DE19730119A1 - Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik

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Description

Zur Abscheidung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik werden im zunehmenden Maße CVD-Prozesse (Chemical Vapour Depositi­ on) eingesetzt. Dabei werden als Ausgangsmaterialien metal­ lorganische Precursoren verwendet, die auf einer heißen Substrat- bzw. Waferoberfläche in einem Temperaturbereich von 300 bis 800°C zerfallen und dabei in die entsprechenden Oxide übergehen. Für die Oxidation der metallorganischen Precursoren wird ein oxidierend wirkendes Gas, z. B. O2, ver­ wendet, welches die organische Komponente der Precursoren verbrennt. Derartige Oxidationsprozesse laufen meist unter Involvierung von Radikalen ab. Häufig kommt es zur Ausbil­ dung von Radikalkettenreaktionen.
Bisher wurden ausschließlich Oxidationsgase, z. B. O2 oder deren Gemische, z. B. O2/N2O, eingesetzt. Bei der Herstel­ lung z. B. BST ((Ba, Sr)TiO3) werden die Precursoren Sr(thd)2(tetraglyme), Ba(thd)2(tetraglyme) und (Ti(OiPr)2(thd)2 bei Temperaturen im Bereich von 450 bis 650°C mit O2/N2O als Oxidationsmittel umgesetzt. Aufgrund der unvollständigen Verbrennung des Kohlenstoffs der metal­ lorganischen Precursoren ist allerdings die abgeschiedene BST-Schicht erst bei 500°C so rein, daß akzeptierbare elek­ trische Daten gemessen werden können.
Im Fall des BST hat es sich gezeigt, daß bei einer Abschei­ dung bei tieferen Temperaturen, das heißt, bei Temperaturen unterhalb von 500°C, eine gute Konformität der Abscheidung erreicht wird, da die Abscheidung vor allem kinetisch kon­ trolliert abläuft. Demgegenüber wird oberhalb von 500°C die Abscheidung zunehmend Transport kontrolliert. Dieses führt zu einer verminderten Konformität, wie aus der angefügten schematischen Darstellung in Fig. 2 hervorgeht.
Bei der Herstellung von Halbleiterelementen in der Mikro­ elektronik werden zunehmend Dünnfilme aus oxidischer Keramik verwendet. Zur Herstellung von DRAMs (dynamic random access memory-Chips oder DRAM-Chips) und FRAMs (ferroelectric random access memory-Chips oder FRAM-Chips) können beispielsweise paraelektrisches BST und ferroelektrisches SBT (SrBi2Ta2O9) als Dielektrikum im Speicherkondensator integriert werden. Beim Aufbau des Speicherkondensators wird nach dem Stack-Prinzip verfahren, bei dem eine Barriere zwischen unterer Elektrode (Pt-Elektrode) und Plug notwendig ist. Die Barrie­ re soll eine Diffusion in beide Richtungen verhindern, das heißt, die Diffusion von Sauerstoff oder mobilen Komponenten des Dielektrikums (z. B. BiOx (x=0-2,5)) in Richtung Plug als auch die Diffusion von Plugmaterial durch das Platin zum Dielektrikum. Außerdem kann die Barriere als Haftvermittler für die Platinschicht dienen. Ein Stack-Kondensator kann z. B. so aufgebaut sein wie in Fig. 3 dargestellt, also ei­ ne auf dem Kontaktplug sitzende unter Pt-Elektrode mit darü­ berliegender Dielektrikumsschicht und eine hierüber angeord­ nete obere Pt-Elektrode aufweisen.
Niedrigere Abscheidetemperaturen, beispielsweise beim CVD-Prozeß, als die bisher verwendeten Abscheidetemperaturen (BST: 500 bis 600°C; SBT: 500 bis 700°C) bieten folgende Vorteile:
  • a) durch kinetisch kontrollierte Abscheidung kommt es zu einer besseren Konformität der Keramikschicht, so daß eine höhere Integrierbarkeit gewährleistet wird; und
  • b) durch die geringere Belastung der Sauerstoffbarriere im Stack-Kondensator wird eine einfachere Barrieren­ auswahl möglich.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah­ ren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik anzugeben, bei dem die Abscheidetemperatur der Metalloxide deutlich herabgesetzt wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her­ stellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik durch Ab­ scheiden von Metalloxiden auf eine Oberfläche, das folgende Schritte umfaßt:
  • - Verdampfen von metallorganischen Precursoren zur Bil­ dung gasförmiger Precursoren,
  • - Zugabe eines Beschleunigers zur Initiierung der Oxida­ tion der Precursoren,
  • - Oxidation der Precursoren zur Bildung von Metalloxiden und
  • - Abscheiden der Metalloxide auf der Oberfläche.
Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Fig. 1 zeigt den schematischen Aufbau einer CVD-Anlage.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der meist radika­ lisch ablaufende Oxidationsprozeß der metallorganischen Precursoren bereits bei tieferen Temperaturen durch die Zu­ gabe eines Beschleunigers künstlich initiiert. Es muß dem­ nach nicht abgewartet werden, bis der Oxidationsprozeß bei einer höheren Temperatur von selbst zustande kommt. Die Ini­ tiierung mittels Beschleunigern führt zu Radikalkettenreak­ tionen durch Radikale bzw. Bildung von Beschleuniger-Radikalen, wobei der metallorganische Precursor abgebaut bzw. oxidiert wird. Zur Initiierung solcher Kettenreaktionen sind daher Moleküle befähigt, die entweder bereits Radikale sind oder bereits bei geringerer Erwärmung in Radikale zer­ fallen.
Des weiteren kommt es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zu einer Erhöhung der Abscheiderate bei den niedrigeren Tempe­ raturen und zu einer besseren Verbrennung von Restkohlen­ stoff.
Als Beschleuniger werden niedrigmolekulare Verbindungen bzw. Moleküle verwendet. Die Moleküle dienen lediglich zum Star­ ten der Oxidationskette. Zur Oxidation selbst steht ein Oxi­ dationsgas oder ein Oxidationsgasgemisch zur Verfügung. Als Oxidationsgas bzw. Oxidationsgemisch kann auch ein Plasma, z. B. ein Sauerstoffplasma, verwendet werden.
Die initiierten Radikalprozesse können sowohl in der Gaspha­ se als auch an der Substratoberfläche ablaufen. Es gibt Hin­ weise darauf, daß an der Substratoberfläche ein weiterer Ak­ tivierungsmechanismus abläuft. Die zugesetzten Beschleuniger können bei erhöhter Temperatur und unter dem Einfluß des Substrats zerfallen bzw. reagieren und somit reaktive Spezi­ es, die auch nicht-radikalischer Natur sein können, bilden. Die Beschleuniger oder deren reaktiven Spezies können ihrer­ seits die metallorganischen Precursoren aktivieren und deren Oxidation beschleunigen. Repräsentative Beispiele für solche reaktive Spezies sind Carbokationen von organischen Estern oder Carbene von Diazoverbindungen.
Wie bereits oben ausgeführt, kann die Initiierung der Oxida­ tion der metallorganischen Precursoren durch Beschleuniger- Radikale oder durch Bildung von Beschleuniger-Radikalen er­ folgen. Je nach Natur des Beschleunigers liegt er entweder bereits unter Normalbedingungen (25°C, 1 atm.) radikalisch vor oder er zerfällt im Reaktor auf dem Weg zur heißen Substratoberfläche in Radikale. Er kann aber auch in der Grenzschicht zur heißen Substratoberfläche oder auf der hei­ ßen Substratoberfläche selbst in Radikale zerfallen. Folgen­ de Beschleunigermoleküle werden bevorzugt eingesetzt:
  • 1. Moleküle, die bereits Radikale sind. Dazu gehören bei­ spielsweise NO, NO2 und ClO2. Es ist ebenfalls möglich, auch Mischungen solcher Radikale zu verwenden.
    Beispielsweise entsteht mit NO2 als Beschleuniger, O2 als Oxidationsmittel und einem Kohlenwasserstoff RH (organischer Teil des metallorganischen Precursors) die folgende Radikalkettenreaktion: RH + NO2 . → R. + HNO2, R. + O2 → ROO., ROO. + RH → ROOH + R., ROOH → RO. + HO. (diese beiden Radikale sind neu und lösen ihrer­ seits wieder Ketten aus).
    Die Radikalkettenreaktion beginnt mit diesen Molekülen bereits nach Einlaß in den Reaktor.
  • 2. Moleküle, die bereits bei erhöhter Temperatur in Radi­ kale zerfallen, beispielsweise ab 100°C. Diese Molekü­ le zerfallen im Zuge der Aufheizung des Precursorgases im Reaktor auf dem Weg zur heißen Substratoberfläche in Radikale. Diese Moleküle liegen bereits unmittelbar nach Einlaß in den Reaktor als Radikale vor.
