DE1769659B1 - Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen - Google Patents

Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen

Info

Publication number
DE1769659B1
DE1769659B1 DE19681769659 DE1769659A DE1769659B1 DE 1769659 B1 DE1769659 B1 DE 1769659B1 DE 19681769659 DE19681769659 DE 19681769659 DE 1769659 A DE1769659 A DE 1769659A DE 1769659 B1 DE1769659 B1 DE 1769659B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
melt
weight
percent
crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19681769659
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Tolksdorf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE19681769659 priority Critical patent/DE1769659B1/de
Priority to GB31247/69A priority patent/GB1223236A/en
Priority to NL6909538A priority patent/NL6909538A/xx
Priority to JP4885169A priority patent/JPS55358B1/ja
Priority to SE08878/69A priority patent/SE350198B/xx
Priority to BE735002D priority patent/BE735002A/xx
Priority to FR6921116A priority patent/FR2011662A1/fr
Publication of DE1769659B1 publication Critical patent/DE1769659B1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00Compounds of rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/12Salt solvents, e.g. flux growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compounds Of Iron (AREA)

Description

1 2
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Züch- Durch das Entlüftungsrohr wird eine ständige Ver-
tung von Einkristallen, gegebenenfalls unter Ver- bindung mit der Atmosphäre außerhalb des Tiegels wendung von Keimkristallen, durch Abkühlen einer geschaffen und der Überdruck innerhalb des dichten schmelzfiüssigen Lösung im Temperaturbereich der Tiegels, der sonst durch den hohen Dampfdruck der Übersättigung, und zur Abtrennung der hergestellten 5 Hilfsschmelze entsteht, vermieden. Dadurch wird das Kristalle von der Restschmelze, mit einem allseits bisher häufig beobachtete Verbeulen, Undichtwerden verschlossenen Tiegel, der mit einer Entlüftungs- oder Platzen des Tiegels verhindert. Die S-förmige vorrichtung versehen ist und der die schmelzflüssige Ausbildung des Entlüftungsrohres hat zur Folge, daß Lösung enthält. dieses Rohr während des Verfahrens ständig Dampf
Bei der Züchtung von Einkristallen werden an die io aus der Hilfsschmelze enthält. Dieser Dampfpuffer Reinheit der Ausgangsstoffe, der Hilfsschmelze und wirkt druckausgleichend und verhindert ein eruptives des Tiegelmaterials hohe Anforderungen gestellt, um Entweichen von Hilfsschmelze bzw. Dampf aus der Einkristalle mit optimalen magnetischen, elektrischen, Hilfsschmelze. Die zuvor erwähnte bekannte ventiloptischen und akustischen Eigenschaften zu erhalten. artige Entlüftungsvorrichtung ist für die erfindungs-
Es ist bekannt, zur Züchtung von Yttrium-Granat- 15 gemäße Vorrichtung ungeeignet, da durch sie die Einkristallen als Hilfsschmelze ein Gemisch von Blei- Drehbarkeit des Tiegels ausgeschlossen wäre. Außeroxyd und Bleifluorid zu verwenden. Diese Hilfs- dem wird durch dieses Ventil kein ständiger Druckschmelze hat jedoch den schwerwiegenden Nachteil ausgleich während des Verfahrens erzielt, eines hohen Dampfdrucks bei der Lösungstemperatur Um den Tiegel auf einfache Weise, z. B. durch
von etwa 1250° C. In diesem Medium neigen die 20 Schweißen, Öffnen und Schließen und zugleich auch Granatkristalle dazu, sich unterhalb 950° C wieder wiederverwenden zu können, besteht nach einer weiaufzulösen. Man hat daher versucht, nach einem teren Ausbildung der Erfindung der Tiegel aus einem kurzen Abkühlungszeitraum die Kristalle durch Ab- Hohlzylinder mit Verschlußteilen, wobei der Rand gießen der überschüssigen Flüssigkeit bei 1040° C mindestens eines Verschlußteils parallel zum Rand außerhalb des Ofens abzutrennen (Electronics, 25 des Hohlzylinders verläuft und die beiden Ränder Bd. 37, Nr. 5 [1964], S. 44, 45). Dies verursacht je- dicht miteinander verbunden sind, doch einen thermischen Schock. Um dies zu ver- Mittels der Vorrichtung nach der Erfindung kön-
