DE19638433B4

DE19638433B4 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE19638433B4
Application number: DE19638433A
Authority: DE
Inventors: Shunpei Yamazaki; Jun Sagamihara Koyama; Yasushi Atsugi Ogata; Satoshi Atsugi Teramoto
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1995-09-21
Filing date: 1996-09-19
Publication date: 2007-01-25
Anticipated expiration: 2016-09-20
Also published as: TW318261B; KR100297064B1; US6013542A; DE19638433A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit folgenden Schritten:
Ausbildung einer ersten Verdrahtung (107, 108) auf der Oberfläche eines Isolators (100);
Ausbildung eines ersten Isolationsfilms (123) auf der ersten Verdrahtung (107, 108);
Ausbildung einer ersten Öffnung im ersten Isolationsfilm (123) an einem Teil, an dem die erste Verdrahtung (107, 108) geteilt werden soll;
Ausbildung eines Metallteils (126, 127, 128) in der Öffnung, das die erste Verdrahtung (107, 108) kontaktiert;
Ausbildung eines zweiten Isolationsfilms (129), der das Metallteil (126, 127, 128) bedeckt;
Ausbildung einer zweiten Öffnung (131, 132, 133) im zweiten Isolationsfilm, um das Metallteil (126, 127, 128) offen zu legen;
Ausbildung eines leitenden Films (135), der eine Elektrode auf dem zweiten Isolationsfilm (129) herstellt, wobei der leitende Film (135) das Metallteil (126, 127, 128) durch die zweite Öffnung (131, 132, 133) kontaktiert;
Musterrausbildung des leitenden Films (135), und
Entfernen eines Teils des...

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Dünnfilmhalbleitervorrichtung und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps.

Aus der EP524818 A1 ist bereits ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bekannt, bei der eine erste und zweite Verdrahtung gebildet werden, und die erste Verdrahtung durch ein Kontaktteil geteilt wird.

In der US5359206A ist bereits ein Dünnfilm Transistorsubstrat für eine LCD-Anzeige beschrieben.

Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps ist allgemein bekannt. Diese Vorrichtung umfaßt Bildpunktelektroden, die in einer Matrixform mit mehr als mehreren Hundert x mehreren Hundert auf einem Glassubstrat angeordnet sind, und Dünnfilmtransistoren, die einzeln für die jeweiligen Bildpunktelektroden angeordnet sind.

Die Dünnfilmtransistoren, die für die jeweiligen Bildpunktelektroden angeordnet sind, dienen zur Steuerung von elektrischen Ladungen, die in die jeweiligen Bildpunktelektroden fließen oder aus diesen herausfließen.

Weiterhin ist eine Technik bekannt, in welcher periphere Treiberkreise für das Ansteuern der Dünnfilmtransistoren, die für die Bildpunktelektroden angeordnet sind, ebenfalls auf den Dünnfilmtransistorschaltungen ausgebildet sind. Diese Struktur wird peripherer Treiberschaltungsintegrationstyp genannt.

Wenn eine solche Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps hergestellt wird, kann man ein Phänomen beobachten, derart, daß einige der Dünnfilmtransistoren, die auf dem Glassubstrat integriert sind, nicht arbeiten.

Die Erfinder der vorliegenden Erfindung machten ausgedehnte Studien, um das obige Problem zu lösen und erhielten die folgenden Erkenntnisse.

Im Falle der Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung, beispielsweise einer Flüssigkristallanzeige des aktiven Matrixtyps, werden isolierende Filme und Verdrahtungen durch Verwendung eines Plasma-CVD-Verfahrens oder eines Sputterverfahrens und durch Plasmaätzen ausgebildet.

Beim Plasma-CVD-Verfahren oder beim Sputterverfahren und beim Plasmaätzen gibt es nicht wenige Ionen, die eine hohe Energie haben (hochenergetische Ionen).

Andererseits verursacht ein isolierender Film, der durch die Verwendung des Plasma-CVD-Verfahrens oder des Sputter-Verfahrens ausgebildet wird, das Problem, daß die Filmqualität nicht dicht und die Haltespannung gering ist. Im allgemeinen beträgt die Haltespannung weniger als ungefähr einige zehn Volt.

Hier wird eine Situation, wie sie in 12 gezeigt ist, untersucht. 12(B) ist eine Schnittansicht, die einen Schritt der Herstellung eines Dünnfilmtransistors zeigt, der eine Struktur hat, wie sie in 12(A) gezeigt ist.

12(B) zeigt den Zustand, in welchem ein zweiter Zwischenschichtisolationsfilm 55 gebildet wird. Im allgemeinen wird das Plasma-CVD-Verfahren oder das Sputter-Verfahren verwendet, um einen zwischenliegenden isolierenden Film auszubilden. In diesem Schritt werden die oben beschriebenen hochenergetischen Ionen in eine Probe gegeben.

Im allgemeinen sind eine Source-Elektrode 54 und eine Gate-Elektrode 51 nichtleitend. Somit entsteht, wenn hochenergetische Ionen teilweise eingegeben werden, ein Zustand, in dem die Source(S)-Elektrode 54 und die Gate(G)-Elektrode 51 auf verschiedene Potentiale aufgeladen sind.

In einer solchen Situation kann die Potentialdifferenz zwischen der Source(S)-Elektrode 54 und der Gate(G)-Elektrode 51 sofort einige zehn bis einige hundert Volt erreichen.

Die Source-Elektrode 54 und die Gate-Elektrode 51 sind durch eine aktive Schicht 52 und eine Gate-Isolationsschicht 53 angeordnet.

Wie oben beschrieben wurde, beträgt die Haltespannung des Gateisolationsfilms 53, der durch das CVD-Verfahren oder das Sputter-Verfahren ausgebildet wurde, weniger als mehrere zehn Volt. Somit kann abhängig von der Situation der Gateisolationsfilm 53 elektrisch gebrochen werden.

Wenn der Gateisolationsfilm gebrochen wird, so arbeitet der Dünnfilmtransistor nicht.

