DE19815136A1 - Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung wie einen (nachstehend als DRAM bezeichneten) dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, bei dem eine Vielzahl von Speicherelementen (Speicherzellen) unter Verwendung von Kondensatoren ausgebildet sind, sowie ein Verfahren zu de­ ren Herstellung. Insbesondere betrifft die Erfindung eine integrierte Halbleiterschaltung wie ein DRAM mit Redundanz­ schaltungen, die in die integrierte Halbleiterschaltung eingebaut sind, um eine Verringerung der Ausbeuterate von integrierten Halbleiterschaltungen aufgrund von Waferfeh­ lern durch elektrisches Anschließen oder Nichtanschließen der Redundanzschaltungen beruhend auf Anschließen oder Trennen von Sicherungselementen zu verhindern.

Fig. 8 zeigt eine Darstellung einer Schnittansicht eines herkömmlichen dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff (DRAM), der unter Verwendung der in der japanischen Offen­ legungsschrift JP-A-60/98 665 offenbarten Technik herge­ stellt wurde. In Fig. 8 bezeichnet die Bezugszahl 1 ein Halbleitersubstrat, auf dem Halbleiterelemente wie Konden­ satoren, Widerstände und dergleichen ausgebildet sind, die Bezugszahl 2 bezeichnet eine Elektrode eines Kondensators, die Bezugszahl 3 bezeichnet eine Isolierschicht in dem Kon­ densator, und die Bezugszahl 4 bezeichnet eine andere Elek­ trode des Kondensators. Die Bezugszahl 5 bezeichnet Wort­ leitungen und die Bezugszahl 6 Bitleitungen. Die Bezugszahl 7 bezeichnet eine erste aus Aluminium ausgebildete Verdrah­ tung und 8 eine zweite aus Aluminium ausgebildete Verdrah­ tung. Die Bezugszahl 9 bezeichnet ein mit der ersten Ver­ drahtung 7 verbundenes Sicherungselement bzw. eine Siche­ rung. Die Bezugszahlen 10 bis 15 bezeichnen Isolierschich­ ten zur elektrischen Isolierung dieser Schaltungselemente, wie beispielsweise Kondensatoren, voneinander.

Das Sicherungselement 9 wird gleichzeitig mit den Bitlei­ tungen 6 in einem Herstellungsvorgang ausgebildet. Zur ver­ einfachten Darstellung zeigt Fig. 8 lediglich ein Siche­ rungselement. Die linke Hälfte der Darstellung in Fig. 8 zeigt eine Speicherzelle, in der der Kondensator mit den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 4 ausgebildet ist. Die rechte Hälfte der Darstellung in Fig. 8 zeigt ei­ nen Verdrahtungsabschnitt, in dem das Sicherungselement 9 ausgebildet ist.

Nachstehend ist die Funktionsweise der in Fig. 8 gezeigten herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltung beschrieben.

Wenn in das in Fig. 8 gezeigte DRAM Informationen gespei­ chert werden, wird zunächst eine Spannung entsprechend den zu speichernden Informationen über die erste Leitung und die zweite Leitung 8 an die erste Wortleitung 5 angelegt. Dann wird zwischen dem Halbleitersubstrat 1 entsprechend der Wortleitung 5 und der Kondensatorelektrode 2 ein Kanal gebildet, wobei ein Strom aus der Wortleitung 5 durch das Halbleitersubstrat 1 zu der Kondensatorelektrode 2 fließt. Danach wird eine elektrische Ladung entsprechend der ange­ legten Spannung zwischen der Kondensatorelektrode 2 und der Kondensatorelektrode 4 gespeichert.

Zusätzlich wird beim Lesen von Informationen aus dem in Fig. 8 gezeigten DRAM über die erste Leitung 7 und zweite Leitung 8 eine Spannung an die Wortleitung 5 angelegt. Da­ durch wird ein Kanal in einem Abschnitt zwischen der Wort­ leitung 5 und der Kondensatorelektrode 2 in dem Halbleiter­ substrat 1 ausgebildet. Dadurch fließt ein Strom aus der Kondensatorelektrode 2 durch das Halbleitersubstrat 1 zu der Wortleitung 5. Der Wert der gespeicherten Informationen wird auf der Grundlage der Größe dieses Stromflusses er­ faßt.

Nachstehend ist die Funktion des Sicherungselements bzw. der Sicherung 9 beschrieben.

Im allgemeinen werden Waferfehler in dem Wafer während ei­ nes Halbleiterherstellungsvorgangs mit einer konstanten Wahrscheinlichkeit erzeugt. Dies verhindert einen Anstieg der Ausbeuterate. Das bedeutet, daß es den Nachteil gibt, daß eine Erhöhung der Ausbeuterate des Halbleiterherstel­ lungsvorgangs schwierig ist. Anders ausgedrückt gibt es den Nachteil, daß die Ausbeuterate des Halbleiterherstellungs­ vorgangs begrenzt ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils wer­ den in jeder integrierten Halbleiterschaltung wie dem DRAM oder dergleichen Redundanzschaltungen eingebaut. Beispiels­ weise sind die Redundanzschaltungen in dem DRAM Speicher­ zellen. Wenn ein Fehler einer Speicherzelle in der während des Halbleiterherstellungsvorgangs hergestellten integrier­ ten Halbleiterschaltung verursacht wird, wird die Speicher­ zelle als fehlerhafte Schaltung mit einer Redundanzschal­ tung durch elektrisches Anschließen dieser Redundanzschal­ tung ersetzt. Dieses Verfahren verhindert die Verringerung der Ausbeuterate der integrierten Halbleiterschaltung. Um einen Anstieg der Ausbeuterate zu erreichen, sind in jeder integrierten Halbleiterschaltung eine Vielzahl von Siche­ rungselementen eingebaut. Das Sicherungselement wird unter Verwendung von Bestrahlung durch einen Laserstrahl aufge­ trennt, um eine fehlerhafte Schaltung mit der Redundanz­ schaltung (wie eine zusätzliche Speicherzelle) zu ersetzen. Dieses Verfahren kann einen Anstieg der Ausbeuterate der integrierten Halbleiterschaltungen bewirken.

