DE1614283A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

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DE1614283A1 DE19671614283 DE1614283A DE1614283A1 DE 1614283 A1 DE1614283 A1 DE 1614283A1 DE 19671614283 DE19671614283 DE 19671614283 DE 1614283 A DE1614283 A DE 1614283A DE 1614283 A1 DE1614283 A1 DE 1614283A1
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Description

Dipl.-lng. ERICHE. WALTHER Zf ;·
Anmelder: N. V. PHILIPS'GLOEIUMPENFABRIEKEN
A'ttes PHH- 1970
Anmeldung vom» 28.September 1967 -
51 Vorfahr a η- zur her 3 teilung einer"" Halbleiter Vorrichtung und durch die sea Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung11. '
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Siliziümhalbleiterkörper mit mindestens einem. Halbleiterschaltungselement, für welche eine an dem Halbleiterkörper angrenzende Siliaiuiaoxydschicht angebracht
ist, vioö-al dia praktiaoii fluche Siliziuraoxydschicht durch eine Oxydationsbehandlung an der Oberfläche des 'wiliziumhalbleiterkörpero erhalten und in Form eines Schichtenartigen Musters von äiliziumoxyd gebracht wird, worauf der nicht von dem Muster abgedeckten Teil der Oberfläche den Behandlungen unterworfen v^ird, u.adau ocnaitongseleaent zu erhalten, und eine durch "dieup3" Verfahren h.3r.pj.itellte Halbleitervorricutung,
Varfanren eingangserwähnter Art werden häufig unter anderem bei der Herstellung sogenannter planärer Halbleitervor-
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richtungen angewandt.
Die für das erwäh'nte Schaltungselement vorgesehene Oxydschicht erfüllt eine wesentliche Funktion in bezug auf das Schaltungelement. Diese Oxydschicht kann z.B. als elektrische Isolierung zwischen einer auf der Oxydschicht angebrachten elektrischen Leitung, die mit einer Zone des Schaltungelementes verbunden ist, und dem Siliziumkörper dienen, Leiter' kann die Oxydschicht zur Verbesserung der Oberflächeneigenschaften des Siliziumkörpers und somit zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften des Schaltungselemente s angebracht Werden, wobei die Oxydschicht wenigstens diejenigen Teile der Oberfläche des Siliziumkörpers bedeckt, wo mindestens eine der pn-Uebergangsflächen des üchaltungselementes die Siliziumoberfläche schneidet. Weiterhin kann die Oxydschicht bei der Herstellung noch als Diffusionsmaske dienen.
Bei bekannten Verfahren dieser Art wird die Oxydschicht nach Anbringung örtlich entfernt.so dass ein schichtenartiges Muster von Siliziumoxyd erhalten wird. Darauf wird der nicht von dem Muster abgedeckte Teil der Siliziumfläche den in der Halbleitertechnik üblichen Bearbeitungen, z.B. Diffusionsbehandlungen und Behandlungen zum Anbringen elektrischer Kontakten, unterworfen, um das Schaltungselement zu erhalten. '
Bei den bekannten Verfahren treten bei verschiedenen Anwendungen verschiedene Schwierigkeiten auf. In einer Oxydschicht kann man durch Aetzen mit verhältnismäsöig grosser Genauigkeit Fenster anbringen. Diese Genauigkeit nimmt jedoch ab, in dem Masse wie dickere Oxydschichten verwendet werden da beim Aetzen nicht nur in der dicken Richtung der Oxydschicht sondern auch in seitlichen Richtungen Oxyd weggeätzt wird und dieses seitliches V<egätzeri
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beschränkt ausserdem die kleinsten erzielbaren Abmessungen eines in der Oxydschicht vorzusehenden i'ensters. Mit Rücksicht auf die genaue Ausbildung eines Musters" ist somit eine möglichst dünne Oxyd-' schicht erwünscht. · ■ ν- ,
aus änderen Gründen jedoch ist oft eine dickere Oxydsehicht erwünscht z.B. zum'erzielen einer guten Isolierung zwischen einer an der Oxydschicht anzubringenden Leitung und dem oilizium-körper und/oder zum Erzielen einer geringen Kapazität zwischen 'dieser Leitung und dem üiliziumkörper. weiterhin wird eine dünne Oxydschich^ leicht beschädigt, wenn'eine Anschlussleitung an einer auf der Oxydschicht angebrachten wie tails ehicht befestigt, wird.
Me Oberfläche einer planaren Halbleitervorrichtung mit · einem biliziuflikörper versehenen mit ein-er Oxydschicht ¥«orauf wetallschiehten angebrächt und ist vorzugsweise möglichst flach. Lnregelmassigheiten entstehen u.a. durch in der Oxydschieht vorgesehene Oeffnungen, durch welche die metallschichten mit dem biliziuiiikörper verbunden sind. An den Rändern dieser Oeffnungen können Liiregelmassigkeiten Und Beschädigungen der üie tall schichten entstehen und zwar umso l'eichter je dicker die Oxydschicht ist, in der diese Oeffnungen vorgesehen sind.
Me beschriebenen Vor- und -Nachteile sowohl von dünnen als auch von dicken 'Oxydschichten machen in der traxis oft ein Komproniisü in bezug auf die Dicke der Oxydschicht notwendig, aber dabei wird keine der Schwierigkeiten zufriedenstellend behoben.