In der Struktur der Anzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps, in der mehrere Hundert x mehrere Hundert von Dünnfilmtransistoren angeordnet sind, und bei der ferner als Substrat ein Isolator wie Glas oder Quarz verwendet wird, tritt das oben erwähnte Phänomen besonders auf.

Um das obige Problem zu lösen, können während der Filmbildung des isolierenden Films 55, die Source-Elektrode 54 und die Gate-Elektrode 51 nur elektrisch kurz geschlossen werden, so daß beide Elektroden das gleiche Potential haben. In einem Zustand jedoch, in dem schließlich der Betrieb durchgeführt wird, dürfen die Source-Elektrode 54 und die Gate-Elektrode 51 nicht elektrisch kurz geschlossen werden.

Somit werden, wie im Schritt der in 12B gezeigt ist, die Source-Elektrode 54 und die Gate-Elektrode 51 in einem Zustand gehalten, der bis in den endgültigen Zustand elektrisch kurzgeschlossen ist, wobei es erforderlich ist, daß die Verbindung zwischen der Source-Elektrode 54 und der Gate-Elektrode 51 im endgültigen Zustand durchtrennt werden muß. Dies erhöht jedoch die Anzahl der Schritte, so daß dies im Hinblick auf die Produktionsausbeute und die Produktionskosten nicht bevorzugt wird.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine verbesserte Technik zu schaffen, um die Schädigung Halbleitervorrichtung bei der Herstellung durch pulsartiges hohes Potential vom Plasma zu vermeiden, und ferner darin, diese Technik zu verwirklichen, ohne daß komplizierte Schritte notwendig sind.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

Im vorliegenden Fall muß das Entfernen so ausgeführt werden, daß es die Verdrahtung vollständig teilt.

Gemäß der vorliegenden oben beschriebenen Erfindung werden die Gate-Verdrahtung und die Source-Verdrahtung des Dünnfilmtransistors verbunden und schließlich durchschnitten (geteilt), so daß es möglich ist, einen Bruch des Gate-Isolierfilms, verursacht durch den Einfluß des Plasmas, wenn verschiedene isolierende Filme oder leitende Filme gebildet werden, zu verhindern. Das heißt, es ist möglich einen Bruch des Gate-Isolationsfilms durch die Potentialdifferenz, die entsteht, wenn die Gate-Verdrahtung und die Source-Verdrahtung augenblicklich verschiedene Potentiale durch den Einfluß des Plasmas annehmen, zu verhindern.

Wenn die folgende Technik angewandt wird, um die Gate-Verdrahtung und die Source-Verdrahtung zu verbinden und schließlich, um sie zu teilen, so können der obige Betrieb und die Auswirkungen erhalten werden, ohne zunehmende Masken und ohne speziell komplizierten Struktur.

Das heißt, es werden, wie in 1 gezeigt, Öffnungen bei jeder Ausbildung eines Zwischenschichtisolationsfilms bei den schließlich geteilten Verdrahtungen 107 und 108 (erste Schichtverdrahtung) und den Dummy-Elektroden 126 bis 128, die nicht als Elektroden fungieren, ausgebildet. Dann werden bei der Mustergebung einer endgültigen Elektrode 136, die in den 3(A) und 3(B) gezeigt ist, Öffnungen in den Dummy-Elektroden 126 bis 128 ausgeformt und die Verdrahtungen 107 und 108 werden durch die Öffnungen geteilt.

Mit der obigen Struktur können bei der Musterbildung der Elektrode 136 vorbestimmte Teile der Verdrahtungen 107 und 108 zur selben Zeit geteilt werden.

Dieser Schritt stellt auch eine sehr nützliche Technik dar, um eine Verdrahtung einer Energieversorgung zu teilen, die verwendet wird, wenn die anodische Oxidation durchgeführt wird. Mit anderen Worten, ohne die Verwendung einer speziellen Maske ist es möglich, die Verdrahtung zur Zuführung eines elektrischen Stroms zu teilen.

