DE102018132663A1 - Schaltnetzteil - Google Patents

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DE102018132663A1
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low
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transistors
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DE102018132663.7A
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Junichi Yukawa
Yoshihiko Maeda
Satoshi Okawa
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PANASONIC AUTOMOTIVE SYSTEMS CO., LTD., YOKOHA, JP
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Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
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    • H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

Abstract

Die vorliegende Offenbarung verringert die Wärmekonzentration auf Schaltelementen. Eine Vielzahl von High-Side-Transistoren (110) ist parallel verbunden, um das High-Side-Schaltelement (11u, 11v, 11w) zu bilden. Eine Vielzahl von Low-Side-Transistoren (120) ist parallel verbunden, um das Low-Side-Schaltelement (12u, 12v, 12w) zu bilden. Die Vielzahl von High-Side-Transistoren (110) ist der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren (120) angeordnet.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft Schaltnetzteile.
  • Technischer Hintergrund
  • Schaltnetzteile sind bereits bekannt. Zum Beispiel offenbart die Patentschrift 1 eine auf einer Grundplatte montierte Umrichtervorrichtung, bei der ein Halbleiterchip auf einer Oberfläche eines Metallsubstrats mit einem keramikbasierten Substrat dazwischen montiert ist. (Der Halbleiterchip enthält Schaltelemente und Dioden, die einen Umrichter bilden.) Bei dieser Vorrichtung weist der dreiphasige Umrichter einen oberen Arm und einen unteren Arm auf; der obere Arm enthält ein Schaltelement (High-Side-Schaltelement), und der untere Arm enthält ein Schaltelement (Low-Side-Schaltelement). Ein Kollektor des High-Side-Schaltelements ist auf einem Verdrahtungsmuster auf der Seite des oberen Arms montiert, und ein Emitter des Low-Side-Schaltelements ist auf einem Verdrahtungsmuster auf der Seite des unteren Arms montiert. Der Emitter des High-Side-Schaltelements ist mit dem Kollektor des Low-Side-Schaltelements über eine Beam-Lead-Elektrode verbunden, um den oberen und den unteren Arm zu verbinden.
  • Literaturverzeichnis
  • Patentliteratur
  • Patentschrift 1: Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 2001-286156
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technische Aufgabe
  • Bei einem Schaltnetzteil, wie in der Patentschrift 1 offenbart wird, erwartet, dass ein High-Side-Schaltelement und ein Low-Side-Schaltelement jeweils eine Vielzahl von Transistoren enthalten. Falls die Vielzahl von Transistoren (High-Side-Transistoren), die das High-Side-Schaltelement bilden, dicht angeordnet ist und die Vielzahl von Transistoren (Low-Side-Transistoren), die das Low-Side-Schaltelement bilden, ebenfalls dicht angeordnet ist, kann sich Wärme auf das High-Side-Schaltelement oder Low-Side-Schaltelement konzentrieren. Zum Beispiel wird während eines Zeitraums, in dem sich das High-Side-Schaltelement in einem EIN-Zustand befindet und sich das Low-Side-Schaltelement in einem AUS-Zustand befindet, die Vielzahl von High-Side-Transistoren erwärmt. Als Ergebnis kann sich Wärme auf die Ansammlung der Vielzahl von High-Side-Transistoren (das heißt, das High-Side-Schaltelement) konzentrieren. Während eines Zeitraums, in dem sich das High-Side-Schaltelement in einem AUS-Zustand befindet und sich das Low-Side-Schaltelement in einem EIN-Zustand befindet, wird die Vielzahl von Low-Side-Transistoren erwärmt. Als Ergebnis kann sich Wärme auf die Ansammlung der Vielzahl von Low-Side-Transistoren (das heißt, das Low-Side-Schaltelement) konzentrieren.
  • Lösung der Aufgabe
  • Ein Schaltnetzteil gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält: ein High-Side-Schaltelement; ein Low-Side-Schaltelement, in Reihe verbunden mit dem High-Side-Schaltelement; eine Grundplatte, die eine Isolierschicht und eine leitfähige Schicht aufweist, wobei die leitfähige Schicht auf einer Oberfläche der Isolierschicht vorgesehen ist; eine Vielzahl von High-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die High-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das High-Side-Schaltelement zu bilden; und eine Vielzahl von Low-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Low-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das Low-Side-Schaltelement zu bilden. Die Vielzahl von High-Side-Transistoren ist der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren angeordnet.
  • Ein Schaltnetzteil gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält: ein High-Side-Schaltelement; ein Low-Side-Schaltelement, in Reihe verbunden mit dem High-Side-Schaltelement; eine Grundplatte, die eine Isolierschicht und eine leitfähige Schicht aufweist, wobei die leitfähige Schicht auf einer Oberfläche der Isolierschicht vorgesehen ist; High-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die High-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das High-Side-Schaltelement zu bilden; Low-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Low-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das Low-Side-Schaltelement zu bilden; und einen Glättungskondensatorabschnitt, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht. Der Glättungskondensatorabschnitt weist eine Vielzahl von Kondensatoren auf, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Kondensatoren den High-Side-Transistoren und den Low-Side-Transistoren entsprechen. Die High-Side-Transistoren, die Low-Side-Transistoren und die Vielzahl von Kondensatoren sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils den High-Side-Transistor und einen entsprechenden Kondensator enthalten, neben Paaren angeordnet sind, die jeweils den Low-Side-Transistor und einen entsprechenden Kondensator enthalten.
  • Vorteilhafte Wirkung der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, eine Wärmekonzentration auf ein High-Side-Schaltelement und ein Low-Side-Schaltelement zu reduzieren.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Schaltbild, das eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 2 ist eine Draufsicht, die die Anordnung des Schaltnetzteils gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 3 ist eine Schnittansicht, die die Anordnung des Schaltnetzteils gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 4 ist eine Schnittansicht, die die Anordnung des Schaltnetzteils gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 5 ist eine Schnittansicht, die eine erste Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements darstellt.
    • 6 ist eine Schnittansicht, die eine zweite Modifikation der Verbindungsstruktur des Verbindungselements darstellt.
    • 7 ist eine Schnittansicht, die eine dritte Modifikation der Verbindungsstruktur des Verbindungselements darstellt.
    • 8 ist eine perspektivische Explosionsansicht, die die dritte Modifikation der Verbindungsstruktur des Verbindungselements darstellt.
    • 9 ist eine Schnittansicht, die eine vierte Modifikation der Verbindungsstruktur des Verbindungselements darstellt.
    • 10 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 11 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 12 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 13 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
    • 14 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung eines Schaltnetzteils gemäß einer dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
  • Beschreibung von Ausführungsformen
  • Nachstehend sind beispielhafte Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung genau beschrieben. Es ist anzumerken, dass identische oder gleichwertige Teile mit identischen Bezugszeichen versehen sind, und dass die Beschreibung solcher Teile nicht wiederholt werden.
  • (Erste beispielhafte Ausführungsform)
  • 1 stellt eine Anordnung des Schaltnetzteils 10 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 führt einen Schaltbetrieb durch, um von einer Stromversorgung (in diesem Beispiel einer Gleichstromversorgung P) gelieferte elektrische Leistung in elektrische Ausgangsleistung umzuwandeln, und führt dann diese elektrische Ausgangsleistung einem anzusteuernden Zielobjekt zu (in diesem Beispiel einem Motor M). In diesem Beispiel kann der Motor M ein Dreiphasen-Wechselstrommotor sein, und das Schaltnetzteil 10 kann als Umrichter dienen, der Gleichspannungsleistung in Dreiphasen-Wechselspannungsleistung umwandelt.
  • Das Schaltnetzteil 10 enthält eine Stromversorgungsleitung LP, eine Masseleitung LG, eine oder mehrere Ausgangsleitungen LO, einen oder mehrere Schaltteile SW und einen Glättungskondensatorabschnitt 13. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 ist zwischen der Stromversorgungsleitung LP und der Masseleitung LG verbunden. Jeder der Schaltteile SW weist ein High-Side-Schaltelement 11 und ein Low-Side-Schaltelement 12 auf, die in Reihe zwischen der Stromversorgungsleitung LP und der Masseleitung LG verbunden sind. Ein Zwischenpunkt jedes Schaltteils SW (das heißt, ein Knoten zwischen dem High-Side-Schaltelement 11 und dem Low-Side-Schaltelement 12) ist mit dem anzusteuernden Zielobjekt (in diesem Beispiel dem Motor M) über eine entsprechende Ausgangsleitung LO verbunden. In der Figur ist eine Freilaufdiode parallel zu jedem der High-Side-Schaltelemente 11 und Low-Side-Schaltelemente 12 verbunden. Diese Freilaufdiode entspricht parasitären Dioden, die in den High-Side-Schaltelementen 11 und Low-Side-Schaltelementen 12 parasitiert sind.
  • In diesem Beispiel sind bei dem Schaltnetzteil 10 drei Ausgangsleitungen (eine erste Ausgangsleitung LOu, eine zweite Ausgangsleitung LOv, eine dritte Ausgangsleitung LOw) und drei Schaltteile (ein erster Schaltteil SWu, ein zweiter Schaltteil SWv, ein dritter Schaltteil SWw) vorgesehen. Ein Ende (die positive Elektrode) der Gleichstromversorgung P ist an die Stromversorgungsleitung LP angeschlossen, während das andere Ende (die negative Elektrode) der Gleichstromversorgung P an die Masseleitung LG angeschlossen ist.
  • Der erste Schaltteil SWu weist ein erstes High-Side-Schaltelement 11u und ein erstes Low-Side-Schaltelement 12u auf. Ein Knoten zwischen dem ersten High-Side-Schaltelement 11u und dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u ist mit einer U-Phasenwicklung (nicht dargestellt) des Motors M über die erste Ausgangsleitung LOu angeschlossen.
  • Der zweite Schaltteil SWv weist ein zweites High-Side-Schaltelement 11v und ein zweites Low-Side-Schaltelement 12v auf. Ein Knoten zwischen dem zweiten High-Side-Schaltelement 11v und dem zweiten Low-Side-Schaltelement 12v ist mit einer V-Phasenwicklung (nicht dargestellt) des Motors M über die zweite Ausgangsleitung LOv angeschlossen.
  • Der dritte Schaltteil SWw weist ein drittes High-Side-Schaltelement 11w und ein drittes Low-Side-Schaltelement 12w auf. Ein Knoten zwischen dem dritten High-Side-Schaltelement 11w und dem dritten Low-Side-Schaltelement 12w ist mit einer W-Phasenwicklung (nicht dargestellt) des Motors M über die dritte Ausgangsleitung LOw angeschlossen.
  • [Aufbau des Schaltnetzteils]
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Aufbaus des Schaltnetzteils 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform mit Bezugnahme auf 2, 3 und 4 dargelegt. 2 ist eine schematische Draufsicht, die einen ebenen Aufbau des Schaltnetzteils 10 darstellt. 3 und 4 sind jeweils schematische Schnittansichten, die einen Teil eines Schnittaufbaus des Schaltnetzteils 10 darstellen. 3 entspricht einer Schnittansicht entlang der Linie III-III in 2; 4 entspricht einer Schnittansicht entlang der Linie IV-IV in 2. Beim Schaltnetzteil 10 ist eine Grundplatte 20 vorgesehen.
  • <Grundplatte>
  • Die Grundplatte 20 enthält eine Isolierschicht 21, eine leitfähige Schicht 22 und eine Wärmeableitschicht 23. In diesem Beispiel ist die Grundplatte 20 in einer rechteckigen, flachen Form ausgebildet. In dem Beispiel von 2 entspricht eine Längsrichtung der Grundplatte 20 einer ersten Richtung X (Richtung von rechts nach links in 2), während eine seitliche Richtung der Grundplatte 20 einer zweiten Richtung Y entspricht (Richtung von oben nach unten in 2).
  • Die Isolierschicht 21 aus einem Isoliermaterial (beispielsweise einer Epoxidharzplatte) ist in einer flachen Form ausgebildet. Die leitfähige Schicht 22 aus einem leitfähigen Material (beispielsweise Kupfer) ist auf einer Oberfläche der Isolierschicht 21 vorgesehen und zu einer dünnen Folie ausgebildet. Die Wärmeableitschicht 23 aus einem Material, das Wärme leitet (beispielsweise Aluminium), ist auf der anderen Oberfläche der Isolierschicht 21 vorgesehen.
  • In diesem Beispiel ist die Dicke der Isolierschicht 21 kleiner als diejenigen der leitfähigen Schicht 22 und der Wärmeableitschicht 23. Die Wärmeableitschicht 23 weist eine größere Dicke auf als die leitfähige Schicht 22. Zum Beispiel kann die Dicke der Isolierschicht 21 auf etwa 100 µm festgelegt sein, kann die Dicke der leitfähigen Schicht 22 auf etwa 200 µm festgelegt sein und kann die Dicke der Wärmeableitschicht 23 in einem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 3 mm festgelegt sein. Eine Wärmeleitfähigkeit der Isolierschicht 21 ist niedriger als eine Wärmeleitfähigkeit einer aus der leitfähigen Schicht 22 und der Wärmeableitschicht 23. Die Wärmeleitfähigkeit der leitfähigen Schicht 22 ist höher als die Wärmeleitfähigkeit der Wärmeableitschicht 23.
  • <Wärmeableitelement>
  • In diesem Beispiel ist die Wärmeableitschicht 23 mit einem Wärmeableitelement 24 verbunden und daran befestigt. Zum Beispiel entspricht das Wärmeableitelement 24 einem Teil eines Gehäuses (nicht dargestellt), das die Grundplatte 20 aufnimmt. Das Wärmeableitelement 24 wird mittels Luftkühlung (mit Luft gekühlt) oder Flüssigkeitskühlung gekühlt (gekühlt mit einer Flüssigkeit, wie etwa Kühlwasser oder Kühlöl).
  • <Befestigungsschraube>
  • Die Grundplatte 20 ist am Wärmeableitelement 24 mit einer Vielzahl (sechs in diesem Beispiel) von Befestigungsschrauben 25 befestigt. Die Befestigungsschrauben 25 durchdringen die Grundplatte 20 und sind am Wärmeableitelement 24 befestigt. Genauer sind in der Grundplatte 20 Einsatzlöcher (nicht dargestellt) vorgesehen, durch die die Befestigungsschrauben 25 hindurchgehen. Im Wärmeableitelement 24 sind Gewindelöcher (nicht dargestellt) vorgesehen, in denen die Befestigungsschrauben 25 befestigt sind. Die Befestigungsschrauben 25 gehen durch die Einsatzlöcher in der Grundplatte 20 und sind in den Gewindelöchern in dem Wärmeableitelement 24 befestigt. In diesem Fall sind Abstände zwischen den Gewindebereichen der Befestigungsschrauben 25 und den entsprechenden Einsatzlöchern in der Grundplatte 20 ausgebildet. Außerdem sind Isolierelemente (nicht dargestellt), wie etwa Isolierpapierelemente, zwischen Köpfen der Befestigungsschrauben 25 und leitfähiger Schicht 22 der Grundplatte 20 vorgesehen. Diese Anordnung isoliert die leitfähige Schicht 22 der Grundplatte 20 zuverlässig elektrisch sowohl von der Wärmeableitschicht 23 als auch dem Wärmeableitelement 24.
