DE10164298A1 - Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents
Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes und entsprechendes HerstellungsverfahrenInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung schafft ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Zur Bestätigung, daß ein für eine Halbleitervorrichtung geeigneter Kontaktwiderstand vorliegt, bevor ein tatsächlicher Prozeß zur Herstellung der Vorrichtung durchgeführt wird, schafft die vorliegende Erfindung ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes, abhängig von einer Design-Regel eines Leitungskontakts, der tatsächlich für eine aktuelle Vorrichtung verwendet wird. Dabei werden ein erster Leitungskontaktbereich und ein zweiter Leitungskontaktbereich zwischen einer Wortleitung gebildet, so daß ein Leitungskontaktbereich ein Paar bildet; eine Mehrzahl von Sources wird in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildet, und eine Mehrzahl von Sources wird in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildet, wobei benachbarte Sources durch Diffusionsschichten verbunden werden, so daß der erste Leitungskontaktbereich und der zweite Leitungskontaktbereich elektrisch verbunden werden können; und eine Mehrzahl von Leitungskontaktmustern werden derart gebildet, daß die Mehrzahl der Sources elektrisch verbunden werden kann durch jeden zweiten in einem jeweiligen ersten und zweiten Leitungskontaktbereich, wobei das Leitungskontaktmuster, das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildet ist und das Leitungskontaktmuster, das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildet ist, alternierend positioniert sind. Deshalb ermöglicht die vorliegende Erfindung ...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren, und insbesondere ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes und ein entsprechendes Herstellungsverfahren, welche eine erleichterte Messung des Kontaktwiderstandes in einer Halbleitervorrichtung, die einen selbstausgerichteten Leitungskontakt aufweist, ermöglichen.
- Im allgemeinen wird der Kontaktbereich wie der Integrationsgrad von Halbleitervorrichtungen immer kleiner. Mit Verkleinerung des Kontaktes gibt es insoweit ein Problem, als daß der Kontaktwiderstand aufgrund von defekten Kontakten erhöht ist. Deshalb wird zur Bestätigung, daß der Kontaktwiderstand für die Halbleitervorrichtung geeignet ist, vor der Durchführung eines tatsächlichen Prozesses zur Herstellung der Vorrichtung ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes hergestellt, und zwar abhängig von einer Design-Regel eines Kontakts, der tatsächlich für die Vorrichtung verwendet wird, und der Kontaktwiderstand wird unter Verwendung des hergestellten Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemessen.
- Fig. 1 ist eine Struktur eines Testmusters zum Messen eines herkömmlichen Kontaktwiderstands.
- Mit Bezug auf Fig. 1 wird eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen 12 auf einem Test-Wafer 11 gebildet, um eine Mehrzahl von aktiven Bereichen zu definieren. Nach der Bildung von Wortleitungen (nicht gezeigt) wird eine Mehrzahl von Source/Drain-Diffusionsschichten 13 durch einen Source/Drain- Ionen-Implantationsprozeß gebildet. Ein Zwischenschicht- Isolationsfilm (nicht gezeigt) und ein Kontaktloch (nicht gezeigt) werden auf der gesamten Struktur gebildet, in der die Mehrzahl der Source/Drain-Diffusionsschichten 13 gebildet ist. Ein Kontaktmuster 14 wird innerhalb des Kontaktlochs gebildet. Zwei Kontaktmuster 14 werden in jeder Source/Drain- Diffusionsschicht 13 gebildet. Dann wird ein Verbindungsmuster 15 zum elektrischen Verbinden der Mehrzahl der Source/Drain-Diffusionsschichten 13 gebildet.
- Eine Reihe eines Prozesses zur Herstellung eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes wird basierend auf einer Design-Regel eines Prozesses der Herstellung einer tatsächlichen Vorrichtung durchgeführt.
- Wie in Fig. 1 gezeigt, werden in dem herkömmlichen Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes zwei isolierte Kontaktmuster 14 in einer einzelnen isolierten Source/Drain-Diffusionsschicht 13 gebildet, und das Verbindungsmuster 15 wird in den zwei Kontaktmustern 14 gebildet, so daß es mit dem benachbarten weiteren Kontaktmuster 14 verbunden werden kann. Ein Stromfluß, der zum Messen des Kontaktwiderstandes notwendig ist, ist ein zweidimensionaler Stromfluß entlang dem Verbindungsmuster 15, dem Kontaktmuster 14 und der Source/Drain- Diffusionsschicht 13, wie in Fig. 1 als Strompfad 16 gezeigt.
