DE19700650A1 - Metallleitungsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Metallleitungsstruktur und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinrichtung und insbesonde
re auf eine für sie vorgesehene Metalleitungsstruktur sowie auf ein Ver
fahren zu deren Herstellung. Die Metalleitungsstruktur dient zur Verbes
serung der Betriebseigenschaften der Halbleitereinrichtung, indem einer
seits die Diffusion von Kupfer bei einer aus Kupfer bestehenden Metalleitung
unterbunden wird, und indem andererseits ein Anstieg der parasitä
ren Kapazität verhindert wird.
Üblicherweise kommen bei der Bildung von Leitungen bei Halbleiterein
richtungen Aluminiumfilme oder Aluminiumlegierungsfilme zum Einsatz,
die eine hohe elektrische Leitfähigkeit und ein gutes Haftvermögen auf Si
liciumoxidfilmen aufweisen. Derartige Materialien lassen sich in einfa
cher Weise durch Trockenätzverfahren strukturieren und sind relativ bil
lig. Nimmt allerdings die Größe der Halbleitereinrichtungen ab, reduziert
sich auch die Größe der Metalleitungen, wobei diese auch in mehreren
Schichten übereinanderliegend vorhanden sein können, wenn sich deren
Dichte vergrößert, so daß Stufenabdeckungen in bestimmten Teilen einer
Topologie oder im Inneren eines Kontaktloches eines Kontakts bzw. im In
neren eines Durchgangsloches mehr und mehr Bedeutung gewinnen.
Wird mit Hilfe eines konventionellen Verfahrens zur Bildung eines Metalleitungsfilms
ein Aluminiumfilm oder ein Aluminiumlegierungsfilm durch
Sputtern erzeugt, so ergibt sich eine relativ geringe Dicke des Metalleitungsfilms
in abgebogenen Bereichen aufgrund eines Abschattungsef
fekts, wobei dieses Problem inbesondere bei Kontaktlöchern mit einem
Aspektverhältnis größer 1 stark zutage tritt. Anstelle eines solches physi
kalischen Niederschlagsverfahrens wird deswegen häufig eine chemische
Dampfabscheidung im Vakuum bevorzugt, mit deren Hilfe sich ein Lei
tungsfilm mit gleichmäßigerer Dicke herstellen läßt. In diesem Zusam
menhang wurden Untersuchungen zur Verbesserung der Stufenab
deckung durch Bildung eines Wolframfilms mittels eines Dampfabschei
dungsverfahrens bei niedrigem Druck durchgeführt. Der spezifische Wi
derstand von Wolfram-Leitungsfilmen ist jedoch wenigstens zweimal grö
ßer als derjenige von Aluminium-Leitungsfilmen, so daß Wolfram-Lei
tungsfilme praktisch nicht verwendet werden können.
Ferner wurde im Zusammenhang mit der Herstellung einer Halbleiterein
richtung ein Verfahren zur Bildung eines Kontaktstopfens in einem Kon
taktloch zwecks Bildung einer Metalleitung untersucht.
Bei diesem Verfahren zur Bildung der Metalleitung und der Verwendung
eines Kontaktstopfens konnte durch einen durch chemische Dampfab
scheidung im Vakuum gebildeten Aluminiumfilm die Stufenabdeckung
verbessert werden, so daß auch die Kontinuität mit anderen technischen
Prozessen zur Bildung von Aluminiumleitungsfilmen gewahrt werden
konnte, bei denen ein derartiger Film z. B. durch Sputtern und fotografi
sches Ätzen erzeugt wird.
Kupfer Cu hat einen niedrigeren spezifischen Widerstand als Aluminium
sowie eine ausgezeichnete Elektromigration oder Spannungsmigration.
Dieses Material eignet sich daher zur Verbesserung der Betriebseigen
schaften von Halbleitereinrichtungen. Aus diesem Grunde wurden Ver
fahren zur Bildung von Metalleitungsfilmen aus Kupfer Cu durch Sput
tern bzw. durch chemische Dampfabscheidung im Vakuum näher unter
sucht. Kupfer Cu weist eine sehr hohe Zwischengitterplatz-Diffusionsrate
auf, wobei der Diffusionsfaktor von Kupfer innerhalb von Silicium bei
Raumtemperatur bei etwa 10-8 cm²/sek liegt. In Silicium diffundiertes
Kupfer Cu wirkt als Rekombinationszentrum und reduziert daher die Le
bensdauer von Minoritätsladungsträgern, wodurch jedoch die Eigen
schaften der Halbleitereinrichtung verschlechtert werden.