    Als Beschleunigermoleküle kommen hierzu alle Moleküle in Frage, die als Initiatoren für die radikalische Po­ lymerisation von Kunst- und Verbundstoffen geeignet sind. Dazu zählen Carbonylperoxide, wie Dibenzoylper­ oxid; Persäuren und deren Ester; Dialkylperoxide und Diarylperoxide sowie organische Azoverbindungen, wie z. B. a,a'-Azobis(isobutyronitril) und Azobenzol.
  • 3. Moleküle, die zwischen 70 und 200°C in Radikale zer­ fallen. Dazu können Salpetersäureester organischer Al­ kohole (z. B. CH3ONO2, CH3CH2ONO2) oder Salpetersäuree­ ster organischer Alkohole (z. B. Isoamylnitrit ((CH3)3CHCH2CH2ONO)) genannt werden. Es kann auch H2O2 eingesetzt werden.
  • 4. Moleküle, die bei Temperaturen oberhalb von 300°C zer­ fallen. Als Beispiele können Nitroalkane (z. B. CH3NO2), Nitroaromaten (z. B. C6H5NO2), Nitrosoalkane (z. B. CH3NO) und Nitrosoaromaten (z. B. C6H5NO) verwendet wer­ den. Die Radikale werden in diesem Fall erst unmittel­ bar vor der heißen Substratobefläche erzeugt.
  • 5. Radikale, die durch physikalische Aktivierung erzeugt werden. Beispielsweise können als Radikale Sauer­ stoffradikale verwendet werden, die durch UV-Licht- Bestrahlung von Sauerstoff (O2) oder von N2O, NO oder NO2 erzeugt werden.
    Beispielsweise können alle anderen der unter 1. bis 4. genannten Moleküle durch UV-Bestrahlung zum Zerfall in die entsprechenden Radikale angeregt werden. Eine an­ dere Möglichkeit, den Zerfall der oben genannten Mole­ küle in Radikale zu bewirken, ist die Erzeugung eines Plasmas, z. B. im elektrischen Wechselfeld (z. B. Sauer­ stoffplasma).
Die Beschleunigermoleküle werden bevorzugt im molaren Ver­ hältnis von Beschleuniger zu Precursor in einem Bereich von 1 : 1 bis 1 : 1000 eingesetzt. Ein molares Verhältnis von n . . . ist ganz besonders bevorzugt. Bei reaktiven Spezies als Be­ schleuniger liegt das molare Verhältnis von Beschleuniger zu Precursor im Bereich von 1 : 5 bis 1 : 0,1.
Als metallorganische Precursoren können alle metallorgani­ schen Verbindungen verwendet werden, die zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik durch Abscheiden ihrer Me­ talloxide auf eine Oberfläche geeignet sind. Beispielsweise können als metallorganische Precursoren. Beispielsweise kön­ nen als metallorganische Precursoren eingesetzt werden: BiPh3, Bi(thd)3, Bi-pivalat, Trispentoxylatobismuth, Bi­ tris(dimethylamid), Ta(OEt)5, Ta(thd) (OiPr), Sr(thd)2, Ba(thd)2, Ti(thd)2(OiPr)2, Ti(OiPr)4, Zr(thd)4, Pb(thd)2 und/oder deren Mischungen eingesetzt werden.
Die Verdampfung der metallorganischen Precursoren kann in herkömmlichen Verdampfungssystemen erfolgen.
Bei der Oxidation der Precursoren wird ein Oxidationsmittel verwendet, das in der Regel ein Gas oder ein Gasgemisch ist. Vorzugsweise wird Sauerstoffgas (O2) verwendet.
Als Substrat kann jedes geeignete Substratmaterial dienen. Dazu zählen Experimentalelektroden, Elektrodenmaterialien zur Integration eines Dielektriums, Edelmetallelektroden, oxidische Elektroden und nicht leitende Substrate.
Die Abscheidung der Metalloxide erfolgt bevorzugt nach dem CVD-Verfahren.
Beim CVD-Verfahren werden chemische Verbindungen, z. B. me­ tallorganische Verbindungen, die sich leicht verdampfen las­ sen oder bereits Gase sind, auf einer heißen Substratober­ fläche zur Reaktion gebracht, um einen Film mit bestimmten Eigenschaften, z. B. einen Metalloxidfilm zu erzeugen.