hindern, ist es bekannt, die Hilfsschmelze bei 950° C nen die entstandenen Kristalle durch Drehen des innerhalb des Ofens dadurch abzuziehen, daß man Tiegels innerhalb des Ofens von der noch flüssigen eine Abflußöffnung im Boden des Tiegels schafft 30 Restschmelze getrennt werden. Auf diese Weise (H. S. P e i s e r [Herausgeber], »Crystal Growth«, können die Kristalle nach Beendigung der Kristal-Ergänzungsband zu J. Phys. Chem. Solids [1967], !isation ohne thermischen Schock und ohne Verlust S. 441 bis 444). der Restschmelze von der Restschmelze abgetrennt
Bei den bekannten Verfahren geht die sehr teure werden.
Hilfsschmelze entweder völlig verloren, oder ihre 35 Mittels der Vorrichtung nach der Erfindung ist es Zusammensetzung ändert sich durch Verdampfung darüber hinaus auch möglich, bei hoher Temperatur derart, daß sie nicht wieder zu verwenden ist. Ferner im Temperaturintervall der Übersättigung oder mögwerden die vorzugsweise aus Platin bestehenden liehst kurz nach spontaner Keimbildung einen Keim-Tiegel während des Verfahrens und/oder beim kristall einzubringen. Dazu wird ein innerhalb des öffnen beschädigt. Dies verursacht Materialverluste 40 Tiegels oberhalb der Schmelze angeordneter Keim- und hohe Umformkosten. kristall im Temperaturintervall der Übersättigung
Um das Entweichen von Luft und überschüssigem oder kurz nach erfolgter spontaner Keimbildung Dampf während des Aufheizens zu ermöglichen, ist durch Drehen des Tiegels in die Schmelze eines ferner bekannt, den Tiegeldeckel mit einem Ventil gebracht.
zu versehen, das aus einem kleinen Loch im Tiegel- 45 In diesem Falle muß der Tiegel also insgesamt deckel und einem diesem Loch angepaßten, mit einer zweimal gedreht werden. Das Einbringen eines Keim-Spitze versehenen Platinstab besteht. Eine Verlange- kristalle im obengenannten Temperaturintervall bzw. rung des Platinstabes führt aus dem Ofen heraus, so zum obengenannten Zeitpunkt wird durch die Drehdaß der Schließdruck des Ventils durch Anbringen barkeit des Tiegels ermöglicht. Dies hat den Vorteil, von Gewichten so verstärkt werden kann, daß der 50 daß eine Auflösung des Keimkristalls in der HilfsDampfdruck der Schmelze bei der Kristallisations- schmelze vermieden wird, die eintritt, wenn der temperatur nicht ausreicht, um das Ventil zu öffnen Keimkristall sich von Anfang an in der Hilfsschmelze (britische Patentschrift 952385). befindet, wie es bei den in der britischen Patent-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Ver- schrift 952385 und in der deutschen Auslegeschrift luste an Hilfsschmelze und Beschädigungen der 55 1037 353 beschriebenen Verfahren der Fall ist. Tiegel zu verhindern. Die Anwendbarkeit der Erfindung ist nicht auf die
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mittels einer Züchtung von Yttrium-Granat-Einkristallen beVorrichtung gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, schränkt; mittels der Vorrichtung nach der Erfindung daß an der Außenseite in der oberen Hälfte des können vielmehr Einkristalle verschiedenster Art, Tiegels ein Entlüftungsrohr angebracht ist, das S-för- 60 insbesondere nicht kongruent schmelzende Einmig ausgebildet und nach unten abgebogen ist und kristalle, aus einer Hilfsschmelze gezüchtet werden, das hinreichende Länge besitzt, so daß im gedrehten Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der
Zustand keine Schmelze ausfließen kann, daß sich Zeichnung dargestellt und wird im folgenden an gegebenenfalls ein Keimkristall im Tiegel oberhalb Hand von zwei Versuchen näher beschrieben. Es der Schmelze befindet und daß der Tiegel in einem 65 zeigt
Heizofen mittels einer Halterung um eine zur Ober- F i g. 1 den Hohlzylinder 1 mit Verschlußteil 2 im
fläche der Schmelze parallele Achse drehbar an- Schnitt,
geordnet ist. F i g. 2 ein Schema des Ofens, in dem das dichte

Claims (1)

