DE19811297A1 - MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung - Google Patents
MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher DurchbruchspannungInfo
- Publication number
- DE19811297A1 DE19811297A1 DE19811297A DE19811297A DE19811297A1 DE 19811297 A1 DE19811297 A1 DE 19811297A1 DE 19811297 A DE19811297 A DE 19811297A DE 19811297 A DE19811297 A DE 19811297A DE 19811297 A1 DE19811297 A1 DE 19811297A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- drift layer
- semiconductor device
- conductivity type
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 253
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
- H01L29/7808—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a breakdown diode, e.g. Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
Claims (34)
einer ersten MOS-Halbleiteranordnung (1), durch die ein erster Strom fließt und die eine Sourceelektrode (S) und eine Gateelektrode (G) enthält,
einer zweiten MOS-Halbleiteranordnung (2), durch die ein zweiter Strom fließt, der klei ner ist als der erste Strom, wobei die zweite MOS-Halbleiteranordnung (2) im wesentlichen den gleichen Aufbau wie die erste MOS-Halbleiteranordnung (1) besitzt und eine Sourceelektrode (S) und eine Gateelektrode (G) enthält, wobei die erste MOS-Halbleiteranordnung (1) und die zweite MOS-Halbleiteranordnung (2) auf dem gleichen Halbleitersubstrat ausgebildet sind und eine gemeinsame Drainelektrode (D) aufweisen, und wobei die Gateelektrode (G) der zweiten MOS-Halbleiteranordnung (2) mit der gemeinsamen Drainelektrode (D) verbunden ist, und
einer Mehrzahl von Zenerdioden (3), die in Reihe geschaltet sind und die zwischen der Sourceelektrode (S) der zweiten MOS-Halbleiteranordnung (2) und der Gateelektrode (G) der ersten MOS-Halbleiteranordnung (1) angeordnet sind, wobei wenigstens zwei Zenerdioden der Mehrzahl von Zenerdioden (3) entgegengesetzt zu anderen geschaltet sind.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen gewandt sind,
eine einen ersten Leitungstyp aufweisende Driftschicht (23),
eine einen zweiten Leitungstyp aufweisende Basiszone (24), die in einem Oberflächen bereich der den ersten Leitungstyp aufweisenden Driftschicht (23) auf der der ersten Hauptflä che entsprechenden Seite ausgebildet ist,
eine den ersten Leitungstyp aufweisende Sourcezone (26), die von der den ersten Leitungstyp aufweisenden Driftschicht (23) beabstandet ausgebildet ist, wobei die Basiszone (24) zwischen der Sourcezone (26) und der Driftschicht (23) angeordnet ist,
eine Gateelektrodenschicht (28), die auf einem Gateisolierfilm (27) oberhalb einer Fläche der den zweiten Leitungstyp aufweisenden Basiszone (24), die zwischen der den ersten Leitungstyp aufweisenden Sourcezone (26) und der den ersten Leitungstyp aufweisenden Driftschicht (23) eingefügt ist, ausgebildet ist,
eine Sourceelektrode (29), die so ausgebildet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone (26) als auch mit der Basiszone (24) in Kontakt steht, eine Drainschicht (21), die an einer auf der Seite der zweiten Hauptfläche liegenden Oberfläche der Driftschicht (23) ausgebildet ist,
eine Drainelektrode (30), die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit der Drainschicht (21) in Kontakt steht, und
eine Gateelektrode (4), die so ausgebildet ist, daß sie mit der Gateelektrodenschicht (28) in Kontakt steht.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen gewandt sind,
eine Driftschicht (43), die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifi schen Widerstand besitzt,
eine Basiszone (44, 54) die einen zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflä chenbereich der den ersten Leitungstyp aufweisenden Driftschicht (43) auf der bei der ersten Hauptfläche liegenden Seite ausgebildet ist,
eine Sourcezone (46, 56), die den ersten Leitungstyp aufweist und von der den ersten Leitungstyp aufweisender Driftschicht (43) beabstandet ausgebildet ist, wobei die Basiszone (44, 54) zwischen der Sourcezone (46, 56) und der Driftschicht (43) angeordnet ist,
einen Graben (40), der in der den ersten Leitungstyp aufweisenden Driftschicht (43) derart ausgebildet ist, daß die Sourcezone (46, 56) an einer Innenwand des Grabens (40) freiliegt oder endet, wobei der Graben (40) eine Tiefe aufweist, die größer ist als diejenige der Basiszone (44, 54),
eine Gateelektrodenschicht (48, 58), die in dem Graben angeordnet ist, wobei ein Gate isolierfilm (47, 57) einen zwischen der Gateelektrodenschicht (48, 58) und der Innenwand des Grabens (40) liegenden Raum ausfüllt,
eine Drainschicht (41), die auf einer Oberfläche der Driftschicht (43) auf der Seite der zweiten Hauptfläche ausgebildet ist,
eine Drainelektrode (50), die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht (41) in Kontakt steht, und
eine Gateelektrode, die in Kontakt mit der Gateelektrodenschicht (48, 58) steht.
einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die in entgegengesetzte Rich tungen weisen,
einer Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
einer Basiszone, die einen zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbe reich der Driftschicht auf der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
einer Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet ausgebildet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist,
einer Gateelektrodenschicht, die auf einem Gateisolierfilm oberhalb einer Fläche der Basiszone, die zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist, ausgebildet ist,
einer Sourceelektrode, die so angeordnet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
einer Drainschicht, die den zweiten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist,
einer Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit der Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
einer Gateelektrode, die mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt steht, und
einer Ballastwiderstandsschicht, die zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist und die einen Abschnitt enthält, der einen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,05 bis 1 Ω.cm und eine Dicke im Bereich von ungefähr 30 µm bis 80 µm aufweist.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen weisen,
eine Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp besitzt und einen hohen spezifischen Widerstand aufweist,
eine Basiszone, die den zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbereich der Driftschicht an der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
eine Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet ausgebildet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist,
eine Gateelektrodenschicht, die auf einem Gateisolierfilm oberhalb einer Fläche der Basiszone, die zwischen der Sourcezone und der Driftschicht eingefügt ist, angeordnet ist,
eine Sourceelektrode, die so ausgebildet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
eine Drainschicht, die den zweiten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
eine Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
eine Gateelektrode, die mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt steht, und
eine Ballastwiderstandsschicht, die zwischen der Driftschicht und der Drainschicht vorgesehen ist und die einen Abschnitt enthält, der einen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,05 bis 1 Ω.cm und eine Dicke im Bereich von ungefähr 30 µm bis 80 µm aufweist.
einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die in entgegengesetzte Rich tungen weisen,
einer Driftschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
einer Basiszone, die den zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbereich der Driftschicht auf der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist,
einer Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet angeordnet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist,
einem Graben, der in der Driftschicht derart angeordnet ist, daß die Sourcezone an einer Innenwand des Grabens freigelegt ist, wobei der Graben eine Tiefe aufweist, die größer ist als diejenige der Basiszone,
einer Gateelektrodenschicht, die in dem Graben ausgebildet ist, wobei ein Gateisolier film einen Zwischenraum zwischen der Gateelektrodenschicht und der Innenwand des Grabens ausfüllt,
einer Sourceelektrode, die so ausgebildet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
einer Drainschicht, die den zweiten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
einer Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche angeordnet ist und mit einer Ober fläche der Drainschicht in Kontakt steht,
einer Gateelektrode, die mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt steht, und
einer Ballastwiderstandsschicht, die zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist und einen Abschnitt aufweist, der einen spezifischen Widerstand in einem Bereich von 0,05 bis 1 Ω.cm und eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 30 µm bis 80 µm aufweist.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen weisen,
eine Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
eine Basiszone, die einen zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbe reich der Driftschicht auf der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist,
eine Sourcezone, die den ersten Leitungstyp besitzt und von der Driftschicht beabstan det angeordnet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeord net ist,
einen Graben, der in der Driftschicht derart angeordnet ist, daß die Sourcezone an einer Innenwand des Grabens freigelegt ist, wobei der Graben eine Tiefe aufweist, die größer ist als die Tiefe der Basiszone,
eine Gateelektrodenschicht, die in dem Graben angeordnet ist, wobei ein Gateisolierfilm einen Raum zwischen der Gateelektrodenschicht und der Innenwand des Grabens ausfüllt, eine Sourceelektrode, die so angeordnet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
eine Drainschicht, die den zweiten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist,
eine Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
eine Gateelektrode, die mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt steht, und
eine Ballastwiderstandsschicht, die zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist und einen Abschnitt enthält, der einen spezifischen Widerstand in dem Bereich von 0,05 bis 1 Ω.cm und eine Dicke im Bereich von ungefähr 30 µm bis 80 µm aufweist.
einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die in entgegengesetzte Rich tungen gewandt sind,
einer Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
einer Basiszone, die den zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbereich der Driftschicht auf der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist,
einer Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht unter Zwischenlage der Basiszone beabstandet ist,
einer Gateelektrodenschicht, die auf einem Gateisolierfilm oberhalb einer Fläche der Basiszone, die zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist, ausgebildet ist,
einer Sourceelektrode, die so angeordnet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
einer Drainschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und auf einer Oberfläche der Driftschicht an der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist, wobei die Drainschicht einen kleineren spezifischen Widerstand als die erste Driftschicht aufweist,
einer Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
einer Gateelektrode, die mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt steht, und
einer Ballastwiderstandsschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist, wobei die Ballastwiderstandsschicht eine Zone bereitstellt, die nicht verarmt wird, wenn ein Lawinendurchbruch bei dem Anlegen einer hohen Spannung an die MOS-Halbleitervorrichtung, die in den ausgeschalteten Zustand versetzt ist oder wird, auftritt, wobei die Ballastwiderstandsschicht einen spezifischen Widerstand besitzt, der im wesentlichen gleich groß wie oder kleiner als der spezifische Widerstand der Driftschicht ist und der größer ist als ein Zehntel des spezifischen Widerstands der ersten Driftschicht, und wobei die Dicke der Ballastwiderstandsschicht mindestens ungefähr 1 µm beträgt.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen weisen,
eine Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
eine Basiszone, die einen zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbe reich der Driftschicht an der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
eine Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet ausgebildet ist, wobei die Basiszone zwischen der Driftschicht und der Sourcezone liegt,
eine Gateelektrodenschicht, die auf einem Gateisolierfilm oberhalb einer Fläche der Basiszone, die zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist, ausgebildet ist,
eine Sourceelektrode, die so angeordnet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
eine Drainschicht, die an einer Oberfläche der Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist und die einen kleineren spezifischen Wider stand als die Driftschicht aufweist,
eine Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so ausgebildet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
eine Gateelektrode, die sich in Kontakt mit der Gateelektrodenschicht befindet, und
eine Ballastwiderstandsschicht, die zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist, wobei die Ballastwiderstandsschicht eine Zone bereitstellt, die nicht verarmt wird, wenn ein Lawinendurchbruch bei dem Anliegen einer hohen Spannung an der MOS-Halbleitervorrichtung, die in den ausgeschalteten Zustand gebracht ist, auftritt, wobei die Ballastwiderstandsschicht einen spezifischen Widerstand aufweist, der im wesentlichen gleich groß wie oder kleiner ist als der spezifische Widerstand der Driftschicht und größer ist als ein Zehntel dieses spezifischen Widerstands der Driftschicht, und wobei die Ballastwiderstands schicht eine Dicke von mindestens ungefähr 1 µm aufweist.
einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die in entgegengesetzte Rich tungen weisen,
einer Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
einer Basiszone, die einen zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbe reich der Driftschicht an der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
einer Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht liegt,
einem Graben, der in der Driftschicht derart ausgebildet ist, daß die Sourcezone an einer Innenwand des Grabens freigelegt ist, wobei der Graben eine Tiefe besitzt, die größer ist als die Tiefe der zweiten Basiszone,
einer Gateelektrodenschicht, die in dem Graben angeordnet ist, wobei ein Gateisolier film einen Zwischenraum zwischen der Gateelektrodenschicht und der Innenwand des Grabens ausfüllt,
einer Sourceelektrode, die so ausgebildet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
einer Drainschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der den ersten Leitungstyp besitzenden Driftschicht auf der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist, wobei die Drainschicht einen kleineren spezifischen Widerstand als die Driftschicht besitzt,
einer Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche angeordnet ist und sich mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt befindet, einer Gateelektrode, die sich mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt befindet, und
einer Ballastwiderstandsschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und zwischen der Driftschicht und der Drainschicht angeordnet ist, wobei die Ballastwiderstandsschicht eine Zone bereitstellt, die nicht verarmt wird, wenn ein Lawinendurchbruch bei dem Anliegen einer hohen Spannung an der MOS-Halbleitervorrichtung, die in einen ausgeschalteten Zustand versetzt ist, auftritt, wobei die Ballastwiderstandsschicht einen spezifischen Widerstand aufweist, der im wesentlichen gleich groß wie oder kleiner als der spezifische Widerstand der Driftschicht und größer als ein Zehntel dieses spezifischen Widerstands der Driftschicht ist, und wobei die Dicke der Ballastwiderstandsschicht mindestens ungefähr 1 µm beträgt.
eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die in entgegengesetzte Richtun gen weisen,
eine Driftschicht, die einen ersten Leitungstyp aufweist und einen hohen spezifischen Widerstand besitzt,
eine Basiszone, die den zweiten Leitungstyp aufweist und in einem Oberflächenbereich der Driftschicht an der der ersten Hauptfläche entsprechenden Seite ausgebildet ist,
eine Sourcezone, die den ersten Leitungstyp aufweist und von der Driftschicht beab standet angeordnet ist, wobei die Basiszone zwischen der Sourcezone und der Driftschicht angeordnet ist,
einen Graben, der in der Driftschicht derart ausgebildet ist, daß die Sourcezone an einer Innenwand des Grabens freigelegt ist, wobei der Graben eine Tiefe aufweist, die größer ist als die Tiefe der Basiszone,
eine Gateelektrodenschicht, die in dem Graben angeordnet ist, wobei ein Gateisolierfilm einen Zwischenraum zwischen der Gateelektrodenschicht und der Innenwand des Grabens ausfüllt,
eine Sourceelektrode, die so angeordnet ist, daß sie sowohl mit der Sourcezone als auch mit der Basiszone in Kontakt steht,
eine Drainschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und an einer Oberfläche der Driftschicht an der der zweiten Hauptfläche entsprechenden Seite angeordnet ist und die einen kleineren spezifischen Widerstand als die erste Driftschicht aufweist,
eine Drainelektrode, die an der zweiten Hauptfläche so angeordnet ist, daß sie mit einer Oberfläche der Drainschicht in Kontakt steht,
eine Gateelektrode, die sich mit der Gateelektrodenschicht in Kontakt befindet, und
eine Ballastwiderstandsschicht, die den ersten Leitungstyp aufweist und zwischen der Driftschicht und der Drainschicht vorgesehen ist, wobei die Ballastwiderstandsschicht eine Zone bereitstellt, die nicht verarmt wird, wenn ein Lawinendurchbruch bei dem Anliegen einer hohen Spannung an der MOS-Halbleitervorrichtung, die in einen ausgeschalteten Zustand versetzt ist oder wird, auftritt, wobei die Ballastwiderstandsschicht einen spezifischen Widerstand aufweist, der im wesentlichen gleich groß wie oder kleiner als der spezifische Widerstand der Driftschicht ist, jedoch größer ist als ein Zehntel des spezifischen Widerstands der Driftschicht, und wobei die Ballastwiderstandsschicht eine Dicke aufweist, die mindestens ungefähr 1 um beträgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6353597 | 1997-03-17 | ||
JP9-063535 | 1997-03-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19811297A1 true DE19811297A1 (de) | 1998-09-24 |
DE19811297B4 DE19811297B4 (de) | 2009-03-19 |
Family
ID=13232015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19811297A Expired - Lifetime DE19811297B4 (de) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6246092B1 (de) |
DE (1) | DE19811297B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000033380A1 (de) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Infineon Technologies Ag | Steuerbares halbleiterbauelement mit einem gatevorwiderstand |
WO2000079596A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Lockheed Martin Corporation | Cmos device with diodes connected between input node and gate electrodes |
DE10004548B4 (de) * | 1999-02-05 | 2010-12-30 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Trench-IGBT |
WO2020260301A1 (fr) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Dispositif de sécurité pour interrupteur électronique et système électrique comportant un tel dispositif |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19811297B4 (de) * | 1997-03-17 | 2009-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung |
US6885275B1 (en) * | 1998-11-12 | 2005-04-26 | Broadcom Corporation | Multi-track integrated spiral inductor |
US6538279B1 (en) * | 1999-03-10 | 2003-03-25 | Richard A. Blanchard | High-side switch with depletion-mode device |
JP4169879B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2008-10-22 | 新電元工業株式会社 | 高耐圧トランジスタ |
DE10001865B4 (de) * | 2000-01-18 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verarbeitungsverfahren zum Verarbeiten des Halbleiterbauelements |
DE10014660C2 (de) * | 2000-03-24 | 2002-08-29 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung mit einer durch einen Hohlraum von einer Driftstrecke getrennten Trenchelektrode |
WO2002013235A2 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Advanced Power Technology, Inc. | Power mos device with asymmetrical channel structure |
JP2002208702A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
JP3506676B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2004-03-15 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4846106B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2011-12-28 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 |
JP3764343B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2006-04-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
DE10111462A1 (de) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Thyristorstruktur und Überspannungsschutzanordnung mit einer solchen Thyristorstruktur |