Bei den Verfahren der erwähnten Art wird gewöhnlich mindestens ein pn-Uebergang" des bchaltungselementes dadurch erhälter dass durch eine Uefi'nung in der Oxydschicht eine Verunreinigung in den uiliaiumkcrper diffundiert wird, üs entsteht dabei eine
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muldenförmige pn-Üebergangsflache, die bei den iiändern stark gekrümmt ist und die bei diesen Mindern annähernd quer zur Oberfläche des üiliziumkörpers und der Oxidschicht ν erläuft, Dies hat zwei Nachteile,. Die starke Krümmung der pn-Uebe»gangsflache hat einen ungünstigen-Einfluss auf die DurenseMagspannung des pn-Ueber^anges,. 33a die pn-Uebergangsflache nahe den Bändern annähernd quer zur Oxydschieht verläuft, kann im Betrieb des Schaltungselementes frift von an der lüberflache der Oxydsehieht vorhandene, praktisch unvermeidlichen Ionen., auftreten wodurch das i3chaltungselement unstabil ■ivird» ils ist daher oft ein flacher pn-Uebergang erwünscht»
Die Erfindung bezweckt ein Verfahren eingangs erwähnter Art anzugeisen, bei dein die erörterten *ißhwierigkeiten der bekannten Verfahren wenigstens teilweise vermieden »erden können, ,weitere ¥orteile der Erfindung werden nachstehend näher erläutert.
Ein ferfahren eingangs erwähnter Art ist nach der Et— findung dadurch gekennzeichnet, dass ein wenigstens über einen !eil seiner Dicke in dem- Siliziumk^per versenktes,scäaichtenartiges Muster von .Siliziumoxyd dadurch angebracht wird, dass »ährend der Oxydations!behandlung die praktisch flache Oberfläche des Öiliziumkorpers Srtlieh vor der Oxydation geschützt wird-.-
33a das sehiehtenartige iduster von ^iliziiumoxyd über wenigstens einen iCeil seiner Stärke in den HaibleiterkSrper versenkt istf ikiJiniein durch das Verfahren nach de-r Erfindung flächere Halbleiternrojrrichtungen erhalten werden als bei Anwendung bekannter Verfahren, sogar im Falle einer dicken Oxydsehielit* Aeit-erhin wirä die Siliziiiimexydschicht direkt als ein sehiehtenartiges Muster angebraßhiii so dass ziim Eraielen des Musters die öxydschicht nicht geatzt zu werden braucht was insbesondere bsi der dieke& Öxydschiehl
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• -
vorteilhaft· ist,' was aus vorstehendem ersichtlich ist.
Las Oxydationsniaskierungsinaterial hat vorzugsweise eine Dicke, .die geringer ist als die des anzubringenden Musters von Siliziumoxyd« Kine solche Maskierungsschicht lasst sich genauer zu einem erwünschten Muster durch Aetzen oder Zerstäuben ausbilden als eine dickere Schicht. Es ist' vorteilhaft, den Siliziumkörper örtlich vor Oxydation zu schützen, in demeine Schicht aus SiIiziumnitrid angebracht wird.Andere1 Maskierungsmaterialien.sind möglich z.B. gewisse Metalle 'wie Platin und Rhodium. Diese ls/iaskierun£smetails sind jedoch den hohen Temperaturen, z.B. von TOOO0C oder mehr, der üblichen Oxydationsbehandlungen bei welchen z.B. nasser Sauerstoff unter etwa atmosphärischem Druck über den Siliziumkörper ge führt wird bedeutend weniger widerständfähig.- ■■-.
vVird örtlich auf einer Oberfläche eines Siliziumkörpers durch Oxydation eine Siliziumoxydsohicht angebracht, so ist das erhaltene schichtenartige Muster Von Silizi-umbxyd über, einen Teil οeiner Dicke in den Halbleiterkörper versenkt. Vorzugsweise jedoch ; wird die Oxydationübehandlung mindestens einmal unterbrochen wobei. .; während der Unterbrechung die schon entstandene Oxydschicht wenigsstens um einen Teil ihrer Dicke wieder entfernt wird z.3. durch netzen. Auf diese »/eise kann einen über einen bedeutend grösseren Teil seiner Dicke oder sogar über seine ganze Dicke in den Siliziumkörper versenktes, schichtenartiges Muster erhalten werden.
Wie sich aus vorstehendem ergibt, ist die Erfindung insbesondere von Bedeutung zum anbringen eines dicken, schichtenartigen l/iuuters z.B. mit einer Dicke von mindestens 0,5 Mikron. Vorzugsweise wird ein über mindestens 0,5 Mikron seiher Dicke in den SiIiziumkörper verserüctes, schichte'nartiges wüster angebracht,
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rtesentlich ist eine Aua-f.ührungsf orm des Verfahrens nach der Erfindung bei dem mittels der Maskierung ein muster aus einer Öiiiziumoxydschicht mit mindestens einer Oeffnung angebracht wird. Auch bei Anwendung einer dicken Oxydschicht kann die Oeffnung sehr klein sein, da im Gegensatz zu den bekannten Verfahren die Oeffnung nicht durch üetzen in der Oxydschicht angebracht zu v/erden braucht. . Die Maskierung die z.B. aus einer dünnen Siliziumnitrid-Üchicht bestehen kann, kann durch photolithographische i-rozesse genau in Form eines oder mehreren kleinen blecken angebracht werden, weiter wird an dem Ort der Oeffnung nicht ein kleines tiefes Loch erhalten, das die Anbringung eines Kontaktes erschweren würde da das lüuster in den Siliziumkörper versenkt ist.
Vorteilhaft kann die Maskierung in der Oeffnung ganz von der Oberfläche des Siliziumkörpers entfernt und auf der Oberfläche in dieser Oeffnung eine Metallschicht angebracht werden, so dass eine Schottky Diode erhalten wird (Diode mit einem Metall-Halbleiter-Uebergang), wobei-um das Anbringen eines elektrischen. Anschlusses zu ermöglichen diese Metallschicht sich bis über die Siliziumoxydschicht erstreckt.
Weiterhin kann die Maskierung der Oberfläche des SiIigiumkbrpers in der Oeffnung entfernt und durch Diffusion einer Verunreinigung in diese Oberfläche ein pn-Uebergang in dem Siliziumkörper angebracht werden und eine Metallschicht mit letzterer Oberfläche in Berührung gebracht wird die sich bis über die uiliziumoxydschicht erstreckt, um einen elektrischen Anschluss anbringen zu können. Auf diese «.eise kann eine b-e.hr kleine pn-Diode erhalten werden'.
