DE1616402A1 - Schaltungsanordnung zur Verzoegerung von Analogsignalen - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Verzoegerung von Analogsignalen

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DE1616402A1
DE1616402A1 DE19681616402 DE1616402A DE1616402A1 DE 1616402 A1 DE1616402 A1 DE 1616402A1 DE 19681616402 DE19681616402 DE 19681616402 DE 1616402 A DE1616402 A DE 1616402A DE 1616402 A1 DE1616402 A1 DE 1616402A1
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circuit arrangement
capacitor
analog signals
field effect
delaying
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Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
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Fernseh GmbH
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Description

Rl.-Nr. 1212/68 PLI/Go/Mu
20.2.1968
FERNSEH GMBH. Darmstadt. Am Alten Bahnhof 6
Schaltungsanordnung zur Verzögerung von Analogsignalen (Zusatz zu DBP Anmeldung P 53 536 IXd/21g)
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Verzögerung von Analogsignalen.
Im DBP (F53 536 IXd/ 21g) ist eine Schaltungsanordnung
zur Verzögerung von Analogsignalen mit einer Reihe von Analogspeichern beschrieben, die durch aktive Bauelemente verbunden sind, welche im Takt von Steuerimpulsen, deren Folgefrequenz mindestens doppelt so groß wie die höchste zu übertragende Frequenz des Analogsignales ist, die Informationen von einem Speicher in den nächsten überführen. In den dazu aufgezeigten Ausführungsbeispielen werden sowohl Transistoren als auch Feldeffekt-Transistoren als aktive Bauelemente verwendet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung anzugeben, die sich besonders zur Verwendung von Feldeffekt-Transistoren eignet.
Bei einer Schaltungsanordnung zur Verzögerung von Analogsignalen, bei der eine Reihe von Analogspeichern durch aktive Bauelemente verbunden sind, welche im Takt von Steuerimpulsen, deren Folgefreqüenz mindestens doppelt so groß wie die höchste zu übertragende Frequenz des Analogsignales ist, die Informationen von einem Speicher in den nächsten Überführen, gemäß DBP.........
103823X/0173 - 2-
1616A02
Rl.-Nr. 1212/68 - 2 - ::..--ά.
(Anmeldung F 53 536 IXd/21g), wird erfindungsgemäß der jeweils erste Belag einer Reihe von Kondensatoren mit abwechselnd gegenphasigen Impulsen beaufschlagt, der zweite Belag jedes Kondensators ist über je eine Diode und über die Source-Drain-Strecke je eines Feldeffekt-Transistors mit dem zweiten Belag des folgenden Kondensators verbunden und die Gate-Elektrode liegt auf festem Potential, vorzugsweise Massepotential.
Die Erfindung wird an Hand der Figur näher erläutert.
Bei i wird der Schaltungsanordnung das zu verzögernde Signal zugeführt, während bei 2 und 3 gegenphasige Mäanderspannungen eingespeist werden. Die Kondensatoren 11, 21, 31... stellen die Analogspeicher dar. Die Feldeffekt-Transistoren 12, 22, 32... arbeiten in Gate-Grundschaltung und dienen dazu, den Momentanwerten des zu verzögernden Signals entsprechende Ladungen von einem Kondensator in den nächsten überzuführen.
Während der positiven Halbwelle der Spannung am Anschluß 2 ist die Source-Drain-Strecke des Feldeffekt-Transistors 12 leitend. Eine dem Momentanwert des zu verzögernden Signals entsprechende Ladung gelangt in den Kondensator 11. Während der nächsten Halbwelle der an 2 und 3 anliegenden Spannungen fließt die Ladung des Kondensators 11 über den Widerstand 23, die Diode 24, die Source-Drain-Strecke des Feldeffekt-Transistors 22 in den Kondensator 21. Da hierbei die Drain-Elektrode des Feldeffekt-Transistors 12 negatives Potential aufweist, wird durch die Diode verhindert, daß ein Teil der Ladung des Kondensators 11 zum Eingang 1 der Schaltungsanordnung zurückfließt.
Während der nächsten Halbwelle der Spannungen an den Anschlüssen 2 und 3 wird die Ladung des Kondensators 21 in den Kondensator 31 übertragen und der Kondensator 11 auf eine dem nächsten Momentanwert des zu verzögernden Signals entsprochende Ladung gebracht.
109823/017 3
Rl.-Nr. 1212/68 - 3 -
Die Beschriebenen Vorgänge wiederholen sich, so daß die den Momentanwer% entsprechenden Ladungen die gesamte Schaltungsanordnung, die sogenannte Speicherkette, die unter Umständen aus einer sehr großen Anzahl von Kondensatoren und Feldeffekt-Transistoren bestehen kann, durchläuft.
Von der Drain-Elektrode des letzten Transistors kann das verzögarte Signal am Anschluß 4,ggf. über einen Tiefpaß, abgenommen werden. Die zwischen den Drain-Elektroden der Feldeffekt-Transistoren und den nachfolgenden Dioden eingefügten Widerstände 23,33... dienen zur Erhöhung der Linearität der Übertragungskennlinie der Schaltungsanordnung, sind jedoch zur Funktion der Schaltungsanordnung nicht unbedingt erforderlich.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist sowohl für Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Steuerelektrode als auch für Feldeffekt-Transistoren mit Sperrechicht-Steuerelektrode verwendbar.
— 4 -
109823/0173

Claims (2)

Rl.-Nr. 1212/68 - 4 - PLI/Go/Mu 20.2.1968 Patentansprüche
1. Schaltungsanordnung zur Verzögerung von Analogsignalen, bei der eine Reihe von Analogspeichern durch aktive Bauelemente verbunden sind, welche im Takt von Steuerimpulseil, deren Folgefrequenz mindestens doppelt so groß wie die höchste zu übertragende Frequenz des Analogsignales ist, die Informationen von einem Speicher in den nächsten
überführen, gemäß DBP (Anmeldung F 53 536 IXd/21g),
dadurch gekennzeichnet^ daß der jeweils erste Belag einer Reihe von Kondensatoren (11, 21, 31...) mit abwechselnd gegenphasigen Impulsen beaufschlagt wird, daß der zweite Belag jedes Kondensators über eine Diode (24, 34...) und über die Source-Drain-Strecke je eines Feldeffekt-Transistors (22, 32...) mit dem zweiten Belag des folgenden Kondensators verbunden ist, und daß die Gate-Elektroden der Feldeffekt-Transistoren (22, 32...) auf festem Potential, vorzugsweise Massepotential liegen.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Drain-Elektrode jedes Transistors und die folgende Diode je ein Widerstand (23, 33...) eingeschaltet ist.
109823/0173
DE19681616402 1967-09-19 1968-03-05 Schaltungsanordnung zur Verzoegerung von Analogsignalen Pending DE1616402A1 (de)

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