1(A) bis 1(D) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
2(A) bis 2(C) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
3(A) bis 3(B) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
4 ist eine Ansicht, die den Herstellungsschritt einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigt;
5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A bis A' in 3(B);
6 ist eine Aufsicht, die eine Schaltung des aktiven Matrixtyps zeigt;
7(A) bis 7(B) sind Ansichten, die ein Beispiel der Form der Verdrahtung zeigen;
8(A) bis 8(D) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
9(A) bis 9(C) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
10(A) bis 10(B) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigen;
11 ist eine Ansicht, die einen Herstellungsschritt einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps zeigt;
12(A) bis 12(B) sind Ansichten, die die Herstellungsschritte eines konventionellen Dünnfilmtransistors zeigen;
[Ausführungsform 1]
Diese Ausführungsform zeigt die Herstellungsschritte von Bildpunktgebieten einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps. In dieser Ausführungsform wird, um niedrige stromlose Kennzeichen zu erhalten, ein Dünnfilmtransistor mit einem Verunreinigungsgebiet niedriger Konzentration für die einzelnen Bildpunktgebiete angeordnet.
Die 1 bis 4 zeigen schematisch die Herstellungsschritte dieser Ausführungsform. Als erstes wird, wie das in 1(A) gezeigt ist, ein (nicht gezeigter) Basisfilm mit einer Dicke von 300 nm auf einem Glassubstrat 101 durch ein Plasma-CVD Verfahren oder ein Sputter-Verfahren ausgebildet. Hier wird ein Siliciumoxydfilm als Basisfilm verwendet. Es sollte angemerkt werden, daß ein Quarzsubstrat als Substrat 101 verwendet werden kann.
Als nächstes wird ein (nicht gezeigter) amorpher Siliciumfilm mit einer Dicke von 500 Å, bei dem es sich um einen Startfilm handelt, um eine aktive Schicht 102 des Dünnfilmtransistors auszubilden, mit dem Plasma-CVD Verfahren oder einem thermischen CVD-Verfahren niedrigen Druckes ausgebildet. Als nächstes wird der amorphe Siliciumfilm durch Erhitzen und/oder Bestrahlen mit Laserlicht kristallisiert, um einen (nicht gezeigten) kristallinen Siliciumfilm zu erhalten.
Hier zeigt diese Ausführungsform eine Technik, bei welcher der amorphe Siliciumfilm, der durch das CVD-Verfahren ausgebildet wurde, durch Ausglühen, durch Erhitzen oder eine Bestrahlung mit Laserlicht erzeugt wird. Es kann jedoch ein kristallinier Siliciumfilm direkt durch das thermische CVD-Verfahren niedrigen Druckes oder das Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet werden.
Der kristalline Siliciumfilm, der in obigen Schritt kristallisiert wurde, wird mit einem Muster versehen, um eine aktive Schicht 102 des Dünnfilmtransistors zu erhalten, wie das in 1(A) gezeigt ist. Hier wird eine erste Maske für die Musterausbildung verwendet.
Als nächstes wird ein Siliciumoxydfilm 100 mit einer Dicke von 100 nm, der als Gate-Isolationsfilm dient, durch das Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet.
Ein (nicht gezeigter) Aluminiumfilm zur Herstellung einer ersten Verdrahtungssschicht wird weiterhin durch das Sputter-Verfahren oder durch ein Elektronenstrahlverdampfungsverfahren ausgebildet. Muster, die durch die Bezugszahlen 106, 107 und 108 in 1(A) bezeichnet sind, werden später ausgeformt, so daß die erste Schichtverdrahtung beendet ist.
In diesem Aluminiumfilm können, um die Erzeugung von Oberflächenunebenheiten oder Haarkristallen zu unterdrücken, Sc oder Y, und eines von mehreren Arten, die aus Lanthanoid oder Actinoid ausgewählt sind, hinzugefügt werden. Hier wird 0,1 Gewichtsprozent Sc hinzugefügt.
Es sollte angemerkt werden, daß Oberflächenunebenheiten oder Haarkristalle nadel- oder nagelförmige Vorsprünge sind, die auf der Oberfläche des Aluminiumfilms ausgebildet werden, wenn er auf eine Temperatur von 300°C oder mehr erhitzt wird, oder wenn er mit Laserlicht bestrahlt wird.
Nachdem der (nicht gezeigte) Aluminiumfilm ausgebildet ist, wird ein sehr dünner (nicht gezeigter) anodischer Oxidationsfilm darauf ausgebildet. Der anodische Oxidationsfilm hat die Funktion den Grad des dichten Anhaftens der Widerstandsmaske (mit 103 bis 105 bezeich net), die auf dem Aluminiumfilm in einem späteren Schritt angeordnet werden soll, zu verbessern.
Der obige sehr dünne anodische Oxidationsfilm wird unter Verwendung einer elektrolitischen Lösung gebildet, die durch Neutralisierung einer Äthylen-Glycol-Lösung, die 3 Gewichtsprozent Weinsäure mit Gaswasser enthält, ausgebildet wird. Die anodische Oxidation wird in der elektrolitischen Lösung unter Verwendung des Aluminiumfilms als Anode und Platin als Kathode durchgeführt.
Der hierbei ausgebildete anodische Oxidationsfilm hat die Qualität eines dichten Films. Die Filmdicke kann durch die aufgebrachte Spannung gesteuert werden. Hier beträgt die Dicke 15 nm.
Als nächstes werden die Widerstandsmasken 103, 104 und 105 auf dem Aluminiumfilm angeordnet. Da der (nicht gezeigte) dichte anodische Oxidationsfilm auf dem Aluminiumfilm ausgebildet wird, können die Widerstandsfilme ohne Lücken in engen Kontakt mit dem Aluminiumfilm gebracht werden. Eine zweite Maske wird bei der Bildung der Widerstandsmasken verwendet.