Bei der Bildung einer Metalleitung mit Kupfer Cu wurde daher daran ge
dacht, zwischen dem Kupfer Cu und dem Siliciumsubstrat eine Barrieren
schicht vorzusehen, die als Diffusionsschutzschicht dient. Als Material
für diese Diffusionsbarrierenschicht kommen z. B. W, Ni₆₀ Nb₄₀, amor
phes W-Si, Ta, TiB₂, Ta-Si-N und TiN in Frage. Von diesen Materialien
kommt TiN am häufigsten zur Bildung einer Barrierenschicht bei Alumini
umleitungen zum Einsatz, und in diesem Zusammenhang wurde ein
MOCVD-Verfahren untersucht, bei dem eine metallorganische Quelle be
nutzt wird. Wird die Metalleitung sehr dünn, so vergrößert sich die Beset
zungsrate der Barrierenschicht in einer niedergeschlagenen Struktur aus
Barrierenschicht und Kupfer Cu, so daß dadurch der Widerstandsreduk
tionseffekt infolge der Verwendung von Kupfer Cu wieder abnimmt. Der
Widerstand der Struktur steigt also wieder trotz der Verwendung des Kup
fers.
Weiterhin wurde bereits ein Verfahren vorgestellt, mit dem sich eine Diffu
sion von Kupfer Cu dadurch unterdrücken läßt, daß der Kupferfilm anstel
le mit der Barrierenschicht, die üblicherweise leitendes Material als Isola
tionsfilm verwendet, jetzt mit einem Oxidfilm abgedeckt wird. Allerdings
ist jetzt die Permissivität bzw. die Elektrizitätskonstante des Siliciumfilms
oder des Aluminium sehr viel größer als die des Siliciumoxidfilms, so daß
sich die parasitäre Kapazität der Metalleitung vergrößert.
Metalle oder Metallverbindungen in Form von Oxyden oder Diffusionsbar
rierenschichten bei Kupferleitungen reduzieren darüber hinaus den Ab
stand zwischen elektrisch leitfähigen Leitungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Metalleitungsstruktur
und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, um die obengenann
ten Probleme zu überwinden. Insbesondere soll erreicht werden, die Diffu
sion von Kupfer in einer Kupfer verwendenden Metalleitung zu verhin
dern, um auf diese Weise wirksam die Betriebszuverlässigkeit einer Halb
leitereinrichtung mit einer derartigen Leitung zu verbessern.
Die vorrichtungsseitige Lösung der gestellten Aufgabe ist im Anspruch 1
angegeben. Dagegen finden sich verfahrensartige Lösungen der gestellten
Aufgabe in den kennzeichnenden Teilen der nebengeordneten Ansprüche
5, 12 und 20. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in jeweils
nachgeordneten Unteransprüchen angegeben.
Eine Metalleitungsstruktur nach der Erfindung enthält eine elektrisch
leitfähige Leitung und einen Isolationsfilm zur elektrischen Isolation der
elektrisch leitfähigen Leitung, wobei ein benachbart zur elektrisch leitfä
higen Leitung liegender Teil des Isolationsfilms eine erhöhte Dichte oder
eine Verunreinigungsdotierung aufweist, um eine Übergangs- bzw. Um
wandlungsschicht zu erhalten.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Bildung einer Metalleitung für eine
Halbleitereinrichtung umfaßt die folgenden Schritte: Bildung eines Gra
bens in einem vorgegebenen Bereich eines Siliciumoxidfilms, der auf ei
nem Halbleitersubstrat liegt; Bildung einer Übergangs- bzw. Umwand
lungsschicht auf der Oberfläche des Siliciumoxidfilms; und Niederschla
gung eines leitenden Materials auf die Übergangs- bzw. Umwandlungs
schicht zwecks Bildung einer elektrisch leitfähigen Leitung.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1D Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung der Her
stellung einer Metalleitung in Übereinstimmung mit einem ersten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2A bis 2D Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung der Her
stellung einer Metalleitung in Übereinstimmung mit einem zweiten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3A und 3B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung der Her
stellung einer Metalleitung in Übereinstimmung mit einem drittem Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Nachfolgend werden die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung
im einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen be
schreiben.
