (30) befestigt ist, und
eine Leiterplatte (8), die in der innenliegenden Kammer des Leitungsgehäuses befestigt ist.
2. Moduleinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (8) elektrisch mit dem Basisteil (6) über zumindest eine federnde Verbindungseinrichtung (20) verbunden ist.
3. Moduleinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest eine federnde Verbindungseinrichtung (20) S-förmig ist.
4. Moduleinheit nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (8) mit dem leitenden Bereich (30) über zumindest eine federnde Verbin­ dungseinrichtung (20) verbunden ist.
5. Moduleinheit nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest eine federnde Verbindungseinrichtung S-förmig ist.
6. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß das zumindest eine elektronische Bauteil ein MOSFET ist.
7. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß das zumindest eine elektronische Bauteil ein Leistungsbauteil in einem Wand­ ler für einen geschalteten Reluktanzmotor umfaßt.
8. Moduleinheit nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß das zumindest eine elektronische Bauteil einen Wandler für einen bürstenlosen 3-Phasen- Gleichstrommotor bildet.
9. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß das Basisteil (6) ein isoliertes Metallsubstrat aufweist.
10. Moduleinheit nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierte Metall­ substrat aus Aluminium besteht.
11. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß das Basisteil (6) eine Vielzahl von elektrisch voneinander isolierten leitenden Bereichen (32) aufweist.
12. Moduleinheit nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch von­ einander isolierten leitenden Bereiche (32) aus mit Nickel plattiertem Kupfer oder aus nickelplattiertem Kupfer mit Goldoberflächenüberzug bestehen.
13. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1-9 und 11, 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Basisteil aus einem Material besteht, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, AlSiC und Cu besteht.
14. Elektronische Moduleinheit nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Basisteil (6) unter Verwendung des Al2U3-Flammsprühverfahrens, in Form eines direkt verbundenen Kupfersubstrates oder durch ein aktives Metall-Messingsubstrat herge­ stellt ist.
15. Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß die Leiterplatte (8) eine Schaltung umfaßt, die die Betriebsweise des zumin­ dest einen elektronischen Bauteils steuert, das auf dem zumindest einen leitenden Bereich (30) befestigt ist.
16. Isolierte Metallsubstrat-Platte für eine elektronische Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte folgendes umfaßt:
ein thermisch leitendes metallisches Substrat,
eine erste Isolierschicht, die an dem Metallsubstrat befestigt ist, wobei die erste Isolierschicht im wesentlichen das Metallsubstrat bedeckt,
zumindest zwei leitende Bereiche, die an der Isolierschicht befestigt sind, wobei die zumindest zwei leitenden Bereiche geätzt sind, um eine Vielzahl von voneinander getrennten Bereichen zu bilden,
eine zweite Isolierschicht, die zwischen den zumindest zwei leitenden Bereichen angeordnet ist, und
eine Lötmaske, die auf dem zumindest einen leitenden Bereich angeordnet ist.
17. Isolierte Metallsubstrat-Platte nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Substrat aus Aluminium besteht.
18. Isolierte Metallsubstrat-Platte nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeich­ net, daß die Dicke des metallischen Substrates ungefähr 3 mm (0,125 Zoll) beträgt.
19. Isolierte Metallsubstrat-Platte nach einem der Ansprüche 16-18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Dicke von zumindest einer der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht ungefähr 0,15 mm (0,006 Zoll) beträgt.
20. isolierte Metallsubstrat-Platte nach einem der Ansprüche 16-19, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Dicke von zumindest einem der leitenden Bereiche ungefähr 0,033 mm (0,0013 Zoll) bis ungefähr 0,038 mm (0,0015 Zoll) beträgt.
21. Isolierte Metallsubstrat-Platte nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke von zumindest einem anderen der leitenden Bereiche ungefähr 0,06 mm (0,0024 Zoll) bis ungefähr 0,076 mm (0,0030 Zoll) beträgt.