Als nächstes wird die Musterbildung (patterning) unter Verwendung der Widerstandsmasken 103, 104 und 105 durchgeführt, um eine Gate-Elektrode 106, eine (nicht gezeigte) Gate-Verdrahtung, die sich von der Gate-Elektrode erstreckt, einen Teil 107 einer Kurzschlußverdrahtung, um die Gate-Verdrahtung und eine Source-Verdrahtung in einem späteren Schritt zu verbinden und ein Teil 108 einer Verdrahtung, die verwendet wird, um einen elektrischen Strom zuzuführen, wenn die anodische Oxidation der Gate-Elektrode in einem späteren Schritt ausgebildet wird, auszubilden. Auf diese Art erhält man den in 1(A) gezeigten Zustand.
Als nächstes werden im Zustand, in dem die Widerstandsmasken angeordnet sind, wie das in 1(B) gezeigt ist, poröse anodische Oxidationsfilme 109, 110 und 111 ausgebildet.
Die porösen anodischen Oxidationsfilme werden unter Verwendung einer elektrolitischen Lösung von 3 Gewichtsprozent Oxallösung ausgebildet. Insbesondere wird die anodische Oxidation in der oben beschriebenen Lösung ausgeführt unter Verwendung der ersten Schichtverdrahtung (Muster, die mit 106 bis 108 bezeichnet sind), die im Schritt der 1(A) als Anode und mit Platin als Kathode ausgebildet sind, und indem ein Stromfluß zwischen beiden Elektroden bewirkt wird.
Zu dieser Zeit wird, da die Widerstandsmasken auf dem oberen Teil der jeweiligen Muster von Aluminium angeordnet sind, die elektrolitische Lösung nicht in Kontakt mit den oberen Ober flächen der Aluminiummuster gebracht. Somit setzt sich die anodische Oxidation nur an den Seitenoberflächen der jeweiligen Aluminiummuster fort.
Die anodische Oxidation wird durchgeführt, indem ein elektrischer Strom durch die Verdrahtung für die Zuführung eines elektrischen Stroms (ein Teil davon ist mit 108 bezeichnet) zugeführt wird.
Die Verdrahtung für die Zuführung eines elektrischen Stroms wird verwendet, um zu verhindern, daß die Filmdicke eines anodischen Oxidationsfilms durch einen Spannungsabfall, der zwischen beiden Enden des aktiven Matrixgebietes erzeugt wird, bei der anodischen Oxidation, ungleichmäßig wird. Insbesondere wenn das Gebiet der Flüssigkristallplatte groß gemacht wird, ist es notwendig, die Verdrahtung für die Zuführung eines elektrischen Stromes zu verwenden.
Die Wachstumsdistanz des porösen anodischen Oxidationsfilms kann durch eine anodische Oxidationszzeit gesteuert werden. Die Wachstumsdistanz des porösen anodischen Oxidationsfilms kann zwischen ungefähr 300 mn bis 1000 nm gewählt werden. Im vorliegenden Fall beträgt die Filmdicke (Wachstumsdistanz) des porösen anodischen Oxidationsfilms 500 nm. Es sollte angemerkt werden, daß die Wachstumsdistanz des porösen anodischen Oxidationsfilms grob die Größe eines Verunreinigungsgebietes niedriger Konzentration, das in einem späteren Schritt ausgebildet wird, bestimmen kann.
Der poröse anodische Oxidationsfilm dient zur Ausbildung des Verunreinigungsgebietes niedriger Konzentration (als Gebiet wird im allgemeinen ein LDD-Gebiet bezeichnet) und zur Unterdrückung des Auftretens von Defekten am Zweiebenenkreuzungsteil zwischen der ersten Schichtverdrahtung und der zweiten Schichtverdrahtung.
Nach der Ausbildung der porösen anodischen Oxidationsfilme, die in 1(B) mit 109, 110 und 111 bezeichnet sind, werden die Widerstandsmasken 103, 104 und 105 (in 1(B) nicht gezeigt) entfernt.
Als nächstes werden anodische Oxidationsfilme, die die dichte Filmqualität haben, nochmals ausgebildet. Im vorliegenden Fall werden die anodischen Oxidationsfilme 112, 113 und 114 ausgebildet. Die dichten anodischen Oxidationsfilme haben sehr großen Einfluß auf die Unterdrückung der Ausbildung von Oberflächenunebenheiten oder Haarknstallen.
Die Ausbildung des dichten anodischen Oxidationsfilms wird unter Verwendung einer elektrolitischen Lösung ausgeführt, die durch Neutralisierung einer Äthylen-Glycol-Lösung, die 3 Gewichtsprozent Weinsäure mit Gaswasser enthält, erhalten wird.
In diesem Schritt werden, da die elektrolitische Lösung in die porösen anodischen Oxidationsfilme 109, 110 und 111 eindringt, die dichten anodischen Oxidationsfilme auf den oberen Oberflächen und den Seitenoberflächen der Elektrode und der Verdrahtungen (mit 106 bis 108 bezeichnet), die aus verbleibendem Aluminium, das mit 112, 113 und 114 bezeichnet ist, gemacht sind, ausgebildet.
Bei dieser anodischen Oxidation wird auch, unter Verwendung der Verdrahtung für das Zuführen eines elektrischen Stroms für die anodische Oxidation, von dem ein Teil mit 108 bezeichnet ist, bei der anodischen Oxidation ein elektrischer Strom zugeführt. Dies wird gemacht, um die Einflüsse eines Spannungsabfalls zu korrigieren, so daß die Filmdicke der ausgebildeten anodischen Oxidationsfilme insgesamt gleichmäßig gemacht wird.
Die Dicke des dichten anodischen Oxidationsfilms wird auf 80 nm gebracht. Wenn die Dicke des dichten anodischen Oxidationsfilms dick gemacht wird (beispielsweise 2000 nm oder mehr), so kann eine versetztes Gate-Gebiet in der aktiven Schicht durch den dicken Teil später ausgebildet werden. Wenn jedoch der dichte anodische Oxidationsfilm dick ausgebildet wird, so muß die aufgebrachte Spannung hoch sein (eine Spannung von 200 Volt oder mehr ist erforderlich, um eine Filmdicke von 200 nm oder mehr zu erhalten), so daß dies im Hinblick auf die Reproduzierbarkeit der Operation und der Sicherheit nicht vorteilhaft ist. Somit wird im vorliegenden Fall, um solche Effekte zu erzielen, um die Erzeugung von Oberflächenunebenheiten und Haarkristallen zu unterdrücken und die Haltespannung zu verbessern, der dichte anodische Oxidationsfilm 80 nm dick gemacht.