Da die herkömmliche integrierte Halbleiterschaltung den vorstehend beschriebenen Aufbau hat, unterscheidet sich die Höhe der Oberfläche der Isolierschicht 14, die auf dem aus den Elektroden 2 und 4 hergestellten Kondensator ausgebil­ det ist (vergl. linke Hälfte der Darstellung in Fig. 8), von der Höhe der Oberfläche der Isolierschicht 14, die bei dem Verdrahtungsabschnitt ausgebildet ist (vergl. rechte Hälfte der Darstellung in Fig. 8). In diesem Fall wird wie in Fig. 9 gezeigt der Laserstrahl zwar auf einen Abschnitt (beispielsweise dem Speicherzellenabschnitt) fokussiert, jedoch nicht auf den anderen Abschnitt (beispielsweise dem Verdrahtungsabschnitt) fokussiert (es wird nämlich ein nicht scharf eingestellten Zustand (off focus) verursacht). Dementsprechend ist es schwierig, die Breite jeder Verdrah­ tung bei dem Verdrahtungsabschnitt in dem Abschnitt, bei dem der Laserstrahl nicht scharf eingestellt ist, korrekt auszubilden. Als konkretes Beispiel sei angegeben, daß wie in der rechten Hälfte der Darstellung in Fig. 9 gezeigt dich die Breite einer Verdrahtung von W1 auf W2 erhöht (W2 < W1), da der nicht scharf eingestellte Laserstrahl bei dem Verdrahtungsabschnitt der in Fig. 8 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung bewirkt wird. Dies verhindert eine Er­ höhung der Halbleiterintegration.

Zur Vermeidung des vorstehend beschriebenen Nachteils gemäß dem Stand der Technik gibt es wie in Fig. 10 gezeigt ein herkömmliches Verfahren, bei dem die Dicke der auf dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Schicht 3 aufgebauten Kon­ densator ausgebildete Isolierschicht 14 erhöht wird, damit die Oberflächen sowohl des Speicherzellenabschnitts (vergl. linke Hälfte in Fig. 10) als auch der Verdrahtungsabschnitt (vergl. rechte Hälfte in Fig. 10) mit derselben Höhe ausge­ bildet werden. Jedoch verursacht dieses herkömmliche Her­ stellungsverfahren den Nachteil, daß die von der Oberfläche eines Halbleiterchips aus gemessene Tiefe d2 des Sicherungs­ elements 9 größer (vergl. d2 < d1 gemäß Fig. 10, 11A und 11B) als die in der herkömmlichen integrierten Halbleiter­ schaltung gemäß Fig. 8 ausgebildete Tiefe d1 des Sicherungs­ elements 9 wird. Folglich ist es erforderlich, ein Schmel­ zen mit einem Laserstrahl tief in die integrierte Halblei­ terschaltung mit dem in Fig. 11B gezeigten Aufbau auszufüh­ ren. Dies verursacht einen Anstieg der Länge der Schmelz­ zeitdauer des Laserstrahls und eine Vergrößerung des Durch­ messers eines durch Schmelzen mittels des Laserstrahls aus­ gebildeten Lochs. Zur Vermeidung dieses Nachteils ist es erforderlich, den Herstellungsabstand (W4) der Sicherungse­ lemente 9 zu vergrößern. Jedoch verhindert dies die Inte­ gration der integrierten Halbleiterschaltung. Das heißt, daß dies zu einem der Faktoren wird, die die Integration der integrierten Halbleiterschaltung verhindern.

Dementsprechend liegt der Erfindung unter Berücksichtigung der Nachteile der herkömmlichen integrierten Halbleiter­ schaltung und eines Verfahrens zu deren Herstellung die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiterschaltung so­ wie ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, bei dem das Schmelzen jedes Sicherungselements unter Verwendung eines Laserstrahls zur elektrischen Verbindung jeder Redundanz­ schaltung wie Redundanzspeicherzellen leicht durchgeführt werden kann, selbst wenn die integrierte Halbleiterschal­ tung Kapazitäten aufweist.

Diese Aufgabe wird durch die in den beigefügten Patentan­ sprüchen dargelegten Maßnahmen gelöst.

Gemäß einem bevorzugen Ausführungsbeispiel der Erfindung weist ein Halbleiterherstellungsverfahren die Schritte ei­ nes Kondensatorherstellungsverfahrens zur Ausbildung eines Kondensators auf einem Halbleitersubstrat, eines Isolier­ schichtherstellungsvorgangs zur Ausbildung einer Isolier­ schicht auf dem Kondensator und dem Halbleitersubstrat so­ wie eines Sicherungsherstellungsvorgangs zur Ausbildung ei­ nes Sicherungselements in einer Schichtungsrichtung auf.

Bei dem Halbleiterherstellungsverfahren gemäß einem weite­ ren bevorzugen Ausführungsbeispiel weist der Isolier­ schichtherstellungsvorgang zur Ausbildung der Isolier­ schicht auf dem Kondensator und dem Halbleitersubstrat ei­ nen Isolierschicht-Schichtungsvorgang zum Schichten der Isolierschicht, deren Dicke dicker als die Dicke des Kon­ densators ist, und einen Glättungsvorgang zum Glätten einer Oberfläche der Isolierschicht unter Verwendung eines chemi­ schen und mechanischen Poliervorgangs auf.

Bei dem Halbleiterherstellungsverfahren gemäß einem weite­ ren bevorzugen Ausführungsbeispiel wird das Sicherungsele­ ment in einem Verdrahtungsherstellungsvorgang ausgebildet, bei dem Verdrahtungen hergestellt werden.

Bei dem Halbleiterherstellungsverfahren gemäß einem weite­ ren bevorzugen Ausführungsbeispiel wird das Sicherungsele­ ment in einem Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungs-Herstellungs­ vorgang zur Ausbildung einer verschiedene Verdrahtungs­ schichten verbindenden Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungs­ verbindung in einem Verdrahtungsherstellungsvorgang zur Ausbildung von Verdrahtungen ausgebildet.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Er­ findung weist eine integrierte Halbleiterschaltung ein Halbleitersubstrat, einen auf dem Halbleitersubstrat ausge­ bildeten Kondensator, eine auf dem Kondensator und dem Halbleitersubstrat geschichtete Isolierschicht sowie ein auf der Isolierschicht in Schichtungsrichtung ausgebildetes Sicherungselement auf.