Die Fig. 1A bis 1D zeigen Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung
des Herstellungsprozesses einer Metalleitung in Übereinstimmung mit
dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Verbesse
rung eines Siliciumoxidfilms, durch den wirksam verhindert wird, daß in
einer Leitung einer Halbleitereinrichtung vorhandenes Kupfer aus dieser
Leitung heraus- und in benachbarte leitende Bereiche hineindiffundieren
kann. Der Aufbau der Struktur wird nachfolgend im einzelnen beschrie
ben. Eine Leitungsstruktur besteht aus einer elektrisch leitfähigen Lei
tung und aus einem Isolationsfilm zur elektrischen Isolierung der elek
trisch leitfähigen Leitung. Dabei weist die Leitungsstruktur eine Über
gangs- bzw. Umwandlungsschicht auf, die durch einen in seiner Dichte er
höhten Bereich des Isolationsfilms benachbart zur elektrisch leitfähigen
Leitung erhalten wird, oder durch eingeschlossene Verunreinigungen.
Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung der Metalleitung mit dem
obenbeschriebenen Aufbau in Übereinstimmung mit der vorliegenden Er
findung im einzelnen vorgestellt.
Zuerst wird gemäß Fig. 1A ein Graben 12 in einem Halbleitersubstrat ge
bildet, und zwar dort, wo ein Isolationsfilm vorhanden ist, beispielsweise
in Form eines Siliciumoxidfilms 11 vorliegt. Der Graben 12 befindet sich
also dann im Isolationsfilm bzw. Siliciumoxidfilm 11. So dann werden ge
mäß Fig. 1B Gase, beispielsweise BH₃, PH₃, SiH₄, Si₂H₆, NH₃ oder N₂O
in den Siliciumoxidfilm 11 injiziert, und zwar zusammen mit einem Träger
gas aus N₂ oder Ar, usw. Dies erfolgt unter einem Druck von 0,5 bis 10
Torr, bei einer Radiofrequenzleistung von 0,5 bis 2 W/cm² sowie bei Tem
peraturen im Bereich von 350 bis 450°C über einen Zeitraum von 10 bis
180 Sekunden.
Einhergehend mit diesem Vorgang erhöht sich die Dichte des Silicium
oxidfilms 11, so daß ein Teil des Siliciumoxidfilms 11 in ein Material umge
wandelt wird, welches die Diffusion von Kupfer sicher verhindert. Dieser
umgewandelte Teil des Siliciumoxidfilms 11 bildet die Übergangs- bzw.
Umwandlungsschicht 13 unmittelbar am Rand des Grabens 12. Diese Um wandlungsschicht 13 kommt in die Fig. 1A bis 1D auch auf der oberen Fläche des Siliciumoxidfilms 11 zu liegen sowie am Boden des Grabens 12. Im allgemeinen beträgt die Dichte eines PECVD Oxidfilms 2,22 g/cm³, während die Dichte eines Si-reichen Oxidfilms auf 2,26 g/cm³ angehoben ist. Die sich ausbildende Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht 13 ist in Fig. 1C zu erkennen.
Umwandlungsschicht 13 unmittelbar am Rand des Grabens 12. Diese Um wandlungsschicht 13 kommt in die Fig. 1A bis 1D auch auf der oberen Fläche des Siliciumoxidfilms 11 zu liegen sowie am Boden des Grabens 12. Im allgemeinen beträgt die Dichte eines PECVD Oxidfilms 2,22 g/cm³, während die Dichte eines Si-reichen Oxidfilms auf 2,26 g/cm³ angehoben ist. Die sich ausbildende Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht 13 ist in Fig. 1C zu erkennen.