- Ein idealer Gesamtwiderstand, wenn das Kontaktmuster 14 vorzugsweise die Source/Drain-Diffusionsschicht 13 kontaktiert, kann leicht durch eine allgemein gültige mathematische Gleichung aufgefunden werden. Falls der Gesamtwiderstand, der durch das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes erhalten wird, ähnlich dem idealen Gesamtwiderstand ist, wird eine Design-Regel zum Herstellen einer tatsächlichen Vorrichtung angewendet. Falls der Gesamtwiderstand, der durch das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes erhalten wird, höher als der ideale Gesamtwiderstand ist, wird angenommen, daß ein defekter Kontakt erzeugt wird. Somit wird eine neue Design-Regel angewendet oder eine andere Lösung in Betracht gezogen. Somit können defekte Vorrichtungen im voraus verhindert werden, und unnötige Zeit und Kosten können reduziert werden, indem das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes im voraus zur Diagnose eines möglichen Problems herangezogen wird, das in einer tatsächlichen Vorrichtung erzeugt werden kann.
- Jüngst wurde eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines selbstausgerichteten Leitungskontakts gebildet. Jedoch konnte der Kontaktwiderstand der Halbleitervorrichtung nicht unter Verwendung des herkömmlichen Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemessen werden. Mit anderen Worten ist das herkömmliche Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes geeignet zum Messen des Kontaktwiderstandes der Vorrichtung mit einer isolierten Source/Drain-Diffusionsschicht und einem isolierten Kontaktmuster, ist aber nicht geeignet zum Messen des Kontaktwiderstandes einer Vorrichtung mit einem selbstausgerichteten Leitungskontakt.
- Ein Flash-EEPROM als Halbleitervorrichtung unter Verwendung des selbstausgerichteten Leitungskontakts wird nachstehend beispielshalber beschrieben. Eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen wird zunächst gebildet, um eine Mehrzahl von aktiven Bereichen zu definieren. Wortleitungen, welche von einem Spacer-Isolationsfilm umgeben werden, werden dann gebildet, und eine Source/Drain-Diffusionsschicht wird ausgebildet. Als nächstes wird ein Zwischenschicht-Isolationsfilm abgeschieden und eingeebnet. Ein selbstausgerichtetes Kontaktloch, wodurch die Mehrzahl der Source-Diffusionsschichten freigelegt wird, wird durch einen selbstausgerichteten Source-Kontaktprozeß gebildet, und der selbstausgerichtete Kontakt wird mit einer leitfähigen Schicht zum Bilden eines Source-Leitungskontaktes gefüllt.
- Dadurch verbindet der Source-Leitungskontakt die Mehrzahl der Source-Diffusionsschichten in eine einzige. Deshalb fließt, falls ein zweidimensionaler Stromfluß wie beim Stand der Technik erzeugt wird, der Strom entlang des Leitungskontakts aus dem leitfähigen Material mit geringem Widerstand, aber der Strom fließt nicht in die Source-Diffusionsschicht, welche durch den Ionen-Implantationsprozeß gebildet ist. Somit könnte nicht erkannt werden, daß ein defekter Kontakt in jeweiligen Source-Diffusionsschichten aufgetreten ist.
- Angesichts der Vorteile des Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes zum vorzeitigen Diagnostizieren von Problemen, welche in einer tatsächlichen Vorrichtung erzeugt werden, zum Verhindern von defekten Vorrichtung im voraus und zum Reduzieren unnötiger Zeit und Kosten besteht ein Bedarf für ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes, welches geeignet ist für eine Halbleitervorrichtung, die sich des selbstausgerichteten Leitungskontakts bedient.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung löst die oben angegebenen Probleme, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens, welche es ermöglichen, einen Kontaktwiderstand in einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines selbstausgerichteten Leitungskontakts leicht zu messen.
- Die obige Aufgabe wird gelöst durch ein Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands gemäß der vorliegenden Erfindung, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß es aufweist: einen Test- Wafer, in dem eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen zum Definieren einer Mehrzahl von aktiven Bereichen gebildet ist; eine Mehrzahl von Verbindungsdiffusionschichten, gebildet in einem Wortleitungsbereich, der die Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen und die Mehrzahl der aktiven Bereiche kreuzt; eine Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, die in einem ersten Leitungskontaktbereich gebildet ist, der an einer Seite des Wortleitungsbereichs liegt; eine Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, die in einem zweiten Leitungskontaktbereich gebildet ist, der an der anderen Seite des Wortleitungsbereichs liegt; und eine Mehrzahl von Leitungskontaktmustern, die in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich gebildet ist; wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Kontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstands entlang des ersten Leitungskontaktmusters und des zweiten Leitungskontaktmusters zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art fließt.