DE19939933A 1998-08-24 1999-08-23 Elektronische Leistungs-Moduleinheit Expired - Fee Related DE19939933B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9763798P 1998-08-24 1998-08-24
US097637 1998-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19939933A1 true DE19939933A1 (de) 2000-04-06
DE19939933B4 DE19939933B4 (de) 2004-05-13

Family

ID=22264406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19939933A Expired - Fee Related DE19939933B4 (de) 1998-08-24 1999-08-23 Elektronische Leistungs-Moduleinheit

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6166464A (de)
JP (1) JP3103354B2 (de)
DE (1) DE19939933B4 (de)
FR (1) FR2782597B1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1267480A2 (de) 2001-06-14 2002-12-18 Switched Reluctance Drives Limited Steuerungsverfahren für einen Reluktanzmotor
DE10205816A1 (de) * 2002-02-13 2003-08-14 Bosch Gmbh Robert Gehäuse für ein elektrisches Gerät
US7375287B2 (en) 2002-08-28 2008-05-20 Minebea Co., Ltd. Assembly for accommodating the power electronics and control electronics of an electric motor
WO2014095199A1 (de) * 2012-12-17 2014-06-26 Phoenix Contact Gmbh & Co Kg Elektrische baugruppe zur montage auf einer hutschiene
DE102016202509A1 (de) * 2016-02-18 2017-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Vertikaler Aufbau einer Halbbrücke
WO2022049100A1 (de) * 2020-09-02 2022-03-10 Robert Bosch Gmbh Steuervorrichtung, insbesondere lenkungssteuervorrichtung

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6278199B1 (en) * 1999-02-25 2001-08-21 International Rectifier Corp. Electronic single switch module
KR20010058771A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 구자홍 전기/전자 제품용 원 시스템 모듈
US6555937B2 (en) * 2000-02-01 2003-04-29 Denso Corporation Vehicle alternator rectifier having L-shaped connection terminals
DE10004059A1 (de) * 2000-02-01 2001-11-08 Buhler Motor Gmbh Mehrphasen-Motor
US6476480B1 (en) * 2000-07-10 2002-11-05 Delphi Technologies, Inc. Press-fit IC power package and method therefor
US6912134B2 (en) * 2000-09-12 2005-06-28 International Rectifier Corporation Fan control circuit and package
DE10064194B4 (de) * 2000-12-22 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls
US7046518B2 (en) * 2001-04-02 2006-05-16 International Rectifier Corporation Power module
DE10141114C1 (de) * 2001-06-08 2002-11-21 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
US6531782B1 (en) 2001-06-19 2003-03-11 Cypress Semiconductor Corp. Method of placing die to minimize die-to-die routing complexity on a substrate
DE10254910B4 (de) * 2001-11-26 2008-12-24 AutoNetworks Technologies, Ltd., Nagoya Schaltkreisbildende Einheit und Verfahren zu deren Herstellung
DE10204200A1 (de) * 2002-02-01 2003-08-21 Conti Temic Microelectronic Leistungsmodul
ITPR20020037A1 (it) * 2002-07-26 2004-01-26 Zapi S P A Procedimento per misurare le correnti di fase di un dispositivo per il controllo di motori elettrici realizzato in tecnologia ims o affine i
US6891725B2 (en) * 2002-09-23 2005-05-10 Siemens Energy & Automation, Inc. System and method for improved motor controller
KR100902766B1 (ko) * 2002-09-27 2009-06-15 페어차일드코리아반도체 주식회사 절연성 세라믹 히트 싱크를 갖는 디스크리트 패키지
JP4186732B2 (ja) * 2003-07-24 2008-11-26 株式会社村田製作所 電子機器
US7187551B2 (en) * 2003-08-14 2007-03-06 International Rectifier Corporation Module for solid state relay for engine cooling fan control
FR2859066A1 (fr) * 2003-08-14 2005-02-25 Int Rectifier Corp Module de puissance a grille de connexion formant un insert de moulage
JP4471752B2 (ja) * 2004-07-06 2010-06-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 電動パワーステアリング用制御装置および電動パワーステアリングシステム