Bei der integrierten Halbleiterschaltung gemäß einem weite­ ren Ausführungsbeispiel der Erfindung sind auf dem Konden­ sator in der Schichtungsrichtung Verdrahtungen ausgebildet und ist das Sicherungselement aus demselben Material wie die Verdrahtungen aufgebaut.

Bei der integrierten Halbleiterschaltung gemäß einem weite­ ren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Vielzahl er­ ster Verdrahtungsschichten über dem Kondensator auf der Isolierschicht in der Schichtungsrichtung ausgebildet ist und sind die Vielzahl erster Verdrahtungsschichten verbin­ dende erste Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen in der Iso­ lierschicht ausgebildet sind, wobei das Sicherungselement aus demselben Material wie die ersten Schicht-zu-Schicht- Verdrahtungen aufgebaut ist.

Bei der integrierten Halbleiterschaltung gemäß einem weite­ ren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Vielzahl zweiter Verdrahtungsschichten über dem Kondensator auf der Isolierschicht in der Schichtungsrichtung ausgebildet und sind die Vielzahl zweiter Verdrahtungsschichten verbindende zweite Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen in der Isolier­ schicht ausgebildet, wobei das Sicherungselement aus dem­ selben Material wie die zweiten Schicht-zu-Schicht- Verdrahtungen aufgebaut ist.

Bei der integrierten Halbleiterschaltung gemäß einem weite­ ren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Vielzahl von ersten Verdrahtungsschichten über dem Kondensator auf der Isolierschicht in der Schichtungsrichtung ausgebildet und sind die Vielzahl erster Verdrahtungsschichten verbindende ersten Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen in der Isolier­ schicht ausgebildet, sowie ist eine Vielzahl zweiter Ver­ drahtungsschichten über dem Kondensator auf der Isolier­ schicht in der Schichtungsrichtung ausgebildet und sind die Vielzahl zweiter Verdrahtungsschichten verbindende zweite Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen in der Isolierschicht aus­ gebildet, wobei das Sicherungselement aus demselben Materi­ al wie die ersten Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen oder die zweiten Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen aufgebaut ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung nä­ her beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Darstellung einer Schnittansicht einer inte­ grierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß einem ersten Aus­ führungsbeispiel,

Fig. 2 ein Darstellung eines Layouts (Entwurfs) eines Chips der integrierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß ersten bis vierten Ausführungsbeispielen,

Fig. 3A bis 3D Herstellungsvorgänge zur Ausbildung einer ersten Verdrahtung und eines Sicherungselements bei der in Fig. 1 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel,

Fig. 4 eine Darstellung einer Schnittansicht einer inte­ grierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,

Fig. 5 eine Darstellung einer Schnittansicht einer inte­ grierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,

Fig. 6A bis 6G Herstellungsvorgänge zur Ausbildung einer ersten Verdrahtung und eines Sicherungselements bei der in Fig. 5 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel,

Fig. 7 eine Darstellung einer Schnittansicht einer inte­ grierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel,

Fig. 8 eine Darstellung einer Schnittansicht einer herkömm­ lichen integrierten Halbleiterschaltung (DRAM),

Fig. 9 eine Darstellung zur Erläuterung eines bei der in Fig. 8 gezeigten herkömmlichen integrierten Halbleiter­ schaltung auftretenden Nachteils,

Fig. 10 eine Darstellung einer Schnittansicht einer weite­ ren herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltung (DRAM) und

Fig. 11A und 11B Darstellungen zur Erläuterung eines bei der in Fig. 10 gezeigten herkömmlichen integrierten Halb­ leiterschaltung auftretenden Nachteils.

Andere Merkmale der Erfindung sind aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiel ersichtlich, die lediglich zur Veranschaulichung der Erfindung, jedoch nicht als Beschränkung zu verstehen sind.

Nachstehend sind bevorzugte Ausführungsbeispiel für eine integrierte Halbleiterschaltung und ein Verfahren zur deren Herstellung unter Bezug auf die Zeichnung beschrieben.

Zunächst ist ein erstes Ausführungsbeispiel beschrieben.

Fig. 2 zeigt eine Darstellung eines Layouts Entwurfs eines Halbleiterchips einer integrierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß ersten bis vierten Ausführungsbeispielen, wie Fig. 1, Fig. 3A bis 3D und Fig. 4 bis 7 gezeigt ist.

In Fig. 2 bezeichnet die Bezugszahl 16 Speicherzellen. In jeder der Speicherzellen sind eine Vielzahl von Kondensato­ ren angeordnet. Die Bezugszahl 17 bezeichnet einen Logikab­ schnitt zur Ausführung einer Logikberechnung für eingegebe­ ne Datenwerte. Die Bezugszahl 18 bezeichnet einen Verdrah­ tungsabschnitt, bei dem eine Vielzahl von Drähten (oder Leitungen) ausgebildet sind. Die Vielzahl von Speicherzel­ len als die Vielzahl der Kondensatoren sind über die in dem Verdrahtungsabschnitt ausgebildeten Leitungen mit dem Logik­ abschnitt 17 und (nicht gezeigten) externen Verbindungsan­ schlüssen verbunden.

Einige Speicherzellen der Vielzahl der Speicherzellen wer­ den als Redundanzschaltungen verwendet, wobei eine Vielzahl von Sicherungselementen in dem Verdrahtungsabschnitt zur elektrischen Verbindung der Redundanzschaltungen ausgebil­ det sind.

Fig. 1 zeigt eine Darstellung einer Schnittansicht der in­ tegrierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß dem ersten Aus­ führungsbeispiel. In Fig. 1 bezeichnet die Bezugszahl 1 ein Halbleitersubstrat, auf dem Halbleiterelemente wie Konden­ satoren, Widerstände und dergleichen ausgebildet sind, die Bezugszahl 2 bezeichnet eine Elektrode eines Kondensators, die Bezugszahl 3 bezeichnet eine Isolierschicht in dem Kon­ densator, und die Bezugszahl 4 bezeichnet eine andere Elek­ trode des Kondensators. Die Bezugszahl 5 bezeichnet Wort­ leitungen und die Bezugszahl 6 Bitleitungen. Die Bezugszahl 7 bezeichnet jeweils eine erste Leitung (erste Verdrahtung) und 8 jeweils eine zweite Leitung (zweite Verdrahtung). In Fig. 1 ist zur vereinfachten Darstellung lediglich ein Si­ cherungselement 9 gezeigt. Die Bezugszahlen 10 bis 15 be­ zeichnen Isolierschichten zur elektrischen Isolierung die­ ser leitenden Materialien voneinander.