  1. 3 4
    Gefäß bzw. der Tiegel 3 in einer Halterung 4 an- v , Ί
    geordnet ist. versucnz
    Versuch 1 ^r den Versuch 2 wurden Schmelze und Tiegel
    von Versuch 1 benutzt. Dazu wurde der abgeschnit-
    Ein Platinhohlzylinder 1 wurde mit einem stramm- 5 tene Boden wieder angeschweißt und der Tiegel ersitzenden, hochrandigen Verschlußteil 2 (F i g. 1) auf hitzt, um den Deckel mit dem Entlüftungsrohr nach einer Seite derart verschlossen, daß die Enden der Abschneiden der Schweißnaht abnehmen zu können, beiden Platinformteile mit einem elektrischen Dabei trat etwas Schmelze aus dem Entlüftungsrohr Schweißgerät dicht verschweißt werden konnten. aus. Die Ausbeute von 70 g Y3Fe3O10 aus Versuch 1 Durch mehrmaliges Vorschmelzen wurde die aus der 10 wurde ersetzt und 10 g PbF., zugegeben, um die Vernachfolgenden Tabelle ersichtliche Einwaage von dampfungsverluste auszugleichen.
    1400 g eingebracht. Um die starke Unterkühlung der Schmelze und da-T , ,, mit das dendritische Wachstum zu verhindern, wurde a e e bei diesem Ansatz ein Keimkristall verwendet. Ein
    PbO 39,21 Gewichtsprozent 15 Kristall des Versuchs 1 wurde dazu durchbohrt und
    PbF2 32,08 Gewichtsprozent mit einem Platindraht an den Deckel angeschweißt.
    B2Oj 1,82 Gewichtsprozent Der Tiegel wurde dann mit diesem Deckel zu-
    CaO 0,27 Gewichtsprozent geschweißt und in den Ofen gebracht, wie es bei Ver-
    Fe2O3 2,59 Gewichtsprozent such 1 beschrieben worden ist. Dann wurde der Ofen
    Hilfsschmelze 75,97 Gewichtsprozent ao so weit aufgeheizt daß die Temperatur am Tiegelboden 1280" C betrug, anschließend wurde auf
    Fe0O3 13,00 Gewichtsprozent 1250° C abgekühlt und weiter mit etwa 0,5° C/h auf
    Y2O3 11,03 Gewichtsprozent 1220° C und mit etwa 0,2° C/h auf 1180° C. Bei
    Granat 24,03 Gewichtsprozent dieser Temperatur wurde der Tiegel gedreht, so daß
    35 jetzt der Deckel mit dem Keimkristall unten war. Mit
    Es entstand ein Gewichtsverlust von 24 g, der 0,4° C/h wurde weiter abgekühlt bis 950° C und
    durch Zugabe von 16 g PbF2 und 8 g PbO kompen- dann der Tiegel wieder gedreht, so daß der Deckel
    siert wurde. Mit einem zweiten, gleichartigen Ver- wieder oben war und frei von Schmelze laufen
    schlußteil 2, in das ein S-förmiges Entlüftungsrohr 5 konnte. Nach vollständigem Abkühlen und öffnen
    (F i g. 2) eingeschweißt worden war, wurde der Tie- 30 des Ofens zeigte sich, daß wiederum vier Kristalle
    gel 3 verschlossen und verschweißt und in einen gewachsen waren, die zusammen 52 g wogen.
    Trägertiegel 6 aus gesintertem Aluminiumoxyd ein-
    gebracht. Die Zwischenräume wurden mit Alu- Patentansprüche:
    miniumsilikat-Watte 7 ausgefüllt. Diese Isolation 1. Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen, dient dazu, etwaige kleine, kurzzeitige Temperatur- 35 gegebenenfalls unter Verwendung von Keimschwankungen auszugleichen. F i g. 2 zeigt die An- kristallen, durch Abkühlen einer schmelzflüssigen Ordnung im Ofen. Lösung im Temperaturbereich der Übersättigung,
    Die Stellung des Tiegels 3 am Beginn des Tem- und zur Abtrennung der hergestellten Kristalle peraturprogramms geht aus F i g. 2 hervor. Der Ofen von der Restschmelze, mit einem allseits verwurde zum Aufschmelzen mittels der Heizvorrich- 40 schlossenen Tiegel, der mit einer Entlüftungstung 9 auf 1300° C (Temperatur am Boden des vorrichtung versehen ist und der die schmelz-Platintiegels) gebracht und entsprechend einem Tem- flüssige Lösung enthält, dadurch gekennperaturprogramm abgekühlt. Bei 1010° C wurde der zeichnet, daß an der Außenseite in der oberen Tiegel im Ofen durch Drehung der aus dem Ofen Hälfte des Tiegels (3) ein Entlüftungsrohr (5) anherausragenden Aufhängungsachse, einem Bestand- 45 gebracht ist, das S-förmig ausgebildet und nach teil der Halterung 4, gedreht. Die am Boden ge- unten abgebogen ist und das hinreichende Länge wachsenen Kristalle wurden auf diese Weise von der besitzt, so daß im gedrehten Zustand keine Schmelze 8 getrennt. Nach Abschneiden der Schweiß- Schmelze ausfließen kann, daß sich gegebenennaht konnte der Boden, der sich jetzt oben befand, falls ein Keimkristall im Tiegel oberhalb der herausgenommen werden. Neben einigen Magnet- 50 Schmelze befindet und daß der Tiegel (3) in oplumbitkristallen (PbFe12O19) waren vier Granat- einem Heizofen mittels einer Halterung (4) um kristalle gewachsen. eine zur Oberfläche der Schmelze parallele Achse
    Der größte Kristall wog 49 g, die Gesamtausbeute drehbar angeordnet ist.
    betrug 70 g, was 20°/o des eingesetzten Y2O3 ent- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gespricht. 55 kennzeichnet, daß der Tiegel (3) aus einem Hohl-
    Das Gewicht des Tiegels hatte während des Kri- zylinder (1) mit Verschlußteilen (2) besteht, wostallisationsvorganges um 10 g abgenommen. Da bei der Rand mindestens eines Verschlußteiles etwas Schmelze aus dem Entlüftungsrohr 3 aus- (2) parallel zum Rand des Hohlzylinders (1) vergetreten war, liegt demnach der Verdampfungsverlust läuft und die beiden Ränder dicht miteinander unter 10O der eingesetzten Bleiverbindungen. 60 verbunden sind.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19681769659 1968-06-25 1968-06-25 Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen Withdrawn DE1769659B1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19681769659 DE1769659B1 (de) 1968-06-25 1968-06-25 Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen
GB31247/69A GB1223236A (en) 1968-06-25 1969-06-20 Crystal growing
NL6909538A NL6909538A (de) 1968-06-25 1969-06-21
JP4885169A JPS55358B1 (de) 1968-06-25 1969-06-21
SE08878/69A SE350198B (de) 1968-06-25 1969-06-23
BE735002D BE735002A (de) 1968-06-25 1969-06-23
FR6921116A FR2011662A1 (de) 1968-06-25 1969-06-24