Da die Oxyaschicht ohne Bedenken dick sein kann, kann
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eine gurte Isolierung zmscnen einer auf der öx^dseMelii äBgekraekten iuetallsemiclat und dem Halbleiterkörper' erhaltea fieraen^ während bei". •der Befestigung einer Anselilusi:-leitung an der äetallseliieiit die Gefahr einer Be sei jäd igung der üxydscliiclit seta? gering ist.
Eine ί;ο1ΐτ nvieMtige AaasfiäiiriHigsf'orÄ des ITerfakreiis aaaeii der ürxii.Qumg ist dadwc®h geleeJnaa2eie3aHets dass HacSi dem j&ntierriexL wenigstens eines 'ieileis der äüaskiermag der öfeerfläclie des &±l±zlum.-kSrpers in der yefitaiii^ dar-cjih Jjü'iaasion einer_¥erunreinigiing iia die ±"rei gemaelite üiberflaelie eiaa pin—üeibergang in dem SillziuBiJiSrper an— gelbraciit wäord d;er ii'i einer (geringeren, i'lefe iroaat der ölserilaclae her liegt als die Verijciiungstiefe des Musters "in dorn &©rf>er* Äaif diaae i.eise kann man einen, ^raktiscto flacken pn—uetoergang ernaltenj dessen jpn-lJeibergan.gs±'HGhe annaberM parallel "zpr Ol3ea?flac2ae der Ss.iliziuffipxydseiiiejit läuft und die d-öeihi am iiande daarcia die tOxydscMcnt toegrenzt wird, iiaibei werden die Vürerwaiinte lonentrii't nnd die .Verringerung der iiurcntSEklagSipainniing dmreii starfce Ärüaiiaun^ der ionbei3ergaii£;s£laelie beselirankt.
Bevor die Verunreinigung eiiadiffundiert wird feanai äie ganze Maskierung entfernt 'werden,- wsteend waeU dem Anbringen äes ;
pn-Ueberganges mittels einer Biffusionsmaske in einen !eil der über--: de© .iäiliaiunikorpers in der tDeffiü.ung: des jktusterü eiüe Verunng eindiffundiert werden kann uni eineil· aweitsn ρΐι-i/eüergang in einer geringeren liefe τ?οιι der ©toerfläeiiie lier als der toereits irtarliandfcnen pn*-Uelbergaiig mi ernalteaa* iäs emtatebib dann eine planar© "■" — oder pnp-iCransistorstruktur, wwlaei: einer der. pn—jJeiergiiage ■ fla'eit ist, r - - . ' ν :.--".- ;: - .
äftsiter ist «June wi&htige iA^sfItortoigsfaa-in €sa der Erfindung dmduasQih:-^ekexmzei-Qim^t'w dsäfis»y©r die
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die iiiaskierung nur teilweise entfernt rird, wi'Lrend nach der Diffusion und nach dorn Anbringe:! durch Oxydation einer 3ilir,iu:.io-:7-ischiebt in der Oeffnung an der nicht durch die Maskierung abgedeckten Oberfläche , welche Oxydschicht dünner ist als die des üustera und über wenigstens einen l'eil ihrer .Dicke in den Siliziumkörper versenkt ist, der verbleibende Teil der Maskierung enti'c-mt wird u..: Lu di=; i'rei gev/ordende überflücLs eine Verunreinigung diffjiiai-srt. wird χ:λ -2inen pn-Qeber^-iUij su srhulten der üic'.i Qn ier berjj.tr. vorhrindej'.;,-ii pn-beber^anj c.i^uLiiob^t, sowie eine /orunreini^uriv; ϊ:;.ι erzielen eines zweiten pn-Ueberganges der in einer kleineren i'iefe in dem Üiliziumkörper liegt als die erwähnten anschliessenden pn-UeberiiSn^e und als die 'liefe der Versenkur,o der dünneren oij iaiuniojcydcchicht in den üiliziuukörper. i-s ka^n auf diese .'.3ice eins xrai:sx3-torG'lraktur mit einem praktisch flachen .j...iitterüberö\..nj und einer Basiszone erhalten werden, deren unter der Emitterzone liegender Teil dünner als der verbleibende Teil der Basiszone ist. ■·
Vorzugsweise wird auf dem schichtenartigen «lurjtjr von Jiliiii'Oiioxyu ininde.ütene eine aetallschiS^t axic;3bra:i:,, Ci^ l:i einer in c.or Hulbleitertecnnik Üblichen ,lOiae mit eiuer ö urcl: ^i-_'..sion
üiii.j-r /erunraJnI^Un1J erhaltenen difrun-Jiox'ton hone verü.Ti."o:. v.irJ, •.'-•"„irejid eine Aiu0IiIu1;jleitur:^ mit diez>or metallschicht verbunden v.ird.