Die linke Seite in Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht einer Speicherzelle, bei der der Kondensator mit den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 ausgebildet ist. Im allge­ meinen wird der vorstehend beschriebene, aus in vertikaler Richtung geschichteten Schichten aufgebaute Kondensator als gestapelter Kondensator bezeichnet.

Fig. 3A bis 3D zeigen Herstellungsvorgänge zur Ausbildung jeder ersten Leitung (ersten Verdrahtung) 7 und jedes Si­ cherungselements 9 der in Fig. 1 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel. Fig. 3A zeigt einen erste Vorgang zur Ausbildung eines Lochs in der auf dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Iso­ lierschicht 14. Fig. 3B zeigt einen Schichtungsvorgang zur Ausbildung einer Schichtung einer in der Isolierschicht 14 ausgebildeten Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19. Fig. 3C zeigt eine Darstellung eines Resistfilm- Ausbildungsvorgangs zur Ausbildung eines vorbestimmten Re­ sistfilms 20 auf der Wolframschicht oder der Polysilizium­ schicht 19. Fig. 3D zeigt eine Darstellung eines Ätzvor­ gangs zum Ätzen der Wolfram- oder Polysiliziumschicht 19, auf die der Resistfilm nicht geschichtet wurde. Dann werden die erste Leitung 7 in der Wolfram- oder Polysilizium­ schicht und das auf der Isolierschicht 14 geschichtete Si­ cherungselement 9 ausgebildet.

Außerdem wird wie in Fig. 1 und 3A bis 3D gezeigt durch ei­ nen chemischen und mechanischen Poliervorgang die Oberflä­ che der Isolierschicht 14 geglättet, nachdem die Isolier­ schicht 14 zum Abdecken sowohl des Halbleitersubstrat 1 als auch des aus den Elementen 2, 3 und 4 aufgebauten Kondensa­ tors ausgebildet ist.

Nachstehend ist der Betrieb der in Fig. 1 gezeigten inte­ grierten Halbleiterschaltung gemäß dem ersten Ausführungs­ beispiel beschrieben.

Wenn Informationen in das DRAM mit dem vorstehend beschrie­ benen Aufbau gespeichert werden, wird zunächst eine Span­ nung entsprechend den zu speichernden Informationen über die erste Leitung und die zweite Leitung 8 an die erste Wortleitung 5 angelegt. Dann wird zwischen dem Halbleiter­ substrat 1 entsprechend der Wortleitung 5 und der Kondensa­ torelektrode 2 ein Kanal gebildet wobei ein Strom aus der Wortleitung 5 durch das Halbleitersubstrat 1 zu der Konden­ satorelektrode 2 fließt. Danach wird eine elektrische La­ dung entsprechend der angelegten Spannung zwischen der Kon­ densatorelektrode 2 und der Kondensatorelektrode 4 gespei­ chert.

Zusätzlich wird beim Lesen von Informationen aus dem in Fig. 8 gezeigten DRAM über die erste Leitung 7 und die zweite Leitung 8 eine Spannung an die Wortleitung 5 ange­ legt. Dadurch wird ein Kanal in einem Abschnitt zwischen der Wortleitung 5 und der Kondensatorelektrode 2 in dem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet. Dadurch fließt ein Strom aus der Kondensatorelektrode 2 durch das Halbleitersubstrat 1 zu der Wortleitung 5. Der Wert der gespeicherten Informa­ tionen wird auf der Grundlage der Größe dieses Stromflusses erfaßt.

Wenn ein Laserstrahl das Sicherungselement 9 in dem in Fig. 1 gezeigten DRAM schmilzt, wird in dem Sicherungselement 9 ein Loch ausgebildet. Der Durchmesser des Loches ist etwa gleich dem des in dem herkömmlichen Sicherungselement aus­ gebildeten Lochs. Dementsprechend ist eine Erhöhung der In­ tegration der integrierten Halbleiterschaltung, nämlich ei­ ne Erhöhung der Integration mit dem in Fig. 1 gezeigten Aufbau, möglich, da eine Vergrößerung des Abstands zwischen benachbarten Sicherungselementen nicht erforderlich ist. Außerdem kann, da es nicht erforderlich ist, das Sicherungs­ element 9 in der Tiefe zum Schmelzen zu bringen, die Schmelzzeit des Laserstrahls für das Sicherungselement 9 verringert werden.

Da die integrierte Halbleiterschaltung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel den Aufbau aufweist, bei dem die Ober­ fläche der auf dem Halbleitersubstrat 1 und dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Isolierschicht 14 unter Verwen­ dung eines chemischen und mechanischen Poliervorgangs ange­ nähert geglättet wird, und da das Sicherungselement 9 über der Isolierschicht 14 in einer Schichtungsrichtung ausge­ bildet ist, ist es wie vorstehend beschrieben möglich, die Integration der integrierten Halbleiterschaltung zu erhö­ hen. Anders ausgedrückt, ist es möglich, sowohl die Spei­ cherzellenabschnitte 16 als auch den Logikabschnitt 17 in demselben Halbleiterchip auszubilden, ohne daß eine hohe In­ tegration des in Fig. 2 gezeigten Logikabschnitts behindert wird. Dadurch wird ein Halbleiterspeicher einer hohen Inte­ gration mit einem gemischten Logikabschnitt ohne durch mit­ tels eines nicht scharf eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und einer Laserschmelzverarbeitung hervorgerufen Be­ einträchtigung bereitgestellt.

Außerdem ist es bei dem Halbleiterherstellungsverfahren ge­ mäß dem ersten Ausführungsbeispiel möglich, im Vergleich zu dem herkömmlichen Herstellungsverfahren, bei dem ein beson­ derer Herstellungsvorgang für das Sicherungselement 9 er­ forderlich ist, die Anzahl der Herstellungsvorgänge bzw. Herstellungsschritte zu verringern, da sowohl das Siche­ rungselement 9 als auch die ersten Leitungen 7 in demselben Herstellungsvorgang ausgebildet werden.