JP2006187130A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Hitachi Ltd 捲回式鉛電池を電源とする電動パワーステアリングシステム及びそれに用いられるモータとインバータ装置
US7547964B2 (en) * 2005-04-25 2009-06-16 International Rectifier Corporation Device packages having a III-nitride based power semiconductor device
US8416556B2 (en) * 2005-05-02 2013-04-09 Conti Temic Microelectronic Gmbh Power capacitor
ES2425084T3 (es) * 2005-05-02 2013-10-11 Epcos Ag Condensador de potencia
US20070063603A1 (en) * 2005-08-22 2007-03-22 Levine Gregory M Integrated motor and controller assemblies for horizontal axis washing machines
US7336491B2 (en) * 2005-09-06 2008-02-26 Lear Corporation Heat sink
DE102006011674A1 (de) * 2006-03-14 2007-09-20 Arvinmeritor Light Vehicle Systems-France Leiterplatte mit Masseleiter für einen Elektromotor, und Elektromotor
US20070257343A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Hauenstein Henning M Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation
US20090091889A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Oman Todd P Power electronic module having improved heat dissipation capability
US20090200864A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Josef Maier Chip on bus bar
DE102008012665A1 (de) * 2008-03-05 2009-09-10 Conti Temic Microelectronic Gmbh Strommessvorrichtung mittels magnetempfindlichem Sensor für ein leistungselektronisches System
DE102008001414A1 (de) 2008-04-28 2009-10-29 Robert Bosch Gmbh Substrat-Schaltungsmodul mit Bauteilen in mehreren Kontaktierungsebenen
US8559149B2 (en) * 2008-05-05 2013-10-15 Hamilton Sundstrand Corporation Modular primary distribution contact board
JP5334457B2 (ja) * 2008-05-29 2013-11-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4909961B2 (ja) * 2008-09-02 2012-04-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 電動パワーステアリング用制御装置
FR2940590B1 (fr) * 2008-12-24 2015-04-24 Sagem Defense Securite Pack electrique a modules de commande et de puissance separes.
KR20120028341A (ko) * 2009-05-28 2012-03-22 그라코 미네소타 인크. 모터 제어 모듈
KR101243064B1 (ko) 2009-09-01 2013-03-25 주식회사 만도 차량용 모터 컨트롤러
TWI377465B (en) * 2010-03-11 2012-11-21 Delta Electronics Inc Heat dissipating module and electronic device using such heat dissipating module
JP5126277B2 (ja) * 2010-04-16 2013-01-23 株式会社デンソー 電動装置
JP5287787B2 (ja) * 2010-04-16 2013-09-11 株式会社デンソー 電動装置
JP5067679B2 (ja) * 2010-05-21 2012-11-07 株式会社デンソー 半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置
KR20110135233A (ko) * 2010-06-10 2011-12-16 현대자동차주식회사 자동차의 인버터용 커패시터
JP2011009767A (ja) * 2010-08-17 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置
FR2975253B1 (fr) * 2011-05-13 2016-12-23 Valeo Systemes De Controle Moteur Assemblage d'un module electronique de puissance et d'une carte pcb a faible encombrement
CA2837050A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Eaton Corporation Plug-in composite power distribution assembly and system including same
JP5808630B2 (ja) * 2011-09-28 2015-11-10 株式会社ミツバ Ｓｒモータ用制御装置
US20140105767A1 (en) * 2012-10-16 2014-04-17 Denso Corporation Power supply module
KR102034717B1 (ko) * 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
FR3004058B1 (fr) * 2013-03-26 2016-12-16 Valeo Systemes Thermiques Module de commande d'un appareil electrique
US20150280515A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Black & Decker Inc. Integrated Electronic Switch and Control Module for a Power Tool
US9584038B2 (en) * 2014-06-02 2017-02-28 Enphase Energy, Inc. Ungrounded inverter enclosure and cabling
EP2983246B1 (de) * 2014-08-05 2020-03-04 Aptiv Technologies Limited Elektrische Verbindungsanordnung
