DE10014660C2 - Halbleiteranordnung mit einer durch einen Hohlraum von einer Driftstrecke getrennten Trenchelektrode - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einer durch einen Hohlraum von einer Driftstrecke getrennten TrenchelektrodeInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung
mit wenigstens zwei starren Elektroden, die elektrisch von
einander durch eine Isoliereinrichtung aus mindestens einer
Isolier- bzw. Halteschicht und/oder einem pn-Übergang ge
trennt sind, wobei die Isoliereinrichtung zusätzlich wenig
stens einen Hohlraum enthält.
Unter "starren" Elektroden sollen solche Elektroden verstan
den werden, wie sie üblicherweise in Halbleiteranordnungen
verwendet werden und beispielsweise aus Metall, polykristal
linem Silizium, usw. bestehen. Membranelektroden, wie sie in
Druckaufnehmern oder auch Tintenstrahldruckern eingesetzt
werden, sind dagegen keine starren Elektroden.
Unter Halbleiter sind alle üblichen halbleitenden Materiali
en, wie Silizium, Siliziumcarbid, AIIIBV usw. zu verstehen.
Eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art is aus
DE 197 48 523 A1 bekannt. Weiterhin ist in JP 11-17166 (A)
eine Halbleiteranordnung beschrieben, bei der eine durch ei
nen Spacer gebildete Isoliereinrichtung eines Feldeffekt
transistors zusätzlich einen Hohlraum zwischen der Gateelek
trode und dem Spacer bzw. zwischen dem Halbleitersubstrat
und dem Spacer hat. Schließlich ist aus DE 196 50 599 A1 ein
IGBT mit Trenchstruktur bekannt, bei dem zwei starre Elek
troden voneinander durch einen pn-Übergang elektrisch ge
trennt sind.
Bekanntlich gibt es auch Hochvolt-DMOS-Transistoren für
Spannungen über 200 V, bei denen durch Einführung einer
Trench- bzw. Grabenelektrode zwischen Bodygebieten der Einschaltwiderstand
um einen Faktor 2 . . . 3 reduziert ist.
Durch die Trenchelektrode zwischen den Bodygebieten des Zel
lenfeldes von DMOS-Transistoren wird der bei großen Durch
bruchspannungen über 200 V dominierende Epitaxieanteil am
Widerstand der eine DMOS-Zelle bildenden DMOS-Transistoren
entscheidend reduziert, so daß die angegebene Verringerung
des Einschaltwiderstandes erreicht werden kann.
In einer solchen DMOS-Zelle ist das durch die Trenchelektro
den zwischen den Bodygebieten gebildete Trenchsystem so auf
gebaut, daß die Trenchelektroden mit Gate oder gegebenen
falls auch Source der DMOS-Transistoren verbunden und von
der Driftstrecke dieser DMOS-Transistoren durch eine Iso
liereinrichtung getrennt sind. Die Driftstrecke besteht ge
wöhnlich aus einer n-leitenden epitaktischen Silizium
schicht, in welche Trenches zwischen den Bodygebieten der
Transistoren eingebracht sind. Diese Trenches sind mit Elek
troden aus beispielsweise n+-leitendem polykristallinem Sili
zium in ihrem Kern und einem dieses polykristalline Silizium
umgebenden Isoliereinrichtung aus beispielsweise Siliziumdi
oxid gefüllt. Für dieses Siliziumdioxid sind für auf etwa
600 V ausgelegte Transistoren Schichtdicken in der Größen
ordnung von 5 bis 10 µm erforderlich, was aufgrund der un
terschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium
und Siliziumdioxid zu Kristallfehlern führen kann.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halblei
teranordnung der eingangs genannten Art so zu verbessern,
daß bei dieser eine weitere Erhöhung der Dotierung der
Driftstrecke bei gleichbleibender Spannungsfestigkeit mög
lich ist und durch unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffi
zienten hervorgerufene Probleme vermieden werden können, wo
bei diese Halbleiteranordnung mit geringem Aufwand herstell
bar sein und sich durch einen verringerten Einschaltwider
stand auszeichnen soll.
Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiteranordnung nach dem
Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß durch die
in dessen kennzeichnendem Teil enthaltenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Der Hohlraum kann beispielsweise mit Wasserstoff gasgefüllt
oder aber auch evakuiert sein. Selbstverständlich sind auch
andere Gasfüllungen möglich.
Die vorliegende Erfindung beschreitet insgesamt einen vom
bisherigen Stand der Technik abweichenden Weg: anstelle von
Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid als üblicher Iso
liereinrichtung wird ein gasgefüllter oder evakuierter Hohl
raum verwendet, welcher die Trenchelektrode umgibt. Ein sol
cher Hohlraum weist gegenüber üblichen Isolatoren ganz ent
scheidende und wesentliche Vorteile auf:
- a) Die relative Dielektrizitätskonstante eines Hohlraumes (ε = 1) ist wesentlich niedriger als die relative Dielektri zitätskonstante von beispielsweise Siliziumdioxid (ε = 4). Dadurch ist das Verhältnis der Dielektrizitätskon stante von Silizium (ε = 12) zur Dielektrizitätskonstante des Hohlraumes um einen Faktor 4 größer als das Verhält nis der Dielektrizitätskonstante von Silizium zur Dielek trizitätskonstante von Siliziumdioxid. Aufgrund dieses wesentlich größeren Verhältnisses der Dielektrizitätskon stanten von Silizium und dem Hohlraum läßt sich in der Halbleiteranordnung, wie beispielsweise einem Hochvolt- DMOS-Transistor für Spannungen über 200 V, eine idealer weise nahezu konstante Feldstärke in der Driftstrecke aufbauen. Infolge dieser konstanten Feldstärke kann die Länge der Driftstrecke reduziert werden. Die verringerte Länge der Driftstrecke und die durch die Trenchelektrode erzielte Ladungs-Kompensationswirkung führen zu einer er heblichen Verminderung des Einschaltwiderstandes Ron.
- b) Die Problematik von durch unterschiedliche Wärmeausdeh nungskoeffizienten von Silizium und Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid bedingten Kristallfehlern wird vollständig vermieden.
- c) Mittels der üblichen Möglichkeiten der Oberflächen-Mikro mechanik lassen sich Hohlraum-Trenchstrukturen mit einer durch einen Hohlraum isolierten Trenchelektrode relativ einfach und ohne großen Aufwand realisieren.
Ein Hohlraum nutzt, wie noch weiter unten näher erläutert
werden wird, in vorteilhafter Weise das Paschengesetz aus:
nach diesem nimmt die Durchbruchspannung mit kleiner werden
den Abmessungen des Hohlraumes wieder zu, da bei diesen Ab
ständen keine Stoßionisation mehr eintreten kann. So werden
für Abmessungen in der Größenordnung von 1 µm Durchbruch
spannungen von etwa 6 kV erreicht.
Die mechanische Festigkeit der Trenchelektrode in einem
Hohlraum ist vollkommen unproblematisch: ein Balken aus po
lykristallinem Silizium mit einer Länge von beispielsweise
30 µm und einer Querschnittsfläche von 1 × 1 µm2 weist eine
Resonanzfrequenz von etwa 1,5 MHz auf. Diese Frequenz liegt
deutlich über der Frequenz von Schaltnetzteilen, die bis zu
100 kHz betragen kann. Eine Durchbiegung eines solchen Bal
kens um 1 µm erfordert am Ende des Balkens eine Biegekraft
von etwa 1,5 µN. Die dabei auftretende Zugspannung beträgt
aber lediglich etwa 10% der Bruchspannung des Balkens. Die
resultierende elektrische Anziehungskraft zwischen der
Trenchelektrode und dem diese über den Hohlraum umgebenden
Halbleitergebiet, insbesondere einer n-leitenden epitaktischen
Schicht, ist aufgrund des symmetrischen Aufbaues, bei
dem das Halbleitergebiet die Trenchelektrode über deren ge
samten Umfang umgibt, praktisch gleich Null. Erst bei bei
spielsweise durch Unsymmetrien im geometrischen Aufbau be
dingten Spannungsdifferenzen von etwa 100 V zwischen der
einen Seite und der anderen Seite der Trenchelektrode würde
eine vergleichbare Kraft von 1,3 µN auftreten. Ein solcher
unsymmetrischer Aufbau liegt aber in der Praxis nicht vor.