- Ein Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß es folgende Schritte aufweist: Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen in einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl von aktiven Bereichen; Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses zum gleichzeitigen Bilden einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs, einer Verbindungs-Diffusionschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche einer Wortleitung und einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs; Bilden einer Wortleitung, welche von einem Isolationsfilm-Spacer umgeben ist in dem Wortleitungsbereich; Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitungen eingeebnet ist; Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich über einen selbstausgerichteten Kontaktprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske, wobei das Leitungskontaktmuster, welches in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildet ist und das Leitungskontaktmuster, welches in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildet ist, alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art fließt.
- Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, das folgende Schritte aufweist: Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen in einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl aktiver Bereiche; Durchführen eines Schwellspannungs-Ionen-Implantationsprozesses zum Bilden eines Schwellspannungs-Ionen- Implantationsbereichs in der Mehrzahl der aktiven Bereiche in einem Wortleitungsbereich; Bilden einer Wortleitung in dem Wortleitungsbereich; Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen- Implantationsprozesses zum Bilden einer Source-Diffusionsschicht in jedem der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs und einer Source-Diffusionsschicht in jedem der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs; Bilden eines Isolationsfilm- Spacers, welcher die Wortleitung umgibt; Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung eingeebnet ist; Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske; wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einem dreidimensionalen Muster fließt.
- Die zuvor erwähnten Aspekte und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Beschreibung im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen erläutert.
- In den Figuren zeigen:
- Fig. 1 eine Struktur eines Testmusters zum Messen eines herkömmlichen Kontaktwiderstandes;
- Fig. 2 eine Struktur eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung;
- Fig. 3-5 Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zur Herstellung eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes in Fig. 2 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
- Fig. 6-8 Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zur Herstellung eines Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes in Fig. 2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- Die vorliegende Erfindung wird detailliert anhand einer bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen erläutert, in denen gleiche Bezugszeichen zur Identifizierung derselben oder ähnlicher Komponenten verwendet werden.
- Fig. 2 ist eine Struktur eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung.
- Wie aus Fig. 2 ersichtlich, enthält das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen 30 auf einem Test- Wafer 20 zum Definieren einer Mehrzahl aktiver Bereiche 40; eine Mehrzahl von Verbindungsdiffusionschichten 61a, 61b oder 61c in den Wortleitungsbereichen 60, welche die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme 30 und eine Mehrzahl aktiver Bereiche kreuzt; eine Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten 51a, 51b und 51c in einem ersten Leitungskontaktbereich 50, der an einer Seite der Wortleitungsbereiche 60 liegt; eine Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten 71a, 71b und 71c in einem zweiten Leitungskontaktbereich 70, der an der anderen Seite der Wortleitungsbereiche 60 liegt; eine Mehrzahl von Leitungskontaktmustern 500a und 500b in dem ersten Leitungskontaktbereich 50; sowie eine Mehrzahl von Leitungskontaktmustern 700a und 700b in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70. Ein Strompfad 567 ist zur Ausbildung eines dreidimensionalen Stromflusses einschließlich des ersten Leitungskontaktmusters 500a in dem ersten Leitungskontaktbereich 50, einer ersten Source-Diffusionsschicht 51 in dem ersten Leitungskontaktbereich 50, der Verbindungsdiffusionschichten 61a in dem Wortleitungsbereich 60, der ersten Source-Diffusionsschicht 71a in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70, einem ersten Leitungskontaktmuster 700a in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 und der zweiten Source-Diffusionsschicht 71b in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 gebildet.
- Im obigen sind die Source-Diffusionsschichten 51a/71a oder 51b/71b oder 51c/71c neben dem ersten Leitungskontaktbereich 50 und dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 elektrisch durch die Verbindungsdiffusionschichten 61a, 61b oder 61c in dem Wortleitungsbereich 60 verbunden. Jedes der Mehrzahl der Leitungskontaktmuster 500a, 500b, 700a und 700b, welches in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 und 70 gebildet ist, ist derart isoliert/positioniert, daß sie elektrisch nur mit jeder zweiten Source-Diffusionsschicht 51b/51c oder 71a/71b verbunden werden können. Ebenfalls sind die Leitungskontaktmuster 500a und 500b, die in dem ersten Leitungskontaktbereich 50 gebildet sind, und die Leitungskontaktmuster 700a und 700b, die in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 gebildet sind, alternierend positioniert.
- In dem Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes nach der vorliegenden Erfindung kann ein Strom zum Messen des Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs 50 und des zweiten Leitungskontaktbereichs 70 in einer dreidimensionalen Art fließen, wie als Strompfad 567 in Fig. 2 gezeigt. Deshalb kann ein Leitungskontaktwiderstand unter Berücksichtigung des Kontaktwiderstandes am Bereich der Source-Diffusionsschichten 51a, 51b, 51c, 71a, 71b oder 71c gemessen werden.