Fig. 4 zeigt eine Darstellung einer Schnittansicht einer integrierten Halbleiterschaltung (DRAM) gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.

In Fig. 4 bezeichnet die Bezugszahl 9 ein Sicherungsele­ ment, das in demselben Herstellungsvorgang wie die zweite Leitung 8 ausgebildet wurde. Das in Fig. 4 gezeigte Siche­ rungselement 9 wird ebenfalls auf derselben Höhe wie die zweite Leitung 8 ausgebildet. Andere Komponenten des DRAM gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel sind gleich denen des DRAM gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel. Daher werden dieselben Bezugszahlen derselben Komponenten verwendet und entfällt zur vereinfachten Darstellung deren Beschreibung.

In dem in Fig. 4 gezeigten DRAM als die integrierte Halb­ leiterschaltung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel wird bei Schmelzen des Sicherungselements 9 durch einen Laser­ strahl ein Loch in das Sicherungselement 9 ausgebildet. Der Durchmesser des Lochs in dem DRAM ist etwa gleich dem des Lochs, das in dem herkömmlichen Sicherungselement ausgebil­ det wird. Dementsprechend ist eine Erhöhung der Integration der integrierten Halbleiterschaltung, nämlich des DRAM mit dem in Fig. 4 gezeigten Aufbau möglich, da eine Erhöhung des Abstandes zwischen benachbarten Sicherungselementen nicht erforderlich ist. Außerdem kann die Schmelzzeit des Laserstrahls zu dem Sicherungselement 9 verringert werden, da kein Schmelzen des in Fig. 4 gezeigten Sicherungsele­ ments 9 in der Tiefe erforderlich ist.

Da die integrierte Halbleiterschaltung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel den Aufbau aufweist, bei dem die Ober­ fläche der auf dem Halbleitersubstrat 1 und dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Isolierschicht 14 unter Verwen­ dung eines chemischen und mechanischen Poliervorgangs ange­ nähert geglättet wird, und da das Sicherungselement 9 über der Isolierschicht 14 in einer Schichtungsrichtung ausge­ bildet ist, ist es wie vorstehend beschrieben möglich, die Integration der integrierten Halbleiterschaltung ohne eine durch mittels eines nicht scharf eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und einer Laserschmelzverarbeitung hervor­ gerufene Beeinträchtigung zu erhöhen. Dementsprechend ist es möglich, sowohl die Speicherzellenabschnitte 16 als auch den Logikabschnitt 17 in demselben Halbleiterchip auszubil­ den, ohne daß eine hohe Integration des in Fig. 2 gezeigten Logikabschnitts behindert wird. Dadurch wird eine Halblei­ terspeicher einer hohen Integration mit einem gemischten Logikabschnitt bereitgestellt.

Außerdem ist es bei dem Halbleiterherstellungsverfahren ge­ mäß dem zweiten Ausführungsbeispiel möglich, im Vergleich zu dem herkömmlichen Herstellungsverfahren, bei dem ein be­ sonderer Herstellungsvorgang für das Sicherungselement 9 erforderlich ist, die Anzahl der Herstellungsvorgänge bzw. Herstellungsschritte zu verringern, da sowohl das Siche­ rungselement 9 als auch die zweiten Leitungen 8 in demsel­ ben Herstellungsvorgang ausgebildet werden.

Fig. 5 zeigt eine Schnittansicht einer integrierten Halb­ leiterschaltung (DRAM) gemäß einem dritten Ausführungsbei­ spiel. In Fig. 5 bezeichnet die Bezugszahl 71 eine auf der Isolierschicht 14 ausgebildete erste Leitungsschicht und 72 eine aus Wolfram oder Polysilizium aufgebaute erste Schicht-zu-Schicht-Leitung 72, die die erste Leitungs­ schicht 71 und das Halbleitersubstrat 1 elektrisch mitein­ ander verbindet.

Bei dem in Fig. 5 gezeigten DRAM gemäß dem dritten Ausfüh­ rungsbeispiel weist die erste Leitung 7 die erste Leitungs­ schicht 71 und die erste Schicht-zu-Schicht-Leitung 72 auf.

Andere Komponenten des DRAM gemäß dem dritten Ausführungs­ beispiel sind gleich denen des DRAM gemäß dem ersten Aus­ führungsbeispiel. Daher werden dieselben Bezugszahl dersel­ ben Komponenten verwendet und entfällt zur vereinfachten Darstellung deren Beschreibung.

Fig. 6A bis 6G zeigen Herstellungsvorgänge zur Ausbildung jeder ersten Leitungsschicht 71, jeder ersten Schicht-zu- Schicht-Leitung 72 und jedes Sicherungselements 9 in der in Fig. 5 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel.

Fig. 6A zeigt eine Darstellung eines ersten Vorgangs zur Ausbildung eines Lochs in der auf dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Isolierschicht 14. Fig. 6B zeigt eine Dar­ stellung des ersten Schichtungsvorgangs zur Ausbildung ei­ ner Schichtung einer auf der Isolierschicht 14 ausgebilde­ ten Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19. Fig. 6C zeigt eine Darstellung eines ersten Resistfilmausbildungs­ vorgangs zur Ausbildung eines vorbestimmten Resistfilms 20 auf der Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19. Fig. 6D zeigt eine Darstellung eines ersten Ätzvorgangs zum Ätzen der Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19, auf die der Resistfilm nicht geschichtet wurde. Nach diesem Vorgang werden die Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19 in dem in der Isolierschicht 14 ausgebildeten Loch 72 und das Sicherungselement 9(19) ausgebildet. Fig. 6E zeigt eine Darstellung eines zweiten Schichtungsvorgangs zur Ausbil­ dung einer auf der Isolierschicht 14 geschichteten Alumini­ umschicht 22. Fig. 6F zeigt eine Darstellung eines zweiten Resistfilmausbildungsvorgangs zur Ausbildung eines vorbe­ stimmten Resistfilms 23 auf der Aluminiumschicht 22. Fig. 6G zeigt eine Darstellung eines zweiten Ätzvorgangs zum Ät­ zen der Aluminiumschicht 22, auf die der Resistfilm nicht geschichtet wurde. Nach Abschluß dieser Herstellungsvorgän­ ge werden die in dem Loch in der Isolierschicht 14 ausge­ bildete Wolframschicht oder Polysiliziumschicht 19 die er­ ste Schicht-zu-Schicht-Leitung 72, die auf der Isolier­ schicht 14 ausgebildete Wolframschicht oder Polysilizium­ schicht 19 das Sicherungselement 9 und die auf der Isolier­ schicht 14 ausgebildete Aluminiumschicht 22 die erste Lei­ tungsschicht 71.