JP6351731B2 (ja) 2014-08-25 2018-07-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子装置
US10231348B2 (en) * 2015-05-28 2019-03-12 Yazaki Corporation Heat dissipation structure for connector module
CN107646026B (zh) 2015-06-01 2021-03-26 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 耐火制品及其形成方法
EP3430868B1 (de) * 2016-03-17 2022-11-30 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Leiterplatte, anschluss und verfahren zur montage eines leiterplattenmoduls
DE102016117331A1 (de) 2016-09-15 2018-03-15 Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH Gehäusekontaktierung eines Steuergerätes
CN106452272B (zh) * 2016-11-04 2018-08-28 南京怡咖电气科技有限公司 一种用于电动车的开关磁阻电机集成驱动装置
US10541588B2 (en) 2017-05-24 2020-01-21 Black & Decker Inc. Electronic power module for a power tool having an integrated heat sink
CN108964566B (zh) * 2018-08-13 2019-10-25 南京埃克锐特机电科技有限公司 一种电动汽车驱动用开关磁阻电机控制器
CN110601635B (zh) * 2019-10-24 2021-09-21 苏州乐米凡电气科技有限公司 一种开关磁阻控制器
EP3968466A1 (de) * 2020-09-14 2022-03-16 IXYS Semiconductor GmbH Elektrischer kontakt für halbleitergehäuse

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59190086A (ja) * 1983-04-12 1984-10-27 Sanshin Ind Co Ltd 電子部品ユニツトの船外機用エンジンへの取付構造
US4668898A (en) * 1986-04-21 1987-05-26 General Electric Company Electronically commutated motor
JP2538636B2 (ja) * 1988-03-28 1996-09-25 富士電機株式会社 半導体装置
US5043791A (en) * 1989-09-05 1991-08-27 Motorola, Inc. Electrical device having improved lead frame and thermally stable connection arrangement and method
DE69227066T2 (de) * 1991-05-31 1999-06-10 Denso Corp Elektronische Vorrichtung
JP2848068B2 (ja) * 1991-12-10 1999-01-20 富士電機株式会社 半導体装置
JP2936855B2 (ja) * 1991-12-26 1999-08-23 富士電機株式会社 電力用半導体装置
JP2854757B2 (ja) * 1992-06-17 1999-02-03 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2956363B2 (ja) * 1992-07-24 1999-10-04 富士電機株式会社 パワー半導体装置
DE4232575A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Anordnung mit einer Leiterplatte, mindestens einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper
DE4418426B4 (de) * 1993-09-08 2007-08-02 Mitsubishi Denki K.K. Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls
JP3157362B2 (ja) * 1993-09-03 2001-04-16 株式会社東芝 半導体装置
US5563447A (en) * 1993-09-07 1996-10-08 Delco Electronics Corp. High power semiconductor switch module
US5408128A (en) * 1993-09-15 1995-04-18 International Rectifier Corporation High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing
JPH087956A (ja) * 1994-06-23 1996-01-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の端子組立構造
JP3428161B2 (ja) * 1994-08-05 2003-07-22 松下電器産業株式会社 モータ
FR2724283B1 (fr) * 1994-09-02 1996-10-18 Schneider Electric Sa Variateur electronique de vitesse
US5906310A (en) 1994-11-10 1999-05-25 Vlt Corporation Packaging electrical circuits
JP3201187B2 (ja) * 1994-12-08 2001-08-20 富士電機株式会社 半導体装置
US5641944A (en) * 1995-09-29 1997-06-24 Allen-Bradley Company, Inc. Power substrate with improved thermal characteristics
US5835356A (en) 1995-09-29 1998-11-10 Allen Bradley Company, Llc Power substrate module
DE29516656U1 (de) * 1995-10-21 1995-12-07 Ebm Elektrobau Mulfingen Gmbh & Co, 74673 Mulfingen Kollektorloser Elektromotor
US5789704A (en) * 1995-12-06 1998-08-04 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Container with heat removing features for containing an electronic contol unit
KR100433685B1 (ko) * 1996-04-18 2004-10-06 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 10마력모터제어기용전력트레인분할장치
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE19646396C2 (de) * 1996-11-11 2001-06-28 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul für verschiedene Schaltungsvarianten