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19681769659 DE1769659B1 (de) 1968-06-25 1968-06-25 Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1769659B1 true DE1769659B1 (de) 1971-04-08

Family

ID=5700222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19681769659 Withdrawn DE1769659B1 (de) 1968-06-25 1968-06-25 Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS55358B1 (de)
BE (1) BE735002A (de)
DE (1) DE1769659B1 (de)
FR (1) FR2011662A1 (de)
GB (1) GB1223236A (de)
NL (1) NL6909538A (de)
SE (1) SE350198B (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2208380C3 (de) * 1972-02-23 1980-03-06 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Mischeinkristallen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1037353B (de) * 1954-12-14 1958-08-21 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Ferriteinkristallen
GB952385A (en) * 1961-08-30 1964-03-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of single crystals

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1037353B (de) * 1954-12-14 1958-08-21 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Ferriteinkristallen
GB952385A (en) * 1961-08-30 1964-03-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of single crystals

Also Published As

Publication number Publication date
FR2011662A1 (de) 1970-03-06
SE350198B (de) 1972-10-23
JPS55358B1 (de) 1980-01-07
GB1223236A (en) 1971-02-24
BE735002A (de) 1969-12-23
NL6909538A (de) 1969-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3872745T2 (de) Einkristallstab, verfahren und vorrichtung zu seiner ziehung aus einer schmelze.
DE69934643T2 (de) Verfahren zur herstellung eines einkristalls mit halbleitender zusammensetzung
DE2059713A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiter-Einkristallen nach der Czochralski-Methode
DE2254616B2 (de) Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers vorbestimmten Querschnitts aus einem Schmelzfilm
DE69619005T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Einkristalles
DE68907184T2 (de) Verfahren zur zuechtung von kristallen und tiegel dafuer.
DE2219687C2 (de) Vorrichtung zum Ziehen eines Kristalls mit flüchtigen Komponenten aus seiner Schmelze
DE1769860A1 (de) Vorrichtung zum Ziehen von versetzungsfreien Halbleitereinkristallstaeben
DE2620030C2 (de) Verfahren zum Ziehen von Einkristallstäben oder -bändern
DE1619993A1 (de) Verfahren zum Zuechten eines stabfoermigen Einkristalls aus Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE2311573A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bildung von einkristallen
DE1769659B1 (de) Vorrichtung zur zuechtung von einkristallen
DE1941968C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
DE1519837A1 (de) Kristall-Schmelzverfahren
DE1769659C (de) Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen
DE60017324T2 (de) Verfahren zur Kristallzüchtung
DE2161072B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Halbleiterverbindung und Schiffchen zur Durchführung dieses Verfahrens
DE69912484T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalles
DE2358300A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleiterkristallstabes
DE4427686A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE68912686T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Halbleiter-Verbindung.
DE1209997B (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material
DE2137772C3 (de) Verfahren zum Züchten von Kristallen aus halbleitenden Verbindungen
DE2160746C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Verbindungen
DE2133875A1 (de) Verfahren zum ziehen von einkristallen, insbesondere fuer keimkristalle

Legal Events

Date Code Title Description
8339 Ceased/non-payment of the annual fee