Zur Absättigung von Grenzflächenzuständen kann der Hohlraum
an seinen Wänden mit einer dünnen Siliziumdioxidschicht ganz
oder teilweise belegt sein.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den Verlauf der Durchschlagsspannung UD (kV) in
Abhängigkeit von der Abmessung rD (m) eines Hohl
raumes,
Fig. 2 einen Schnitt durch eine DMOS-Transistorzelle als
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 3 einen Schnitt durch einen Randabschluß einer Zel
lenanordnung, und
Fig. 4 einen Schnitt durch einen nicht erfindungsgemäßen MOS-Transistor.
Fig. 1 zeigt den Verlauf der Durchschlagsspannung UD eines
Hohlraumes in Abhängigkeit von dessen Durchmesser rD bei ei
nem Luftdruck p = 105 Pa. Wie aus der dargestellten Kurve für
die Durchschlagsfeldstärke ED zu ersehen ist, nimmt die
Durchbruchspannung UD unterhalb von Abmessungen von etwa 10 µm
wieder zu und liegt bei Abmessungen von etwa 1 µm in der
Größenordnung von 6 kV. Diese durch unterhalb von etwa 10 µm
nicht mehr auftretende Stoßionisation bedingte Zunahme der
Durchbruchspannung wird durch das bereits erwähnte Paschen
gesetz beschrieben.
Die vorliegende Erfindung nutzt nun in vorteilhafter Weise
das Paschengesetz aus: als Isoliereinrichtung von Trenche
lektroden wird ein Hohlraum verwendet. Eine solche Trenche
lektrode bewirkt in dem sie umgebenden Halbleiterkörper eine
Ladungskompensation, so daß in diesem die Dotierung höher
gemacht werden kann, was wiederum zu einer Verringerung des
Einschaltwiderstandes führt. Bei Bedarf können dabei selbst
verständlich auch mehrere solche Hohlräume zur Anwendung ge
langen.
Fig. 2 zeigt als ein Ausführungsbeispiel der Erfindung einen
schematischen Schnitt durch eine DMOS-Transistorzelle.
Auf einem n+-leitenden Siliziumsubstrat 1, das mit einer
Drainelektrode D verbunden ist, befindet sich eine n--leiten
de epitaktische Siliziumschicht 2, in welche eine p-leitende
Bodyzone 3 und eine n+-leitende Sourcezone 4 eingebracht
sind. Die Sourcezone 4 und die Bodyzone 3 sind mit einer
Sourceelektrode S kontaktiert, während in einem nicht ge
zeigten Isolator oberhalb der Bodyzone 3 eine Gateelektrode
G vorgesehen ist.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist im Bereich der Bo
dyzone 3 ein Trench 5 mit einer Trenchelektrode 6 angeord
net, welche mit der Sourceelektrode S verbunden ist. Die
Trenchelektrode 6 ist von einem Hohlraum 7 als einer Iso
liereinrichtung umgeben.
Zur Absättigung von Grenzflächenzuständen können die Wände
des Hohlraumes 7 noch ganz oder teilweise mit einer dünnen
Siliziumschicht 14 belegt sein.
Die Trenches 5 mit der Trenchelektrode 6 und dem Hohlraum 7
können auch außerhalb der Bodyzone 3 zwischen einzelnen Bo
dyzonen angeordnet sein.
Die Trenchelektroden 6 sind hier durch den pn-Übergang zwi
schen der Bodyzone 3 und der Siliziumschicht 2 elektrisch
von letzterer getrennt.
Fig. 3 zeigt einen Randabschluß für eine erfindungsgemäße
Halbleiteranordnung. Mit einem solchen Randabschluß läßt
sich beispielsweise ein 600 V-Transistor mit hoher Dotierung
der epitaktischen Schicht realisieren. Bei einer am linken
Rand von Fig. 3 dargestellten Transistorzelle a, die ledig
lich die Bodyzone 3 hat, handelt es sich um eine inaktive
Randzelle.