US5838133A (en) * 1997-05-14 1998-11-17 Mccann; Roy A. Switched reluctance motor controller
DE19720695A1 (de) * 1997-05-16 1998-11-26 Honeywell Ag Umformer
JP3031323B2 (ja) * 1997-12-26 2000-04-10 日本電気株式会社 半導体装置とその製造方法
US6201701B1 (en) * 1998-03-11 2001-03-13 Kimball International, Inc. Integrated substrate with enhanced thermal characteristics

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1267480A2 (de) 2001-06-14 2002-12-18 Switched Reluctance Drives Limited Steuerungsverfahren für einen Reluktanzmotor
EP1267480A3 (de) * 2001-06-14 2003-03-19 Switched Reluctance Drives Limited Steuerungsverfahren für einen Reluktanzmotor
US6759826B2 (en) 2001-06-14 2004-07-06 Switched Reluctance Drives Limited Control strategy for switched reluctance drive systems
DE10205816A1 (de) * 2002-02-13 2003-08-14 Bosch Gmbh Robert Gehäuse für ein elektrisches Gerät
US7375287B2 (en) 2002-08-28 2008-05-20 Minebea Co., Ltd. Assembly for accommodating the power electronics and control electronics of an electric motor
WO2014095199A1 (de) * 2012-12-17 2014-06-26 Phoenix Contact Gmbh & Co Kg Elektrische baugruppe zur montage auf einer hutschiene
US10104762B2 (en) 2012-12-17 2018-10-16 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Electric assembly to be mounted on a top-hat rail
DE102016202509A1 (de) * 2016-02-18 2017-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Vertikaler Aufbau einer Halbbrücke
WO2022049100A1 (de) * 2020-09-02 2022-03-10 Robert Bosch Gmbh Steuervorrichtung, insbesondere lenkungssteuervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
FR2782597B1 (fr) 2005-06-17
US6441520B1 (en) 2002-08-27
DE19939933B4 (de) 2004-05-13
JP2000091500A (ja) 2000-03-31
JP3103354B2 (ja) 2000-10-30
US6166464A (en) 2000-12-26
FR2782597A1 (fr) 2000-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19939933B4 (de) Elektronische Leistungs-Moduleinheit
DE102006025453B4 (de) Halbleiterschaltungsanordnung
DE112006002302B4 (de) Elektrisches system umfassend eine leistungstransistoranordnung, eine stromschiene und eine leiterplattenbaugruppe
DE10310809B4 (de) Leistungshalbleitereinrichtung
DE10238037B4 (de) Halbleitereinrichtung mit Gehäuse und Halterung
DE10056832A1 (de) Halbleiterbauteil-Moduleinheit
DE19854180A1 (de) Modulgehäuse für Halbleiterbauteile
DE102015101086B4 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung
DE10101086A1 (de) Leistungshalbleiter-Moduleinheit
DE10121970A1 (de) Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung
EP1083599B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE4031051C2 (de) Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung
DE102004060935B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102019206523A1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten Leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen Leistungsversorgung eines Verbrauchers
DE10313917A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102008062514A1 (de) Halbleitermodul-Montagekonstruktion
DE102015108909B4 (de) Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102012200863A1 (de) Halbleitervorrichtung mit Grundplatte
DE102020214045A1 (de) Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter
DE102019112935A1 (de) Halbleitermodul
DE102018132663A1 (de) Schaltnetzteil
DE102004019443B3 (de) Leistungsmodul
EP1445799A2 (de) Kühleinrichtung für Halbleiter auf Leiterplatte
EP1265282B1 (de) Schaltungsanordnung
EP0751570B1 (de) Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H05K 7/14

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SILICONIX TECHNOLOGY C.V., SINGAPORE, SG

8339 Ceased/non-payment of the annual fee