Eine weitere sehr wichtige, bevorzugte ausfUhrunssform zur herstellung einer monlithischen Halbleiterschaltung mit einem ijiliziumkörper, von dem eine Oberfläche mit einer isolierenden ochicht versehen int, auf der ein üysteui leitender cJpuroi; ai.oeb^r-oxit ist, dia duren Oeffnuxigen in der xaolierüchiclit :ait an der isolierschiciLt angrenzenden Zonen von mindestens zwei in dein üJLXi-
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ziumkSrper unter ge br acht en Öchaltungselementeii kontaktlert aind, \.obei das System leitender" Spuren mindecteiiB eine: Koiitalitctslle enthält, wo eine Anschlussleitung mit dem System, verbünden werden kann, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des SiIiaiumkorpers mit einem schichtenartigen Muster von Sllisiuiaoxyd ver- aohQii wird, worauf mittels; einer auf derii nicht von de,:: üiustor ab- ^'eoüen ieil 4or Oberfläche, angebrachten Iapllerachicirt, eile '"vL'm.v.ir aiö das Muster ist und- die1 sich an das Muster anschliesst, in dem Siliziunikörper an dieser Isolierschicht angrenzende Zonen der ochaltungselemente angebracht werden, worauf auf der Isolierüchiciit bestehend aus äem iduster und der äüi-iierBU laol iVis üyotea l^ituii-dor b^uren angebracht wird, wobelvdie Ä^slieii dieses ^i;o:aa auf äea Muster anjebracüt werden. *
Bei der Iiarstellung- monolithischer Halbleiterschaltungen iat es oft erv(/ünscht, eine dün'ne Isolierschicht z.B. aus Eiliziumoxyd oder Siliziumnitrid anzuwenden, wobei Jedoch während der VerbindUiig einer AnscliluDDleitung mit einer AnschluaBtellG des Systems Ι^ΙΐοηίίίΓ Spuren aui" dar iGolierschicht diese dümaen. lüoliarschicht üCJxJ'cli^t v/ox'öcn \:cmi, .Der dass Kurzschluaa. avvisctien der .anschlussloiuUiit; uixd diec0u. .oilisiuüikörper auftreten kann, Die Isolierschicht kann auch beschädigt werden beim !rufen der hergestellten fxalbleitervorrichtuiig, wobei Kontakt stifte gegen die .anschluss-. stellen gedruckt werden. Dies führt in der i'raxiö zu einem grossen xiii-soiilusy,- Indem nach der iirfindung ein auster verwendet wird, E.i::.tel'; dec-eii-oi^Q leollcrschicht erhalten wird ,: d Ie^ an α er wtelle C'iU Ma\j t ir j eine vei'&ikkun^ aufweist und die Anschlussteilen auf r aii£j;ebracht .werden, 1αϋ3φ sicü der erwähnte Anscnluss ^ΊΙί luxi'li- veri;ieiäen. ■' BAD ORIQSNAL 009822/05Si
Diese ^rfind-uhe,* ist 'weiter von "Bedeutung für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, bei denen ein biliziumkörper in Form einer auf einem Träger angebrachten üiliziuinschicht verwendet wird. Häufig werden in einer solchen Siliziumachiciit eine Anzahl von Schaltun^selenienten gebildet ura" eine integrierte ochalturig zu erhalten; Ist es notwendig die üciialt-un^selj-aantG gegeneinander elektrisch zu isolieren, so werden oft c/aer .'lure.:- die bilizluftschicht unu zwischen den ochaltun^üeleae^tsrj. Hill-:?.·, vorgesehen, so dass die Siliziuiaschicht in Teile aufgeteilt »ird. ^ies hat einen wesentlichen .Nachteil darin* dass die Killen Unebenheiten in der Überfläche der herzustellenden Vorrichtungen einführen, sis kann weiter eine Isolierung dadurch erhalten werden, dass zwei pn-Ueber- ^an^e zwischen den öchaltungsele-rienten angebracht Asrdori. ^a kennen dabei jedoch parasitäre Transist or wir künden eintretsn. 2,In.: ,/eitere vviciitige, diesen wachteil vermeidende ü.usführung3forni eines Verfahrens nach dei Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass von einem ÜiliziumkÖrper ausgegangen wird, der aus einer auf einem Träger angebrachten üiliziumschicht Lesteht während bei der Einbringung des schichtenartiger- i&ustere aus 3"ili-ziumoxyä die uxydationsbeliMiölun^ solange fortgesetzt v/ird, bia da.j iiiuatjr sich über die ganze Dicke der Isolierschicht erstreckt, wobei die öiliziumschicht |n eine Anzahl von,Teilen' eingeteilt ist die durch das muster voneinander getrennt sind. In den Teilen x-Jnnen darauf ochaltungseleiiente untergebracht werden, die durch das auster elektrisch- gegeneinander isoliert sind,
1 -
'ι Die Ürflndung betrifft weiter eine Halbleitervorrichtung miit einem Siliziumkörper mit einem mindestens über einen Teil seiner Dibke in dem Siliziumkörper versenkten, achichtenartigen Muster von
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- 11 - . lHii. 197Ό
das durch, ein Verfahren nach der- Erfindung hergestellt ist„ ' \-"-._■'■ . . ■ ■
DIe iirfiiiduii^wirdnachstehend an Hand -einiger. Au s führvi-ijooeispiele un.l Jer iel:;:m----ng richer erläutert. : ·
iiio 1-1Ij. 1 "olä 4 zeigen 3clie:aati.3Cli vuerrscnnit to oiner uC-ΐϋυ u.'ij-jjIo'.Je in verscliie.3ejien Hex^stellun^ü^tufeH mit erkies Yer- x^r^cyi\ C;.gL der .:χ*£1αάui^.
i'i^.*"5 ssiät- sche-aatisch einen querschnitt darcn eine
" vilia· J äoi- eineo Iransla-tora,- der durch ein Verfahren iiaon der Erfindung hergestellt ist..
Die Fig. 7 Ms 9 zeigen schematisch querschnitte eines Teiles eines Halbieiterkörpers in verschiedenen Eerst^llungsstufen iüit einem Verfahren nach der Erfindung, wobei eine iransistorstruk- uju: -.njebiucht .viri.,_""
■ £lig, 10 jeigt SGfieaiatisch eine Drauf sicnt auf eine Krio-
t'illao/ialtan-,ί» die d-irc.-i ein Verfa.aren.nach der Lrfindunj lurge- - j^i.L u "iat, »vobsi - -
ivlj. 1T aCiie.:i-iiisoii einen querschnitt längs der iiinie Xl-XI in JTig. 10 zeljt. ~ *.-
i'vig. 12 zei,jt öcheaiatisch eiriin querschnitt-längs der _ iiiXiie XII-XII. in Äa* '10.