In diesem Schritt werden die Gate-Elektrode und die Gate-Verdrahtung 106, wie in 1(B) gezeigt, ausgebildet. Die Querschnittsgröße der Gate-Elektrode und der Gate-Verdrahtung 106 wird durch die anodische Oxidation vermindert, wenn man es mit der Form vergleicht, die durch 106 in 1(A) bezeichnet ist.
Die dichten anodischen Oxidationsfilme 113 und 114 und die porösen anodischen Oxidationsfilme 110 und 111 sind um das Teil 107 der Kurzschlußschaltungsverdrahtung herum ausgebildet, um die Gate-Verdrahtung mit der Source-Verdrahtung zu verbinden, und sie sind auch um das Teil 108 der Verdrahtung für die Zuführung eines elektrischen Stroms zur Gate-Elektrode bei der anodischen Oxidation angebracht. Somit wird die Querschnittsgröße dieser Verdrahtung durch die anodische Oxidation vermindert.
Auf diese Weise erhält man den in 1(B) gezeigten Zustand. Als nächstes wird der offen liegende Siliciumoxidfilm 103 entfernt. Der offenliegende Siliciumoxidfilm 103 wird entfernt, um ein Verunreinigungsgebiet niedriger Konzentration in der aktiven Schicht 102 des Dünnfilmtransistors auszubilden. Auf diese Art erhält man den in 1(C) gezeigten Zustand. In die sem Zustand verbleiben die Siliciumoxidfilme an Teilen, die mit 115, 116 und 117 bezeichnet sind.
Als nächstes werden die porösen anodischen Oxidationsfilme 109, 110 und 111 entfernt. Der poröse anodische Oxidationsfilm kann selektiv entfernt werden unter Verwendung eines Säuregemisches aus Phosphorsäure, Essigsäure und Salpetersäure.
Auf diese Weise erhält man den Zustand, wie er in 1(D) gezeigt ist. Nachdem der in 1(D) gezeigte Zustand erreicht wurde, werden Verunreinigungsionen implantiert, um ein Source-Gebiet und ein Drain-Gebiet des Dünnfilmtransistors zu erhalten. Im vorliegenden Fall werden P-Ionen implantiert, um einen N-Kanal-Typ auzubilden. B-Ionen können implantiert werden, um einen Dünnfilmtransistor des P-Kanal-Typs auszubilden, anders als beim N-Kanal-Typ.
In diesem Schritt werden ein Source-Gebiet 118 und ein Drain-Gebiet 122 in einer selbst ausrichtenden Art ausgebildet. Es werden auch Verunreinigungsgebiete niedriger Konzentration, die mit 119 und 121 bezeichnet sind, in selbst ausrichtender Art ausgebildet. Das Verunreinigungsgebiet niedriger Konzentration 121, das zwischen einem Kanalbildungsgebiet 120 und einem Draingebiet 122 ausgebildet wird, ist ein sogenanntes LDD (leicht dotiertes Drain) Gebiet (1(D)).
Die Verunreinigungsgebiete niedriger Konzentration stellen eine sehr nützliche Struktur dar, um einen Dünnfilmtransistor zu erhalten, der niedrige Stromlosmerkmale hat (OFF-current characteristics). Es ist insbesondere nützlich, da der Dünnfilmtransistor, der für einen Bildpunkt des aktiven Matrixgebietes erforderlich ist, niedrige Stromlosmerkmale hat, die Verunreinigungsgebiete niedriger Konzentration vorzusehen, um die niedrigen Stromlosmerkmale herzustellen.
Die Verunreinigungsgebiete niedriger Konzentration dienen auch dazu, die Zerstörung der Kennzeichen des Dünnfilmtransistors zu verhindern.
Nach der Implantierung der Verunreinigungsionen wird eine Bestrahlung mit Laserlicht durchgeführt, um die implantierten Verunreinigungsionen zu aktivieren und das Gebiet, das durch die Ionenimplantierung beschädigt ist, auszuglühen. Zu dieser Zeit kann die Erzeugung von Oberflächenunebenheiten und Haarkristallen an der Gate-Elektrode 106 und den Verdrahtungen 107 und 108 durch den Betrieb der vorher ausgeformten anodischen Oxidationsfilme 112, 113 und 114, die eine dichte Filmqualität haben, verhindert werden.
Als nächstes wird ein Siliciumoxydfilm mit einer Dicke von 4000 Å, der als erster Zwischenlagenisolierfilm 123 dient, durch ein Plasma-CVD-Verfahren, das TEOS-Gas als Rohmaterial verwendet, ausgebildet (2(A)).
Als zwischenliegender Isolationsfilm 123 kann ein Siliciumnitrid-Film oder ein Siliciumnitridoxyd-Film verwendet werden. Der Siliciumnitrid-Film kann durch das Plasma-CVD-Verfahren, das Ammonium als Rohgas verwendet, ausgebildet werden. Der Siliciumnitridoxid-Film kann durch das Plasma-CVD-Verfahren, das TEOS und N₂O-Gas verwendet, ausgebildet werden.
Als erster Zwischenschichtisolationsfilm 123 kann eine laminierte Struktur verwendet werden, in der eine Vielzahl von Filmarten, ausgewählt aus den folgenden Filmen: Silciumoxidfilm, Siliciumnitridfilm und Siliciumnitridoxydfilm laminiert sind, verwendet werden können.
Nachdem der erste Zwischenschichtisolationsfilm 123 ausgebildet ist, werden Kontaktlöcher ausgebildet. In diesem Schritt wird eine dritte Maske verwendet. Auf diese Weise erhält man den in 2(A) gezeigten Zustand.
Dann wird eine zweite Schichtelektrode und eine Verdrahtung (allgemein als zweite Schichtverdrahtung bezeichnet), die aus einem dreilagigen Film aus einem Titanfilm, einem Aluminiumfilm und einen Titanfilm besteht, ausgebildet. Da der Titanfilm hauptsächlich verwendet wird, um einen guten Kontakt zu erreichen, kann seine Dicke weniger als einige hundert Angström betragen. In diesem Schritt wird eine vierte Maske verwendet (2(B)).
Als zweite Schichtverdrahtung wird bevorzugt ein einlagiger Aluminiumfilm verwendet. Um einen guten Kontakt mit anderen Elektroden oder Verdrahtungen zu erzielen, wird jedoch die Dreilagenstruktur, die einen Titanfilm, einen Aluminiumfilm und einen Titanfilm umfaßt, in dieser Ausführungsform verwendet.