- Ein Verfahren zur Herstellung des Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes zur Verwendung in einer Halbleitervorrichtung unter Benutzung des selbstausgerichteten Leitungskontakt wird nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 3 bis Fig. 5 und Fig. 6 bis Fig. 8 beschrieben.
- Fig. 3 bis Fig. 5 sind Querschnittansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zur Herstellung eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes in Fig. 2 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 3a, Fig. 4a und Fig. 5a ein Layout illustrieren; Fig. 3b, Fig. 4b und Fig. 5b Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien B-B in Fig. 3a, Fig. 4a bzw. Fig. 5a sind; Fig. 3c, Fig. 4c und Fig. 5c Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien C-C in Fig. 3a, Fig. 4a bzw. Fig. 5a sind; und Fig. 3d, Fig. 4d und Fig. 5d Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien D-D in Fig. 3a, Fig. 4a bzw. Fig. 5a sind.
- Mit Bezug auf Fig. 3 wird die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme 30 in dem Test-Wafer 20 zum Definieren der Mehrzahl aktiver Bereiche 40 gebildet. Der erste Leitungskontaktbereich 50 und der zweite Leitungskontaktbereich 70 werden so definiert, daß ein Paar von Leitungskontaktbereichen zwischen dem Wortleitungsbereich 60 gebildet werden kann. Ein Verunreinigungs-Implantationsprozeß wird zum Bilden der Source- Diffusionsschichten 51a, 51b und 51c in jedem der Mehrzahl aktiver Bereiche 40 des ersten Leitungskontaktbereichs 50, der Verbindungs-Diffusionschichten 61a, 61b und 61c in jedem der Mehrzahl aktiver Bereiche 40 des Wortleitungsbereichs 60 und der Source-Diffusionsschichten 71a, 71b und 71c in jedem der Mehrzahl aktiver Bereiche 40 des zweiten Leitungskontaktbereichs 70 in zeitgleicher Weise implementiert.
- Bei der obigen Darstellung sind der erste Leitungskontaktbereich 50 und der zweite Leitungskontaktbereich 70 elektrisch durch die Mehrzahl von Verbindungsdiffusionschichten 61a, 61b oder 61c miteinander verbunden. Insbesondere sind die ersten Source-Diffusionsschichten 51a und 71a in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 elektrisch durch die erste Verbindungsdiffusionsschicht 61a in dem Wortleitungsbereich 60, die zweiten Source-Diffusionsschichten 51b und 71b in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 elektrisch verbunden durch die zweite Verbindungs- Diffusionsschicht 61b in dem Wortleitungsbereich 60 und die dritten Source-Diffusionsschichten 51c und 71c in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 sind elektrisch verbunden durch die dritte Verbindungs-Diffusionschicht 61c in dem Wortleitungsbereich 60.
- Mit Bezug auf Fig. 4 ist die Wortleitung 61 umgeben von einem Isolationsfilm-Spacer 80 in dem Wortleitungsbereich 60 gebildet. Eine Isolationsschicht 90, deren Oberfläche eingeebnet ist, ist auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung 61 gebildet. Eine selbstausgerichtete Kontaktmaske 100 ist auf der Isolationsschicht 90 gebildet.
- In der obigen Darstellung ist die selbstausgerichtete Kontaktmaske 100 gebildet zur Bedeckung eines oberen Abschnitts der Wortleitung 61, eines oberen Abschnitts eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms 30 zwischen der ersten Source-Diffusionsschicht 51a und der zweiten Source-Diffusionsschicht 51b in dem ersten Leitungskontaktbereich 50 und eines oberen Abschnitts eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms 30 zwischen der zweiten Source-Diffusionsschicht 71b und der dritten Source-Diffusionsschicht 71c in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70.
- Jetzt mit Bezug auf Fig. 5 wird ein selbstausgerichteter Kontakt-Ätzprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske 100 implementiert zur Ausbildung einer Mehrzahl von selbstausgerichteten Kontaktlöchern. Nach der Entfernung der selbstausgerichteten Kontaktmaske 100 wird die Mehrzahl der selbstausgerichteten Kontaktlöcher mit einem leitfähigen Material gefüllt, um die Mehrzahl der Leitungskontaktmuster 500a, 500b, 700a und 700b zu bilden und somit das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung vervollständigt.
- Bei der obigen Darstellung ist die Mehrzahl der Leitungskontaktmuster 500a, 500b, 700a und 700b in einem jeweiligen der ersten und zweiten Leitungskontaktbereiche 50 und 70 isoliert/positioniert. Das erste Leitungskontaktmuster 500a zum elektrischen Verbinden einer Source-Diffusionsschicht (nicht gezeigt) und der ersten Source-Diffusionsschicht 51a und das zweite Leitungskontaktmuster 500b zum elektrischen Verbinden der zweiten und dritten Source-Diffusionsschicht 51b und 51c sind in dem ersten Leitungskontaktbereich 50 isoliert/positioniert. Ebenfalls ist das erste Leitungskontaktmuster 700a zum elektrischen Verbinden der ersten und zweiten Source- Diffusionsschicht 71a und 71b und das zweite Leitungskontaktmuster 700b zum elektrischen Verbinden der dritten Source- Diffusionsschicht 71c und einer (nicht gezeigten) Source- Diffusionsschicht in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 isoliert/positioniert.