Fig. Γ3 zeigt sciieaatlsch einan <uerschnit't; durch einen jjrügerkörper, auf dem eine Siliziumschicht angebracht ist die mit einem Biliziumoxydiauster versehen ist, das nach einem Verfahren der Erfindung hergestellt ist. "
Bei de.: weiter unter zu beschreibenden Beispielen'wird 1JL.!λ. der-Unterschied' in" der Aet'/.g^aclawindig'ceit von - oiliaiui.mi
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- 12."- . OL5HIi. 1970
Silisiuinoxyd -und einem gemischten Oxyd von Blei* und biliaiui (Bleiglas) in den nachfolgenden ^etzflüssigkeiten benutzt: Fluorwasserstoff (50 .fo)
Ae ^geschwindigkeit von Siliziumnitrid (angebracht auf einem biliziumkörper durch .Erhitzung desselben auf etwa 10000C in einem Gasgemisch aus SiH. und UHn,) etwa 0,3 •8/y e künde
Aetzgeschwindigkeit von oiliaiumoxyd etwa 300 S/oekunde. In mehr verdünnter Wasserstoff säure nehmen die ^.etzgeschwindigkeiten ab
P-Aetzmittel, eine Flüssigkeit aus 15 Teilen Fluorwasserstoffsäure (50 fo), 10 Teilen Hi\i0, (70 /ά) und 300 Teilen wasser. .
Aetzgeschwindigkeit von Siliziumoxyd etwa 2 S/dekünde. Aetzgeschwindigkeit Bleiglas etwa 300 S/3ekünde.
Meses-i3eispiel betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer lialbleitervorrichtun^" 20 (siehe Fij. 4) mit einem üilxziumkörper 1 mit einer .ichottky-Diode mit einem niietall-Halblritörüb er gang 11,3 an der Oberfläche 10 des üiliziuakörperu 1, .vooei für die oCiiottky-Uiode aiiie biliziumoxydschient aiigebraclit ist. Jie X^rilrtiüch flache uiliaiumoxyäsohicht wird durch eine üxyua'Cionsbe-liquidltiiiiian der Oberfläche des Körpers 1 erhalten und in Form eines schichtenartigen Musters von Öiliziumoxyd 8 gebracht worauf der nicht von dem duster 8 bedeckte Oberflächenteil 10 einer in der üalbloitertechnik üblichen Behandlung unterworfen wird, uni das üchaltung3eleraent zu erhalten. Letzteres bedeutet in dem vorliegenden Ausf Uhr ungs bein pie 1 die Anbringung einer metallschicht 11 su.n
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-tvrzielen der Schottky-Diode. ■
Bei 'bekannter Verfahren wird die ganze Oberfläche d'es Siliziumkörpers mit Ziliziu.in.oxyd bedeckt, worauf zum Erzielen des muoters eine üeffnung in'der Oxidschicht'z-.B. durch Aetzen gemacht ".vird, worauf in-dieser Oeffnung der Metall-Halbleiter-üobergang anc";ebrao.!..t wird» riacii der Urfindun^ wird dirolct. ein scniolrfre.ao.rtiges A-j.;\t yz 'τοί\ oiliaiuniojcyd angebracht, daa 'vonijateiis aber 3 in an feil seiner Mcke in den Siliziumkörpef t versenkt ist, indem \väarend der Üxydationsbehandlung die Oberfläche des Siliziumkorpers örtlich vor der Oxydation geschützt wird.
.,js- wird von einem Siliziumkörper 1 (.Jig; X) ausgegangen, ■der .'..-,uo einer n-iyp oilizlumplatte 2 mit einem spezifischen ,tiderjü.:u.:1 voa etwa 0,01 ühm/ciü und sine JJiclco von etwa; 200 üiikroii be-Oi':.!.;, Li-JLf der aiii n-xlyp Siliziumscliicht 3 mit einem apeaifi-jchen 'i:lar;jtaiid von et.va 1 ühni/ca iuit einer Dicke von .etwa 4 üikron luve ο-jitaxiuli:ο ADsachoen ängebx'acht iat. · Die weiteren Abmessungen ■1'2'r ^iliziumkörpers sind sehr wenig kritisch.. Gewöhnlich wird der Körper 1 hinreichend gross gewählt,-um eine grosse Anzahl von bchaltungelementen gleichzeitig nebeneinander anzubringen worauf durch Aufteilung des Siliziumkörpers die gesonderten bchaltunguelemente eriiaiten werden, -liinfachheitohalber wird nachstehend nur die Heriitc-Ilung eines wchaltuhgseleaentes erörtert.
Auf der ücnicht 3 wird eine dlas-kie.rung angebracht, die aus einer SchichtA, 5 aus vor Oxydation schützendem Material mit einer Dicke besteht, die kleiner ist als die des anzubringendon uiuatera B0 Vorzugsweise'wird eine Schicht 4,5 aus Siliziumnitrid angebracht. Die Siiiziumnitrid-Schicht 4,5 kann in einer in der äalb Leiter te chnik Ublichon V/.eiae angebracht werden, ihdem der kör-
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per T auf etwa 10000C in einem. Gasgemisch aas ^α&λ unci *&** erhitzt wird, nie ochicht 4»5 hat z.B. eine Dicke von 0,1 Mikron,
In üblicherweioo z.B." mittels eines pLotolitii^^ V .-j i" X" .'ν .r G-nu wird die iohicj/c 4,5 teilv/aioo ^r-jiernt, vooei eine.
■ν·
runde Scheibe· 5 mit einem Durchmesser von etwa 5 Mikron · zurückbleibt. Da die Schicht 4,5 dünn ist, kann die ocheibe 5 mit grosser Genauigkeit sehr klein bansssen werden.
In-dem Dampf von 1 Atmosphäre bei etwa 1100 G aber dem ivürper 1 geleitet .vird, v.-ird ein Muster von oiliziuaojc/d lui^ebracrit. ijach zwei otonden .vird die OxydafioriübeliandlL·-^ uatsrüroc-^L, Dieö ergibt eine Oxydschickt G irtit einer btär'u von etwa 1 .uikron, die LlJOi* et".:a 0,5. ^ikroii ia den körper 1 verü-en·:! iai· (-c'-i-a. i-;.
ivänrei^d der unuerbrechun^ der Uxych.ibion.ybeäuiicilaii.j v/irJ dia erhaltene üxy-Ischich.t -3 über die ^anze jJicke //ie .'er eiitierut, iudeu in Fluorwasseröxofidäare ^eL.-,; out v;irJ. Lf'rauf v/irc die OxydaiiionabeaandlaiLjj vviederiiolt ;:ooaL· daa 1 lülkron dic-'9 ^uatör von uxliaiumoxyd 8 (i'ij. 3) daa durch eine .ai'u ueffnan^eu i VQr.jeL.sri3 ilwiciiü Oxydaohichc besteht erhalten .vird, -.valciias ^iuü';er px'aliti.jca 'loer seine ganae Dicke in den Siliziumkörper 1 versenkt ist.