Verschiedene Ätzflüssgkeiten werden jeweils für das Ätzen des Titanfilms und des Aluminiumfilms verwendet. In dieser Ausführungsform wird Gaswasser zum Ätzen des Titanfilms und eine gemischte Aluminiumsäure für das Ätzen des Aluminiumfilms verwendet.
Auf diese Art erhält man den in 2(B) gezeigten Zustand. Die Source-Elektrode und die Source-Verdrahtung sind in 2(B) mit 124 bezeichnet. Eine Gate-Elektrode ist mit 125 bezeichnet. Obwohl dies nicht in 2 gezeigt ist, ist die Gate-Elektrode 125 im nicht gezeigten Zustand ausgebildet, in der sie sich von der nicht gezeigten Gate-Verdrahtung aus erstreckt.
In diesem Schritt werden auch Dummy-Elektroden 126, 127 und 128 ausgebildet, die in einem späteren Teilungsschritt verwendet werden.
Obwohl dies aus der Zeichnung nicht klar ist, sind die Quellverdrahtung 124 und die Gate-Elektrode 125 als zweite Lagenverdrahtung durch die Kurzschlußschaltung, die mit 107 bezeichnet ist, verbunden. Mit dieser Struktur ist es möglich, die Potentialdifferenz zwischen der Source-Verdrahtung 124 und der Gate-Elektrode 125 zu eliminieren.
Weiterhin ist die Source-Verdrahtung 124 angeordnet, um die Verdrahtung 108 zu überkreuzen, für eine Stromversorgung bei der anodischen Oxidation durch den ersten Zwischenschichtisolationsfilm 123.
Weiterhin zeigt 2(B) die Dummy-Elektroden (als Zweckmäßigkeitselektroden bezeichnet) 126, 127 und 128, die nicht als Elektroden oder eine Verdrahtung funktionieren, sondern für einen späteren Teilungsschritt verwendet werden. Die Dummyelektroden haben ihre Funktion im letzten Schritt, wo die Verdrahtungen 107 und 108 geteilt werden (2(B)).
Als nächstes wird ein zweiter Zwischenschichtisolationsfilm 129 ausgebildet. In dieser Ausführungsform wird als zweiter Zwischenschichtfilm 129 ein Siliciumoxidfilm mit einer Dicke von 400 nm durch das Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet. Als zweiter Zwischenschichtisolationsfilm 129 kann ein Siliciumnitridfilm, ein Siliciumoxydnitridfilm oder ein laminierter Film aus diesen Isolationsfilmen und ein Siliciumoxydfilm verwendet werden.
Bei der Filmausbildung des zweiten Zwischenschichtisolationsfilms wird die Source-Verdrahtung 124 mit der Gate-Elektrode 125 durch die Kurzschlußschaltungsverdrahtung 107 kurzgeschlossen. Somit ist es möglich, das Auftreten einer Potentialdifferenz zwischen der Source-Verdrahtung 124 und der Gate-Elektrode 125 durch den Einfluß des Plasmas zu vermeiden. Dann ist es möglich, zu verhindern, daß der Gate-Isolationsfilm (Siliciumoxidfilm) 115 durch die Potentialdifferenz, die zwischen der Source-Verdrahtung 124 und der Gate-Elektrode 125 auftritt, durchbrochen wird.
Als nächstes werden Kontaktlöcher, die mit den Bezugszahlen 130, 131, 132 und 133 bezeichnet sind, ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird eine fünfte Maske verwendet. Auf diese Weise erhält man den in 2(C) gezeigten Zustand. Hierbei bezeichnet die Bezugszahl 130 ein Kontaktloch zum Drain-Gebiet, 131 bezeichnet eine Öffnung, die für das Teilen der Verdrahtung 107 verwendet wird, und 132 und 133 bezeichnen Öffnungen, die für das Teilen der Verdrahtung 108 verwendet werden.
Weiterhin wird in diesem Schritt die Oberfläche eines Endteils 134 der Source-Elektrode und die Source-Verdrahtung offengelegt. Der Teil wird später zu einem externen, nach außen führenden Anschluß. Es sollte bemerkt werden, daß die Source-Verdrahtung tatsächlich mit einer peripheren Treiberschaltug für das Ansteuern einer aktiven Matrixschaltung verbunden ist, und der externe Anschluß der peripheren Schaltung zum Teil 134 wird. In 2 ist aus Gründen der Übersichtlichkeit die externe Treiberschaltung nicht gezeigt.
Als nächstes wird, wie in der 3(A) gezeigt, eine ITO-Elektrode 135 zur Ausbildung einer Bildpunktelektrode durch das Sputter-Verfahren ausgebildet. Die ITO-Elektrode 135 wird in ihrem Muster ausgebildet, um eine Bildpunktelektrode 136 auszubilden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine sechste Maske verwendet (3(B)).
Bei der Ausbildung der Bildpunktelektrode 136 wird nach Entfernen der ITO-Elektrode 135, die überflüssig wird, ein Ätzen der Elektroden (Dummy-Elektroden), die mit 126, 127 und 128 bezeichnet sind, der zweiten Schichtverdrahtung weiter fortgesetzt. Weiterhin wird ein Teil der ersten Verdrahtung, die mit 107 und 108 bezeichnet ist, auch durch Ätzen entfernt.
Mit anderen Worten, es werden an den Öffnungsteilen, die mit 131, 132 und 133 bezeichnet sind, die zweite Schichtverdrahtung und die erste Schichtverdrahtung gleichzeitig entfernt. Somit werden die Verdrahtung 107 und 108 an den Öffnungsteilen, die mit 131, 132 und 133 bezeichnet sind, geteilt (abgeschnitten).
Zu dieser Zeit wird es, da es sich bei der zweiten Lagenverdrahtung um einen laminierten Lagenfilm aus einem Titanfilm und einem Aluminiumfilm handelt, notwendig, ein Ätzen durch ein Ändern des Ätzmittels für jeden Film durchzuführen.
Auf diese Art erhält man den in 3(B) gezeigten Zustand. Da dieser Schritt zur gleichen Zeit ausgeführt wird wie die Musterbildung für die Ausbildung der Bildpunktelektrode, ist es möglich, die Verwendung einer neuen Maske zu vermeiden. Das heißt, es ist möglich, eine Komplizierung der Herstellungsschritte zu vermeiden.
Der Grund dafür, daß die erste Schichtverdrahtung und die zweite Schichtverdrahtung gleichzeitig entfernt werden können, ist der, daß nur Metallmaterial selektiv vom Isolationsfilm, wie beispielsweise einem Siliciumoxydfilm, entfernt werden kann.