  • <Verdrahtungsmuster>
  • In der leitfähigen Schicht 22 sind Verdrahtungsmuster ausgebildet. Genauer sind ein Ausgangsmuster 30, ein Stromversorgungsmuster 40 und ein Massemuster 50 in der leitfähigen Schicht 22 ausgebildet. Das Ausgangsmuster 30, das Stromversorgungsmuster 40 und das Massemuster 50 sind mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen so ausgebildet, dass das Ausgangsmuster 30, das Stromversorgungsmuster 40 und das Massemuster 50 nicht kurzgeschlossen werden.
  • <Ausgangsmuster>
  • Das Ausgangsmuster 30 ist vorgesehen, um High-Side-Schaltelemente 11 mit entsprechenden Low-Side-Schaltelementen 12 im Schaltteil SW in Reihe zu verbinden. Kurz, das Ausgangsmuster 30 ist ein Teil, der die Zwischenpunkte (Knoten zwischen den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12) in dem in 1 dargestellten Schaltteil SW bildet.
  • In diesem Beispiel enthält das Ausgangsmuster 30 einen ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen. Im Folgenden sind der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 zusammenfassend als „Ausgangsbereiche 300“ bezeichnet. Die Ausgangsbereiche 300 sind so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken. Genauer weisen der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 nachstehend beschriebene Gestaltungen auf.
  • Der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 sind so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der zweiten Richtung Y angeordnet, die rechtwinklig zur ersten Richtung X steht. In diesem Beispiel bezieht sich die erste Richtung X auf eine Richtung entlang der Längsrichtung der Grundplatte 20, während sich die zweite Richtung Y auf eine Richtung entlang der seitlichen Richtung der Grundplatte 20 bezieht. Der erste Ausgangsbereich 301 ist nahe einem Ende (dem unteren Ende in 2) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet. Der zweite Ausgangsbereich 302 ist in einer Mitte der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet. Der dritte Ausgangsbereich 303 ist nahe dem anderen Ende (dem oberen Ende in 2) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Das Stromversorgungsmuster 40 ist vorgesehen, um die Stromversorgung (Gleichstromversorgung P in diesem Beispiel) mit High-Side-Schaltelementen 11 der Schaltteile SW zu verbinden. Kurz, das Stromversorgungsmuster 40 ist ein Teil, der einen Bereich der in 1 dargestellten Stromversorgungsleitung LP bildet.
  • «Stromversorgungsbereich»
  • In diesem Beispiel enthält das Stromversorgungsmuster 40 sechs Verdrahtungsbereiche (einen ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406). Im Folgenden sind der erste Stromversorgungsbereich 401 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 zusammenfassend als „Stromversorgungsbereiche 400“ bezeichnet.
  • Die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 ist mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 aufgereiht und liegen entsprechenden Ausgangsbereichen 300 gegenüber, mit vorgegebenen Abständen dazwischen in einer Richtung rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300. Genauer weisen der erste Stromversorgungsbereich 401 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 nachstehend beschriebene Gestaltungen auf.
  • Sowohl der erste Stromversorgungsbereich 401 als auch der zweite Stromversorgungsbereich 402 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet und mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der erste Stromversorgungsbereich 401 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der erste Stromversorgungsbereich 401 als auch der zweite Stromversorgungsbereich 402 dem ersten Ausgangsbereich 301 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 gegenüber.
  • Sowohl der dritte Stromversorgungsbereich 403 als auch der vierte Stromversorgungsbereich 404 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet und mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des zweiten Ausgangsbereichs 302 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der dritte Stromversorgungsbereich 403 und der vierte Stromversorgungsbereich 404 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der dritte Stromversorgungsbereich 403 als auch der vierte Stromversorgungsbereich 404 dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 gegenüber.
  • Sowohl der fünfte Stromversorgungsbereich 405 als auch der sechste Stromversorgungsbereich 406 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet und mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des zweiten Ausgangsbereichs 303 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der fünfte Stromversorgungsbereich 405 und der sechste Stromversorgungsbereich 406 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der fünfte Stromversorgungsbereich 405 als auch der sechste Stromversorgungsbereich 406 dem dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber.
  • <<Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich>>
  • In diesem Beispiel enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410. Der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 ist an ein Ende (die positive Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen. In diesem Beispiel ist der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 2) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet. In diesem Beispiel sind der erste Stromversorgungsbereich 401 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 mit dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 über Verbindungselemente 200 (erstes Stromversorgungsverbindungselement 41 bis drittes Stromversorgungsverbindungselement 43) elektrisch verbunden, die weiter unten beschrieben werden.
  • «Extra-Stromversorgungsbereich»
  • In diesem Beispiel enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen Extra-Stromversorgungsbereich 421. Der Extra-Stromversorgungsbereich 421 ist entlang eines Kantenteils (oberen Kantenteil in 2) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung ausgebildet und mit dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 verbunden.
  • <Massemuster>
  • Das Massemuster 50 ist vorgesehen, um die Stromversorgung (Gleichstromversorgung P in diesem Beispiel) mit Low-Side-Schaltelementen 12 in den Schaltteilen SW zu verbinden. Kurz, das Massemuster 50 ist ein Teil, der einen Bereich der in 1 dargestellten Masseleitung LG bildet.
  • «Massebereich»
  • In diesem Beispiel enthält das Massemuster 50 neun Verdrahtungsbereiche (erster Massebereich 501 bis neunter Massebereich 509). Im Folgenden sind der erste Massebereich 501 bis neunte Massebereich 509 zusammenfassend als „Massebereiche 500“ bezeichnet.
  • Ähnlich der Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 ist die Vielzahl von Massebereichen 500 mit Abstand in der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 aufgereiht und liegt entsprechenden Ausgangsbereichen 300 gegenüber, mit vorgegebenen Abständen dazwischen in der Richtung rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300. Genauer weisen der erste Massebereich 501 bis neunte Massebereich 509 nachstehend beschriebene Gestaltungen auf.
  • Der erste Massebereich 501 bis dritte Massebereich 503 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet und mit Abstand in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der erste Massebereich 501, der zweite Massebereich 502 und der dritte Massebereich 503 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 angeordnet. Außerdem liegen der erste Massebereich 501 bis dritte Massebereich 503 dem ersten Ausgangsbereich 301 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 gegenüber.
  • Der vierte Massebereich 504 bis sechste Massebereich 506 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet und mit Abstand in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des zweiten Ausgangsbereichs 302 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der vierte Massebereich 504, der fünfte Massebereich 505 und der sechste Massebereich 506 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 angeordnet. Außerdem liegen der vierte Massebereich 504 bis sechste Massebereich 506 dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 gegenüber.
  • Der siebente Massebereich 507 bis neunte Massebereich 509 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet und mit Abstand in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des dritten Ausgangsbereichs 303 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der siebente Massebereich 507, der achte Massebereich 508 und der neunte Massebereich 509 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 angeordnet. Außerdem liegen der siebente Massebereich 507 bis neunte Massebereich 509 dem dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber.
  • «Masse-Zwischenverbindungsbereich»
  • In diesem Beispiel enthält das Massemuster 50 den Masse-Zwischenverbindungsbereich 510. Der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 ist an das andere Ende (die negative Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen. In diesem Beispiel ist der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 2) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet. Der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 und der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 sind mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der seitlichen Richtung der Grundplatte 20 angeordnet.
  • «Masseverbindungsbereich»
  • In diesem Beispiel enthält das Massemuster 50 den ersten Masseverbindungsbereich 511 bis dritten Masseverbindungsbereich 513.
  • Der erste Masseverbindungsbereich 511 ist so ausgebildet, dass er sich in einer ersten Richtung X erstreckt, und ist zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet. Der erste Stromversorgungsbereich 401, der zweite Stromversorgungsbereich 402 und der erste Massebereich 501 bis dritte Massebereich 503 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem ersten Masseverbindungsbereich 511 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der erste Stromversorgungsbereich 401 als auch der zweite Stromversorgungsbereich 402 dem ersten Masseverbindungsbereich 511 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Masseverbindungsbereichs 511 gegenüber. Der erste Massebereich 501 bis dritte Massebereich 503 sind mit dem ersten Masseverbindungsbereich 511 verbunden.
  • Der zweite Masseverbindungsbereich 512 ist so ausgebildet, dass er sich in einer ersten Richtung X erstreckt, und ist zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet. Der dritte Stromversorgungsbereich 403, der vierte Stromversorgungsbereich 404 und der vierte Massebereich 504 bis sechste Massebereich 506 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der dritte Stromversorgungsbereich 403 als auch der vierte Stromversorgungsbereich 404 dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 gegenüber. Der vierte Massebereich 504 bis sechste Massebereich 506 sind mit dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 verbunden. Der fünfte Stromversorgungsbereich 405, der sechste Stromversorgungsbereich 406 und der siebente Massebereich 507 bis neunte Massebereich 509 sind zwischen dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der fünfte Stromversorgungsbereich 405 als auch der sechste Stromversorgungsbereich 406 dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 gegenüber. Der siebente Massebereich 507 bis neunte Massebereich 509 sind mit dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 verbunden.
  • Der dritte Masseverbindungsbereich 513 ist so ausgebildet, dass er sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, und ist zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 angeordnet. Außerdem verbindet der dritte Masseverbindungsbereich 513 den Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 und den ersten Verbindungsbereich 511 und den zweiten Verbindungsbereich 512.
  • <<Extra-Massebereich>>
  • In diesem Beispiel enthält das Massemuster 50 einen Extra-Massebereich 521. Der Extra-Massebereich 521 ist entlang eines Kantenteils (unteren Kantenteil in 2) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung ausgebildet und mit dem Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 verbunden.
  • <Anordnung von Stromversorgungsbereichen und Massebereichen>
  • Die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und die Vielzahl von Massebereichen 500 sind abwechselnd in einer Richtung entlang der Erstreckungsrichtung von Ausgangsbereichen 300 aufgereiht. Weiter sind die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und die Vielzahl von Massebereichen 500 so aufgereiht, dass benachbarte Paare von Stromversorgungsbereich 400 und Massebereich 500 einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüberliegen.
  • Genauer sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 (zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem ersten Masseverbindungsbereich 511 im Beispiel von 2) der erste Massebereich 501, der erste Stromversorgungsbereich 401, der zweite Massebereich 502, der zweite Stromversorgungsbereich 402 und der dritte Massebereich 503 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Der erste Stromversorgungsbereich 401 liegt sowohl dem ersten Massebereich 501 als auch dem zweiten Massebereich 502 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber. Ebenso liegt der zweite Stromversorgungsbereich 402 sowohl dem zweiten Massebereich 502 als auch dem dritten Massebereich 503 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber.
  • Zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 (zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 im Beispiel von 2) sind der vierte Massebereich 504, der dritte Stromversorgungsbereich 403, der fünfte Massebereich 505, der vierte Stromversorgungsbereich 404 und der sechste Massebereich 506 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Der dritte Stromversorgungsbereich 403 liegt sowohl dem vierten Massebereich 504 als auch dem fünften Massebereich 505 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber. Ebenso liegt der vierte Stromversorgungsbereich 404 sowohl dem fünften Massebereich 505 als auch dem sechsten Massebereich 506 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber.
  • Zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 (zwischen dem zweiten Masseverbindungsbereich 512 und dem dritten Ausgangsbereich 303 im Beispiel von 2) sind der siebente Massebereich 507, der fünfte Stromversorgungsbereich 405, der achte Massebereich 508, der sechste Stromversorgungsbereich 406 und der neunte Massebereich 509 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Der fünfte Stromversorgungsbereich 405 liegt sowohl dem siebenten Massebereich 507 als auch dem achten Massebereich 508 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber. Ebenso liegt der sechste Stromversorgungsbereich 406 sowohl dem achten Massebereich 508 als auch dem neunten Massebereich 509 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber.
  • <High-Side-Schaltelement und High-Side-Transistor>
  • In dem Schaltnetzteil 10 sind auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 High-Side-Schaltelemente 11 vorgesehen. Jedes der High-Side-Schaltelemente 11 enthält eine Vielzahl von High-Side-Transistoren 110. Genauer ist die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 parallel verbunden, um das High-Side-Schaltelement 11 zu bilden. Kurz, das Schaltnetzteil 10 enthält die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die High-Side-Schaltelemente 11 bilden.
  • Die High-Side-Transistoren 110 sind mit dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Ausgangsmuster 30 verbunden. In diesem Beispiel sind die High-Side-Transistoren 110 auf einer Fläche des Stromversorgungsmusters 40 bestückt und mit dem Ausgangsmuster 30 verbunden. Genauer sind die High-Side-Transistoren 110 auf dem Stromversorgungsmuster 40 bestückt. Ein Ende (Drain) jedes der High-Side-Transistoren 110, das zu einer flachen Form ausgebildet ist, ist auf einem Boden des Hauptteils des High-Side-Transistors 110 angeordnet und durch Löten mit der Fläche des Stromversorgungsmusters 40 verbunden. Ein weiteres Ende (Source) jedes der High-Side-Transistoren 110 erstreckt sich von einer Seite des Hauptteils des High-Side-Transistors 110 zum Ausgangsmuster 30 und ist durch Löten mit der Fläche des Ausgangsmusters 30 verbunden. Ein Gate jedes der High-Side-Transistoren 110 ist mit einem Gate-Draht (nicht dargestellt) elektrisch verbunden. Zum Beispiel kann jeder der High-Side-Transistoren 110 ein oberflächenbestückter Typ eines Feldeffekttransistors (FET) sein.
  • Genauer sind in diesem Beispiel auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste High-Side-Schaltelement 11u bis dritte High-Side-Schaltelement 11w vorgesehen. Jedes aus dem ersten High-Side-Schaltelement 11u bis dritten High-Side-Schaltelement 11w enthält vier High-Side-Transistoren 110.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 sind zwei High-Side-Transistoren 110 auf einer Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden, und zwei verbleibende High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 sind zwei High-Side-Transistoren 110 auf einer Fläche des dritten Stromversorgungsbereichs 403 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden, und zwei verbleibende High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 sind zwei High-Side-Transistoren 110 auf einer Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden, und zwei verbleibende High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden.
  • <Low-Side-Schaltelement und Low-Side-Transistor>
  • In dem Schaltnetzteil 10 sind auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 Low-Side-Schaltelemente 12 vorgesehen. Die Low-Side-Schaltelemente 12 enthalten eine Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120. Genauer ist die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 parallel verbunden, um das Low-Side-Schaltelement 12 zu bilden. Kurz, das Schaltnetzteil 10 enthält die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die Low-Side-Schaltelemente 12 bilden.