Darauf wird der Körper 1 während etwa 5 Minuten auf YOO0C erhitzt in Anwesenheit einer Bleioxydplatte die nahe der iiiaskie rungas ehe ibe 5 z.B. in einem Abstand von 0,3 mm gehalten wird. Das üiliziuianitrid der Scheibe 5 wird dabei in Bleiglas Das Bleiglas wird durch Aetzung in dem erwähnten P-Aetiiia v/iinrend etwa einer ndinute gelöst.
Die üiaakierung 5 ist dann vollständig von der Oberfläche 10 dec- oliisluaikörpara 1 in der üei'i'nunj 7 entfernt und aui' dieser Oberfläche 10 wird eine uletallschioiit 11 aus iiold angebracht, um die ocliottky-Diode zu" «»-IxOiIVCh ( \^o\*&l nur Herste 11uh=j eiiiea elek-
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: ~ 15 - FHiI. 1970
ί; .'isauun ^nsciilaases diese Aetalleciiicht 11 sich tiper öle Üxydschlcht 8 hin erstreckt*.Bie Me tails chick t 5 hat z.B. einen, Durch-■ messer von 20 Mikron und kann in .üblicherweise z.B. durch aufdampfen aiijjebracht werden. T * ". -
Der elektrische Anschluss mit der üGhicht 8 wird in üblicherweise dadurcJi -hergestellt, dass eine Anschlussleitung 12 an der Öoldschicht 11 ""befestigt wird, üieöe Befestiguntä wird dadurch erleichtert* dass die Goldschicht 11 praktisch flach ist, da das wüster 8 In- den ivorper 1 versenkt ist,
.\Der Körper T kann In üblicherweise ü .B. durch Löten oder ( regieren an eiter-uietalltragerplatte 13 befestigt werden, die als weiter elektrischer iJischluss der Jchottky-iJiode dient. -. Beispiel 2 " : . "-. . , ~ - ■
jSin p—Iy1. oiliziumkörper. mit einem spezifischen »»ider-L.tand von 25 Ghm/cm und einer lacke von etwa 2Gö Mikron Wird In gleicher "!«-eise wie In den vorhergeiTLenden Beispiel beschrieben ist nit einem praktisch über die ^anze Dicke in den Biliziumkörper -2"T- (Fig. 5) versenkten muster· versehen,, das, aus einer, rait einer Oefftiuh^ -2 versehenen flachen üiliziumoxydschicht 23 mit einer x/icke von etwa lüaiJcron besteht, In diesem i?alle\vird eine teffirar^ mit einem durchmesser von 100 Mikron gewählt.
Die Maskierung wird In der vorstehend_ beschriebenen v/elue von der überfläche 24 des biliziumkbrpers 21 In der üeffnung 22 S;-tx"ernt, und in dem Körper 1 .wird durch Diffusion einer Verunreirxi^ung in der Oberfläche 24 ein pn-Ueberiaang 25 vorgesehen, worauf eine mit der überTläche'.24. einen Kontakt herstellende uietallöchicht 26 angebracLt
. 1970
Ist die Oeffnung 22 klein, so kann die Metallschicht wie bei dem vorhergehenden Beispiel sich bis über die Oxydschicht 23 hin erstrecken,, um eing„.Jiinreichend grosse Oberfläche zum Befestigen eines Anschlussleiters zu erzielen.
Der pn-Üebergang 23 wird in einer kleineren Tiefe von der Oberfläche 24 her angebracht als die Tiefe, über welche das xiuster 23 in den Siliziunikörper 21 versenkt ist. Der pn-Üebergang 25 wird z, B, in einer Tiefe von 0,7 uiikron durch übliche Phosphordiffusion angebracht, wobei die η-Typ Zone 28 entsteht.Ks ergibt sich dann ein praktisch flacher pn-bebeigang 25, dessen Hand dennoch an der Oxydschicht 23 angrenzt,
liach Reinigung der Oberfläche 24 wird in Üblicherweise z.B. durch Aufdampfen die Aluminiumkontaktschicht 2o angebracht, wodurch ein praktisch ohmischer Kontakt erhalten werden kann, Der Körper wird in üblicherweise auf einer aietallplatte 27 befestigt die auch einen Kontakt bildet". An der Kontaktschicht 20 kann »ve it er-hin noch ein Anschlus3leiter befestigt werden. Dann iot eine pnoJiode erhalten. Die durch dieses Verfahren der Erfindung erhaltenen Dioden hatten eine -durchschlagspannung; von etwa 200 Volt während in üblicherweise aus dem gleichen Material hergestellte.Dioden, die den gleichen Temperatürbehandlungen (Oxydationen, Diffusionen)
ι · ,. ■ ■ . ■ ^
unterworfen wurden, eine Durchschlagspannung von.nicht mehr als
100 Volt aufwiesen.
; Der Unterschied in der Durchschlagspannung wird dadurch
.verursacht, dass dia Diode· nach der iirfindxino einen praktisch flachen pn-Üebergang aufweist, während die durch das Übliche plaiiäre Verfahren hergestellte Diode einen gekrüniiüten,, muldeiiförmigen pn-üebergang besitzt.