Als Randabschluß sind Trenches 5 eingebracht, in welchen die
Trenchelektroden 6, durch einen Hohlraum 7 isoliert, gelegen
sind. Da das polykristalline Silizium der Trenchelektroden 6
vorzugsweise mit dem Silizium der epitaktischen Schicht 2 in
Kontakt steht, muß für den Randabschluß eine Auflagefläche
des polykristallinen Siliziums durch einen pn-Übergang 8
isoliert werden. Das heißt, es wird ein p-leitendes Gebiet 9
im oberen Bereich des Trenches 5 des Randabschlusses ange
bracht.
Um ein Punchen durch ein Anstoßen der Raumladungszone an dem
im mesaförmigen Gebiet der epitaktischen Siliziumschicht 2
angrenzenden "Balken" der Trenchelektrode aus polykristalli
nem Silizium zu verhindern, kann dieser "Balken" durch ein
n+-dotiertes Gebiet 10 abgeschirmt werden. Die Durchbruch
spannung des so gebildeten lateralen pn-Überganges 8 und da
mit die Spannung zwischen zwei benachbarten Trenches 5 kann
über den Abstand zwischen dem p-leitenden Gebiet 9 und dem
n+-leitenden Gebiet 10 eingestellt werden. Das n+-leitende
Gebiet 10 kann auch in einem sich über dem ganzen mesaförmi
gen Bereich der n-leitenden Siliziumschicht 2 erstreckenden
p-leitenden Gebiet eingebettet sein.
Durch die Reihenschaltung mehrerer pn-Dioden (vgl. den pn-
Übergang 8) in den benachbarten mesaförmigen Gebieten wird
so ein Spannungsteiler mit sehr kleinem Leckstrom reali
siert, der für eine definierte Spannung an den "Balken" der
Trenchelektroden aus polykristallinem Silizium in den Tren
ches 5 sorgt.
Es kann also eine Vielzahl einzelner Abschlußzellen b vorge
sehen werden.
Die Breite der mesaförmigen Gebiete der epitaktischen Sili
ziumschicht 2 kann zum Chiprand hin zunehmen. Zunächst soll
te die Breite aber ähnlich zu der Breite der Zellen selbst
sein.
Gegebenenfalls ist es möglich, zwischen zwei Trenchelektro
den des Randabschlusses ein definiertes Potential mittels
eines externen Spannungsteilers zwischen Source S und Drain
D zu legen. Ein solcher Spannungsteiler kann durch hochohmi
ge Widerstände oder Zenerdioden realisiert werden. Diese
hochohmigen Widerstände oder Zenerdioden können im polykri
stallinen Silizium der Halbleiteranordnung selbst realisiert
werden.
Fig. 3 zeigt zusätzlich noch eine Feldoxidschicht 11, eine
Borphosphorsilikatglasschicht 12 und Aluminium-Metallisie
rungen 13 für die Sourceelektrode S und die Trenchelektroden
6.
Fig. 4 zeigt einen nicht erfindungsgemäßen MOS-Transistor mit einer n+-leitenden
Sourcezone 4 und einer n+-leitenden Drainzone 15, die in ei
nem p-leitenden Halbleitergebiet 16 liegen. Eine Gateelek
trode G liegt an ihrem Umfang auf einer Siliziumdioxid
schicht 17 als Isolier- und Halteschicht auf und ist durch
einen Hohlraum 7, der evakuiert oder mit Gas gefüllt sein
kann, vom Halbleitergebiet 16 getrennt. Auf dem Halbleiter
gebiet 16 kann sich noch eine dünne Siliziumdioxidschicht 14
zur Absättigung von Grenzflächenzuständen befinden. Außerdem
ist noch eine Borphosphorsilikatglasschicht 12 gezeigt, in
die die Gateelektrode G eingebettet ist.
Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung wurde oben anhand
einer DMOS-Transistorzelle erläutert. Die Erfindung ist
selbstverständlich nicht auf eine DMOS-Transistorzelle be
schränkt, sondern kann in vorteilhafter Weise auch auf ande
re Halbleiterbauelemente angewandt werden. Beispiele hierfür
sind allgemein Gatedielektrika, Metallisolierungsdielektrika
und sonstige Isolationen in MOS-Transistoren, IGBT-Zellen,
Dioden usw.