  • Die Low-Side-Transistoren 120 sind mit dem Massemuster 50 und dem Ausgangsmuster 30 verbunden. In diesem Beispiel sind die Low-Side-Transistoren 120 auf der Fläche des Ausgangsmusters 30 angebracht und mit dem Massemuster 50 verbunden. Genauer sind die Low-Side-Transistoren 120 auf dem Ausgangsmuster 30 angebracht. Ein Ende (Drain) jedes der Low-Side-Transistoren 120, das zu einer flachen Form ausgebildet ist, ist auf einem Boden des Hauptteils des Low-Side-Transistors 120 angeordnet und durch Löten mit der Fläche des Ausgangsmusters 30 verbunden. Ein weiteres Ende (Source) jedes der Low-Side-Transistoren 120 erstreckt sich von einer Seite des Hauptteils des Low-Side-Transistors 120 zum Massemuster 50 und ist durch Löten mit der Fläche des Massemusters 50 verbunden. Ein Gate jedes der Low-Side-Transistoren 120 ist mit einem Gate-Draht (nicht dargestellt) elektrisch verbunden. Zum Beispiel kann jeder der Low-Side-Transistoren 120 ein oberflächenbestückter Typ eines Feldeffekttransistors (FET) sein.
  • Genauer sind in diesem Beispiel auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste Low-Side-Schaltelement 12u bis dritte Low-Side-Schaltelement 12w vorgesehen. Jedes aus dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u bis dritten Low-Side-Schaltelement 12w enthält vier LowSide-Transistoren 120.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 ist ein Low-Side-Transistor 120 auf einer Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem ersten Massebereich 501 verbunden; zwei Low-Side-Transistoren 120 sind auf der Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden; und ein verbleibender Low-Side-Transistor 120 ist auf der Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem dritten Massebereich 503 verbunden.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 ist ein Low-Side-Transistor 120 auf einer Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem vierten Massebereich 504 verbunden; zwei Low-Side-Transistoren 120 sind auf der Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem fünften Massebereich 505 verbunden; und ein verbleibender Low-Side-Transistor 120 ist auf der Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem sechsten Massebereich 506 verbunden.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 ist ein Low-Side-Transistor 120 auf einer Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem siebenten Massebereich 507 verbunden; zwei Low-Side-Transistoren 120 sind auf der Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem achten Massebereich 508 verbunden; und ein verbleibender Low-Side-Transistor 120 ist auf der Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem neunten Massebereich 509 verbunden.
  • <Anordnung der High-Side-Transistoren und Low-Side-Transistoren>
  • Im Schaltnetzteil 10 ist die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 liegt. In diesem Fall liegt eine Richtung, in der die Anschlüsse der Low-Side-Transistoren 120 (von den Seiten der Hauptteile zu Massebereichen 500 ragenden Anschlüsse) ausgerichtet sind, entgegengesetzt zu einer Richtung, in der die Anschlüsse der High-Side-Transistoren 110 (von den Seiten der Hauptteile zu Ausgangsbereichen 300 ragenden Anschlüsse) ausgerichtet sind.
  • Genauer sind vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, und vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt, sodass ein Low-Side-Transistor 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110 und ein Low-Side-Transistor 120 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • Genauer sind vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, und vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt, sodass ein Low-Side-Transistor 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110 und ein Low-Side-Transistor 120 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • Genauer sind vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, und vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt, sodass ein Low-Side-Transistor 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110 und ein Low-Side-Transistor 120 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 2) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • <Glättungskondensatorabschnitt und Kondensator>
  • In dem Schaltnetzteil 10 ist auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 ein Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 enthält eine Vielzahl von Kondensatoren 130. Kurz, das Schaltnetzteil 10 enthält die Vielzahl von Kondensatoren 130, die den Glättungskondensatorabschnitt 13 bilden.
  • Die Vielzahl von Kondensatoren 130 ist mit dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Massemuster 50 verbunden. In diesem Beispiel sind die Kondensatoren 130 auf den Flächen des Stromversorgungsmusters 40 und des Massemusters 50 angebracht. Genauer sind die Kondensatoren 130 so angebracht, dass sie sich vom Stromversorgungsmuster 40 und vom Massemuster 50 erstrecken. Ein Ende (die positive Elektrode) jedes Kondensators 130 ist durch Löten mit der Oberfläche des Stromversorgungsmusters 40 verbunden, während das andere Ende (die negative Elektrode) jedes Kondensators 130 durch Löten mit der Oberfläche des Massemusters 50 verbunden ist. Zum Beispiel kann jeder der Kondensatoren 130 ein Elektrolytkondensator, ein Kunststoffkondensator oder ein Keramikkondensator sein.
  • Die Vielzahl von Kondensatoren 130 entspricht der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120. Jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 ist neben seinem entsprechenden Transistor aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. In diesem Beispiel ist die Vielzahl von Kondensatoren 130 mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Aufreihrichtung (Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300) der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 liegt. In der zweiten Richtung Y, rechtwinklig zur ersten Richtung X, die entlang der Aufreihrichtung (Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300) der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 liegt, ist jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 neben seinem entsprechenden Transistor aus den High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten.
  • Genauer sind in diesem Beispiel 24 Kondensatoren 130 vorgesehen, die 12 High-Side-Transistoren 110 und 12 Low-Side-Transistoren entsprechen, die auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 vorgesehen sind.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von den vier Kondensatoren 130 sind zwei Kondensatoren 130 auf den Flächen des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und des ersten Masseverbindungsbereichs 511 angebracht, und zwei verbleibende Kondensatoren 130 sind auf den Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des ersten Masseverbindungsbereichs 511 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von den vier Kondensatoren 130 sind zwei Kondensatoren 130 auf den Flächen des dritten Stromversorgungsbereichs 403 und des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 angebracht, und zwei verbleibende Kondensatoren 130 sind auf den Flächen des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von den vier Kondensatoren 130 sind zwei Kondensatoren 130 auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 angebracht, und zwei verbleibende Kondensatoren 130 sind auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des zweiten Masseverbindungsbereichs 512 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf den Flächen des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und des ersten Massebereichs 501 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und des zweiten Massebereichs 502 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des zweiten Massebereichs 502 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des dritten Massebereichs 503 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf den Flächen des dritten Stromversorgungsbereichs 403 und des vierten Massebereichs 504 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des dritten Stromversorgungsbereichs 403 und des fünften Massebereichs 505 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und des fünften Massebereichs 505 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und des fünften Massebereichs 505 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des siebenten Massebereichs 507 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des achten Massebereichs 508 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des achten Massebereichs 508 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des neunten Massebereichs 509 angebracht.
  • <Verbindungselement>
  • Im Schaltnetzteil 10 weist mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Massemuster 50 eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (in der leitfähigen Schicht 22 ausgebildeten Bereichen der Verdrahtungsmuster) auf, die über Verbindungselemente 200 elektrisch verbunden sind. In diesem Beispiel weist das Stromversorgungsmuster 40 den ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406 auf, die über das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43 (Verbindungselemente 200) elektrisch verbunden sind. 2 stellt das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43 (Verbindungselemente 200) mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • Das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 verbindet den Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, den ersten Stromversorgungsbereich 401, den zweiten Stromversorgungsbereich 402, den dritten Stromversorgungsbereich 403 und den vierten Stromversorgungsbereich 404 elektrisch. Das zweite Stromversorgungsverbindungselement 42 verbindet den dritten Stromversorgungsbereich 403 bis fünften Stromversorgungsbereich 405 elektrisch. Das dritte Stromversorgungsverbindungselement 43 verbindet den vierten Stromversorgungsbereich 404 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406 elektrisch.
  • In diesem Beispiel besteht jedes der Verbindungselemente 200 aus einem Leiter (einer so genannten Stromschiene) mit einer flachen Form. Genauer weist jedes Verbindungselement 200 einen Hauptteil 201 und Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 ist in einer flachen Form ausgebildet und liegt der leitfähigen Schicht 22 mit einem Abstand dazwischen gegenüber; und jede der Laschen 202 erstreckt sich vom Hauptteil 201 zu jeweils einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22. Zum Beispiel weist das Stromversorgungsverbindungselement 41 einen Hauptteil 201 und fünf Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 liegt dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem Abstand dazwischen gegenüber, und die Laschen 202 erstrecken sich vom Hauptteil 201 zu jeweiligen fünf Verdrahtungsbereichen (Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, erster Stromversorgungsbereich 401, zweiter Stromversorgungsbereich 402, dritter Stromversorgungsbereich 403 und vierter Stromversorgungsbereich 404) des Stromversorgungsmusters 40.
  • In diesem Beispiel sind die Verbindungselemente 200 durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22 verbunden. Zum Beispiel sind fünf Laschen 202 des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 durch Löten mit den jeweiligen fünf Verdrahtungsbereichen (Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, erster Stromversorgungsbereich 401, zweiter Stromversorgungsbereich 402, dritter Stromversorgungsbereich 403 und vierter Stromversorgungsbereich 404) des Stromversorgungsmusters 40 verbunden.
  • In diesem Beispiel kann ein Material der Verbindungselemente 200 vom selben Typ sein wie ein Typ eines Materials der Wärmeableitschicht 23. In diesem Beispiel können Teile jedes Verbindungselements 200, die durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden sind, einem Beschichten unterzogen sein, um eine Lötverbindung zu ermöglichen. Zum Beispiel kann jedes aus dem ersten Stromversorgungsverbindungselement 41 und der Wärmeableitschicht 23 aus Aluminium bestehen. Im ersten Stromversorgungsverbindungselement 41 sind fünf Laschen 202, die durch Löten mit den fünf Verdrahtungsbereichen (Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, erster Stromversorgungsbereich 401, zweiter Stromversorgungsbereich 402, dritter Stromversorgungsbereich 403 und vierter Stromversorgungsbereich 404) des Stromversorgungsmusters 40 verbunden sind, mit Nickel beschichtet (einem Material, das eine Lötverbindung ermöglicht).
  • [Wirkung der ersten beispielhaften Ausführungsform]
  • Im Schaltnetzteil 10 sind, wie oben beschrieben, High-Side-Transistoren 110 der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Wenn bei dieser Gestaltung in einem aus nebeneinander angeordnetem High-Side-Transistor 110 und Low-Side-Transistor 120 Wärme erzeugt wird, kann die erzeugte Wärme über die Grundplatte 20 auf den anderen Transistor übertragen werden. Genauer kann während eines Zeitraums, in dem sich das High-Side-Schaltelement 11 in einem EIN-Zustand befindet und sich das Low-Side-Schaltelement 12 in einem AUS-Zustand befindet, in den High-Side-Transistoren 110 im EIN-Zustand erzeugte Wärme über die Grundplatte 20 auf die Low-Side-Transistoren 120 im AUS-Zustand übertragen werden. Während eines Zeitraums, in dem sich das High-Side-Schaltelement 11 in einem AUS-Zustand befindet und sich das Low-Side-Schaltelement 12 in einem EIN-Zustand befindet, kann in den Low-Side-Transistoren 120 im EIN-Zustand erzeugte Wärme über die Grundplatte 20 auf die High-Side-Transistoren 110 im AUS-Zustand übertragen werden. Auf diese Weise ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • Auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 sind High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 sowie ein Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen. Diese Gestaltung kann Verdrahtungspfade zwischen dem Glättungskondensatorabschnitt 13 und den High-Side-Transistoren 110 sowie zwischen dem Glättungskondensatorabschnitt 13 und den Low-Side-Transistoren 120 verkürzen, verglichen mit einer Gestaltung, bei der kein Glättungskondensatorabschnitt 13 auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 vorgesehen ist (beispielsweise einer Gestaltung, bei der der Glättungskondensatorabschnitt 13 auf einer Grundplatte vorgesehen ist, die verschieden ist von der Grundplatte 20, auf der die High-Side-Transistoren 110 und die Low-Side-Transistoren 120 angebracht sind). Folglich ist es möglich, eine parasitäre Induktanz der Verdrahtungspfade zwischen dem Glättungskondensatorabschnitt 13 und den High-Side-Transistoren 110 sowie zwischen dem Glättungskondensatorabschnitt 13 und den Low-Side-Transistoren 120 zu reduzieren und dadurch Spannungsstöße zu reduzieren, die durch Schaltvorgänge der High-Side-Transistoren 110 und der Low-Side-Transistoren 120 verursacht werden.
  • Die Vielzahl von Kondensatoren 130, aus denen der Glättungskondensatorabschnitt 13 besteht, ist so angeordnet, dass High-Side-Transistoren 110 neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet sind. Diese Gestaltung kann die Verdrahtungspfade zwischen Kondensatoren 130 und High-Side-Transistoren 110 (oder Low-Side-Transistoren 120) verkürzen. Folglich ist es möglich, Spannungsstöße zu reduzieren, die durch die Schaltvorgänge von High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 verursacht werden.
  • Die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten. Diese Gestaltung kann die Verdrahtungspfade verkürzen, die zwischen High-Side-Transistoren 110 und Kondensatoren 130 und zwischen Low-Side-Transistoren 120 und Kondensatoren 130 ausgebildet sind. Folglich ist es möglich, Spannungsstöße zu reduzieren, die durch die Schaltvorgänge von High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 verursacht werden.
  • Im Schaltnetzteil 10 ist die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 in der ersten Richtung X angeordnet. Weiter ist jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 neben seinem entsprechenden Transistor aus den High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 in der zweiten Richtung Y angeordnet, die rechtwinklig zur ersten Richtung X steht. Diese Gestaltung kann Unterschiede der Verdrahtungslängen zwischen der Vielzahl von Kondensatoren 130 und Transistoren (High-Side-Transistoren 110 oder Low-Side-Transistoren 120) reduzieren. Auf diese Weise ist es möglich, ungleichmäßige Wärme in der Vielzahl von Kondensatoren 130 zu reduzieren (um zu verhindern, dass elektrischer Strom in einigen der Kondensatoren 130 konzentriert wird und diese Kondensatoren 130 erwärmt).
  • In diesem Beispiel weist das Stromversorgungsmuster 40 die Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (in diesem Beispiel den ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406) auf, die über Verbindungselemente 200 (in diesem Beispiel das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43) verbunden sind. Diese Anordnung verbessert einen Freiheitsgrad beim Gestalten des Stromversorgungsmusters 40 (von Verdrahtungsmustern). Folglich ist es möglich, einen Freiheitsgrad beim Anordnen der High-Side-Transistoren 110 und der Low-Side-Transistoren 120 zu verbessern.
  • Jedes der Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43 in diesem Beispiel) ist aus einem Leiter mit einer flachen Form ausgebildet. Diese Gestaltung kann über Verbindungselemente 200 Wärme abstrahlen, die auf die Verdrahtungsbereiche (den ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406 in diesem Beispiel) der leitfähigen Schicht 22 übertragen wurde. Auf diese Weise ist es möglich, eine Wärmeableiteigenschaft zu verbessern.