US6633063B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-10-14 | Semiconductor Components Industries Llc | Low voltage transient voltage suppressor and method of making |
JP3906052B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP3703435B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2005-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4136778B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2008-08-20 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
US20070295723A1 (en) * | 2005-03-16 | 2007-12-27 | Helen Of Troy Limited, A Barbados Company | Vessel with indicia and caddy |
JP4955222B2 (ja) | 2005-05-20 | 2012-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4989085B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-08-01 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5307973B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2013-10-02 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
JP5511124B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2014-06-04 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP2008085188A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US7511357B2 (en) * | 2007-04-20 | 2009-03-31 | Force-Mos Technology Corporation | Trenched MOSFETs with improved gate-drain (GD) clamp diodes |
JP5138274B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2013-02-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US7897997B2 (en) * | 2008-02-23 | 2011-03-01 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Trench IGBT with trench gates underneath contact areas of protection diodes |
JP5337470B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-11-06 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US20110079848A1 (en) * | 2008-05-28 | 2011-04-07 | Nxp B.V. | Semiconductor device with dummy gate electrode and corresponding integrated circuit and manufacturing method |
US8164162B2 (en) * | 2009-06-11 | 2012-04-24 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Power semiconductor devices integrated with clamp diodes sharing same gate metal pad |
US20110006409A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-13 | Gruenhagen Michael D | Nickel-titanum contact layers in semiconductor devices |
TWI387094B (zh) * | 2009-10-08 | 2013-02-21 | Anpec Electronics Corp | 具備汲極電壓保護之功率半導體元件及其製作方法 |
JP2012054378A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP5777319B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2015-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5655931B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-01-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5990437B2 (ja) * | 2012-09-10 | 2016-09-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US20140264434A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Monolithic ignition insulated-gate bipolar transistor |
US10177228B2 (en) | 2015-01-14 | 2019-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2018067570A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10366976B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-07-30 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN106847750B (zh) * | 2017-01-19 | 2020-04-03 | 上海宝芯源功率半导体有限公司 | 一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法 |
CN110061055A (zh) * | 2018-01-19 | 2019-07-26 | 无锡华润微电子有限公司 | 碳化硅复合mos器件及碳化硅复合mos器件的制作方法 |
CN110875303B (zh) * | 2018-08-31 | 2022-05-06 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种瞬态电压抑制器件及其制造方法 |
JP7293592B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2023-06-20 | 富士電機株式会社 | 半導体素子及び半導体装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212396A (en) | 1983-11-30 | 1993-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductivity modulated field effect transistor with optimized anode emitter and anode base impurity concentrations |
JPS6273766A (ja) | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
IT1218200B (it) | 1988-03-29 | 1990-04-12 | Sgs Thomson Microelectronics | Procedimento di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore mos di poterza a modulazione di conducibilita' (himos) e dispositivi con esso ottenuti |
JPH0292111A (ja) | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | アナログスイッチ回路およびこれを用いた表示装置 |
JPH02185069A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-07-19 | Motorola Inc | 高エネルギー阻止能力及び温度補償された阻止電圧を具備する半導体デバイス |
JPH02266712A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US5079608A (en) | 1990-11-06 | 1992-01-07 | Harris Corporation | Power MOSFET transistor circuit with active clamp |
JPH04364784A (ja) | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Fuji Electric Co Ltd | Mos型半導体素子駆動回路 |
JPH05160407A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Nippondenso Co Ltd | 縦型絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
GB9207860D0 (en) * | 1992-04-09 | 1992-05-27 | Philips Electronics Uk Ltd | A semiconductor component |