Je nach ihrer Konsistenz und Stabilität können die Beschleu­ nigermoleküle in den CVD-Reaktor eingeführt werden.
Wenn die Beschleuniger aus gut verdampfenden Molekülen oder aus gasförmigen Molekülen oder Radikalen bestehen, so können sie dem Gasgemisch einfach beigemischt werden. Dies kann an verschiedenen Orten erfolgen, wie es in Fig. 1 als Beispiel dargestellt ist.
Fig. 1 zeigt, daß das Precursorgas aus einer Precursorlösung erzeugt wird, welche in einem Verdampfer in Gas übergeführt wird. Der Verdampfer kann z. B. ein sogenannter Flash-Ver­ dampfer sein. Das Trägergas, z. B. Ar oder N2, transportiert den Dampf zum Showerhead. Dort wird er mit dem Oxidationsgas und evtl. weiteren Trägergas gemischt. Die Verwendung eines Showerheads ist notwendig, um eine gleichförmige, laminare Gasströmung im Reaktor zu gewährleisten. Nach Austritt aus dem Showehead fließt das Gasgemisch aus Precursorgas, Oxida­ tionsgas und Trägergas zum heißem Substrat, wo die entspre­ chenden Metalloxide abgeschieden werden.
Der leicht zu verdampfende oder gasförmige Beschleuniger kann nun an verschiedenen Orten dem Gasgemisch beigefügt werden: er kann im Oxidationsgas/Trägergasgemisch an Stelle 3 zugefügt werden oder aber dem Precursor­ gas/Trägergasgemisch an Stelle 4 oder aber separat zusammen mit etwas Trägergas in den Showerhead an Stelle 2 eingeführt werden. Sollte der Beschleuniger sehr reaktiv sein, so kann er auch vollkommen getrennt in den Reaktorraum an Stelle 1 eingeführt werden, z. B. über einen Ring mit Löchern, die zum Substrat gerichtet sind.
Schließlich lassen sich die Beschleuniger auch über das Precursor-Einlaßsystem einbringen, z. B. an Stelle 6 in Fig. 1. Dieses ist beispielsweise mit einem Flash-Verdampfungs­ system möglich, das mit einem Liquid Delivery-System (LDS) gekoppelt ist. Im Falle der Verwendung des LDS werden die Moleküle einfach in geringerer Menge vorher der Precursoren­ lösung beigemischt und dann mit dem Precursoren verdampft. Es ist dabei wichtig, daß die eingesetzten Moleküle noch bei der Temperatur des Precursor-Einlaßsystems stabil sind und nicht mit den Precursoren oder dem Lösungsmittel reagieren.
Je nach CVD-Verfahren läßt sich die Abscheidetemperatur um 50 bis 200°C senken.
Die nachfolgenden Beispiele sollen das erfindungsgemäße Ver­ fahren erläutern.
Beispiel 1
Zur Herstellung eines Dünnfilms aus SBT nach dem CVD-Ver­ fahren werden die metallorganischen Precursoren (Sr(thd)2(tetraglyme) (Bis(2,2,6,6,-tetramethylheptan-3,5- dionato(tetraglyme)strontium), Ta(thd) (OiPr)4 (2,2,6,6- tetramethylheptan-3,5-dionato-tantaltetraisopropoxid und BiPhe3 (Triphenylbismuth) in einem Lösungsmittelgemisch aus THF/iPrOH/Tetraglyme (8 : 2 : 1) eingesetzt. Diese Lösung wird mit einer Rate von 0,15 ml/min in den Flash-Verdampfer, der sich auf einer Temperatur von 200°C befindet, eingebracht.
200 cm3 Argon dienen als Trägergas. Das so erhaltene Gasge­ misch wird in den Showerhead eingebracht. An einem anderen Anschluß des Showerheads werden 600 cm3 Argon und 400 cm3 O2 eingeführt. Diesem Gas werden 10 cm3 NO2 zugemischt. Die Ga­ se werden im Showerhead gemischt und dann in den Reaktorraum entlassen. Dort treffen sie auf einen mit Pt/Ti/SiO2 be­ schichteten 6''-Si-Wafer. Das Platin hat eine Schichtdicke von 200 nm, das Titan hat eine Schichtdicke von 30 nm und das SiO2 ist 625 nm dick. Die Temperatur des Wafers liegt bei 500°C (oder höher); der Gesamtdruck im Reaktorraum liegt bei 3 Torr. Der Sauerstoffanteil liegt bei 25 bis 80%.