  • Jedes der Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43 in diesem Beispiel) besteht aus einem Material desselben Typs wie ein Typ des Materials der Wärmeableitschicht 23. Somit kann bewirkt sein, dass Wärmeausdehnungskoeffizienten der Verbindungselemente 200 und der Wärmeableitschicht 23 miteinander übereinstimmen. Folglich ist es möglich, die Verbindungselemente 200 sich in Übereinstimmung mit einer Form der Wärmeableitschicht 23 bei einem Temperaturanstieg verformen zu lassen und dadurch die Zuverlässigkeit des Schaltnetzteils 10 zu verbessern.
  • Verbindungselemente 200 (in diesem Beispiel das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 bis dritte Stromversorgungsverbindungselement 43) sind durch Löten mit den Verdrahtungsbereichen (in diesem Beispiel dem ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406) der leitfähigen Schicht 22 verbunden. Diese Gestaltung kann eine einfache Verbindungsstruktur der Verbindungselemente 200 erreichen, verglichen mit einer Gestaltung, in der Verbindungselemente 200 an den Verdrahtungsbereichen der leitfähigen Schicht 22 durch Schrauben befestigt sind.
  • Teile von Verbindungselementen 200 (in diesem Beispiel des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 bis dritten Stromversorgungsverbindungselements 43), die durch Löten mit den Verdrahtungsbereichen (in diesem Beispiel dem ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406) zu verbinden sind, sind einem Beschichten unterworfen, um eine Lötverbindung zu ermöglichen. Diese Gestaltung kann Verbindungselemente 200 mit den Verdrahtungsbereichen der leitfähigen Schicht 22 durch Löten verbinden, sogar wenn Verbindungselemente 200 aus einem für Lötverbindungen ungeeigneten Material bestehen. Folglich ist es möglich, den Freiheitsgrad bei der Wahl eines Materials der Verbindungselemente 200 zu verbessern.
  • (Erste Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements)
  • 5 stellt eine erste Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements 200 dar. In 5 ist die Verbindungsstruktur des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 und des dritten Stromversorgungsbereichs 403 beispielhaft dargestellt.
  • In diesem Beispiel besteht jedes der Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 5) aus einem Leiter (einer so genannten Stromschiene) mit einer flachen Form. Genauer weist jedes Verbindungselement 200 einen Hauptteil 201 und Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 ist in einer flachen Form ausgebildet und liegt der leitfähigen Schicht 22 mit einem Abstand dazwischen gegenüber; und jede der Laschen 202 ragt vom Hauptteil 201 jeweils zu einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 5) in der leitfähigen Schicht 22.
  • In der Grundplatte 20 sind erste Durchgangslöcher 21h, zweite Durchgangslöcher 22h und dritte Durchgangslöcher 23h vorgesehen. Jedes der ersten Durchgangslöcher 21h durchdringt die Isolierschicht 21 in einer Dickenrichtung. Jedes der zweiten Durchgangslöcher 22h ist so ausgebildet, dass es jeweils einen aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (den dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 5) in der leitfähigen Schicht 22 in der Dickenrichtung durchdringt und in Verbindung mit einem entsprechenden ersten Durchgangsloch 21h steht. Jedes der dritten Durchgangslöcher 23h durchdringt die Wärmeableitschicht 23 in der Dickenrichtung und steht in Verbindung mit einem entsprechenden ersten Durchgangsloch 21h.
  • Die Laschen 202 der Verbindungselemente 200 (des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 5) sind durch Löten (Lötverbindung 26) mit Verdrahtungsbereichen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 5) mit zweiten Durchgangslöchern 22h verbunden, die einige aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22 sind, während sie in die ersten Durchgangslöcher 21h, die zweiten Durchgangslöcher 22h und die dritten Durchgangslöcher 23h eingesetzt sind.
  • Die dritten Durchgangslöcher 23h weisen eine größere Öffnungsfläche auf als eine Öffnungsfläche der ersten Durchgangslöcher 21h, sodass Laschen 202 des Verbindungselements 200 (des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 5), die in das erste Durchgangsloch 21h, das zweite Durchgangsloch 22h und das dritte Durchgangsloch 23h eingesetzt sind, keinen Kontakt mit Innenwänden der dritten Durchgangslöcher 23h machen.
  • In diesem Beispiel kann ein Material jedes Verbindungselements 200 (des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 5) vom selben Typ sein wie ein Typ eines Materials der Wärmeableitschicht 23. In diesem Beispiel können Teile der Verbindungselemente 200 (Laschen 202 des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 5), die durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden sind, einem Beschichten unterzogen sein, um eine Lötverbindung zu ermöglichen.
  • Wie oben beschrieben, sind Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 5) durch Löten mit den Verdrahtungsbereichen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 5) der leitfähigen Schicht 22 verbunden. Diese Gestaltung kann eine einfache Verbindungsstruktur der Verbindungselemente 200 erreichen, verglichen mit einer Gestaltung, bei der Verbindungselemente 200 an den Verdrahtungsbereichen der leitfähigen Schicht 22 durch Schrauben befestigt sind.
  • (Zweite Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements)
  • 6 stellt eine zweite Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements 200 dar. In 6 ist die Verbindungsstruktur des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 und des dritten Stromversorgungsbereichs 403 beispielhaft dargestellt.
  • In diesem Beispiel besteht jedes der Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 6) aus einem Leiter (einer so genannten Stromschiene) mit einer flachen Form. Das Schaltnetzteil 10 weist Muttern 27 und Schrauben 28 auf jede der Muttern 27 ist durch Löten (Lötstelle 26) mit jeweils einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 6) in der leitfähigen Schicht 22 verbunden, und jede der Schrauben 28 durchdringt das Verbindungselement 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 6) und ist an der entsprechenden Mutter 27 befestigt.
  • In diesem Beispiel kann ein Material jedes Verbindungselements 200 (des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 6) vom selben Typ sein wie ein Typ eines Materials der Wärmeableitschicht 23.
  • Wie oben beschrieben, sind Muttern 27 durch Löten mit den Verdrahtungsbereichen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 6) in der leitfähigen Schicht 22 verbunden, und durchdringen Schrauben 28 die Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 6) und sind an den Muttern 27 befestigt. Diese Gestaltung kann die Verbindungselemente 200 mit den Verdrahtungsbereichen der leitfähigen Schicht 22 durch Löten verbinden, sogar wenn die Verbindungselemente 200 aus einem für Lötverbindungen ungeeigneten Material bestehen. Folglich ist es möglich, den Freiheitsgrad bei der Wahl eines Materials der Verbindungselemente 200 zu verbessern.
  • (Dritte Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements)
  • 7 und 8 stellen jeweils eine dritte Modifikation der Verbindungsstruktur eines Verbindungselements 200 dar. In 7 und 8 ist die Verbindungsstruktur des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 und des dritten Stromversorgungsbereichs 403 beispielhaft dargestellt.
  • Die Verbindungsstruktur der Verbindungselemente 200 (des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 in dem Beispiel von 7 und 8) ist eine Struktur, bei der die Verbindungselemente 200 an der Grundplatte 20 (genauer, der leitfähigen Schicht 22) durch Koppelschrauben 60 befestigt sind. Diese Verbindungsstruktur enthält Träger 71, Isolierelemente 72, Unterlegscheiben 73 und Koppelschrauben 60.
  • Die Träger 71, die jeweils aus einem leitfähigen Material (beispielsweise Metall) bestehen, sind auf der leitfähigen Schicht 22 vorgesehen. Genauer sind die Träger 71 in Verbindungsteilen zwischen den Verbindungselementen 200 und der leitfähigen Schicht 22 vorgesehen. (Die Verbindungsteile entsprechen Teilen, mit denen Verbindungselemente 200 verbunden sind, das heißt, dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 7).
  • In diesem Beispiel weist jeder der Träger 71 eine Montagefläche (obere Fläche in 8) auf, die zu einer rechteckigen Form ausgebildet ist. Vorgesehen in einer Mitte jedes Trägers 71 ist ein Einsatzloch, durch das eine entsprechende Koppelschraube 60 hindurchgeht. Die Einsatzlöcher der Träger 71 weisen einen größeren Durchmesser auf als ein Außendurchmesser von Gewindebereichen der Koppelschrauben 60.
  • Auf die Montagefläche jedes der Träger 71 ist das entsprechende Verbindungselement 200 montiert. In diesem Beispiel sind Verbindungselemente 200, von denen jedes zu einer flachen Form ausgebildet ist, auf den Montageflächen der Träger 71 montiert. In jedem Verbindungselement 200 ist ein Einsatzloch vorgesehen, durch das die entsprechende Koppelschraube 60 hindurchgeht. Die Einsatzlöcher in den Verbindungselementen 200 weisen einen größeren Durchmesser auf als ein Außendurchmesser der Gewindebereiche der Koppelschrauben 60.
  • Eine Höhe der Träger 71 (Höhe von einer Oberfläche der leitfähigen Schicht 22 zur Montagefläche der Träger 71) ist größer als eine Höhe von High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120, die auf der leitfähigen Schicht 22 montiert sind (Höhe bezüglich der Oberfläche der leitfähigen Schicht 22). Diese Gestaltung kann verhindern, dass auf den Montageflächen von Trägern 71 montierte Verbindungselemente 200 Kontakt mit auf der leitfähigen Schicht 22 vorgesehenen High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 herstellen.
  • Isolierelemente 72, die jeweils in einer flachen Form ausgebildet sind, sind auf den Verbindungselementen 200 montiert, die auf den Trägern 71 montiert sind. Zum Beispiel kann jedes der Isolierelemente 72 aus einem Isolierpapier bestehen (Qualitätspapier oder Kraftpapier, beschichtet mit einem Isolierlack). In diesem Beispiel sind die Isolierelemente 72 in Übereinstimmung mit einer flachen Form der Montageflächen der Träger 71 ausgebildet (das heißt, in einer rechteckigen flachen Form ausgebildet). In einer Mitte jedes Isolierelements 72 ist ein Einsatzloch vorgesehen, durch das eine entsprechende Koppelschraube 60 hindurchgeht. Ein Durchmesser der Einsatzlöcher in den Isolierelementen 72 ist größer als die Außendurchmesser der Gewindebereiche der Koppelschrauben 60, aber kleiner als der Durchmesser der Einsatzlöcher in Verbindungselement 200 und Träger 71. Bei jedem Isolierelement 72 ist ein ringförmiger Vorsprung 72a an seinem inneren Umfangsbereich vorgesehen, der um das Einsatzloch liegt. Zum Beispiel kann jeder ringförmige Vorsprung 72a ausgebildet sein durch ein Formstanzen des inneren Umfangsbereichs des entsprechenden Isolierelements 72, der um das Einsatzloch liegt.
  • Unterlegscheiben 73, die jeweils in einer flachen Form ausgebildet sind, sind auf den Isolierelementen 72 montiert, die auf den Verbindungselementen 200 montiert sind. In diesem Beispiel ist jede Unterlegscheibe 73 zu einer ebenen U-Form ausgebildet (einer zu einer U-Form gebogenen Plattenform). Jede Unterlegscheibe 73 ist ausgelegt, den entsprechenden Träger 71 abzudecken, wobei das Verbindungselement 200 und das Isolierelement 72 zwischen die Unterlegscheibe 73 und die Montagefläche des Trägers 71 gelegt sind. In einer Mitte jeder Unterlegscheibe 73 ist ein Einsatzloch vorgesehen, durch das eine entsprechende Koppelschraube 60 hindurchgeht. Die Einsatzlöcher in den Unterlegscheiben 73 weisen einen größeren Durchmesser auf als der Außendurchmesser der Gewindebereiche der Koppelschrauben 60.
  • In der leitfähigen Schicht 22 und der Isolierschicht 21 in der Grundplatte 20 sind Einsatzlöcher vorgesehen, durch die Koppelschrauben 60 hindurchgehen. Ein Durchmesser der Einsatzlöcher in der leitfähigen Schicht 22 und der Isolierschicht 21 ist größer als ein beliebiger aus dem Außendurchmesser der Gewindebereiche der Koppelschrauben 60 und der Durchmesser der Einsatzlöcher im Isolierelement 72. In der Wärmeableitschicht 23 der Grundplatte 20 sind Gewindelöcher 61 vorgesehen, in die die Koppelschrauben 60 eingesetzt sind.
  • Die Koppelschrauben 60 durchdringen die Unterlegscheiben 73, die Isolierelemente 72, die Verbindungselemente 200, die Träger 71, die leitfähige Schicht 22 und die Isolierschicht 21 und sind an der Wärmeableitschicht 23 befestigt. Genauer gehen die Koppelschrauben 60 durch die Einsatzlöcher in den Unterlegscheiben 73, den Isolierelementen 72, den Verbindungselementen 200, den Trägern 71, der leitfähigen Schicht 22 und der Isolierschicht 21 und sind in der Wärmeableitschicht 23 befestigt. In diesem Fall sind Abstände zwischen den Gewindebereichen der Koppelschrauben 60 und den Einsatzlöchern in Verbindungselementen 200, Trägern 71, leitfähiger Schicht 22 und Isolierschicht 21 vorgesehen. Außerdem sind die Unterlegscheiben 73 und Isolierelemente 72 zwischen den Köpfen der Koppelschrauben 60 und den Verbindungselementen 200 vorgesehen. Diese Anordnung isoliert die Verbindungselemente 200 zuverlässig von der Wärmeableitschicht 23.
  • Wie oben beschrieben, sind durch eine Verwendung von Koppelschrauben 60, die die leitfähige Schicht 22 und die Isolierschicht 21 durchdringen und an der Wärmeableitschicht 23 befestigt sind, die Verbindungselemente 200 an den Verbindungsteilen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 7) zwischen den Verbindungselementen 200 und der leitfähigen Schicht 22 durch Schrauben befestigt. Ein Kontakt zwischen Isolierschicht 21 und Wärmeableitschicht 23 kann dadurch verbessert sein. Diese Gestaltung erleichtert die Wärmeübertragung von den High-Side-Transistoren 110 und den Low-Side-Transistoren 120 auf die Wärmeableitschicht 23 über die leitfähige Schicht 22 und die Isolierschicht 21. Als Ergebnis kann die Wärmeableiteigenschaft der Grundplatte 20 verbessert sein. Somit kann die Gestaltung einen Temperaturanstieg unterdrücken, der durch die Schaltvorgänge von High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 verursacht wird.
  • (Vierte Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements)
  • 9 stellt eine vierte Modifikation einer Verbindungsstruktur eines Verbindungselements 200 dar. In 9 ist die Verbindungsstruktur des ersten Stromversorgungsverbindungselements 41 und des dritten Stromversorgungsbereichs 403 beispielhaft dargestellt.