Die in den obigen Ausführungsbeispielen angegebenen Leitung
stypen können selbstverständlich jeweils auch umgekehrt wer
den. In diesem Fall ist also das Siliziumsubstrat 1 p+-lei
tend, während das Bodygebiet 3 n-leitend ist.
Claims (11)
1. Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei starren Elektro
den (6), die elektrisch voneinander durch eine Isolier
einrichtung aus mindestens einer Isolier- bzw. Halte
schicht und/oder einem pn-Übergang getrennt sind, wobei
die Isoliereinrichtung zusätzlich wenigstens einen Hohl
raum (7) enthält,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine der Elektroden (6) eine zur Reduzierung
des Einschaltwiderstandes der Halbleiteranordnung zwi
schen Bodygebieten (3) eingeführte Trenchelektrode (6)
ist, die elektrisch mit einer aktiven Zone (4) der Halb
leiteranordnung verbunden und von einer Driftstrecke
der Halbleiteranordnung durch den Hohlraum (7)
getrennt ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
in einem Randabschluß die Trenchelektrode (6) mit ihrer
Auflagefläche durch einen pn-Übergang (8) isoliert ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
in einem Randabschluß die Trenchelektrode (6) durch ein
hochdotiertes Gebiet (10) des gleichen Leitungstyps wie
die Driftstrecke abgeschirmt ist.
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
in einem Randabschluß der Abstand zwischen Trenchelektro
den (6) zum Rand hin größer wird.
5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Trenchelektroden (6) zwischen benachbarten Bodygebie
ten (3) liegen.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Trenchelektroden durch Bodygebiete (3) geführt sind.
7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
in einem Randabschluß eine Vielzahl von durch einen Hohl
raum (7) isolierten Trenchelektroden (6) vorgesehen ist.
8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Hohlraum (7) gasgefüllt oder evakuiert ist.
9. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens eine der Elektroden (6) aus polykristallinem
Silizium besteht.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Hohlraum (7) mit Wasserstoff gefüllt ist.
11. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Hohlraum (7) an seinen Wänden wenigstens teilweise
mit einer dünnen Siliziumdioxidschicht (14) versehen ist.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10317383A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Junction-Feldeffekttransistor |
DE102004047772A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Infineon Technologies Ag | Lateraler Halbleitertransistor |
DE102005041322A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Trenchtransistorstruktur mit Feldelektrodenanordnung |
DE102005041257A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldelektroden-Trenchtransistorstruktur mit Spannungsteiler |
DE102005041358A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldplatten-Trenchtransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102004041892B4 (de) | 2004-08-30 | 2018-08-16 | Infineon Technologies Ag | Trenchtransistor |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10127885B4 (de) * | 2001-06-08 | 2009-09-24 | Infineon Technologies Ag | Trench-Leistungshalbleiterbauelement |
US6635544B2 (en) * | 2001-09-07 | 2003-10-21 | Power Intergrations, Inc. | Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure |
DE10153315B4 (de) * | 2001-10-29 | 2004-05-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
GB0129450D0 (en) * | 2001-12-08 | 2002-01-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | Trenched semiconductor devices and their manufacture |
JP3640945B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | トレンチゲート型半導体装置及びその製造方法 |
CN100472801C (zh) * | 2003-04-10 | 2009-03-25 | 印芬龙科技股份有限公司 | 制造双极型半导体元件的方法和相应的双极型半导体元件 |
GB0326030D0 (en) * | 2003-11-06 | 2003-12-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | Insulated gate field effect transistor |
US7045857B2 (en) * | 2004-03-26 | 2006-05-16 | Siliconix Incorporated | Termination for trench MIS device having implanted drain-drift region |
KR100641555B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 트랜치 소스 구조를 갖는 수평형 디모스 트랜지스터 |
US7482220B2 (en) | 2005-02-15 | 2009-01-27 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor device having deep trench charge compensation regions and method |
US7679146B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-03-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device having sub-surface trench charge compensation regions |
US9431490B2 (en) * | 2013-08-09 | 2016-08-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Power semiconductor device and method |
CN104518021A (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-15 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种vdmos器件元胞结构及其制作方法 |
US9437470B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-09-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Self-aligned trench isolation in integrated circuits |
EP3084833B1 (de) * | 2013-12-16 | 2017-09-13 | ABB Schweiz AG | Randabschluss für halbleiteranordnungen und entsprechendes herstellungsverfahren |