Bei dem DRAM gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel mit dem durch das vorstehende Herstellungsverfahren hergestellten Aufbau wird bei Schmelzen des Sicherungselements 9 durch einen Laserstrahl ein Loch in das Sicherungselement 9 aus­ gebildet. Der Durchmesser des Lochs in dem DRAM ist etwa gleich dem des Lochs, das in dem herkömmlichen Sicherungse­ lement ausgebildet wird. Dementsprechend ist eine Erhöhung der Integration der integrierten Halbleiterschaltung, näm­ lich des DRAM mit dem in Fig. 5 gezeigten Aufbau möglich, da eine Erhöhung des Abstandes zwischen benachbarten Siche­ rungselementen nicht erforderlich ist. Außerdem kann die Schmelzzeit des Laserstrahls zu dem Sicherungselement 9 verringert werden, da kein Schmelzen des in Fig. 5 gezeig­ ten Sicherungselements 9 in der Tiefe erforderlich ist.

Da die integrierte Halbleiterschaltung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel den Aufbau aufweist, bei dem die Ober­ fläche der auf dem Halbleitersubstrat 1 und dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie d er Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Isolierschicht 14 unter Verwen­ dung eines chemischen und mechanischen Poliervorgangs ange­ nähert geglättet wird, und da das Sicherungselement 9 über der Isolierschicht 14 in einer Schichtungsrichtung ausge­ bildet ist, ist es wie vorstehend beschrieben möglich, die Integration der integrierten Halbleiterschaltung ohne eine durch mittels eines nicht scharf eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und eines Laserschmelzvorgangs hervorgeru­ fen Beeinträchtigung zu erhöhen. Dementsprechend ist es möglich, sowohl die Speicherzellenabschnitte 16 als auch den Logikabschnitt 17 in demselben Halbleiterchip auszubil­ den, ohne daß eine hohe Integration des in Fig. 2 gezeigten Logikabschnitts behindert wird. Dadurch wird ein Halblei­ terspeicher einer hohen Integration mit einem gemischten Logikabschnitt ohne eine durch mittels eines nicht scharf eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und eines Laser­ schmelzvorgangs hervorgerufene Beeinträchtigung bereitge­ stellt.

Zusätzlich ist bei dem DRAM als integrierte Halbleiter­ schaltung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der Wider­ stand der ersten Leitung 7 des DRAM gemäß dem dritten Aus­ führungsbeispiel kleiner als das der ersten Leitung des DRAM gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, da die erste Leitung 7 die aus Aluminium aufgebaute erste Schicht 71 und die aus Wolframschicht oder Polysilizium hergestellte erste Schicht-zu-Schicht-Leitung 72 aufweist. Dadurch ist es mög­ lich, dieselben Eigenschaften wie die der lediglich aus Aluminium aufgebauten ersten Leitung einer herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltung zu erhalten.

Außerdem ist es bei dem Halbleiterherstellungsverfahren ge­ mäß dem dritten Ausführungsbeispiel möglich, im Vergleich zu dem herkömmlichen Herstellungsverfahren, bei dem ein be­ sonderer Herstellungsvorgang für das Sicherungselement 9 erforderlich ist, die Anzahl der Herstellungsvorgänge bzw. Herstellungsschritte zu verringern, da sowohl das Siche­ rungselement 9 als auch die ersten Leitungen 7 in demselben Herstellungsvorgang ausgebildet werden.

Fig. 7 zeigt eine Schnittansicht der integrierten Halblei­ terschaltung (DRAM) gemäß einem vierten Ausführungsbei­ spiel. In Fig. 7 bezeichnet die Bezugszahl 81 eine zweite Leitungsschicht, die auf einer ebenfalls auf der Isolier­ schicht 14 ausgebildete Isolierschicht 15 ausgebildet ist, und 82 eine aus Wolfram oder Polysilizium aufgebaute zweite Schicht-zu-Schicht-Leitung, die die zweite Leitungsschicht 81, die erste Leitung 7 und dergleichen elektrisch verbin­ det.

In dem in Fig. 7 gezeigten DRAM gemäß dem vierten Ausfüh­ rungsbeispiel weist die zweite Leitung 8 die zweite Lei­ tungsschicht 81 und die zweite Schicht-zu-Schicht-Leitung 82 auf. Die Bezugszahl 9 bezeichnet ein auf hinsichtlich der Anordnung derselben Ebene wie die der zweiten Leitung 8 ausgebildetes und in demselben Herstellungsvorgang wie dem der zweiten Leitung 8 ausgebildetes Sicherungselement. Das heißt, daß die zweite Schicht-zu-Schicht-Leitung 82 aus auf er Isolierschicht 15 ausgebildeten Wolfram- oder Polysili­ ziumschicht aufgebaut ist. Das Sicherungselement 9 ist aus der auf der Isolierschicht 15 ausgebildeten Wolfram- oder Polysiliziumschicht aufgebaut. Die zweite Leitungsschicht 81 ist aus der auf der Isolierschicht 15 ausgebildeten Alu­ miniumschicht aufgebaut. Andere Komponenten des DRAM gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel sind gleich denen des DRAM gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel. Daher werden diesel­ ben Bezugszahlen derselben Komponenten verwendet und ent­ fällt zur vereinfachten Darstellung deren Beschreibung.