  • Wie in 9 dargestellt, kann das Schaltnetzteil 10 so gestaltet sein, dass Koppelschrauben 60 die leitfähige Schicht 22, die Isolierschicht 21 und die Wärmeableitschicht 23 durchdringen und am Wärmeableitelement 24 befestigt sind. Genauer können durch eine Verwendung von Koppelschrauben 60, die die leitfähige Schicht 22, die Isolierschicht 21 und die Wärmeableitschicht 23 durchdringen und an dem Wärmeableitelement 24 befestigt sind, die Verbindungselemente 200 (das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 in dem Beispiel von 9) an den Verbindungsteilen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 9) zwischen den Verbindungselementen 200 und der leitfähigen Schicht 22 befestigt sein.
  • In dem Beispiel von 9 sind in jeder aus der leitfähigen Schicht 22, der Isolierschicht 21 und der Wärmeableitschicht 23 Einsatzlöcher vorgesehen, durch die Koppelschrauben 60 gehen. Im Wärmeableitelement 24 sind Gewindelöcher 61 vorgesehen, in die Koppelschrauben 60 eingesetzt sind. Die Koppelschrauben 60 gehen durch die Einsatzlöcher in den Unterlegscheiben 73, den Isolierelementen 72, den Verbindungselementen 200, den Trägern 71, der leitfähigen Schicht 22, der Isolierschicht 21 und der Wärmeableitschicht 23. Weiter sind die Koppelschrauben 60 in Gewindelöcher 61 im Wärmeableitelement 24 gesetzt und darin befestigt. In diesem Fall sind Abstände zwischen den Gewindebereichen der Koppelschrauben 60 und den Einsatzlöchern in Verbindungselementen 200, Trägern 71, leitfähiger Schicht 22, Isolierschicht 21 und Wärmeableitschicht 23 vorgesehen. Außerdem sind die Unterlegscheiben 73 und die Isolierelemente 72 zwischen den Köpfen der Koppelschrauben 60 und den Verbindungselementen 200 vorgesehen. Diese Gestaltung isoliert die Verbindungselemente 200 zuverlässig von dem Wärmeableitelement 24.
  • Wie oben beschrieben, sind durch eine Verwendung von Koppelschrauben 60, die die leitfähige Schicht 22, die Isolierschicht 21 und die Wärmeableitschicht 23 durchdringen und an dem Wärmeableitelement 24 befestigt sind, die Verbindungselemente 200 an den Verbindungsteilen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 9) zwischen den Verbindungselementen 200 und der leitfähigen Schicht 22 befestigt. Ein Kontakt zwischen Isolierschicht 21 und Wärmeableitschicht 23 sowie zwischen Wärmeableitschicht 23 und Wärmeableitelement 24 kann dadurch verbessert sein. Diese Gestaltung erleichtert die Wärmeübertragung von den High-Side-Transistoren 110 und den Low-Side-Transistoren 120 auf das Wärmeableitelement 24 über die leitfähige Schicht 22, die Isolierschicht 21 und die Wärmeableitschicht 23. Als Ergebnis kann die Wärmeableiteigenschaft der Grundplatte 20 verbessert sein. Somit kann die Gestaltung einen Temperaturanstieg unterdrücken, der durch die Schaltvorgänge von High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 verursacht wird.
  • Darüber hinaus sind durch eine Verwendung von Koppelschrauben 60, die die leitfähige Schicht 22, die Isolierschicht 21 und die Wärmeableitschicht 23 durchdringen und an dem Wärmeableitelement 24 befestigt sind, die Verbindungselemente 200 an den Verbindungsteilen (dem dritten Stromversorgungsbereich 403 in dem Beispiel von 9) zwischen den Verbindungselementen 200 und der leitfähigen Schicht 22 befestigt. Ein Verziehen der Grundplatte 20 kann dadurch unterdrückt sein. Die Gestaltung, bei der die Grundplatte 20 und das Wärmeableitelement 24 über Koppelschrauben 60 aneinander befestigt sind, kann die Anzahl von Bauteilen im Schaltnetzteil 10 reduzieren.
  • (Zweite beispielhafte Ausführungsform)
  • 10 stellt einen Aufbau des Schaltnetzteils 10 gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform unterscheidet sich vom Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform in Gestaltungen des Stromversorgungsmusters 40, des Massemusters 50 und der Verbindungselemente 200 und Anordnungen der High-Side-Transistoren 110, der Low-Side-Transistoren 120 und der Kondensatoren 130.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform enthält das Stromversorgungsmuster 40: sechs Verdrahtungsbereiche (einen ersten Stromversorgungsbereich 401 bis sechsten Stromversorgungsbereich 406); und einen Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410.
  • «Stromversorgungsbereich»
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 aufgereiht ist und entsprechenden Ausgangsbereichen 300 gegenübersteht, mit vorgegebenen Abständen dazwischen in einer Richtung rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300. Genauer weisen der erste Stromversorgungsbereich 401 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 nachstehend beschriebene Gestaltungen auf.
  • Der erste Stromversorgungsbereich 401 bis dritte Stromversorgungsbereich 403 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet und mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der erste Stromversorgungsbereich 401, der zweite Stromversorgungsbereich 402 und der dritte Stromversorgungsbereich 403 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 angeordnet. Der erste Stromversorgungsbereich 401 bis dritte Stromversorgungsbereich 403 liegen dem ersten Ausgangsbereich 301 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 gegenüber.
  • Der vierte Stromversorgungsbereich 404 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 sind zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet und mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des zweiten Ausgangsbereichs 302 und des dritten Ausgangsbereichs 303 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der vierte Stromversorgungsbereich 404, der fünfte Stromversorgungsbereich 405 und der sechste Stromversorgungsbereich 406 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 und des dritten Ausgangsbereichs 303 angeordnet. Der vierte Stromversorgungsbereich 404 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 liegen dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 gegenüber. Außerdem liegen der vierte Stromversorgungsbereich 404 bis sechste Stromversorgungsbereich 406 dem dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zu einer Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber.
  • <<Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich>>
  • Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform ist der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 so ausgebildet, dass er sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, die entlang einer seitlichen Richtung der Grundplatte 20 liegt, und nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 10) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet. Der dritte Stromversorgungsbereich 403 und der sechste Stromversorgungsbereich 406 sind mit dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 verbunden. Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform sind der erste Stromversorgungsbereich 401, der zweite Stromversorgungsbereich 402, der vierte Stromversorgungsbereich 404 und der fünfte Stromversorgungsbereich 405 mit dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 über Verbindungselemente 200 (ein erstes Stromversorgungsverbindungselement 41 und ein zweites Stromversorgungsverbindungselement 42), die weiter unten beschrieben sind, elektrisch verbunden.
  • <Massemuster>
  • Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform enthält das Massemuster 50 vier Verdrahtungsbereiche (einen ersten Massebereich 501 bis vierten Massebereich 504) und einen Masse-Zwischenverbindungsbereich 510.
  • «Massebereich»
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Massebereichen 500 mit Abstand in einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 aufgereiht ist und entsprechenden Ausgangsbereichen 300 gegenüberliegt, mit vorgegebenen Abständen dazwischen in einer Richtung rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300. Genauer weisen der erste Massebereich 501 bis vierte Massebereich 504 nachstehend beschriebene Gestaltungen auf.
  • Sowohl der erste Massebereich 501 als auch der zweite Massebereich 502 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet und mit Abstand in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der erste Massebereich 501 und der zweite Massebereich 502 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der erste Massebereich 501 als auch der zweite Massebereich 502 dem ersten Ausgangsbereich 301 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 gegenüber.
  • Sowohl der dritte Massebereich 503 als auch der vierte Massebereich 504 sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet und mit Abstand in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des zweiten Ausgangsbereichs 302 und Ausgangsbereichs 303 aufgereiht. In diesem Beispiel sind der dritte Massebereich 503 und vierte Massebereich 504 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 und des dritten Ausgangsbereichs 303 angeordnet. Außerdem liegen sowohl der dritte Massebereich 503 als auch der vierte Massebereich 504 dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 gegenüber. Ebenso liegen sowohl der dritte Massebereich 503 als auch der vierte Massebereich 504 dem dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber.
  • «Masse-Zwischenverbindungsbereich»
  • Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform ist der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 10) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet. Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform sind der erste Massebereich 501 bis vierte Massebereich mit dem Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 über ein Verbindungselement 200 (Masseverbindungselement 51), das weiter unten beschrieben ist, elektrisch verbunden.
  • <Anordnung von Stromversorgungsbereichen und Massebereichen>
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und die Vielzahl von Massebereichen 500 abwechselnd in der Richtung entlang der Erstreckungsrichtung von Ausgangsbereichen 300 aufgereiht sind. Weiter sind die Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und die Vielzahl von Massebereichen 500 so aufgereiht, dass jeder Stromversorgungsbereich 400 und sein benachbarter Massebereich 500 einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüberliegen.
  • Genauer sind zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 der erste Stromversorgungsbereich 401, der erste Massebereich 501, der zweite Stromversorgungsbereich 402, der zweite Massebereich 502 und der dritte Stromversorgungsbereich 403 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Der erste Massebereich 501 liegt sowohl dem ersten Stromversorgungsbereich 401 als auch dem zweiten Stromversorgungsbereich 402 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber. Ebenso liegt der zweite Massebereich 502 sowohl dem zweiten Stromversorgungsbereich 402 als auch dem dritten Stromversorgungsbereich 403 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber.
  • Zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 sind der vierte Stromversorgungsbereich 404, der dritte Massebereich 503, der fünfte Stromversorgungsbereich 405, der vierte Massebereich 504 und der sechste Stromversorgungsbereich 406 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seiten zur rechten Seite in 10) in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 und des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Der Massebereich 503 liegt sowohl dem vierten Stromversorgungsbereich 404 als auch dem fünften Stromversorgungsbereich 405 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber. Ebenso liegt der vierte Massebereich 504 sowohl dem fünften Stromversorgungsbereich 405 als auch dem sechsten Stromversorgungsbereich 406 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber.
  • <High-Side-Schaltelement und High-Side-Transistor>
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste High-Side-Schaltelement 11u bis dritte High-Side-Schaltelement 11w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten High-Side-Schaltelement 11u bis dritten High-Side-Schaltelement 11w enthält vier High-Side-Transistoren 110.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 ist ein High-Side-Transistor 110 auf einer Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden; zwei High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden; und ein verbleibender High-Side-Transistor 110 ist auf einer Fläche des dritten Stromversorgungsbereichs 403 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 ist ein High-Side-Transistor 110 auf einer Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden; zwei High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden; und ein verbleibender High-Side-Transistor 110 ist auf einer Fläche des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden.
  • Vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Von diesen vier High-Side-Transistoren 110 ist ein High-Side-Transistor 110 auf einer Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden; zwei High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden, und ein verbleibender High-Side-Transistor 110 ist auf der Fläche des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden.
  • <Low-Side-Schaltelement und Low-Side-Transistor>
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste Low-Side-Schaltelement 12u bis dritte Low-Side-Schaltelement 12w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u bis dritten Low-Side-Schaltelement 12w enthält vier Low-Side-Transistoren 120.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 sind zwei Low-Side-Transistoren 120 auf einer Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem ersten Massebereich 501 verbunden, und zwei verbleibende Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 sind zwei Low-Side-Transistoren 120 auf einer Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem dritten Massebereich 503 verbunden, und zwei verbleibende Low-Side-Transistoren 120 sind auf der Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem vierten Massebereich 504 verbunden.
  • Vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Von diesen vier Low-Side-Transistoren 120 sind zwei Low-Side-Transistoren 120 auf einer Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem dritten Massebereich 503 verbunden, und zwei verbleibende Low-Side-Transistoren 120 sind auf der Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem vierten Massebereich 504 verbunden.
  • <Anordnung der High-Side-Transistoren und Low-Side-Transistoren>
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die ein einziges High-Side-Schaltelement 11 bilden, der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die ein einziges Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in der ersten Richtung X angeordnet ist, die entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 liegt. In diesem Fall liegt eine Richtung, in der die Anschlüsse der Low-Side-Transistoren 120 (von Seiten der Hauptteile zu Massebereichen 500 ragenden Anschlüsse) ausgerichtet sind, entgegengesetzt zu einer Richtung, in der die Anschlüsse der High-Side-Transistoren 110 (von den Seiten der Hauptteile zu Ausgangsbereichen 300 ragenden Anschlüsse) ausgerichtet sind.
  • Genauer sind die vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, und die vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt, sodass ein High-Side-Transistor 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120 und ein High-Side-Transistor 110 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • Die vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, und die vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt, sodass ein High-Side-Transistor 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120 und ein High-Side-Transistor 110 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • Die vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, und die vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind in der ersten Richtung X aufgereiht, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt, sodass ein High-Side-Transistor 110, zwei Low-Side-Transistoren 120, zwei High-Side-Transistoren 110, zwei Low-Side-Transistoren 120 und ein High-Side-Transistor 110 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der linken Seite zur rechten Seite in 10) in der ersten Richtung X angeordnet sind.
  • <Glättungskondensatorabschnitt und Kondensator>
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform ist insofern ähnlich dem Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 der Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen ist. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 enthält eine Vielzahl von Kondensatoren 130.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Kondensatoren 130 der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht. Jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 ist neben seinem entsprechenden Transistor aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten.
  • Genauer ist die zweite beispielhafte Ausführungsform der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als 24 Kondensatoren 130 vorgesehen sind, die 12 High-Side-Transistoren 110 und 12 Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 vorgesehen sind.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und einer Fläche des ersten Massebereichs 501 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des ersten Massebereichs 501 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und einer Fläche des zweiten Massebereichs 502 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des dritten Stromversorgungsbereichs 403 und des zweiten Massebereichs 502 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 302) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und einer Fläche des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und auf einer Fläche des vierten Massebereichs 504 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des vierten Massebereichs 504 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und einer Fläche des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und einer Fläche des vierten Massebereichs 504 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des vierten Massebereichs 504 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und einer Fläche des ersten Massebereichs 501 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des ersten Massebereichs 501 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und einer Fläche des zweiten Massebereichs 502 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des dritten Stromversorgungsbereichs 403 und des zweiten Massebereichs 502 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und einer Fläche des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und einer Fläche des vierten Massebereichs 504 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des vierten Massebereichs 504 angebracht.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Von diesen vier Kondensatoren 130 ist ein Kondensator 130 auf der Fläche des vierten Stromversorgungsbereichs 404 und einer Fläche des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf den Flächen des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und des dritten Massebereichs 503 angebracht; ein Kondensator 130 ist auf der Fläche des fünften Stromversorgungsbereichs 405 und einer Fläche des vierten Massebereichs 504 angebracht; und ein verbleibender Kondensator 130 ist auf den Flächen des sechsten Stromversorgungsbereichs 406 und des vierten Massebereichs 504 angebracht.