Anschließend wird gemäß Fig. 1D eine leitende Materialschicht 14 auf
die Oberfläche der so erhaltenen Struktur aufgebracht, also auf die
Schicht 13, und zwar durch Sputtern von Cu oder durch ein CVD-Verfah
ren unter Verwendung einer geeigneten Quelle, beispielsweise von (hfac)
Cu (VTMS), usw. Die aufgebrachte leitende Materialschicht 14 aus Kupfer
wird dann zum Teil wieder abgetragen, und zwar durch Rückätzen bzw.
durch ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP-Verfahren), um
auf diese Weise eine elektrische Leitung zu erhalten. Diese verbleibt dann
z. B. nur noch im Bereich des Grabens.
Zusätzlich kann eine Barrierenlegierungsschicht aus TiN, usw., gebildet
werden, um zwischen dem Cu-Film und dem Siliciumoxidfilm 11 die Haf
tung zu verbessern bzw. zwischen beiden Filmen die Diffusionsmöglich
keit weiter zu verringern. Die Barrierenlegierungsschicht kann dann vor
Bildung der leitenden Materialschicht 14 auf die Oberfläche der Schicht
13 aufgebracht werden.
Beim obenbeschriebenen Verfahren zur Bildung der Metalleitung in Über
einstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung bildet ein Cu Atom oder Cu Ion, welches im Cu Film diffundiert, eine
Verbindung aus Cu₃B₂, Cu₃P, Cu₃Si oder Cu₂N, usw., oder ein Oxid aus
Cu (BO₂)₂, Cu₃ (PO₄)₂, CuSiO₄ oder Cu (NO₃)₂, usw., und zwar für den
Fall, daß Elemente wie P, Si, B oder N injiziert wurden, so daß auf diese
Weise die Diffusion von Cu unterdrückt wird.
Die Fig. 2A bis 2D zeigen Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung
eines Verfahrens zur Herstellung einer Metalleitung in Übereinstimmung
mit dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Si
liciumoxidfilm im Bereich eines Durchgangsloches zwischen der oberen
und der unteren elektrisch leitfähigen Leitung wird einem Plasmaprozeß
unterworfen. Eine Metallbarriere befindet sich auf der Oberfläche der un
teren leitfähigen Leitung, um auf diese Weise die Diffusion von Cu zu un
terdrücken.
Zunächst wird gemäß Fig. 2A ein Kontaktloch 17 auf dem Halbleitersub
strat gebildet, und zwar dort, wo die untere leitfähige Leitung 15 und der
Zwischenschichtisolatorfilm 18 in Form eines Slliciumoxidfilms vorhan
den sind, um einen einen hohen Schmelzpunkt aufweisenden Metallfilm
16 aus z. B. Ti, Ta, W, usw., freizulegen, der zuvor auf die obere Fläche der
unteren leitfähigen Leitung 15 aufgebracht wurde.
Gemäß Fig. 2B werden dann Gase wie z. B. SiH₄, Si₂H₆ und NH₃, usw., in
den Siliciumoxidfilm 11 injiziert, und zwar zusammen mit einem Träger
gas aus N₂ oder Ar, usw., wobei dieser Vorgang stattfindet bei einem Druck
von 0,5 bis 10 Torr, einer Radiofrequenzleistung von 0,5 bis 2 W/cm² und
bei Temperaturen im Bereich von 350 bis 450°C sowie über einen Zei
traum von 10 bis 180 Sekunden.
Einhergehend mit diesem Vorgang erhöht sich die Dichte des Siliciumo
xidfilms 11, so daß sich ein Teil des Siliciumoxidfilms 11 in ein Material
verwandelt, welches die Diffusion von Cu sicher verhindert. Dieser durch
Umwandlung erhaltene Teil bildet die Umwandlungs- bzw. Übergangsschicht
13 gemäß Fig. 2C.
Darüber hinaus bildet sich eine metallische Umwandlungs- bzw. Über
gangsschicht 19 aus Silicid oder Nitrid auf der Oberfläche des den hohen
Schmelzpunkt aufweisenden Metallfilms 16. Es entsteht mit anderen Wor
ten ein Silicid aus z. B. TiSi₂, TaSi₂ oder WSi₂, usw., oder ein Nitrid aus
TiN, TaN oder WN, usw.