Bei dem DRAM gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird bei Schmelzen des Si­ cherungselements 9 in dem in Fig. 1 gezeigten DRAM durch einen Laserstrahl ein Loch in das Sicherungselement 9 aus­ gebildet. Der Durchmesser des Lochs ist etwa gleich dem des Loch, das in dem herkömmlichen Sicherungselement ausgebil­ det wird. Dementsprechend ist eine Erhöhung der Integration der integrierten Halbleiterschaltung, nämlich des DRAM mit dem in Fig. 7 gezeigten Aufbau möglich, da eine Erhöhung des Abstandes zwischen benachbarten Sicherungselementen nicht erforderlich ist. Außerdem kann die Schmelzzeit des Laserstrahls zu dem Sicherungselement 9 verringert werden, da kein Schmelzen des in Fig. 5 gezeigten Sicherungsele­ ments 9 in der Tiefe erforderlich ist.

Da die integrierte Halbleiterschaltung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel den Aufbau aufweist, bei dem die Ober­ fläche der auf dem Halbleitersubstrat 1 und dem aus den Elektroden 2 und 4 sowie der Isolierschicht 3 aufgebauten Kondensator ausgebildeten Isolierschicht 14 unter Verwen­ dung eines chemischen und mechanischen Poliervorgangs ange­ nähert geglättet wird, und da das Sicherungselement 9 über der Isolierschicht 14 in einer Schichtungsrichtung ausge­ bildet ist, ist es wie vorstehend beschrieben möglich, die Integration der integrierten Halbleiterschaltung ohne eine durch mittels eines nicht scharf eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und eines Laserschmelzvorgangs hervorgeru­ fene Beeinträchtigung zu erhöhen. Dementsprechend ist es möglich, sowohl die Speicherzellenabschnitte 16 als auch den Logikabschnitt 17 in demselben Halbleiterchip auszubil­ den, ohne daß eine hohe Integration des in Fig. 2 gezeigten Logikabschnitts behindert wird. Dadurch wird eine Halblei­ terspeicher einer hohen Integration mit einem gemischten Logikabschnitt ohne eine durch mittels eines nicht schart eingestellten Laserstrahl erzeugte Löcher und eines Laser­ schmelzvorgangs hervorgerufene Beeinträchtigung bereitge­ stellt.

Zusätzlich ist bei dem DRAM als integrierte Halbleiter­ schaltung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Wider­ stand der zweiten Leitung 8 des DRAM gemäß dem vierten Aus­ führungsbeispiel kleiner als das der ersten Leitung des DRAM gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, da die zweite Leitung 8 die aus Aluminium aufgebaute zweite Leitungs­ schicht 81 und die aus Wolfram oder Polysilizium aufgebaute zweite Schicht-zu-Schicht-Leitung 82 aufweist. Dadurch ist es möglich, dieselben Eigenschaften wie die der lediglich aus Aluminium aufgebauten zweiten Leitung einer herkömmli­ chen integrierten Halbleiterschaltung zu erhalten.

Außerdem ist es bei dem Halbleiterherstellungsverfahren ge­ mäß dem vierten Ausführungsbeispiel möglich, im Vergleich zu dem herkömmlichen Herstellungsverfahren, bei dem ein be­ sonderer Herstellungsvorgang für das Sicherungselement 9 erforderlich ist, die Anzahl der Herstellungsvorgänge bzw. Herstellungsschritte zu verringern, da sowohl das Siche­ rungselement 9 als auch die zweiten Leitungen 8 in demsel­ ben Herstellungsvorgang ausgebildet werden.

Wie vorstehend beschrieben ist erfindungsgemäß das Siche­ rungselement bzw. die Sicherung an einer Position nahe an der Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet und ausgebil­ det, da das Sicherungselement nach Ausbildung der Isolier­ schicht auf dem Kondensator und dem Halbleitersubstrat aus­ gebildet wird, selbst wenn eine dickere Isolierschicht auf dem Kondensator ausgebildet wird. Dementsprechend ist es leicht möglich, das Sicherungselement 9 unter Verwendung eines Laserstrahls zu schmelzen, selbst wenn die Oberfläche der auf dem Kondensator ausgebildeten dickeren Isolier­ schicht geglättet wird. Zusätzlich zu dieser Wirkung ist es möglich, ein in der integrierten Halbleiterschaltung durch Schmelzen mittels des Laserstrahls ausgebildetes Loch zu verkleinern. Dementsprechend ist es nicht erforderlich, ei­ nen großen Abstand zwischen benachbarten Sicherungselemen­ ten vorzusehen, so daß es möglich ist, eine integrierte Halbleiterschaltung mit hoher Integration bereitzustellen.

Außerdem wird erfindungsgemäß das Auftreten des in Vorgän­ gen nach dem Isolierschichtausbildungs- bzw. -herstellungs­ vorgang verursachten Unschärfephänomens zu verhindern, da die Oberfläche der Isolierschicht unter Verwendung eines chemischen und mechanischen Poliervorgangs geglättet wird, nachdem die Isolierschicht derart geschichtet wurde, daß die Isolierschicht den Kondensator und das Halbleiter­ substrat bedeckt.

Weiterhin ist es erfindungsgemäß möglich, die integrierte Halbleiterschaltung mit einer höheren Integration zu verse­ hen, da die integrierte Halbleiterschaltung den Aufbau hat, bei dem der Kondensator auf dem Halbleitersubstrat 1 ausge­ bildet ist, die Isolierschicht auf dem Kondensator und dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist und das Sicherungsele­ ment auf oder über der Isolierschicht in einer Schichtungs­ richtung geschichtet ist.

Darüber hinaus ist es erfindungsgemäß möglich, die Anzahl der Herstellungsvorgänge bzw. -schritte der integrierten Halbleiterschaltung zu verringern, ohne daß ein besonderer Herstellungsvorgang zur Herstellung des Sicherungselements hinzugefügt wird, da sowohl das Sicherungselement als auch die Verdrahtung während desselben Herstellungsvorgangs aus­ gebildet werden.

Zusätzlich ist es erfindungsgemäß möglich, sowohl das Si­ cherungselement als auch die Verdrahtung in demselben Her­ stellungsvorgang herzustellen, so daß eine Verringerung der Anzahl der Herstellungsvorgänge der integrierten Halblei­ terschaltung ohne Hinzufügen eines besonderen Herstellungs­ vorgangs zur Herstellung des Sicherungselements möglich ist, da sowohl das Sicherungselement als auch die über dem Kondensator in einer Schichtungsrichtung ausgebildete Ver­ drahtung aus demselben Material hergestellt werden.