US5488236A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-30 | North Carolina State University | Latch-up resistant bipolar transistor with trench IGFET and buried collector |
DE69428894T2 (de) * | 1994-08-02 | 2002-04-25 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania | Bipolartransistor mit isolierter Steuerelektrode |
JPH08255902A (ja) | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型半導体装置とその製造方法 |
US5605865A (en) * | 1995-04-03 | 1997-02-25 | Motorola Inc. | Method for forming self-aligned silicide in a semiconductor device using vapor phase reaction |
JP3331846B2 (ja) | 1995-12-28 | 2002-10-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
DE19811297B4 (de) * | 1997-03-17 | 2009-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung |
-
1998
- 1998-03-16 DE DE19811297A patent/DE19811297B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-17 US US09/042,544 patent/US6246092B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-05 US US09/799,430 patent/US6548865B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000033380A1 (de) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Infineon Technologies Ag | Steuerbares halbleiterbauelement mit einem gatevorwiderstand |
DE10004548B4 (de) * | 1999-02-05 | 2010-12-30 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Trench-IGBT |
WO2000079596A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Lockheed Martin Corporation | Cmos device with diodes connected between input node and gate electrodes |
US6429492B1 (en) | 1999-06-23 | 2002-08-06 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. | Low-power CMOS device and logic gates/circuits therewith |
WO2020260301A1 (fr) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Dispositif de sécurité pour interrupteur électronique et système électrique comportant un tel dispositif |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19811297B4 (de) | 2009-03-19 |
US6246092B1 (en) | 2001-06-12 |
US6548865B2 (en) | 2003-04-15 |
US20010009287A1 (en) | 2001-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19811297B4 (de) | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung | |
DE112016003510B4 (de) | HALBLEITERVORRlCHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG | |
DE102018103973B4 (de) | Siliziumcarbid-halbleiterbauelement | |
DE112015004515B4 (de) | Halbleitervorrichtungen | |
DE112014001838B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit zwei Schottky-Übergängen | |
DE19824514B4 (de) | Diode | |
DE19701189B4 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE69305909T2 (de) | Leistungsanordnung mit isoliertem Gate-Kontakt-Gebiet | |
DE102019115161A1 (de) | Leistungsvorrichtung mit superübergang und schottky-diode | |
DE19954352A1 (de) | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE10203479A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE102018103849B4 (de) | Siliziumcarbid-Halbleiterbauelement mit einer in einer Grabenstruktur ausgebildeten Gateelektrode | |
DE102019111308A1 (de) | Siliziumcarbid halbleiterbauelement | |
EP0760528B1 (de) | Halbleiterbauelement auf Siliciumbasis mit hochsperrendem Randabschluss | |
DE10322594A1 (de) | MIS-Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19914697A1 (de) | Verarmungs-MOS-Halbleiterbauelement und MOS-Leistungs-IC | |
DE112018000517T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102005049799A1 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE112016006380T5 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102020116653B4 (de) | Siliziumcarbid-halbleiterbauelement | |
DE112021002169T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE202015105413U1 (de) | Integrierte, floatende Diodenstruktur | |
DE10129289A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einer Diode für eine Eingangschutzschaltung einer MOS-Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102005048447B4 (de) | Halbleiterleistungsbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE60030059T2 (de) | Durchbruchsdiode und verfahren zur herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 2706 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref document number: 19861463 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref document number: 19861463 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD., TOKYO/TOKIO, JP |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: MERH-IP MATIAS ERNY REICHL HOFFMANN, 80336 MUENCHE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: FUJI ELECTRIC CO., LTD., JP Free format text: FORMER OWNER: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD., TOKYO/TOKIO, JP Effective date: 20110826 Owner name: FUJI ELECTRIC CO., LTD., KAWASAKI-SHI, JP Free format text: FORMER OWNER: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD., TOKYO/TOKIO, JP Effective date: 20110826 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: MERH-IP MATIAS ERNY REICHL HOFFMANN, DE Effective date: 20110826 Representative=s name: MERH-IP MATIAS ERNY REICHL HOFFMANN PATENTANWA, DE Effective date: 20110826 |
|
R071 | Expiry of right |