- Ein Prozeß zur Herstellung des Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung wird basierend auf einer Design-Regel eines Herstellungsverfahrens für eine tatsächliche Vorrichtung durchgeführt, für die ein Testmuster zur Messung verwendet werden wird.
- Ein Verfahren zum Messen des Kontaktwiderstandes unter Verwendung des Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes nach der vorliegenden Erfindung wird nachstehend in Kürze beschrieben.
- Unter der Annahme, daß die Zahl von Kontakten "N" ist, der Widerstand des Leitungskontaktmusters "Rm" ist, der Widerstand des Kontakts "Rc" ist, der Widerstand der Diffusionsschicht "Rd" ist, die zur Messung des Widerstandes angelegte Spannung "V" ist und der gegenüber der Spannung "V" gemessene Strom "I" ist, kann der Gesamtwiderstand "RT" und der Kontaktwiderstand "Rc" durch folgende Gleichung 1 ermittelt werden.
Gleichung 1
RT = Nx(+ Rc + Rd) = V/I
RC = V/(N × I) - Rm - Rd ∼ V/(N × I) - Rd
- Fig. 6 bis Fig. 8 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens der Herstellung eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstands in Fig. 2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 6a, Fig. 7a und Fig. 8a Layouts darstellen; Fig. 6b, Fig. 7b und Fig. 8b Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien B-B in Fig. 6a, Fig. 7a bzw. Fig. 8a sind; Fig. 6c, Fig. 7c und Fig. 8c Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien C-C in Fig. 6a, Fig. 7a bzw. Fig. 8a sind; und Fig. 6d, Fig. 7d und Fig. 8d Querschnittsansichten des Testmusters, aufgenommen entlang der Linien D-D in Fig. 6a, Fig. 7a bzw. Fig. 8a sind.
- Mit Bezug auf Fig. 6 wird die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme 30 in dem Test-Wafer 20 zum Definieren der Mehrzahl von aktiven Bereichen 40 gebildet. Der erste Leitungskontaktbereich 50 und der zweite Leitungskontaktbereich 70 werden derart definiert, daß der Leitungskontaktbereich ein Paar zwischen den Wortleitungsbereichen 60 bilden kann. Ein Schwellspannungs-Ionen-Implantationsprozeß wird zum Bilden der Schwellspannungs-Ionen-Implantationsbereiche 610a, 610b und 610c in einem jeweiligen der aktiven Bereiche 40 in dem Wortleitungsbereich 60 durchgeführt.
- Nunmehr mit Bezug auf Fig. 7 wird die Wortleitung 61 in dem Wortleitungsbereich 60 gebildet, indem die Mehrzahl der Schwellspannungs-Ionen-Implantationsbereiche 610a, 610b und 610c gebildet ist. Ein Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozeß wird durchgeführt zum Bilden der Source-Diffusionsschichten 51a, 51b und 51c in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche 40 des ersten Leitungskontaktbereichs 50 und der Source-Diffusionsschichten 71a, 71b und 71c in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche 40 in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70. Dann wird der Isolationsfilm- Spacer 80, der die Wortleitung 61 umgibt, durch einen Abscheideprozeß des Isolationsfilms und einem Ätzprozeß des Spacers gebildet. Als nächstes wird die Isolationsschicht 90, deren Oberfläche eingeebnet ist, auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung 61 gebildet. Als nächstes wird die selbstausgerichtete Kontaktmaske 100 auf der Isolationsschicht 90 gebildet.
- In der obigen Darstellung sind der erste Leitungskontaktbereich 50 und der zweite Leitungskontaktbereich 70 elektrisch verbunden durch die Mehrzahl der Schwellspannungs-Ionen- Implantationsbereiche 610a, 610b und 610c. Insbesondere sind die ersten Source-Diffusionsschichten 51a und 71a in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 elektrisch verbunden durch den ersten Schwellspannungs-Ionen- Implantationsbereich 610a in dem Wortleitungsbereich 60, und sind die zweiten Source-Diffusionsschichten 51b und 71b in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 elektrisch verbunden durch den zweiten Schwellspannungs- Ionen-Implantationsbereich 610b in dem Wortleitungsbereich 60 und sind die dritten Source-Diffusionsschichten 51c und 71c in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 bzw. 70 elektrisch verbunden durch den dritten Schwellspannungs- Ionen-Implantationsbereich 610c in dem Wortleitungsbereich 60. Zur elektrischen Verbindung muß eine Spannung an die Wortleitungsbereich 60 zur Ausbildung eines Kanals angelegt werden.