Wie Fig. 2D weiter erkennen läßt, wird sodann eine elektrisch leitende
Materialschicht 14 auf der gesamten Oberfläche der so erhaltenen Struk
tur gebildet, und zwar durch Sputtern von Cu oder durch ein CVD-Verfah
ren unter Verwendung einer geeigneten Quelle, beispielsweise unter Ver
wendung von (hfac) Cu (VTMS). Die leitende Materialschicht 14 wird dann
zurückgeätzt, und zwar durch ein CMP-Verfahren, um die obere elektrisch
leitfähige Leitung zu erhalten. Dabei kann zu dieser Zeit die obere elek
trisch leitfähige Leitung durch einen Stopfen gebildet werden, und zwar
unter Verwendung eines geeignet ausgewählten Niederschlagsverfahrens
oder durch Sputtern von Cu. Nicht zuletzt kann eine Barrierenlegierungs
schicht aus TiN, usw., zusätzlich gebildet werden, um zwischen dem Cu-
Film und dem Siliciumoxidfilm die Haftung zu verbessern, und um zwi
schen beiden Filmen die Diffusionsmöglichkeit weiter herabzusetzen.
Die Fig. 3A und 3B zeigen Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung
der Herstellung einer Metalleitung in Übereinstimmung mit dem dritten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Hier wird zuerst der Cu-
Film strukturiert, wonach anschließend ein Siliciumoxidfilm niederge
schlagen wird. Zu dieser Zeit wird die Diffusion von Cu dadurch unter
drückt, daß während der Anfangs- Niederschlagsphase bei der Abdeckung
des strukturierten Cu-Films zusätzlich ein oder mehrere Gase bzw. Do
tiergase injiziert werden, und zwar BH₃, PH₃, SiH₄, Si₂H₆, NH₃ und N₂O,
und zwar allein oder in der Kombination, so daß die Verunreinigung im Si
liciumoxidfilm eingeschlossen wird, und zwar in einem Bereich benach
bart zum Cu-Muster.
Wie Fig. 3A erkennen läßt, wird zunächst Cu auf einem Siliciumoxidfilm
11 niedergeschlagen, der seinerseits auf einem Halbleitersubstrat liegt.
Anschließend wird das niedergeschlagene Cu strukturiert, um eine elek
trisch leitende Schicht 14 zu erhalten.
Sodann wird ein Siliciumfilm 18 (Zwischenschicht-Isolationsfilm 18) auf
die gesamte so erhaltene Struktur niedergeschlagen, also auf den elektri
schen Leiter 14 und den Siliciumoxidfilm 11. Während der ersten Phase
des Aufbringens des Zwischenschichtisolatorfilms 18 erfolgt zusätzlich ei
ne Injektion eines Dotierungsgases, das als Hauptreaktionsgase SiH₄,
SiF₄ oder O₂ enthält und als Verunreinigungsatome BH₃, PH₃, SiH₄,
Si₂H₆, NH₃ oder N₂O enthält. Dies ist in Fig. 3b gezeigt. Die Injektion der
Dotierungsgase erfolgt durch Plasmabildung, z. B. unter Verwendung ei
ner ECR-Niederschlagseinrichtung oder unter Verwendung einer anderen
Hochdichteplasma(HDP)-Niederschlagseinrichtung. Das Aufbringen des
Siliciumoxidfilms 18 erfolgt bei Temperaturen von 300 bis 400°C über ei
nen Zeitraum von 10 Sekunden oder mehr, so daß schließlich die Über
gangs- bzw. Umwandlungsschicht 13 und der Zwischenschicht Isolations
film 18 erhalten werden, und zwar auf der gesamten Oberfläche der aus
den Elementen 11 und 14 bestehenden Struktur. Je nach Dauer der Injek
tion der Dotierungsgase während des Aufbringens der Materialschicht 18
läßt sich die Dicke der Schicht 13 kleiner oder größer wählen.
Bei dem Verfahren zur Herstellung der Metalleitung nach dem dritten
Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Diffusion von Cu dadurch un
terdrückt, daß die Verunreinigungsdichte in einem Bereich benachbart
zur leitfähigen Materialschicht 14 erhöht wird, und zwar im Vergleich zur
Größe der Verunreinigungsdichte im restlichen Bereich des Siliciumoxidfilms
11 bzw. 18.