  • <Verbindungselement>
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Massemuster 50 eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (in der leitfähigen Schicht 22 ausgebildeten Bereichen der Verdrahtungsmuster) aufweist, die über Verbindungselemente 200 elektrisch verbunden sind. In diesem Beispiel weist das Stromversorgungsmuster 40 den ersten Stromversorgungsbereich 401, den zweiten Stromversorgungsbereich 402, den vierten Stromversorgungsbereich 404 und dem fünften Stromversorgungsbereich 405 auf, die über das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 und das zweite Stromversorgungsverbindungselement 42 (Verbindungselemente 200) elektrisch verbunden sind. Das Massemuster 50 weist einen ersten Massebereich 501 bis vierten Massebereich 504 auf, die über das Masseverbindungselement 51 (Verbindungselement 200) elektrisch verbunden sind. 10 stellt das erste Stromversorgungsverbindungselement 41, das zweite Stromversorgungsverbindungselement 42 und das Masseverbindungselement 51 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • Das erste Stromversorgungsverbindungselement 41 verbindet den Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, den ersten Stromversorgungsbereich 401 und den zweiten Stromversorgungsbereich 402 elektrisch. Das zweite Stromversorgungsverbindungselement 42 verbindet den Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, den vierten Stromversorgungsbereich 404 und den fünften Stromversorgungsbereich 405 elektrisch. Das Masseverbindungselement 51 verbindet den Masse-Zwischenverbindungsbereich 510, den ersten Massebereich 501, den zweiten Massebereich 502, den dritten Massebereich 503 und den vierten Massebereich 504 elektrisch.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als jedes der Verbindungselemente 200 aus einem Leiter (einer Stromschiene) mit einer flachen Form besteht. Genauer weist jedes Verbindungselement 200 einen Hauptteil 201 und Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 ist in einer flachen Form ausgebildet und liegt der leitfähigen Schicht 22 mit einem Abstand dazwischen gegenüber; und jede der Laschen 202 erstreckt sich vom Hauptteil 201 zu jeweils einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22. Zum Beispiel weist das Masseverbindungselement 51 einen Hauptteil 201 und fünf Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 liegt dem zweiten Ausgangsbereich 302 mit einem Abstand dazwischen gegenüber, und die Laschen 202 erstrecken sich vom Hauptteil 201 zu jeweiligen fünf Verdrahtungsbereichen (Masse-Zwischenverbindungsbereich 510, erster Massebereich 501, zweiter Massebereich 502, dritter Massebereich 503 und vierter Massebereich 504) des Massemusters 50.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Verbindungselemente 200 durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22 verbunden sind. Zum Beispiel sind fünf Laschen 202 des Masseverbindungselements 51 durch Löten mit den fünf jeweiligen Verdrahtungsbereichen (dem Masse-Zwischenverbindungsbereich 510, dem ersten Massebereich 501, dem zweiten Massebereich 502, dem dritten Massebereich 503 und dem vierten Massebereich 504) des Massemusters 50 verbunden.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als ein Material der Verbindungselemente 200 vom selben Typ sein kann wie ein Typ eines Materials der Wärmeableitschicht 23. In diesem Beispiel können Teile jedes Verbindungselements 200, die durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden sind, einem Beschichten unterzogen sein, um eine Lötverbindung zu ermöglichen. Zum Beispiel kann jedes aus dem Masseverbindungselement 51 und der Wärmeableitschicht 23 aus Aluminium bestehen. Im Masseverbindungselement 51 sind fünf Laschen 202, die durch Löten mit den fünf Verdrahtungsbereichen (dem Masse-Zwischenverbindungsbereich 510, dem ersten Massebereich 501, dem zweiten Massebereich 502, dem dritten Massebereich 503 und dem vierten Massebereich 504) des Massemusters 50 verbunden sind, mit Nickel beschichtet (einem Material, das eine Lötverbindung ermöglicht).
  • [Wirkung der zweiten beispielhaften Ausführungsform]
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform kann im Wesentlichen dieselbe Wirkung erzielen wie die Wirkung des Schaltnetzteils 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform. Zum Beispiel ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • (Dritte beispielhafte Ausführungsform)
  • 11 stellt eine Anordnung des Schaltnetzteils 10 gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform unterscheidet sich vom Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform in Gestaltungen des Ausgangsmusters 30, des Stromversorgungsmusters 40, des Massemusters 50 und der Verbindungselemente 200 und Anordnungen der High-Side-Transistoren 110, der Low-Side-Transistoren 120 und der Kondensatoren 130.
  • <Ausgangsmuster>
  • Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Ausgangsmuster 30 einen ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen. Der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 sind so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet. In diesem Beispiel sind der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 in einer Mitte der Grundplatte 20 in ihrer seitlichen Richtung angeordnet.
  • Der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 sind mit dem ersten Ausgangsverbindungselement 81 bis dritten Ausgangsverbindungselement 83 elektrisch verbunden. Zum Beispiel kann jedes aus dem ersten Ausgangsverbindungselement 81 bis dritten Ausgangsverbindungselement 83 aus einem Leiter (einer Stromschiene) mit einer flachen Form ausgebildet sein. 11 stellt ein erstes Ausgangsverbindungselement 81 bis drittes Ausgangsverbindungselement 83 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen ersten Stromversorgungsbereich 401, einen zweiten Stromversorgungsbereich 402 und einen Stromversorgungsverbindungsbereich 430.
  • «Stromversorgungsbereich»
  • Der erste Stromversorgungsbereich 401 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303. Der erste Stromversorgungsbereich 401 liegt dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber. Der zweite Stromversorgungsbereich 402 ist so angeordnet, dass er dem ersten Stromversorgungsbereich 401 gegenüber liegt, wobei der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 und der zweite Massebereich 502, der weiter unten beschrieben ist, dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 liegen. Außerdem ist der zweite Stromversorgungsbereich 402 an ein Ende (die positive Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen.
  • <<Stromversorgungsverbindungsbereich>>
  • Der Stromversorgungsverbindungsbereich 430 ist so ausgebildet, dass er sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, und verbindet den ersten Stromversorgungsbereich 401 mit dem zweiten Stromversorgungsbereich 402. In diesem Beispiel ist der Stromversorgungsverbindungsbereich 430 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 11) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet.
  • <Massemuster>
  • Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501, einen zweiten Massebereich 502, einen ersten Masseausläuferbereich 531 und einen zweiten Masseausläuferbereich 532.
  • «Massebereich»
  • Der erste Massebereich 501 und der zweite Massebereich 502 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303. Außerdem liegt der erste Massebereich 502 dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber. Der erste Massebereich 501 ist so angeordnet, dass er dem zweiten Massebereich 502 gegenüber liegt, wobei der erste Stromversorgungsbereich 401 und der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 dazwischen liegen. Außerdem ist der erste Massebereich 501 an das andere Ende (die negative Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen.
  • «Masseausläuferbereich»
  • Der erste Masseausläuferbereich 531 und der zweite Masseausläuferbereich 532 sind so ausgebildet, dass sie sich in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 erstrecken. Der erste Masseausläuferbereich 531 ist zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet, während der zweite Masseausläuferbereich 532 zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet ist. Außerdem sind sowohl der erste Masseausläuferbereich 531 als auch der zweite Masseausläuferbereich 532 mit den zweiten Massebereich 502 verbunden, wobei sie dem ersten Stromversorgungsbereich 401 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber liegen.
  • <Anordnung von Stromversorgungsbereichen und Massebereichen>
  • Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform sind eine Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und eine Vielzahl von Massebereichen 500 so angeordnet, dass sie einander mit einem vorgegebenen Abstand in einer Richtung rechtwinklig zu einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 gegenüber liegen.
  • Genauer sind der erste Massebereich 501, der erste Stromversorgungsbereich 401, der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303, der zweite Massebereich 502 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (einer unteren Seite zu einer oberen Seite in dem Beispiel von 11) in der seitlichen Richtung der Grundplatte 20 angeordnet. Außerdem liegt der erste Stromversorgungsbereich 401 dem ersten Massebereich 501 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber, während der zweite Stromversorgungsbereich 402 dem zweiten Massebereich 502 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber liegt.
  • <High-Side-Schaltelement und High-Side-Transistor>
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste High-Side-Schaltelement 11u bis dritte High-Side-Schaltelement 11w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten High-Side-Schaltelement 11u bis dritten High-Side-Schaltelement 11w enthält vier High-Side-Transistoren 110.
  • Die vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden.
  • <Low-Side-Schaltelement und Low-Side-Transistor>
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste Low-Side-Schaltelement 12u bis dritte Low-Side-Schaltelement 12w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u bis dritten Low-Side-Schaltelement 12w enthält vier Low-Side-Transistoren 120.
  • Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des ersten Ausgangsbereichs 301 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des zweiten Ausgangsbereichs 302 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des dritten Ausgangsbereichs 303 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden.
  • <Anordnung der High-Side-Transistoren und Low-Side-Transistoren>
  • Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform sind die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, und die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in der Richtung (ersten Richtung X) entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 so angeordnet, dass ein High-Side-Transistor 110 neben einem entsprechenden Low-Side-Transistor 120 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 angeordnet ist.
  • Genauer liegen die vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, der Reihe nach den vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, in der zweiten Richtung Y gegenüber, die rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Ebenso liegen die vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, der Reihe nach den vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, in der zweiten Richtung Y gegenüber, die rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, liegen der Reihe nach den vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, in der zweiten Richtung Y gegenüber, die rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt.
  • <Glättungskondensatorabschnitt und Kondensator>
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform ist insofern ähnlich dem Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 der Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen ist. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 enthält eine Vielzahl von Kondensatoren 130.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Kondensatoren 130 der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht. Jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 ist neben seinem entsprechenden Transistor aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten.
  • In diesem Beispiel ist die Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 entspricht, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Aufreihrichtung der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 liegt (die entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 liegt). Außerdem sind diese Kondensatoren 130 neben der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Aufreihrichtung der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 angeordnet. Die Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht, ist mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Aufreihrichtung der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 liegt (die entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 liegt). Außerdem sind diese Kondensatoren 130 neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Aufreihrichtung der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. In diesem Beispiel sind die Kondensatoren 130, die High-Side-Transistoren 110 entsprechen, High-Side-Transistoren 110, Low-Side-Transistoren 120 und Kondensatoren 130, die Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (von der unteren Seite zur oberen Seite in 11) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet.
  • Genauer sind vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier High-Side-Transistoren 110 vorgesehen. Die vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, sind auf Flächen des ersten Stromversorgungsbereichs 401 und des ersten Massebereichs 501 angebracht. Eine Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, und eine Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind dieselben wie die Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier High-Side-Transistoren 110 entsprechen, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden.
  • Vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Aufreihrichtung dieser vier Low-Side-Transistoren 120 (entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301) liegt, und sind nahe den vier Low-Side-Transistoren 120 vorgesehen. Die vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, sind auf Flächen des zweiten Stromversorgungsbereichs 402 und des zweiten Massebereichs 502 angebracht. Eine Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, und eine Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind dieselben wie die Anordnung von vier Kondensatoren 130, die jeweiligen vier Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden.
  • <Verbindungselement>
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Massemuster 50 eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen (in der leitfähigen Schicht 22 ausgebildeten Bereichen der Verdrahtungsmuster) aufweist, die über Verbindungselemente 200 elektrisch verbunden sind. In diesem Beispiel weist das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501, einen ersten Masseausläuferbereich 531 und einen zweiten Masseausläuferbereich 532 auf, die über das erste Masseverbindungselement 55 und das zweite Masseverbindungselement 56 (Verbindungselemente 200) elektrisch verbunden sind. 11 stellt ein erstes Masseverbindungselement 55 und zweites Masseverbindungselement 56 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • Das erste Masseverbindungselement 55 verbindet den ersten Massebereich 501 mit dem ersten Masseausläuferbereich 531 elektrisch. Das zweite Masseverbindungselement 56 verbindet den ersten Massebereich 501 mit dem zweiten Masseausläuferbereich 532 elektrisch.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als jedes der Verbindungselemente 200 aus einem Leiter (einer Stromschiene) mit einer flachen Form besteht. Genauer weist jedes Verbindungselement 200 einen Hauptteil 201 und Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 ist in einer flachen Form ausgebildet und liegt der leitfähigen Schicht 22 mit einem Abstand dazwischen gegenüber; und jede der Laschen 202 erstreckt sich vom Hauptteil 201 zu jeweils einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22. Zum Beispiel weist das erste Masseverbindungselement 55 einen Hauptteil 201 und zwei Laschen 202 auf; der Hauptteil 201 liegt dem ersten Stromversorgungsbereich 401 mit einem Abstand dazwischen gegenüber, und die Laschen 202 erstrecken sich vom Hauptteil 201 zu jeweiligen zwei Verdrahtungsbereichen (dem ersten Massebereich 501 und dem ersten Masseausläuferbereich 531) des Massemusters 50.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Verbindungselemente 200 durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen in der leitfähigen Schicht 22 verbunden sind. Zum Beispiel sind zwei Laschen 202 des ersten Masseverbindungselements 55 durch Löten mit den zwei jeweiligen Verdrahtungsbereichen (dem ersten Massebereich 501 und dem ersten Masseausläuferbereich 531) des Massemusters 50 verbunden.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform ist der ersten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als ein Material der Verbindungselemente 200 vom selben Typ sein kann wie ein Typ eines Materials der Wärmeableitschicht 23. In diesem Beispiel können Teile jedes Verbindungselements 200, die durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden sind, einem Beschichten unterzogen sein, um eine Lötverbindung zu ermöglichen. Zum Beispiel kann jedes aus dem ersten Masseverbindungselement 55 und der Wärmeableitschicht 23 aus Aluminium bestehen. Im ersten Masseverbindungselement 55 sind zwei Laschen 202, die durch Löten mit den beiden Verdrahtungsbereichen (dem ersten Massebereich 501 und dem ersten Masseausläuferbereich 531) des Massemusters 50 verbunden sind, mit Nickel beschichtet (einem Material, das eine Lötverbindung ermöglicht).
  • [Wirkung der dritten beispielhaften Ausführungsform]
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform kann im Wesentlichen dieselbe Wirkung erzielen wie die Wirkung des Schaltnetzteils 10 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform. Zum Beispiel ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • (Erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform)
  • 12 stellt eine Anordnung eines Schaltnetzteils 10 gemäß einer ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 gemäß einer ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform unterscheidet sich vom Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform in Gestaltungen des Ausgangsmusters 30, des Stromversorgungsmusters 40, des Massemusters 50 und der Verbindungselemente 200 sowie Anordnungen der High-Side-Transistoren 110, der Low-Side-Transistoren 120 und der Kondensatoren 130.
  • <Ausgangsmuster>
  • Bei der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Ausgangsmuster 30 einen ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen, und enthält weiter einen vierten Ausgangsbereich 304 bis sechsten Ausgangsbereich 306, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen. Der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 sind so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet. Ebenso sind der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet. Der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 sind so angeordnet, dass sie jeweils dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem Abstand dazwischen in der zweiten Richtung Y gegenüber liegen, die rechtwinklig zur ersten Richtung X steht.