Es werden spiegelnde SBT-Schichten mit guter Kantenbedeckung erhalten.
Beispiel 2
Zur Abscheidung von BST werden die Precursoren Sr(thd)2(tetraglyme) (Bis (2,2,6,6,-tetramethylheptan-3,5- dionato) (tetraglyme)strontium), Ba(thd)2(tetraglyme) (Bis (2,2,6,6,-tetramethylheptan-3,5-dionato) (tetraglyme)barium) und Ti(thd)2(OiPr)2 (Bis(2,2,6,6,­ tetramethylheptan-3,5-dionato)-titandiisopropoxid) in einem Lösungsmittelgemisch aus THF/iPrOH/Tetraglyme (8 : 2 : 1) einge­ setzt. Diese Lösung wird mit einer Rate von 0,15 ml/min in den Flash-Verdampfer, der sich auf einer Temperatur von 240°C befindet, eingebracht. 200 cm3 Argon dienen als Trä­ gergas. Das so erhaltene Gasgemisch wird in den Showerhead eingebracht. An einem anderen Anschluß des Showerheads wer­ den 200 cm3 Argon, 500 cm3 O2 und 500 cm3 N2O eingeführt. Die­ sem Gas werden 10 cm3 NO2 als Beschleuniger hinzugemischt. Die Gase werden im Showerhead gemischt und dann in den Reak­ torraum entlassen. Dort treffen sie auf einen mit Pt/Ti/SiO2 beschichteten 6''-Si-Wafer. Das Platin hat eine Schichtdicke von 200 nm, das Titan hat eine Schichtdicke von 30 nm und das SiO2 ist 625 nm dick. Die Temperatur des Wafers liegt bei 400°C; der Gesamtdruck im Reaktorraum liegt bei 1 Torr.
Es werden spiegelnde BST-Schichten mit guter Kantenbedeckung und guter Abscheiderrate erhalten.
Beispiel 3
Anstelle von 10 ml NO2, wie in Beispiel 1 oder 2, werden 10 ml NO als Beschleuniger eingesetzt. Wieder werden spiegelnde SBT- bzw. BST-Schichten mit guter Kantendeckung und guter Abscheiderate erhalten.
Beispiel 4
Anstelle von 10 ml NO2, wie in Beispiel 1 oder 2 werden 0,02 mMol/min Nitromethan in 50 cm3 Trägergas zusammen mit dem Oxidationsgas/Trägergas eingeführt. Das Nitromethan, das ei­ nen Siedepunkt von 101°C (760 Torr) besitzt, wird in einem Bubbler durch Durchleiten des Trägergases verdampft. Der Bubbler ist beheizbar, um einer Abkühlung durch Verdampfung zu begegnen und die Verdampfungsrate einzustellen. Als Al­ ternative kann auch Nitroethan eingesetzt werden (Verdampfungstemperatur 115°C/760 Torr). Beide Nitroverbin­ dungen zerfallen ab etwa 250°C und setzten dabei Radialket­ ten in Gang.
Auch hier ergeben sich SBT- und BST-Schichten mit ausge­ zeichneter Kantenabdeckung und guter Abscheiderate.
Beispiel 5
Eine Lösung von Peroxyessigsäure in THF wird in einem Flashverdampfer bei ca. 60°C verdampft. Als Trägergas dienen 100 cm3 Argon. Der Verdampfer speist sein Gas in die Oxida­ tionsgas/Trägergasleistung ein. Daher ist der Druck im Ver­ dampfer derselbe wie im Showerhead und damit nahezu derselbe wie im Reaktionszeitraum. Ansonsten wird wie in Beispiel 1 und 2 verfahren. Es werden ca. 0,02 mMol/min an Peroxyessig­ säure verdampft. Anstelle von Peroxyessigsäure kann auch ihr Methyl- oder Ethylester eingesetzt werden.
Beispiel 6
Es wird in der gleichen Weise wie in Beispiel 5 verfahren, mit der Ausnahme, daß Dibenzoylperoxid in THF bei einer Tem­ peratur von ca. 60°C verdampft wird.
Beispiel 7
Es wird in der gleichen Weise wie in Beispiel 5 verfahren, mit der Ausnahme, daß Nitrobenzol in THF bei einer Tempera­ tur von 150°C verdampft wird. Anstatt Nitrobenzol kann auch Nitrosobenzol eingesetzt werden.