Zur gleichen Zeit mit diesem Schritt verbleibt ein ITO-Film 137 auf der Oberfläche des nach außen führenden Teils 134 der Flüssigkristallplatte, die sich von der Source-Verdrahtung 124 aus erstreckt. Der ITO-Film dient als eine Pufferschicht, um Korrosion und die zufällige Diffusion zwischen einer Metallverdrahtung oder einer leitenden Anschlußfläche, die in Kontakt mit dem nach außen führenden Elektrodenteil und einem Kontaktteil gebracht wird, zu verhindern.
Es ist auch wichtig, daß die Verdrahtung für die Zuführung des elektrischen Stromes 108 bei der anodischen Oxidation an den Teilen 132 und 133 abgeschnitten wird.
Beim Zusammenbau einer Flüssigkristallplatte in einem späteren Schritt wird ein Harzfilm für das Polieren ausgebildet, der den zweiten Zwischenschichtisolationsfilm bedeckt, und ein Polieren für die Ausrichtung des Flüssigkristalls wird durchgeführt. Zu dieser Zeit ist die Verdrahtung 108 elektrisch schwebend. In diesem Zustand besteht die Gefahr, daß ein nachteiliger Einfluß durch statische Elektrizität, die durch das Polieren erzeugt wird, verursacht wird.
Es ist jedoch, wie in dieser Ausführungsform gezeigt, möglich, den Einfluß der statischen Elektrizität zu unterdrücken, da die Verdrahtung 108 an den Teilen 132 und 133 geteilt ist.
Es sei angemerkt, daß die geteilten Teile passend eingestellt werden können, obwohl in den Zeichnungen geteilte Teile der Verdrahtung 107 und der Verdrahtung 108 als jeweils ein und zwei Teile dargestellt sind.
5 ist eine Ansicht, die einen Querschnitt entlang der Linie A bis A' der 3(B) zeigt. Wie in 6 gezeigt ist, liegt die Source-Verdrahtung 124 über der Verdrahtung 108 für das Zuführen eines elektrischen Stromes bei der anodischen Oxidation, um den Zustand einer dreidimensionalen Verdrahtung auszubilden. Zur dieser Zeit hat ein Teil der Verdrahtung 108, der mit der Bezugszahl 501 gekennzeichnet ist, durch die Bildung des porösen anodischen Oxidationsfilms eine treppenartige Form.
Somit ist es möglich, die Oberfläche eines Teils 502 des ersten Zwischenschichtisolationsfilmes 123 zu glätten. Somit ist es möglich, zu verhindern, daß die Source-Verdrahtung 124 am Teil 502 geschnitten wird.
Nachdem der in 3(B) gezeigte Zustand erhalten wurde, wird die Bedeckung eines Harzmaterials, das eine BM (Schwarze Matrix) Struktur bildet, durchgeführt. Das Harzmaterial wird unter Verwendung einer siebten Maske mit einem Muster versehen. Auf diese Art wird ein Substrat, das eine Flüssigkristallplatte bildet, die mit einem BM 138 mit Ausnahme der Bildpunktelektrode 136 bedeckt ist, fertiggestellt (4).
In der Ausbildung des BM 138 werden die Löcher, die mit 131, 132 und 133 bezeichnet sind, mit Material gefüllt, das die BM bildet. Da das Material, das die BM bildet, ein Harzmaterial ist, ist das Füllen der jeweiligen Öffnungen mit dem Material, das die BM bildet, wirksam, um eine hohe Zuverlässigkeit zu erzielen.
In dieser Ausführungsform wird ein Ätzen als Naßätzen durchgeführt, wie wohl auch ein Trockenätzen durchgeführt werden kann.
[Ausführungsform 2]
In dieser Ausführungsform ist ein Beispiel eines Zustandes gezeigt, in welchem die in den 1 bis 4 gezeigt Struktur von der oberen Oberfläche her gesehen wird. 6 zeigt einen Teil einer aktiven Matrixschaltung einer Flüssigkristallplatte des aktiven Matrixtyps. 6 zeigt keine periphere Treiberschaltung für das Aufbringen eines Treibersignals zu einer Source-Verdrahtung und einer Gate-Verdrahtung.
In der in 6 gezeigten Struktur wird die Gateverdrahtung 125 mit der Source-Verdrahtung 124 durch die Kurzschlußschaltungsverdrahtung 107 kurzgeschlossen. Diese Kurzschlußschaltungsverdrahtung ist an der Öffnung 131 im in 3(B) gezeigten Schritt geteilt.
Die Leitung 108 für das Zuführen eines elektrischen Stroms, der bei der anodischen Oxidation verwendet werden soll, ist an den Öffnungen 132 und 133 im in 3(B) gezeigten Schritt geteilt. Die Source-Verdrahtung 124 überkreuzt die geteilten Teile durch den zwischenliegenden Isolationsfilm 123.
[Ausführungsform 3]
Diese Ausführungsform bezieht sich auf die Form der ersten Verdrahtung, die an den in 3(B) gezeigten Öffnungen 132 und 133 geteilt ist. Beispielsweise wird die Verdrahtung, die mit 108 bezeichnet ist, nach Vollendung der anodischen Oxidation unnötig. Es besteht jedoch die Befürchtung, daß ein Strompuls durch die Abnormalität der lokalen Entladung durch die Verdrahtung 108 fließt, die sich entlang der Filmformation des ersten zwischenliegenden Isolationsfilms 123 und des zweiten zwischenliegenden Isolationsfilms 129 erstreckt.
Bei der Filmausbildung des ersten Zwischenschichtisolationsfilms 123 oder des zweiten Zwischenschichtisolationsfilms 129 wird die Verdrahtung 108 mit den jeweiligen Gate-Elektroden verbunden. Somit wird, wenn ein Strompuls durch die Verdrahtung 108 fließt, eine Pulsspannung an die jeweiligen Gateelektroden angelegt.
In der Struktur, auf die diese Ausführungsform hinweist, ist die Verdrahtung 108, wie in 7 gezeigt, in eine U-Form an den geteilten Teilen geformt. Der Pulsstrom wird an diesem Teil ausgelöscht oder verstärkt. Das heißt, diese Ausführungsform ist charakterisiert dadurch, daß der geteilte Teil in so einer Form ausgebildet ist, daß ein Pulsstrom leicht entladen wird. 7(A) zeigt den Zustand vor der Teilung, und 7(B) zeigt den Zustand nach der Teilung.
Die U-förmige Verdrahtungsteile werden an den Öffnungsteilen 132 und 133 (Öffnungsteile, die in 3(B) gezeigt sind) entfernt.
[Ausführungsform 4]