  • Sowohl der erste Ausgangsbereich 301 als auch der vierte Ausgangsbereich 304 sind mit dem ersten Ausgangsverbindungselement 81 elektrisch verbunden; sowohl der zweite Ausgangsbereich 302 als auch der fünfte Ausgangsbereich 305 sind mit dem zweiten Ausgangsverbindungselement 82 elektrisch verbunden; und sowohl der dritte Ausgangsbereich 303 als auch der sechste Ausgangsbereich 306 sind mit dem dritten Ausgangsverbindungselement 83 elektrisch verbunden. 12 stellt ein erstes Ausgangsverbindungselement 81 bis drittes Ausgangsverbindungselement 83 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Bei der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen ersten Stromversorgungsbereich 401, einen zweiten Stromversorgungsbereich 402, einen Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, einen ersten Stromversorgungsverbindungsbereich 431, einen zweiten Stromversorgungsverbindungsbereich 432 und einen dritten Strom versorgungsverbindungsbereich 433.
  • «Stromversorgungsbereich»
  • Der erste Stromversorgungsbereich 401 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303. Der erste Stromversorgungsbereich 401 liegt dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber. Der zweite Stromversorgungsbereich 402 ist so angeordnet, dass er dem ersten Stromversorgungsbereich 401 gegenüber liegt, wobei der erste Massebereich 501, der weiter unten beschrieben ist, dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 liegt.
  • <<Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich>>
  • Der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 ist so ausgebildet, dass er sich in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 erstreckt und so angeordnet ist, dass er dem ersten Stromversorgungsbereich 401 gegenüber liegt, wobei der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 liegen. In diesem Beispiel ist der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 nahe einem Kantenteil (unteren Kantenteil in 12) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet. Außerdem ist der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410 an das Ende (die positive Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen.
  • «Stromversorgungsverbindungsbereich>>
  • Der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 und der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 sind so ausgebildet, dass sie sich in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 erstrecken. Der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 ist zwischen dem ersten Ausgangsbereich 301 und dem zweiten Ausgangsbereich 302 angeordnet, während der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 zwischen dem zweiten Ausgangsbereich 302 und dem dritten Ausgangsbereich 303 angeordnet ist. Außerdem verbinden sowohl der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 als auch der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 den ersten Stromversorgungsbereich 401 mit dem Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410.
  • Der dritte Stromversorgungsverbindungsbereich 433 ist so ausgebildet, dass er sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, und verbindet den ersten Stromversorgungsbereich 401 mit dem zweiten Stromversorgungsbereich 402. In diesem Beispiel ist der dritte Stromversorgungsverbindungsbereich 433 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 12) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet.
  • <Massemuster>
  • Bei der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501, einen zweiten Massebereich 502, einen Masse-Zwischenverbindungsbereich 510, einen ersten Masseverbindungsbereich 511 und einen zweiten Masseverbindungsbereich 512.
  • «Massebereich»
  • Der erste Massebereich 501 und der zweite Massebereich 502 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306. Der zweite Massebereich 502 liegt dem vierten Ausgangsbereich 304 bis sechsten Ausgangsbereich 306 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 gegenüber. Der erste Massebereich 501 ist so angeordnet, dass er dem zweiten Massebereich 502 gegenüber liegt, wobei der zweite Stromversorgungsbereich 402 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 dazwischen liegt.
  • «Masse-Zwischenverbindungsbereich»
  • Der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 ist so ausgebildet, dass er sich in der Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 erstreckt, und ist so angeordnet, dass er dem zweiten Massebereich 502 gegenüber liegt, wobei der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 dazwischen liegen. In diesem Beispiel ist der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 nahe einem Kantenteil (oberen Kantenteil in 12) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet. Außerdem ist der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 an das andere Ende (die negative Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen.
  • «Masseverbindungsbereich»
  • Der erste Masse-Zwischenverbindungsbereich 511 und der zweite Masse-Zwischenverbindungsbereich 512 sind so ausgebildet, dass sie sich in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 erstrecken. Der erste Masseverbindungsbereich 511 ist zwischen dem vierten Ausgangsbereich 304 und dem fünften Ausgangsbereich 305 angeordnet, während der zweite Masseverbindungsbereich 512 zwischen dem fünften Ausgangsbereich 305 und dem sechsten Ausgangsbereich 306 angeordnet ist. Sowohl der erste Masseverbindungsbereich 511 als auch der zweite Masseverbindungsbereich 512 verbinden den zweiten Massebereich 502 mit dem Masse-Zwischenverbindungsbereich 510.
  • <Anordnung von Stromversorgungsbereichen und Massebereichen>
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als eine Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und eine Vielzahl von Massebereichen 500 so angeordnet sind, dass sie einander mit einem vorgegebenen Abstand in einer Richtung rechtwinklig zu einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 gegenüber liegen.
  • Genauer sind der Stromversorgungs-Zwischenverbindungsbereich 410, der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303, der erste Stromversorgungsbereich 401, der erste Massebereich 501, der zweite Stromversorgungsbereich 402, der zweite Massebereich 502, der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 und der Masse-Zwischenverbindungsbereich 510 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (der unteren Seite zur oberen Seite in dem Beispiel von 12) in der seitlichen Richtung der Grundplatte 20 angeordnet. Außerdem liegt der erste Stromversorgungsbereich 401 dem ersten Massebereich 501 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber, während der zweite Stromversorgungsbereich 402 dem zweiten Massebereich 502 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber liegt.
  • <High-Side-Schaltelement und High-Side-Transistor>
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste High-Side-Schaltelement 11u bis dritte High-Side-Schaltelement 11w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten High-Side-Schaltelement 11u bis dritten High-Side-Schaltelement 11w enthält vier High-Side-Transistoren 110.
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet sind, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden.
  • <Low-Side-Schaltelement und Low-Side-Transistor>
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste Low-Side-Schaltelement 12u bis dritte Low-Side-Schaltelement 12w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u bis dritten Low-Side-Schaltelement 12w enthält vier Low-Side-Transistoren 120.
  • Bei der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform sind die vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des vierten Ausgangsbereichs 304 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Erstreckungsrichtung des fünften Ausgangsbereichs 305 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des fünften Ausgangsbereichs 305 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des sechsten Ausgangsbereichs 306 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des sechsten Ausgangsbereichs 306 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden.
  • <Anordnung der High-Side-Transistoren und Low-Side-Transistoren>
  • Bei der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform sind die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, und die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in der Richtung (ersten Richtung X) entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 so angeordnet, dass ein High-Side-Transistor 110 neben einem entsprechenden Low-Side-Transistor 120 angeordnet ist, wobei Kondensatoren 130, die weiter unten beschrieben sind, dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 angeordnet sind.
  • <Glättungskondensatorabschnitt und Kondensator>
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist insofern ähnlich dem Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 der Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen ist. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 enthält eine Vielzahl von Kondensatoren 130.
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Kondensatoren 130 der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht. Jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 ist neben seinem entsprechenden Transistor aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten.
  • In diesem Beispiel ist die Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 entspricht, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, der Reihe nach neben der Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zu einer Aufreihrichtung der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung von Ausgangsbereichen 300) angeordnet. Genauer sind in diesem Beispiel High-Side-Transistoren 110, Kondensatoren 130, die High-Side-Transistoren 110 entsprechen, Kondensatoren 130, die Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, und Low-Side-Transistoren 120 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (der unteren Seite zur oberen Seite in 12) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet.
  • <Verbindungselement>
  • Die erste Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501 und einen zweiten Massebereich 502 aufweist, die über das erste Masseverbindungselement 55 und das zweite Masseverbindungselement 56 (Verbindungselemente 200) elektrisch verbunden sind. 12 stellt ein erstes Masseverbindungselement 55 und zweites Masseverbindungselement 56 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar. Sowohl das erste Masseverbindungselement 55 als auch das zweite Masseverbindungselement 56 verbinden den ersten Massebereich 501 mit dem zweiten Massebereich 502 elektrisch.
  • [Wirkung der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform]
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der ersten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform kann im Wesentlichen dieselbe Wirkung erzielen wie die Wirkung des Schaltnetzteils 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform. Zum Beispiel ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • (Zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform)
  • 13 stellt eine Anordnung eines Schaltnetzteils 10 gemäß der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform unterscheidet sich vom Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform in Gestaltungen des Ausgangsmusters 30, des Stromversorgungsmusters 40, des Massemusters 50 und der Verbindungselemente 200 und Anordnungen der High-Side-Transistoren 110, der Low-Side-Transistoren 120 und der Kondensatoren 130.
  • <Ausgangsmuster>
  • Bei der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Ausgangsmuster 30 einen ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen, und enthält weiter einen vierten Ausgangsbereich 304 bis sechsten Ausgangsbereich 306, die jeweils einem ersten Schaltteil SWu bis dritten Schaltteil SWw entsprechen. Der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 sind so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet. Ebenso sind der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 so ausgebildet, dass sie sich in der ersten Richtung X erstrecken, und sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet. Der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 sind so angeordnet, dass sie jeweils dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem Abstand dazwischen in der zweiten Richtung Y gegenüber liegen, die rechtwinklig zur ersten Richtung X steht.
  • Sowohl der erste Ausgangsbereich 301 als auch der vierte Ausgangsbereich 304 sind mit dem ersten Ausgangsverbindungselement 81 elektrisch verbunden; sowohl der zweite Ausgangsbereich 302 als auch der fünfte Ausgangsbereich 305 sind mit dem zweiten Ausgangsverbindungselement 82 elektrisch verbunden; und sowohl der dritte Ausgangsbereich 303 als auch der sechste Ausgangsbereich 306 sind mit dem dritten Ausgangsverbindungselement 83 elektrisch verbunden. 13 stellt ein erstes Ausgangsverbindungselement 81 bis drittes Ausgangsverbindungselement 83 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Bei der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen ersten Stromversorgungsbereich 401, einen zweiten Stromversorgungsbereich 402 und einen Stromversorgungsverbindungsbereich 430.
  • «Stromversorgungsbereich»
  • Der erste Stromversorgungsbereich 401 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303. Der erste Stromversorgungsbereich 401 liegt dem ersten Ausgangsbereich 301 bis dritten Ausgangsbereich 303 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 gegenüber. Der zweite Stromversorgungsbereich 402 ist so angeordnet, dass er dem ersten Stromversorgungsbereich 401 gegenüber liegt, wobei der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 bis dritten Ausgangsbereichs 303 dazwischen liegen. Außerdem ist der erste Stromversorgungsbereich 401 an ein Ende (die positive Elektrode) der Gleichstromversorgung P elektrisch angeschlossen.
  • «Stromversorgungsverbindungsbereich>>
  • Der Stromversorgungsverbindungsbereich 430 ist so ausgebildet, dass er sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, und verbindet den ersten Stromversorgungsbereich 401 mit dem zweiten Stromversorgungsbereich 402. In diesem Beispiel ist der Stromversorgungsverbindungsbereich 430 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 13) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet.
  • <Massemuster>
  • Bei der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501 und einen zweiten Massebereich 502.
  • «Massebereich»
  • Der erste Massebereich 501 und der zweite Massebereich 502 erstrecken sich in einer Erstreckungsrichtung (ersten Richtung X) des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306. Der zweite Massebereich 502 liegt dem vierten Ausgangsbereich 304 bis sechsten Ausgangsbereich 306 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 gegenüber. Der erste Massebereich 501 ist so angeordnet, dass er dem zweiten Massebereich 502 gegenüber liegt, wobei der erste Stromversorgungsbereich 401, der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303 und der zweite Stromversorgungsbereich 402 in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 bis sechsten Ausgangsbereichs 306 dazwischen liegen.
  • <Anordnung von Stromversorgungsbereichen und Massebereichen>
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als eine Vielzahl von Stromversorgungsbereichen 400 und eine Vielzahl von Massebereichen 500 so angeordnet sind, dass sie einander mit einem vorgegebenen Abstand in einer Richtung rechtwinklig zu einer Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 gegenüber liegen.
  • Genauer sind der erste Massebereich 501, der erste Stromversorgungsbereich 401, der erste Ausgangsbereich 301 bis dritte Ausgangsbereich 303, der zweite Stromversorgungsbereich 402, der zweite Massebereich 502 und der vierte Ausgangsbereich 304 bis sechste Ausgangsbereich 306 in dieser Reihenfolge von einer Endseite zur anderen Endseite (einer unteren Seite zu einer oberen Seite in dem Beispiel von 13) in der seitlichen Richtung der Grundplatte 20 angeordnet. Außerdem liegt der erste Stromversorgungsbereich 401 dem ersten Massebereich 501 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber, während der zweite Stromversorgungsbereich 402 dem zweiten Massebereich 502 mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gegenüber liegt.
  • <High-Side-Schaltelement und High-Side-Transistor>
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste High-Side-Schaltelement 11u bis dritte High-Side-Schaltelement 11w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten High-Side-Schaltelement 11u bis dritten High-Side-Schaltelement 11w enthält vier High-Side-Transistoren 110.
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die vier High-Side-Transistoren 110, die das erste High-Side-Schaltelement 11u bilden, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet sind, die entlang der Erstreckungsrichtung des ersten Ausgangsbereichs 301 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf einer Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem ersten Ausgangsbereich 301 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das zweite High-Side-Schaltelement 11v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des zweiten Ausgangsbereichs 302 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 angebracht und mit dem zweiten Ausgangsbereich 302 verbunden. Die vier High-Side-Transistoren 110, die das dritte High-Side-Schaltelement 11w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des dritten Ausgangsbereichs 303 liegt. Diese High-Side-Transistoren 110 sind auf der Fläche des ersten Stromversorgungsbereichs 401 bestückt und mit dem dritten Ausgangsbereich 303 verbunden.
  • <Low-Side-Schaltelement und Low-Side-Transistor>
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 das erste Low-Side-Schaltelement 12u bis dritte Low-Side-Schaltelement 12w vorgesehen sind. Jedes aus dem ersten Low-Side-Schaltelement 12u bis dritten Low-Side-Schaltelement 12w enthält vier Low-Side-Transistoren 120.
  • Bei der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform sind die vier Low-Side-Transistoren 120, die das erste Low-Side-Schaltelement 12u bilden, mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Erstreckungsrichtung des vierten Ausgangsbereichs 304 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des vierten Ausgangsbereichs 304 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das zweite Low-Side-Schaltelement 12v bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang einer Erstreckungsrichtung des fünften Ausgangsbereichs 305 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des fünften Ausgangsbereichs 305 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden. Die vier Low-Side-Transistoren 120, die das dritte Low-Side-Schaltelement 12w bilden, sind mit Abstand in der ersten Richtung X angeordnet, die entlang der Erstreckungsrichtung des sechsten Ausgangsbereichs 306 liegt. Diese Low-Side-Transistoren 120 sind auf einer Fläche des sechsten Ausgangsbereichs 306 angebracht und mit dem zweiten Massebereich 502 verbunden.
  • <Anordnung der High-Side-Transistoren und Low-Side-Transistoren>
  • Bei der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform sind die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, und die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in der Richtung (ersten Richtung X) entlang der Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 so angeordnet, dass ein High-Side-Transistor 110 neben einem entsprechenden Low-Side-Transistor 120 angeordnet ist, wobei ein Kondensatoren 130, die weiter unten beschrieben sind, dazwischen in der Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zur Erstreckungsrichtung der Ausgangsbereiche 300 angeordnet sind.