- Die selbstausgerichtete Kontaktmaske 100 wird gebildet als Bedeckung eines oberen Abschnitts der Wortleitung 61, eines oberen Abschnitts eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms 30 zwischen der ersten Source-Diffusionsschicht 51a und der zweiten Source-Diffusionsschicht 51b im ersten Leitungskontaktbereich 50 und eines oberen Abschnitts eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms 30 zwischen der zweiten Source-Diffusionsschicht 71b und der dritten Source-Diffusionsschicht 71c in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70.
- Jetzt mit Bezug auf Fig. 8 wird ein selbstausgerichteter Kontakt-Ätzprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske 100 durchgeführt zur Ausbildung der Mehrzahl der selbstausgerichteten Kontaktlöcher. Nachdem die selbstausgerichtete Kontaktmaske 100 entfernt ist, wird die Mehrzahl der selbstausgerichteten Kontaktlöcher mit einem leitfähigen Material zum Bilden der Mehrzahl von Leitungskontaktmustern 500a, 500b, 700a und 700b gefüllt, um somit das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung zu vervollständigen.
- Bei der obigen Darstellung ist die Mehrzahl der Leitungskontaktmuster 500a, 500b, 700a und 700b in einem jeweiligen der ersten und zweiten Leitungskontaktbereiche 50 bzw. 70 isoliert/positioniert. Das erste Leitungskontaktmuster 500a zum elektrischen Verbinden an eine (nicht gezeigte) Source- Diffusionsschicht und der ersten Source-Diffusionsschicht 51a und das zweite Leitungskontaktmuster 500b zum elektrischen Verbinden der zweiten und dritten Source-Diffusionsschicht 51b und 51c sind in dem ersten Leitungskontaktbereich 50 isoliert/positioniert. Ebenfalls sind das erste Leitungskontaktmuster 700a zum elektrischen Verbinden der ersten und zweiten Source-Diffusionsschicht 71a und 71b und das zweite Leitungskontaktmuster 700b zum elektrischen Verbinden der dritten Source-Diffusionsschicht 71c und der (nicht gezeigten) Source-Diffusionsschicht sind in dem zweiten Leitungskontaktbereich 70 isoliert/positioniert.
- Ein Prozeß zum Herstellen des Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstandes gemäß der vorliegenden Erfindung wird basierend auf einer Design-Regel eines Verfahrens zum Herstellen einer tatsächlichen Vorrichtung durchgeführt, für die ein Testmuster zur Messung verwendet werden wird.
- Die erste und zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen des Kontaktwiderstands. Das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands, welches durch die erste Ausführungsform hergestellt wird, und das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands, welches durch die zweite Ausführungsform hergestellt wird, sind strukturgleich wie das Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstandes, das in Fig. 2 gezeigt ist. Bei dem Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands, welches durch die zweite Ausführungsform hergestellt wird, muß jedoch eine Spannung zwischen der Wortleitung 61 und zwischen dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich 50 und 70 angelegt werden, um den Kontaktwiderstand zu messen, und eine Spannung darf nicht an die Wortleitung 61 außerhalb des ersten und zweiten Leitungskontaktbereichs 50 und 70 angelegt werden.
- Wie zuvor erwähnt, hat die vorliegende Erfindung außergewöhnliche Vorteile insofern, als daß sie leicht einen Kontaktwiderstand für eine Halbleitervorrichtung messen kann und im voraus ein Problem diagnostizieren kann, das bei einer tatsächlichen Vorrichtung auftreten kann, nämlich basierend auf den gemessenen Kontaktwiderstandsdaten, bevor ein tatsächlicher Prozeß zum Herstellen der Vorrichtung unter Verwendung eines selbstausgerichteten Leitungskontakts durchgeführt wird.
- Weiterhin kann die vorliegende Erfindung nicht nur ein neues Verfahren zum Reduzieren des Kontaktwiderstands in Betracht ziehen, sondern kann ebenfalls bestimmen, in welchem Ausmaß der Zellbereich reduziert werden kann. Zusätzlichermaßen kann die vorliegende Erfindung nicht nur den Durchsatz der Vorrichtung erhöhen, sondern ebenfalls unnötige Zeit und Kosten durch Verhinderung von defekten Vorrichtungen im voraus reduzieren.
- Die vorliegende Erfindung wurde beschrieben in Bezug auf eine bestimmte Ausführungsform in Verbindung mit einer bestimmten Anwendung. Die Fachleute werden erkennen, daß zahlreiche Modifikationen und Anwendungen innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung liegen.