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. Beispiel 3
Eine ηρη- oder pnp-Xransistorstruktur kann wie folgt hergestellt werden. "
.uachdeM die Ldaukierunä von der Oberfläche 34·(Fig* 6) von de~i biliziumlcb'rper 31 in der üeffnung 33 des versenkten Musters 32 entfernt ist, und" der praktisch flache pn-Uebergang 3*5 in der i:a vorhergehenden Beispiel beschriebenen »eise angebracht ist, wird die überfläche 34 mit einer Iiiffusionsiaaslce versehen. iJiese x)iffusionsiriaake" ist z.B. eine •öiliziumoxydschicht 41 mit_ einer Dicke von etwa OV3 Mikron mit einer Oeffnung· 371 Biese BiffusiOnsmaske kann in einer in ,der Halbleitertechnik üblichen Weise angebracht werden worauf in üblicher Weise durch Diffusion einer Verunreinigung durch die öeffnung 37 ein-zweiter pn-»'Jebergang 36 in einer üerin^eren Tiefe als der bereits vOrhandenen pn-Üebergang 35 ange- 'jxo.Giit wird, go dc.au sich die pnp-oder npn-Struktur ergibt. In : oinor in der Planartechnik üblichen weise v;erden auf der Üxydschicht j32 iaetailsciiichteii 40 und 39 angebracht, die durch Oeffirangen 3B und 3/ ißit denen durch die pnp-Uebergänge 35 und 36 begrenzten diffundierten Zonen 45 und 44 Verbunden werden, wührend AnschlussleitüngL-n 44 und 43 mit die Me tall schichten 40 und· 39 verbunden werden. Der Körper 31 wird an einer als iContakt dienenden Metallplatte 42 befestigt. Die Transistorstruktur hat einen praktisch flachen pn-Uebergang 35» der als Kollektor- oder iSaiitter Übergang dienen kann, wobei der pn-üebergang 36 als Lmitter- bzw* Kollektor-Uebergang dient. ;
. Der die Uebergänge 35 und 36 enthaltende i'eil■ -des Halb-
ielterkörpers 31 kann eine epitaktisch angewachsene SiliziiJ,mschicht
siein, wobei das Muster 32 sich über die ganze Dicke dieaer Schicht ; 0Ö9822/0897 '
ί ' " .'■■. ί ' :'.' -BAD'-QiFIiGtNAL - ■
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erstracken kann. Dann ist eine Struktur möglich, die einer epitaktischen Mesa-iCransistorstruktur entspricht.
Das Siliziumoxydiauste r 32 kann iia Falle eines Transistors vorteilhafter Weise eine grössere Dicke (z.B. 2 kikron) haben, als bei einer Diode, wodurch der flache Uebergang tiefer angebracht werden kann und mehr Kaum zum Unterbringen des zweiten pn-Ueber-. ganges vorhanden ist. ■
Da die Metallschichten 39 und 40 3ich iai wesentlicnen über das dicke Muster 32 erstrecken, ist die Kapazität swiscneri diesen Me'tallschichten und dem Körner 31 gsririg. Beispiel 4
Machstehend wird kurz beschrieben, in .welcher -eioe durch das jirfahren nach der Erfindung ein transistor ΐϋΐΐ einem praktisch flachen üiiaitterübergang und einer jiasitzoiis- erhalten v;erden kann, deren-unter der Kuiitterzone liegender \£a 11 dünner als der üorige Teil der iJasiszone ist.
In einer den vorhergehenden Beispielen äiialichen Weise wird der Siliziumkörper 50 (.Fig. 7) mit einem versenkten lauster versehen, das aus der diliziumoxydschicht 51 mit einer Oeffnung 52 besteht, wobei die Maskierungsschicht 49, 52 aus Siliziumnitrid besteht. Darauf wird die Maskierung teilweise entfernt so daaö ein scheibenartiger I'eil 53 der Maskierung 49, 53 surüakbleiot.
Dies kann folgendermassen vorgenoiaaen werden. Der Teil 53 wird in üblicherweise mit einer. Aluminiumschicht mit einer Dicke von etwa 0,1 Mikron überzogen. Darauf wird der Teil 49 der Schicht. 53 durch einen bekannten Zerstäubungsvorgang im Hochvakuum entfernt. Das Muster 51 wird dabei etwas dünner. Das Aluminium wird darauf von dem Teil 53 entfernt durch Aetzung in Salpetersäure.
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Das Muster 51 hat z.B. £ine Dicke ;Von etwa ;2 Mikron. In-Soli .in an sicli bekannter v/eise eine /ermireini^ung in den oilizium- =;8rj3er 50 eindiffundiert· wird, .entsteht der ph-tJeb ergang 54 ?.B. in einer liefe von 1,5 Mikron-.' -Durch Oxydation, wobei die verbleibende Maskierung vor dieser Wirkung schützt, wird eine öiliziumoxydschicht 55 (siehe, auch Pig. 8) in der Qeffnüng.52 an .der nicht von der ulaskieruaü 53 abgedeckten Oberfläche' angebracht, Die Oxyd-BGliiclit 55 i3t dömie-r als das Muster 51 und hat ζ *B.· eine xllcke :
von 1 iiiikroii und ist iltier etwa 0,5 Mikron in den Siliaiucikörper 50 vorueiiktv. Dia Oxydschicht 55 bildet..s-oiait ein über seine halbe ^iclc-'? versenkte ο liußter mit einer Oe ff nun j 5β. - -.'.."■
Die «iasliiorung 52 wird in einer vorstehe ad be sciir !ebenen .ioiae entfernt und in die drei gewordents Oberfläche 57wird eine Verunreinigung zum Erzielen eines pn-Uebergangs 58 eindiffundiert, der sich an den bereits vorhandenen pn-Uebergang 54 anschliec?t. Der pn-Uebergang 58 liegt z.B. in einer Tiefe von etwa 0,6 üaikron. iVeiter" wird in üblicherweise eine Verunreihigung zum Erzielen eines zweiten pn—Ueber^an^es 59 in einer geringeren l'iefe eindiffundiert, z.B. in einer Tiefe von etwa 0,3 jüikron in dera Körper 50 ^Is der cnischl ie äsende pn-üebergang 54 und der Uebergang 58, welche Tiefe auch geringer ist als die Tiefe der Versenkung der dünneren Bili~ ziumoxydsehicht 55 in den Körper 50.