Des weiteren ist erfindungsgemäß eine Verringerung der An­ zahl der Herstellungsvorgänge der integrierten Halbleiter­ schaltung ohne ein Hinzufügen eines besonderen Herstel­ lungsvorgangs zur Herstellung des Sicherungselements mög­ lich, da sowohl das Sicherungselement als auch die zur Ver­ bindung verschiedener Verdrahtungsschichten zu verwendende Schicht-zu-Schicht-Leitung (Verdrahtung) in demselben Ver­ drahtungsherstellungsvorgang ausgebildet werden.

Weiterhin ist erfindungsgemäß eine Verringerung der Größe des Widerstands jeder Verdrahtungsschicht möglich, da die Verdrahtungsschichten aus Wolfram oder Polysilizium und dergleichen aufgebaut sind.

Darüber hinaus ist gemäß den Ausführungsbeispielen die Be­ reitstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit ei­ ner hohen Integration möglich, da die auf oder über dem Kondensator auszubildende Verdrahtung eine Vielzahl von Ver­ drahtungsschichten und Schicht-zu-Schicht-Leitungen zur Verbindung der Vielzahl der Verdrahtungsschichten aufweist sowie das Sicherungselement dieselbe Komponente (dasselbe Material) wie Schicht-zu-Schicht-Leitungen aufweist. Wie vorstehend beschrieben weist eine integrierte Halblei­ terschaltung einen Aufbau auf, bei dem ein Sicherungsele­ ment 9 in einer Schichtungsrichtung auf einer über einem Kondensator 2, 3, 4 ausgebildeten Isolierschicht 14 ausge­ bildet ist, deren Oberfläche angenähert geglättet ist. Bei einem Halbleiterherstellungsverfahren sind das Sicherungse­ lement 9 und die Verdrahtungen 7, 8, 72, 82 aus demselben Material hergestellt.

Claims (9)

1. Halbleiterherstellungsverfahren, gekennzeichnet durch die Schritte
eines Kondensatorherstellungsverfahrens zur Ausbildung eines Kondensators (2, 3, 4) auf einem Halbleitersubstrat (1),
eines Isolierschichtherstellungsvorgangs zur Ausbil­ dung einer Isolierschicht (14) auf dem Kondensator (2, 3, 4) und dem Halbleitersubstrat (1) und
eines Sicherungsherstellungsvorgangs zur Ausbildung eines Sicherungselements (9) in einer Schichtungsrichtung.

2. Halbleiterherstellungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierschichtherstellungsvorgang zur Ausbildung der Isolierschicht (14) auf dem Kondensator (2, 3, 4) und dem Halbleitersubstrat (1) einen Isolierschicht- Schichtungsvorgang zum Schichten der Isolierschicht (14), deren Dicke dicker als die Dicke des Kondensators (2, 3, 4) ist, und einen Glättungsvorgang zum Glätten einer Oberflä­ che der Isolierschicht (14) unter Verwendung eines chemi­ schen und mechanischen Poliervorgangs aufweist.

3. Halbleiterherstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Sicherungselement (9) in einem Verdrahtungsherstellungsvorgang ausgebildet wird, in dem Verdrahtungen (7, 8) hergestellt werden.

4. Halbleiterherstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Sicherungselement (9) in einem Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungs-Herstellungsvorgang zur Ausbildung einer verschiedene Verdrahtungsschichten (71, 81) verbindenden Schicht-zu-Schicht- Verdrahtungsverbindung in einem Verdrahtungsherstellungs­ vorgang zur Ausbildung von Verdrahtungen (7, 8) ausgebildet wird.

5. Integrierte Halbleiterschaltung, gekennzeichnet durch
ein Halbleitersubstrat (1),
einen auf dem Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten Kondensator (2, 3, 4),
eine auf dem Kondensator (2, 3, 4) und dem Halbleiter­ substrat (1) geschichtete Isolierschicht (14) und
ein auf der Isolierschicht (14) in Schichtungsrichtung ausgebildetes Sicherungselement (9).

6. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß auf dem Kondensator (2, 3, 4) in der Schichtungsrichtung Verdrahtungen ausgebildet sind und das Sicherungselement (9) aus demselben Material wie die Verdrahtungen (7, 8) aufgebaut ist.

7. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl erster Verdrah­ tungsschichten (71) über dem Kondensator (2, 3, 4) auf der Isolierschicht (14) in der Schichtungsrichtung ausgebildet ist und die Vielzahl erster Verdrahtungsschichten (71) ver­ bindende erste Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen (72) in der Isolierschicht (14) ausgebildet sind, wobei das Sicherungs­ element (9) aus demselben Material wie die ersten Schicht- zu-Schicht-Verdrahtungen (72) aufgebaut ist.

8. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl zweiter Verdrah­ tungsschichten (81) über dem Kondensator (2, 3, 4) auf der Isolierschicht (14) in der Schichtungsrichtung ausgebildet ist und die Vielzahl zweiter Verdrahtungsschichten (81) verbindende zweite Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen (82) in der Isolierschicht (14) ausgebildet sind, wobei das Siche­ rungselement (9) aus demselben Material wie die zweiten Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen (82) aufgebaut ist.

9. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von ersten Verdrah­ tungsschichten (71) über dem Kondensator (2, 3, 4) auf der Isolierschicht (14) in der Schichtungsrichtung ausgebildet ist und die Vielzahl erster Verdrahtungsschichten (71) ver­ bindende ersten Schicht-zu-Schicht-Verdrahtungen (72) in der Isolierschicht (14) ausgebildet sind, sowie eine Viel­ zahl zweiter Verdrahtungsschichten (81) über dem Kondensa­ tor (2, 3, 4) auf der Isolierschicht (14) in der Schich­ tungsrichtung ausgebildet ist und die Vielzahl zweiter Ver­ drahtungsschichten (81) verbindende zweite Schicht-zu- Schicht-Verdrahtungen (82) in der Isolierschicht (14) aus­ gebildet sind, wobei das Sicherungselement (9) aus demsel­ ben Material wie die ersten Schicht-zu-Schicht- Verdrahtungen (72) oder die zweiten Schicht-zu-Schicht- Verdrahtungen (82) aufgebaut ist.