US9691864B1 (en) | 2016-05-13 | 2017-06-27 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor device having a cavity and method for manufacturing thereof |
DE102016108949B4 (de) * | 2016-05-13 | 2023-02-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
EP3621116B1 (de) | 2018-09-06 | 2022-11-02 | Infineon Technologies Austria AG | Halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren |
US11908928B2 (en) | 2021-11-24 | 2024-02-20 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117166A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Ricoh Co Ltd | 排紙装置 |
DE19650599A1 (de) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh | IGBT mit Trench- Gate- Struktur |
DE19748523A1 (de) * | 1997-11-03 | 1999-05-12 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2717308B1 (fr) * | 1994-03-14 | 1996-07-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif de protection contre des surtensions dans des circuits intégrés. |
US5488236A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-30 | North Carolina State University | Latch-up resistant bipolar transistor with trench IGFET and buried collector |
JP3325736B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2002-09-17 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
DE69602114T2 (de) * | 1995-02-10 | 1999-08-19 | Siliconix Inc | Graben-Feldeffekttransistor mit PN-Verarmungsschicht-Barriere |
US5998837A (en) * | 1995-06-02 | 1999-12-07 | Siliconix Incorporated | Trench-gated power MOSFET with protective diode having adjustable breakdown voltage |
US5986304A (en) * | 1997-01-13 | 1999-11-16 | Megamos Corporation | Punch-through prevention in trenched DMOS with poly-silicon layer covering trench corners |
DE19811297B4 (de) * | 1997-03-17 | 2009-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung |
JPH1117166A (ja) | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5981999A (en) * | 1999-01-07 | 1999-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Power trench DMOS with large active cell density |
-
2000
- 2000-03-24 DE DE10014660A patent/DE10014660C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-26 US US09/817,579 patent/US6498382B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117166A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Ricoh Co Ltd | 排紙装置 |
DE19650599A1 (de) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh | IGBT mit Trench- Gate- Struktur |
DE19748523A1 (de) * | 1997-11-03 | 1999-05-12 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10317383B4 (de) * | 2003-04-15 | 2008-10-16 | Infineon Technologies Ag | Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET) mit Kompensationsgebiet und Feldplatte |
DE10317383A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Junction-Feldeffekttransistor |
DE102004041892B4 (de) | 2004-08-30 | 2018-08-16 | Infineon Technologies Ag | Trenchtransistor |
DE102004047772A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Infineon Technologies Ag | Lateraler Halbleitertransistor |
DE102004047772B4 (de) * | 2004-09-30 | 2018-12-13 | Infineon Technologies Ag | Lateraler Halbleitertransistor |
US7893486B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-02-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate trench transistor and method for producing it |
US7465987B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-12-16 | Infineon Technologies Austria Ag | Field electrode trench transistor structure with voltage divider |
DE102005041257B4 (de) * | 2005-08-31 | 2009-06-25 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldelektroden-Trenchtransistorstruktur mit Spannungsteiler |
DE102005041358A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldplatten-Trenchtransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102005041358B4 (de) * | 2005-08-31 | 2012-01-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldplatten-Trenchtransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US8334564B2 (en) | 2005-08-31 | 2012-12-18 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate trench transistor and method for producing it |
US8759905B2 (en) | 2005-08-31 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate trench transistor and method for producing it |
US9171841B2 (en) | 2005-08-31 | 2015-10-27 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate trench transistor and method for producing it |
US9373700B2 (en) | 2005-08-31 | 2016-06-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Field plate trench transistor and method for producing it |
DE102005041322B4 (de) * | 2005-08-31 | 2017-03-16 | Infineon Technologies Ag | Trenchtransistorstruktur mit Feldelektrodenanordnung und Herstellungsverfahren hierfür |
DE102005041257A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldelektroden-Trenchtransistorstruktur mit Spannungsteiler |
DE102005041322A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Trenchtransistorstruktur mit Feldelektrodenanordnung |
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---|---|
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US20010035561A1 (en) | 2001-11-01 |
US6498382B2 (en) | 2002-12-24 |
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