  • <Glättungskondensatorabschnitt und Kondensator>
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist insofern ähnlich dem Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform, als auf der leitfähigen Schicht 22 der Grundplatte 20 der Glättungskondensatorabschnitt 13 vorgesehen ist. Der Glättungskondensatorabschnitt 13 enthält eine Vielzahl von Kondensatoren 130.
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als die Vielzahl von Kondensatoren 130 der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht. Jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren 130 ist neben seinem entsprechenden Transistor aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl von High-Side-Transistoren 110, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 und die Vielzahl von Kondensatoren 130 sind so angeordnet, dass Paare, die jeweils einen High-Side-Transistor 110 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten, neben Paaren positioniert sind, die jeweils einen Low-Side-Transistor 120 und seinen entsprechenden Kondensator 130 enthalten.
  • In diesem Beispiel ist die Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 entspricht, die ein einzelnes High-Side-Schaltelement 11 bilden, der Reihe nach neben der Vielzahl von Kondensatoren 130, die der Vielzahl von Low-Side-Transistoren 120 entspricht, die ein einzelnes Low-Side-Schaltelement 12 bilden, in einer Richtung (zweiten Richtung Y) rechtwinklig zu einer Aufreihrichtung der Vielzahl von High-Side-Transistoren 110 (Erstreckungsrichtung von Ausgangsbereichen 300) angeordnet. Genauer sind in diesem Beispiel Kondensatoren 130, die High-Side-Transistoren 110 entsprechen, High-Side-Transistoren 130, Kondensatoren 130, die Low-Side-Transistoren 120 entsprechen, und Low-Side-Transistoren 120 in dieser Reihenfolge von einer Seite zur anderen Seite (von der unteren Seite zur oberen Seite in 13) der Grundplatte 20 in der seitlichen Richtung angeordnet.
  • <Verbindungselement>
  • Die zweite Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform ist der dritten beispielhaften Ausführungsform insofern ähnlich, als das Massemuster 50 einen ersten Massebereich 501 und einen zweiten Massebereich 502 aufweist, die über das erste Masseverbindungselement 55 und das zweite Masseverbindungselement 56 (Verbindungselemente 200) elektrisch verbunden sind. 13 stellt ein erstes Masseverbindungselement 55 und zweites Masseverbindungselement 56 mit Linien aus einem langen und zwei kurzen Strichen dar. Sowohl das erste Masseverbindungselement 55 als auch das zweite Masseverbindungselement 56 verbinden den ersten Massebereich 501 mit dem zweiten Massebereich 502 elektrisch.
  • [Wirkung der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform]
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der zweiten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform kann im Wesentlichen dieselbe Wirkung erzielen wie die Wirkung des Schaltnetzteils 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform. Zum Beispiel ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • (Dritte Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform)
  • 14 stellt eine Anordnung eines Schaltnetzteils 10 gemäß der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform dar. Das Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform unterscheidet sich vom Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform in einer Gestaltung des Stromversorgungsmusters 40.
  • <Stromversorgungsmuster>
  • Bei der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform enthält das Stromversorgungsmuster 40 einen ersten Stromversorgungsverbindungsbereich 431 und einen zweiten Stromversorgungsverbindungsbereich 432 anstelle des in 11 dargestellten Stromversorgungsverbindungsbereichs 430.
  • «Stromversorgungsverbindungsbereich>>
  • Sowohl der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 als auch der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 sind so ausgebildet, dass sie sich in der zweiten Richtung Y erstrecken, und verbinden den ersten Stromversorgungsbereich 401 mit dem zweiten Stromversorgungsbereich 402. In diesem Beispiel ist der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 nahe einem Kantenteil (rechten Kantenteil in 14) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet, während der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 nahe dem anderen Kantenteil (linken Kantenteil in 14) der Grundplatte 20 in der Längsrichtung angeordnet ist. In diesem Beispiel sind der erste Stromversorgungsbereich 401, der zweite Stromversorgungsbereich 402, der erste Stromversorgungsverbindungsbereich 431 und der zweite Stromversorgungsverbindungsbereich 432 so verbunden, dass sie einen durchgehenden ringförmigen Pfad bilden. Kurz, in diesem Beispiel weist das Stromversorgungsmuster 40 einen durchgehenden ringförmigen Pfad auf.
  • [Wirkung der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform]
  • Das Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform kann im Wesentlichen dieselbe Wirkung erzielen wie die Wirkung des Schaltnetzteils 10 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform. Zum Beispiel ist es möglich, eine Wärmekonzentration in den High-Side-Schaltelementen 11 und den Low-Side-Schaltelementen 12 zu reduzieren.
  • Beim Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform weist das Stromversorgungsmuster 40 den durchgehenden ringförmigen Pfad auf. Diese Anordnung kann den Freiheitsgrad bei der Wahl eines Strompfads (kürzesten Strompfads) zwischen Bauteilen (beispielsweise High-Side-Transistoren 110 und Kondensatoren 130) verbessern, die im Stromversorgungsmuster 40 vorgesehen sind. Folglich ist es möglich, die Strompfade zwischen den Bauteilen zu verkürzen und dadurch parasitäre Induktanzen der Strompfade zwischen den Bauteilen zu reduzieren. Daher ist es möglich, Spannungsstöße zu reduzieren (beispielsweise Spannungsstöße, die durch Schaltvorgänge der Schaltelemente verursacht werden), die auf die Bauteile wirken, aus denen das Schaltnetzteil 10 besteht.
  • Beim Schaltnetzteil 10 gemäß der dritten Modifikation der dritten beispielhaften Ausführungsform kann auch das Massemuster 50 einen durchgehenden ringförmigen Pfad aufweisen. Kurz, mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster 40 und dem Massemuster 50 kann einen durchgehenden ringförmigen Pfad aufweisen.
  • (Andere beispielhafte Ausführungsformen)
  • Die obige Beschreibung ist bezüglich eines Falls dargelegt, in dem jedes Verbindungselement 200 aus einer Stromschiene (einem Leiter mit einer flachen Form) ausgebildet ist; jedoch ist ein Aufbau jedes Verbindungselements 200 nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Als alternatives Beispiel kann jedes Verbindungselement 200 aus einem leitfähigen Metalldraht ausgebildet sein.
  • Die obige Beschreibung ist bezüglich eines beispielhaften Falls dargelegt, in dem Materialien von Verbindungselementen 200 und Wärmeableitschicht 23 vom selben Typ sind; jedoch können Materialien von Verbindungselementen 200 und Wärmeableitschicht 23 von verschiedenen Typen sein.
  • Die obige Beschreibung ist bezüglich eines Falls dargelegt, in dem die Anzahl von Kondensatoren 130, die den Glättungskondensatorabschnitt 13 bilden, gleich der Gesamtzahl der auf der Grundplatte 20 angebrachten High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120 ist; jedoch ist die Anzahl von Kondensatoren 130 nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Als alternatives Beispiel ist die Anzahl von Kondensatoren 130, die den Glättungskondensatorabschnitt 13 bilden, verschieden von der Gesamtzahl der auf der Grundplatte 20 angebrachten High-Side-Transistoren 110 und Low-Side-Transistoren 120.
  • Zwei oder mehr der oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen und der Modifikationen können soweit angemessen miteinander kombiniert und durchgeführt werden. Die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen und Modifikationen sind nur eigentlich bevorzugte Beispiele und sollen Geltungsbereiche der Offenbarung und Bereiche ihrer Anwendung und Nutzung nicht einengen.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Wie oben beschrieben, ist die vorliegende Offenbarung auf Schaltnetzteile anwendbar.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2001286156 [0003]

Claims (14)

  1. Schaltnetzteil, enthaltend ein High-Side-Schaltelement und ein in Reihe mit dem High-Side-Schaltelement verbundenes Low-Side-Schaltelement; wobei das Schaltnetzteil umfasst: eine Grundplatte mit einer Isolierschicht und einer leitfähigen Schicht, wobei die leitfähige Schicht auf einer Fläche der Isolierschicht vorgesehen ist; eine Vielzahl von High-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die High-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das High-Side-Schaltelement zu bilden; und eine Vielzahl von Low-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Low-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das Low-Side-Schaltelement zu bilden, wobei die Vielzahl von High-Side-Transistoren der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren angeordnet ist.
  2. Schaltnetzteil nach Anspruch 1, weiter umfassend einen Glättungskondensatorabschnitt, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht.
  3. Schaltnetzteil nach Anspruch 2, wobei der Glättungskondensatorabschnitt eine Vielzahl von Kondensatoren aufweist, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Vielzahl von Kondensatoren der Vielzahl von High-Side-Transistoren und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren entspricht, und jeder aus der Vielzahl von Kondensator neben einem entsprechenden Transistor angeordnet ist, wobei der entsprechende Transistor einer aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren ist.
  4. Schaltnetzteil nach Anspruch 3, wobei die Vielzahl von High-Side-Transistoren der Reihe nach neben der Vielzahl von Low-Side-Transistoren in einer ersten Richtung angeordnet ist, und jeder aus der Vielzahl von Kondensatoren neben einem entsprechenden Transistor in einer zweiten Richtung rechtwinklig zu der ersten Richtung angeordnet ist, wobei der entsprechende Transistor einer aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren und der Vielzahl von Low-Side-Transistoren ist.
  5. Schaltnetzteil nach Anspruch 3, wobei die Vielzahl von High-Side-Transistoren, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren und die Vielzahl von Kondensatoren so angeordnet sind, dass ein Paar, das einen aus der Vielzahl von High-Side-Transistoren und einen entsprechenden aus der Vielzahl von Kondensatoren enthält, jeweils neben einem Paar angeordnet ist, das die Vielzahl von Low-Side-Transistoren und einen entsprechenden aus der Vielzahl von Kondensatoren enthält.
  6. Schaltnetzteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei sich in der leitfähigen Schicht ein Ausgangsmuster, ein Stromversorgungsmuster und ein Massemuster befinden, die Vielzahl von High-Side-Transistoren mit dem Ausgangsmuster und dem Stromversorgungsmuster elektrisch verbunden ist, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren mit dem Ausgangsmuster und dem Massemuster elektrisch verbunden ist, und mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster und dem Massemuster eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen aufweist, die über ein Verbindungselement elektrisch verbunden sind.
  7. Schaltnetzteil nach Anspruch 6, wobei das Verbindungselement aus einem Leiter mit einer flachen Form ausgebildet ist.
  8. Schaltnetzteil nach Anspruch 7, wobei in der Grundplatte die Isolierschicht, die leitfähige Schicht und eine auf einer anderen Fläche der Isolierschicht vorgesehene Wärmeableitschicht vorgesehen sind, und ein Material des Verbindungselements vom identischen Typ ist wie ein Material der Wärmeableitschicht.
  9. Schaltnetzteil nach Anspruch 7 oder 8, wobei das Verbindungselement durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden ist.
  10. Schaltnetzteil nach Anspruch 7, wobei die Grundplatte die Isolierschicht, die leitfähige Schicht und eine auf einer anderen Fläche der Isolierschicht vorgesehene Wärmeableitschicht enthält, das Verbindungselement einen Hauptteil in einer ebenen Form, der mit einem Abstand zwischen dem Hauptteil und der leitfähigen Schicht zur leitfähigen Schicht weist, und eine Lasche aufweist, die sich vom Hauptteil zu einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen erstreckt, in der Grundplatte ein erstes Durchgangsloch, ein zweites Durchgangsloch und ein drittes Durchgangsloch vorgesehen sind, wobei des erste Durchgangsloch die Isolierschicht durchdringt, das zweite Durchgangsloch einen aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen durchdringt, um in Verbindung mit dem ersten Durchgangsloch zu stehen, das dritte Durchgangsloch die Wärmeableitschicht durchdringt, um in Verbindung mit dem ersten Durchgangsloch zu stehen, die Lasche des Verbindungselements durch Löten mit einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden ist, in dem das zweite Durchgangsloch vorgesehen ist, während sie in das erste Durchgangsloch, das zweite Durchgangsloch und das dritte Durchgangsloch eingesetzt ist, und das dritte Durchgangsloch eine größere Öffnungsfläche aufweist als eine Öffnungsfläche des ersten Durchgangslochs, um zu vermeiden, dass die in das erste Durchgangsloch, das zweite Durchgangsloch und das dritte Durchgangsloch eingesetzte Lasche des Verbindungselements in Kontakt mit einer Innenwand des dritten Durchgangslochs kommt.
  11. Schaltnetzteil nach Anspruch 9 oder 10, wobei Teile des Verbindungselements, die durch Löten mit der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden sind, für die Lötverbindung einem Beschichten unterworfen sind.
  12. Schaltnetzteil nach Anspruch 7 oder 8, weiter umfassend eine Mutter, durch Löten mit einem aus der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen verbunden; und eine Schraube, die das Verbindungselement durchdringt und an der Mutter befestigt ist.
  13. Schaltnetzteil nach Anspruch 1, wobei sich ein Ausgangsmuster, ein Stromversorgungsmuster und ein Massemuster in der leitfähigen Schicht befinden, die Vielzahl von High-Side-Transistoren mit dem Ausgangsmuster und dem Stromversorgungsmuster elektrisch verbunden ist, die Vielzahl von Low-Side-Transistoren mit dem Ausgangsmuster und dem Massemuster elektrisch verbunden ist, und mindestens eins aus dem Stromversorgungsmuster und dem Massemuster einen durchgehenden ringförmigen Pfad aufweist.
  14. Schaltnetzteil, enthaltend: ein High-Side-Schaltelement und; ein Low-Side-Schaltelement, in Reihe mit dem High-Side-Schaltelement verbunden; wobei das Schaltnetzteil umfasst: eine Grundplatte mit einer Isolierschicht und einer leitfähigen Schicht, wobei die leitfähige Schicht auf einer Fläche der Isolierschicht vorgesehen ist; High-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die High-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das High-Side-Schaltelement zu bilden; Low-Side-Transistoren, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Low-Side-Transistoren parallel verbunden sind, um das Low-Side-Schaltelement zu bilden; und einen Glättungskondensatorabschnitt, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei der Glättungskondensatorabschnitt eine Vielzahl von Kondensatoren aufweist, vorgesehen auf der leitfähigen Schicht, wobei die Vielzahl von Kondensatoren den High-Side-Transistoren und den Low-Side-Transistoren entspricht, und die High-Side-Transistoren, die Low-Side-Transistoren und die Vielzahl von Kondensatoren so angeordnet sind, dass ein Paar, das den High-Side-Transistor und einen entsprechenden Kondensator aus der Vielzahl von Kondensatoren enthält, neben einem Paar angeordnet ist, das den Low-Side-Transistor und einen entsprechenden Kondensator aus der Vielzahl von Kondensatoren enthält.
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