Beispiel 8
Die Verfahren von Beispiel 1 bzw. Beispiel 2 werden wieder­ holt, mit der Ausnahme, daß Nitrobenzol als Beschleuniger verwendet wird. Das Nitrobenzol wird der Precursorenlösung zugegeben und zusammen mit den Precursoren in Precursoren­ verdampfer verdampft. Alternativ dazu kann auch Nitrosoben­ zol eingesetzt werden.
Beispiel 9
Die Verfahren von Beispiel 1 bzw. Beispiel 2 werden wieder­ holt, mit der Ausnahme, daß H2O2 als Beschleuniger verwendet wird. Dazu wird eine 30%ige H2O2-Lösung in Wasser in einem Flash-Verdampfer verdampft. Es wird wieder eine Lieferlei­ stung von 0,02 mMol/min eingehalten. Das Wasser/H2O2- Gasgemisch wird über einen separaten Ring, der sich vor der heißen Substratoberfläche befindet, eingeführt.
Die erhaltenen SBT- bzw. BST-Schichten aus den Beispielen 5 bis 9 zeigen wieder eine gute Kantendeckung eine gute Ab­ scheiderate.

Claims (21)

1. Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik durch Abscheiden von Metalloxiden auf eine Oberflä­ che, das folgende Schritte umfaßt:
  • - Verdampfen von metallorganischen Precursoren zur Bil­ dung gasförmiger Precursoren,
  • - Zugabe eines Beschleunigers zur Initiierung der Oxida­ tion der Precursoren,
  • - Oxidation der Precursoren zur Bildung von Metalloxiden
    und
  • - Abscheiden der Metalloxide auf der Oberfläche.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Be­ schleuniger Moleküle, die bereits Radikale sind, zugegeben werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Mole­ küle jeweils NO, NO2 und ClO2 oder Mischungen daraus verwen­ det werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Be­ schleuniger Initiatoren für die radikalische Polymerisation zugegeben werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als In­ itiatoren jeweils Carbonylperoxide, Persäuren und deren Ester, Dialkylperoxide, Diarylperoxide und organische Azo­ verbindungen verwendet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Be­ schleuniger Moleküle, die bei Temperaturen oberhalb von 300°C in Radikale zerfallen, zugegeben werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Mole­ küle jeweils Nitroalkane, Nitroaromaten, Nitrosoalkane und Nitrosoaromraten verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Be­ schleuniger Radikale zugegeben werden, die durch physikali­ sche Aktivierung erzeugt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Radi­ kale Sauerstoffradikale sind, die durch UV-Licht-Bestrahlung von Sauerstoff, N2O, NO oder NO2 erzeugt werden.
10. Verfahren nach mindestens einem der vorangegangenen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Be­ schleuniger im molaren Verhältnis von Beschleuniger zu Precursor im Bereich von 1 : 1 bis 1 : 1000 eingesetzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Be­ schleuniger reaktive Spezies zugegeben werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß als reak­ tive Spezies Carbokationen von organischen Estern oder Car­ bene von Diazoverbindungen verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die reak­ tive Spezies im molearen Verhältnis von Beschleuniger zu Precursor im Bereich von 1 : 5 bis 1 : 0,1 eingesetzt wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der vorangegangenen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als metal­ lorganische Percursoren jeweils BiPh3, Bi(thd)3, Bi-pivalat, Trispentoxylatobismuth, Bi-tris(dimethylamid), Ta(OEt)5, Ta(thd)(OiPr)4, Sr(thd)2, Ba(thd)2, Ti(thd)2(OiPr)2, Ti(OiPr)4, Zr(thd)4 und Pb(thd)2 oder deren Mischungen ver­ wendet werden.
15. Verfahren nach mindestens einem der vorangegangenen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Oxidation der Percursoren ein Oxidationsmittel verwendet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß als Oxida­ tionsmittel ein Gas oder ein Gasgemisch verwendet wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Sauer­ stoffgas verwendet wird.
18. Verfahren nach mindestens einem der vorangegangenen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metal­ loxide nach dem CVD-Verfahren abgeschieden werden.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Be­ schleuniger mit dem Gasgemisch aus Trägergas und Reaktions­ gas in den Reaktor eingeführt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Be­ schleuniger über einen separaten Gaseinlaß eingeführt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Be­ schleuniger über das Precursoreinlaßsystem eingeführt wird.
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