- Daher sollen durch die angehängten Patentansprüche alle solchen Anwendungen, Modifikationen und Ausführungsformen innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung abgedeckt werden.
Claims (17)
1. Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands mit:
einem Test-Wafer, in dem eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen zur Bildung einer Mehrzahl von aktiven Bereichen gebildet sind;
einer Mehrzahl von Verbindungsdiffusionschichten, gebildet in einem Wortleitungsbereich, welche die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme und die Mehrzahl der aktiven Bereiche kreuzt;
einer Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, gebildet in einem ersten Leitungskontaktbereich, der auf einer Seite des Wortleitungsbereichs liegt;
einer Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, gebildet in einem zweiten Leitungskontaktbereich, der an der anderen Seite des Wortleitungsbereichs liegt; und
einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern, gebildet in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Kontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art und Weise fließt.
einem Test-Wafer, in dem eine Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen zur Bildung einer Mehrzahl von aktiven Bereichen gebildet sind;
einer Mehrzahl von Verbindungsdiffusionschichten, gebildet in einem Wortleitungsbereich, welche die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme und die Mehrzahl der aktiven Bereiche kreuzt;
einer Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, gebildet in einem ersten Leitungskontaktbereich, der auf einer Seite des Wortleitungsbereichs liegt;
einer Mehrzahl von Source-Diffusionsschichten, gebildet in einem zweiten Leitungskontaktbereich, der an der anderen Seite des Wortleitungsbereichs liegt; und
einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern, gebildet in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Kontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art und Weise fließt.
2. Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands nach
Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Wortleitungsbereich, der erste Leitungskontaktbereich
und der zweite Leitungskontaktbereich nebeneinander
angeordnet sind.
3. Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands nach
Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Source-Diffusionsschicht in dem ersten
Leitungskontaktbereich und die Source-Diffusionsschicht in dem zweiten
Leitungskontaktbereich durch eine
Verbindungsdiffusionsschicht in dem Wortleitungsbereich elektrisch verbunden sind.
4. Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands nach
Anspruch 1, wobei eines der Mehrzahl der Leitungskontaktmuster
in dem ersten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der
Mehrzahl der Source-Diffusionsschichten in dem ersten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren
Leitungskontaktmuster isoliert/positioniert ist.
5. Testmuster zum Messen des Kontaktwiderstands nach
Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Mehrzahl von Leitungskontaktmuster in dem
zweiten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der Mehrzahl der
Source-Diffusionsschichten in dem zweiten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren Leitungskontaktmuster
isoliert/positioniert ist.
6. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes mit den Schritten:
Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen auf einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl aktiver Bereichen;
Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses zum gleichzeitigen Bilden einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs, einer Verbindungs-Diffusionschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche einer Wortleitung und einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs;
Bilden einer Wortleitung, umgeben von einem Isolationsfilm-Spacer in dem Wortleitungsbereich;
Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche eingeebnet ist, auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung;
Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und
Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich über einen selbstausgerichteten Kontaktprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art fließt.
Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen auf einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl aktiver Bereichen;
Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses zum gleichzeitigen Bilden einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs, einer Verbindungs-Diffusionschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche einer Wortleitung und einer Source-Diffusionsschicht in einer Mehrzahl aktiver Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs;
Bilden einer Wortleitung, umgeben von einem Isolationsfilm-Spacer in dem Wortleitungsbereich;
Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche eingeebnet ist, auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung;
Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und
Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich über einen selbstausgerichteten Kontaktprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung in einer dreidimensionalen Art fließt.
7. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Wortleitungsbereich, der erste Leitungskontaktbereich
und der zweite Leitungskontaktbereich nebeneinander
angeordnet sind und die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme und
die Mehrzahl der aktiven Bereiche kreuzen.
8. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstands nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Source-Diffusionsschicht in dem ersten
Leitungskontaktbereich und die Source-Diffusionsschicht in dem zweiten
Leitungskontaktbereich elektrisch durch eine
Verbindungsdiffusionsschicht in dem Wortleitungsbereich verbunden sind.
9. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstands nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Mehrzahl von Leitungskontaktmuster in dem
ersten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der Mehrzahl der
Source-Diffusionsschichten in dem ersten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren Leitungskontaktmuster
isoliert/positioniert ist.
10. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Mehrzahl der Leitungskontaktmuster in dem
zweiten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der Mehrzahl von
Source-Diffusionsschichten in dem zweiten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren Leitungskontaktmuster
isoliert/positioniert ist.
11. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine selbstausgerichtete Kontaktmaske zur Bedeckung eines
oberen Abschnitts der Wortleitung, eines oberen Abschnitts
eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms zwischen der
ersten Source-Diffusionsschicht und der zweiten Source-
Diffusionsschicht in dem ersten Leitungskontaktbereich und
eines oberen Abschnitts eines Bereichs des
Vorrichtungsisolationsfilms zwischen der zweiten Source-Diffusionsschicht und
der dritten Source-Diffusionsschicht in dem zweiten
Leitungskontaktbereich gebildet wird.
12. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstands mit den Schritten:
Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen in einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl von aktiver Bereichen;
Durchführen eines Schwellspannungs-Ionen-Implantationsprozesses zum Bilden eines Schwellspannungs-Ionen-Implantationsbereichs in der Mehrzahl der aktiven Bereiche in einem Wortleitungsbereich;
Bilden einer Wortleitung in dem Wortleitungsbereich;
Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses zum Bilden einer Source-Diffusionsschicht in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs und einer Source-Diffusionsschicht in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs;
Bilden eines Isolationsfilm-Spacers, der die Wortleitung umgibt;
Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche eingeebnet ist, auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung;
Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und
Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich über einen selbstausgerichteten Kontaktprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung auf dreidimensionale Weise fließt.
Bilden einer Mehrzahl von Vorrichtungsisolationsfilmen in einem Test-Wafer zum Definieren einer Mehrzahl von aktiver Bereichen;
Durchführen eines Schwellspannungs-Ionen-Implantationsprozesses zum Bilden eines Schwellspannungs-Ionen-Implantationsbereichs in der Mehrzahl der aktiven Bereiche in einem Wortleitungsbereich;
Bilden einer Wortleitung in dem Wortleitungsbereich;
Durchführen eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses zum Bilden einer Source-Diffusionsschicht in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines ersten Leitungskontaktbereichs und einer Source-Diffusionsschicht in einem jeweiligen der Mehrzahl der aktiven Bereiche eines zweiten Leitungskontaktbereichs;
Bilden eines Isolationsfilm-Spacers, der die Wortleitung umgibt;
Bilden einer Isolationsschicht, deren Oberfläche eingeebnet ist, auf der gesamten Struktur einschließlich der Wortleitung;
Bilden einer selbstausgerichteten Kontaktmaske auf der Isolationsschicht; und
Bilden einer Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem ersten und zweiten Leitungskontaktbereich über einen selbstausgerichteten Kontaktprozeß unter Verwendung der selbstausgerichteten Kontaktmaske;
wobei das in dem ersten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster und das in dem zweiten Leitungskontaktbereich gebildete Leitungskontaktmuster alternierend positioniert sind und wobei ein Strom zum Messen eines Widerstandes entlang des ersten Leitungskontaktbereichs und des zweiten Leitungskontaktbereichs zwischen der Wortleitung auf dreidimensionale Weise fließt.
13. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Wortleitungsbereich, der erste Leitungskontaktbereich
und der zweite Leitungskontaktbereich nebeneinander
angeordnet sind und die Mehrzahl der Vorrichtungsisolationsfilme und
die Mehrzahl der aktiven Bereiche kreuzen.
14. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Source-Diffusionsschicht in dem ersten
Leitungskontaktbereich und die Source-Diffusionsschicht in dem zweiten
Leitungskontaktbereich elektrisch durch einen Kanal
verbindbar sind, der in einem
Schwellspannungs-Ionen-Implantationsbereich durch Anlegen einer Spannung an die Wortleitung in
dem Wortleitungsbereich bildbar ist.
15. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Mehrzahl der Leitungskontaktmuster in dem
ersten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der Mehrzahl der
Source-Diffusionsschichten in dem ersten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren Leitungskontaktmuster
isoliert/positioniert ist.
16. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Mehrzahl von Leitungskontaktmustern in dem
zweiten Leitungskontaktbereich elektrisch zwei der Mehrzahl
von Source-Diffusionsschichten in dem zweiten
Leitungskontaktbereich verbindet und von einem weiteren
Leitungskontaktmuster isoliert/positioniert ist.
17. Verfahren zum Herstellen eines Testmusters zum Messen
des Kontaktwiderstandes nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die selbstausgerichtete Kontaktmaske zum Bedecken eines
oberen Abschnitts der Wortleitung, eines oberen Abschnitts
eines Bereichs des Vorrichtungsisolationsfilms zwischen der
ersten Source-Diffusionsschicht und der zweiten Source-
Diffusionsschicht in dem ersten Leitungskontaktbereich und
eines oberen Bereichs eines Abschnitts des
Vorrichtungsisolationsfilms zwischen der zweiten Source-Diffusionsschicht und
der dritten Source-Diffusionsschicht in dem zweiten
Leitungskontaktbereich gebildet wird.
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