Diese Ausführungsform ist eine Modifikation der Herstellungsschritte, die in den 1 bis 4 gezeigt sind. Die Produktionsschritte dieser Ausführungsform sind in den 8 bis 11 gezeigt. Die Merkmale dieser Ausführungsform sind die, daß nach der Ausbildung der Öffnungen 931 bis 933 (die den Öffnungen 131 bis 133 von 2 entsprechen), die im in 9(C) dargestellten Schritt ausgebildet wurden, Öffnungen 1031 bis 1033, die größer als die die vorherigen Öffnungen sind, wie in 10 gezeigt, ausgebildet werden. Die anderen Produktionsbedingungen sind die gleichen wie die der Ausführungsform 1.
[Ausführungsform 5]
In dieser Ausführungsform werden im in 1(B) gezeigten Schritt die dichten anodischen Oxidationsfilme 112, 113 und 114 nicht ausgebildet. Da die Befürchtung besteht, daß Defekte auftreten können durch das Entfernen der dichten anodischen Oxidationsfilme, wird vorgezogen, diese nicht in dem Fall zu verwenden, in dem die Erzeugung der Oberflächenunebenheiten oder der Haarkristalle unterdrückt werden kann.
In dieser Ausführungsform werden im in 1(B) gezeigten Schritt die dichten anodischen Oxidationsfilme 112, 113 und 114 nicht ausgebildet, aber es wird ein (nicht gezeigter) Siliciumnitridfilm mit einer Dicke von 10 nm bis 50 nm nach der Implantierung von Verunreinigungsionen, wie dies in 1(D) gezeigt ist, ausgebildet.
Nach der Ausbildung des Siliciumnitridfilms wird zu dessen Aktivierung eine Bestrahlung mit Laserlicht durchgeführt. Somit wird der Siliciumnitridfilm zu einer Barriere, um die Erzeugung der Oberflächenunebenenheiten oder der Haarkristalle zu unterdrücken. Danach kann der erste Zwischenschichtisolationsfilm ausgebildet werden. In diesem Fall wird der erste Zwischenschichtisolationsfilm unvermeidlich ein Mehrlagenfilm.
Wie oben beschrieben wurde, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, zu verhindern, daß die Halbleitervorrichtung bei der Herstellung durch ein hohes pulsartiges Potential, das vom Plasma herrührt, gebrochen wird. Weiterhin ist es möglich, unnötige Verdrahtungen zu teilen, ohne daß neue Masken erforderlich sind.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit folgenden Schritten: Ausbildung einer ersten Verdrahtung (107, 108) auf der Oberfläche eines Isolators (100); Ausbildung eines ersten Isolationsfilms (123) auf der ersten Verdrahtung (107, 108); Ausbildung einer ersten Öffnung im ersten Isolationsfilm (123) an einem Teil, an dem die erste Verdrahtung (107, 108) geteilt werden soll; Ausbildung eines Metallteils (126, 127, 128) in der Öffnung, das die erste Verdrahtung (107, 108) kontaktiert; Ausbildung eines zweiten Isolationsfilms (129), der das Metallteil (126, 127, 128) bedeckt; Ausbildung einer zweiten Öffnung (131, 132, 133) im zweiten Isolationsfilm, um das Metallteil (126, 127, 128) offen zu legen; Ausbildung eines leitenden Films (135), der eine Elektrode auf dem zweiten Isolationsfilm (129) herstellt, wobei der leitende Film (135) das Metallteil (126, 127, 128) durch die zweite Öffnung (131, 132, 133) kontaktiert; Musterrausbildung des leitenden Films (135), und Entfernen eines Teils des Metallteils (126, 127, 128) und eines Teils der ersten Verdrahtung (107, 108) unter dem Metallteil (126, 127, 128) durch die erste und zweite Öffnung (131, 132, 133) bei der Musterausbildung des leitenden Films (135), wobei die erste Verdrahtung (107, 108) geteilt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, das weiter den Schritt der anodischen Oxidation einer Oberfläche der ersten Verdrahtung (107, 108) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Isolationsfilm (123) ein Material aus folgender Gruppe aufweist: Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metallteil (126, 127, 128) eine mehrlagige Struktur aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metallteil (126, 127, 128) eine einlagige Struktur aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Verfahren weiter die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden einer Gate-Elektrode (106) eines Dünnfilmtransistors und einer Gate-Verdrahtung, die mit der Gate-Elektrode (106) verbunden ist in der gleichen Schicht wie die erste Verdrahtung (107, 108), Ausbilden einer Source-Verdrahtung (124) auf dem ersten Isolierfilm (123), wobei die Source-Verdrahtung (124) mit der Gate-Elektrode durch die zumindest erste Verdrahtung (107, 108) kurzgeschlossen ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Halbleitervorrichtung eine Anzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die erste Verdrahtung (107, 108) über einem Glassubstrat angeordnet ist.
Verfahren nach einem der Anspruche 1 bis 8, wobei der zweite Isolationsfilm (129) durch Plasma CVD hergestellt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Elektrode eine Pixelelektrode (136) ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Elektrode ITO umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiter folgende Schritte umfasst: Ausbilden einer Gate-Elektrode (106), eines Dünnfilmtransistors und eine Gate-Verdrahtung, die mit der Gate-Elektrode (106) verbunden ist, wobei die Gate-Elektrode (106) und die Gate-Verdrahtung aus der gleichen Schicht wie die erste Verdrahtung (107) gebildet sind, anodisches Oxidieren der Oberflächen der Gate-Elektrode (106) und der Gate-Verdrahtung durch Anlegen eines elektrischen Stroms durch die erste Verdrahtung (107, 108).
Verfahren nach Ansprüchen 6 oder 12, wobei der Dünnfilm Transistor eine LDD-Struktur aufweist.