Es sei noch darauf hingewiesen, daß die Filme 13 und 18 in getrennten
Schritten hergestellt werden können oder in einem kontinuierlichen
Schritt bei vorzeitiger Beendigung der Dotiergasinjektion.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung der Metalleitung las
sen sich ein Anstieg der parasitären Kapazität sowie die Diffusionsmög
lichkeit wirksam unterdrücken, und zwar durch Umwandlung eines Teils
des Siliciumoxidfilms in ein Material, das die Diffusion von Cu verhindert,
das eine hohe Oxidations- und Diffusionsrate aufweist. Natürlich gilt dies
auch für den Fall, daß für Cu ein entsprechend anderes Material zur Lei
tungsbildung gewählt wird. Der Anstieg der parasitären Kapazität oder die
Diffusionsmöglichkeit des Leitungsmaterials können auch dadurch un
terdrückt werden, daß benachbart zur gebildeten Leitung die Dichte des
Siliciumoxidfilms erhöht wird, und zwar bei gleichzeitiger Aufrechterhal
tung der Permissivität bzw. dielektrischen Konstanten von Siliciumoxid.
Durch die vorliegende Erfindung wird somit die Betriebszuverlässigkeit ei
ner auf diese Weise gebildeten Halbleitereinrichtung verbessert.
Es sei noch darauf hingewiesen, daß die Erfindung auch bei magnetmäßig
angepaßten Metalldrähten für Halbleitereinrichtungen zum Einsatz kom
men kann, ohne das der Bereich der Erfindung verlassen wird.
Claims (25)
1. Metalleitungsstruktur mit einer elektrisch leitfähigen Leitung (14)
und einem Isolationsfilm (11, 18) zur elektrischen Isolation der elektrisch
leitfähigen Leitung (14), wobei ein benachbart zur elektrisch leitfähigen
Leitung (14) liegender Teil des Isolationsfilm eine erhöhte Dichte oder eine
Verunreinigungdotierung aufweist, um eine Übergangs- bzw. Umwand
lungsschicht (13) zu erhalten.
2. Metalleitungsstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Dichte der Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) größer
als 2,22 g/cm³ ist.
3. Metalleitungsstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) folgende Atome B,
P, Si, N jeweils getrennt oder in Kombination als Verunreinigungen ent
hält.
4. Metalleitungsstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) aus einer oder
mehreren der nachfolgenden Verbindungen Cu₃B₂, Cu₃P, Cu₃Si oder
Cu₂N, oder aus einem oder mehreren der Oxide Cu(BO₂)₂, Cu₃(PO₄)₂,
CuSiO₄ oder Cu(NO₃)₂ besteht.
5. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung für eine Halbleiterein
richtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Bildung eines Grabens (12) in einem vorbestimmten Teil eines Sili ciumoxidfilms (11), der auf einem Halbleitersubstrat liegt;
- - Bildung einer Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) auf der Oberfläche des Siliciumoxidfilms (11); und
- - Niederschlagung eines leitenden Materials auf die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) zwecks Bildung einer elektrisch leitfähigen Lei tung (14).
6. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) mittels eines Plasmaprozesses hergestellt wird, und zwar bei einem
Druck von 0,5 bis 10 Torr, einer Radiofrequenzleistung von 0,5 bis 2
W/cm² und bei Temperaturen von 350 bis 450°C sowie während eines Zei
traums von 10 bis 180 Sekunden.
7. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, daß zur Bildung der elektrisch leitfähigen Lei
tung als leitendes Material Kupfer verwendet wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) durch eine oder mehrere der Verbindungen Cu₃B₂, Cu₃P, Cu₃Si oder
Cu₂N, oder durch ein oder mehrere der Oxide Cu(BO₂)₂, Cu₃(PO₄)₂,
CuSiO₄ oder Cu(NO₃)₂ gebildet wird.
9. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) auf einer Oberfläche des Siliciumoxidfilms gebildet wird, und zwar un
ter Verwendung irgendeiner Sorte der Atome B, P, Si und N.
10. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 9, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) unter Verwendung eines oder mehrerer Gase aus der Gruppe BH₃,
PH₃, SiH₄, Si₂H₆, NH₃, N₂O gebildet wird.
11. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 10, da
durch gekennzeichnet, daß die bei der Bildung der die Übergangs- bzw.
Umwandlungsschicht (13) verwendeten Gase in den Siliciumoxidfilm un
ter Verwendung eines Trägergases injiziert werden, das N₂ oder Ar sein
kann.
12. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung für eine Halbleiterein
richtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - ein auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats liegender Silici umoxidfilm (18), der eine untere elektrisch leitfähige Leitung (15) enthält, wird dort zur Freilegung der Oberfläche der unteren elektrisch leitfähigen Leitung (15) geätzt, wo eine obere elektrisch leitfähige Leitung gebildet werden soll;
- - Bildung einer Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) auf der Oberfläche des Siliciumoxidfilms (18); und
- - Niederschlagung eines leitenden Materials auf die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht (13) zwecks Bildung der oberen elektrisch leitfähi gen Leitung.
13. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 12, da
durch gekennzeichnet, daß ein elektrisch leitendes Material (16), das auf
die Oberfläche der unteren elektrisch leitfähigen Leitung (15) niederge
schlagen wird, ein Metall mit hohen Schmelzpunktist oder enthält.
14. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 12, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) durch einen Plasmaprozeß hergestellt wird, und zwar bei einem
Druck von 0,5 bis 10 Torr, einer Radiofrequenzleistung von 0,5 bis 2
W/cm² und einer Temperatur von 350 bis 450°C sowie über einen Zei
traum von 10 bis 180 Sekunden.
15. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 12, da
durch gekennzeichnet, daß eine Metallbarriere auf der Oberfläche der
unteren elektrisch leitenden Leitung (15) durch Anwendung eines Plasma
prozesses hergestellt wird.
16. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 12, da
durch gekennzeichnet, daß zur Bildung der elektrisch leitfähigen Lei
tung (14) Kupfer verwendet wird.
17. Verfahren zur Herstellung einer Metalleitung nach Anspruch 12, da
durch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Übergangs- bzw. Umwand
lungsschicht (13) Si Atome oder N Atome verwendet werden.
18. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 15, da
durch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Metallbarriere Si Atome
oder N Atome verwendet werden.
19. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 15, da
durch gekennzeichnet, daß die auf der leitenden Materialschicht gebil
dete Metallbarriere ein Silicid oder ein Nitrid ist.
20. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung für eine Halbleiterein
richtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - auf einem Halbleitersubstrat wird eine elektrisch leitfähige Leitung (14) aus elektrisch leitendem Material gebildet; und
- - zur elektrischen Isolierung der elektrisch leitfähigen Leitung (14) wird auf diese ein Isolationsfilm (18) aufgebracht, der bereichsweise eine erhöhte Dichte aufweist oder mit Verunreinigungen dotiert ist.
21. Verfahren zur Herstellung eines Metallfilms nach Anspruch 20, da
durch gekennzeichnet, daß die im Isolationsfilm enthaltenen Verunrei
nigungen aus einer oder mehreren Sorten von Atomen B, P, Si und N beste
hen.
22. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 20, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) durch eine oder mehrere der Verbindungen Cu₃B₂, Cu₃P, Cu₃Si oder
Cu₂N, oder durch ein oder mehrere der Oxide Cu(BO₂)₂, Cu₃(PO₄)₂,
CuSiO₄ oder Cu(NO₃)₂ gebildet ist.
23. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 20, da
durch gekennzeichnet, daß die erhöhte Dichte des Isolationsfilms 2,22
g/cm³ oder mehr beträgt.
24. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 21, da
durch gekennzeichnet, daß die Übergangs- bzw. Umwandlungsschicht
(13) unter Verwendung von einem oder mehreren der Gase BH₃, PH₃, SiH₄,
Si₂H₆, NH₃, N₂O hergestellt wird.
25. Verfahren zur Herstellung einer Metallleitung nach Anspruch 24, da
durch gekennzeichnet, daß die zur Bildung der Übergangs- bzw. Um
wandlungsschicht (13) verwendeten Gase in den Siliciumoxidfilm unter
Verwendung eines Trägergases aus N₂ oder Ar eingebracht werden.
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JP3149846B2 (ja) * | 1998-04-17 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2000040679A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002083870A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6326306B1 (en) * | 2001-02-15 | 2001-12-04 | United Microelectronics Corp. | Method of forming copper dual damascene structure |
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DE102005024945B4 (de) * | 2005-05-31 | 2008-06-26 | Infineon Technologies Austria Ag | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
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