Jiach Reinigung der Oeffnung 56 und nachdein die Oeffnung 60 (Fig. 9) in Üblicherweise vorgesehen worden ist, werden die Ji'mitterkontaktschicht 61 und die Basiskontaktschicht 62 angebracht z.B. durch Aufdampfen von Aluminium. Auf der |Jnterseite des Körpers 50 Itann ein ν Kollektorkontakt 66 angebracht weisen* Ss können Anschlusöleitungen mit den sich über das dicke Muster 51 erstreckenden Teilen der Metallschichten 61 und 62 angebracht werden.
ch U
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üs" ergibt sich dann ein Transistor mit einem praktisch flachen jSmltter übergang 59 und einer Basiszone 65» die einen unter der .emitterzone 54 liegenden dünnen Teil besitzt.
In der beoC.irio'oe.ien «'eic? kö.iien '!'rcinais tore;i ."!tr hoä* Jr? iU-3-ΐΞΰϊΐ and mit einen niedrigen liu^iarciii ■vcrlen, v/ooei die ^ontak/Uicnioh';-?:^ 51 und ö'.' in:.Gter 31 hin er ..roro C1ZeU-, wodurch :iie Kr.pLzif'', ^./i.j3;ion diesen "■>■■■ Kontaktschichten ui.d dem Körper 50 gering ist. Beispiel 5
Dies ist ein Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer monolithischen Halbleiterschaltung mit einem oiliziumkb'rper 70 (Pig. 10, 11 und 12) von dem eine Oberfläche nrit einer isolierenden ochicht 71 ι 90 überzogen ist, auf der ein ->yste.i leitender O1)UTeU 72 bi3 75 uiaje'bracht iat die d'irch die üei'fnari jpn Yj üia 80 ia der Isoliaraol-iiclit 71 oiit an der Jchiciit 71 an^raazenden ^onen ί3ΐ oia 84 von zwei üclialtungselementen einen Xontakt herstellen, nämlich mit dem Transistor mit der Ümitter- Basis- und Kollektorsonen 81, 82 und öj und einem Widerstandselemente mit einer Zone iJie üone 85 ist in üblicherweise nur für Isolierzwecke vorgesehen. Das System leitender Spuren 72 bis 75 enthält Kontaktstellen 33 bis 09» "·νο. Anschluor-laitunjen mit dea Jy j te.η verbun^eu v.'erisu. utliJhkeitshnluor iüt nur in.i'ig. 1Γ eine i^Uvirilaooleituilj '31 , die „lit der xlontaktstelie ei 7 verbunden iat.
Geaä>3 3 der Erfindung wird zunächst die ObexVtl'io^e des p /Ό uit -":ino^i- j:niclitenart;i^eix .uustar ivic> oiliuiu.u-
o;:yd 90 verseilen, -do.α vorzugsweise praktisch, über seine ganze btärke in den Körper 70 versenkt ist. Das Muster 90, das streifenartig ausgebildet ist, hat z.B. eine Dicken von z.B. mindestens 1 Mtkron. · 009822/0597
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....... · Darauf wird, in einer in der'planaren Halbleitertechnik
üblichen .Weise mit Hilf.e einer Isolierschicht 71» die dünner ist als das Muster 90 und sich an das Muster 90 unschliesst;, -der vorerwähnte !Transistor, und das Widerstandelement angebracht, Die Zonen 82 und 85 können bereits vor dem Anbringen der Isolierschichten 71, 90 angebracht werden, während die Zonen 81 , 82 und 84 nach dem Anbringen der ochicht 71, 90 angebracht werden,. Die dünne Isolierschicht 71 hat z.U. eine Dicke von· etwa ·0,4 Mikron. Eine solche Dicke wird in der üblichen planären Halbleitertechnik häufig als eine Isolier,schicht .verwendet. ...... " ; · - - - ' ■>
Darauf wird das ,System leitender Spuren 72 bis 75 in üblicherweise angebracht V während die Kontakt st eilen 86 bis 8.9 auf dem dicken Muster 90 angebracht werden.—Die leitenden Spuren und Kontaktstellen bestehen gewöhnlich aus- Aluminium, wobei- es gewöhnlich unueriaeidlich ist, dass siteh eine dünne Aluminiumoxydsehicht' auf. dem-Aluminium bildet,. .- . · .
■ . In einem üblichen HerstAliuhgsVOrgang wird die erhaltene . Halbleitervorrichtung geprüft, wobei Kohtäktstifte gegeh die Kontaktstelleri 86 bis 89· nrit hinreichender Kraft gedrückt' werden, um die Aluminiumoxydschicht -zu durchloehen. Dabei wird eine unter den Kontaktstellen liegende Isolierschicht mit der üblichen Dicke· von z,B. etwa 0,4 Mikron "-leicht" beschädigt, Das dicke Muster 90 verringert wesentlich die Möglichkeit einer solchen Beschädigung, weiter ist die Möglichkeit einer* ßeschädi-gungau'ch geringer bei der Befestigung von Ansehlussleitungen (88) an'den Kontaktatellen (87)t Für -eine Anzahl von SOhkltuttgbahordnungen ist es weiter ein weaentlicher Vorteil ,dass die Kapazität1 zwischen dem Silizium·^· körper (70) und den Kontaktstellen (86 bia 89) infolge dea "eiXeken
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Musters (90) gering ist.
Die dünne Isolierschient 71 besteht aus Siliziumcxyd und kann in üblicherweise angebracht werden, nachdem die Maskierung entfernt worden ist, die beim Anbringen des Musters 90 in vorstehend
vr
beschriebener. Weise verwendet wird, um die Siliziumflache örtlich vor der Oxydaii-on zu schützen* Die dünne Isolierschicht 71 kann auch au3"diesem Markierungsraaterial bestehen z.B. wenn dieses durch Siliziumnitrid gebildet wird.
JSs wird einleuchten, dass mehr und/oder andere Sehaltungselemente wie Dioden und Feldeffekt-Transistoren in dem SiIiziumkörper untergebracht werden kennen. Das Muster 90 kann ganz anders gestaltet sein und z.B. durch einen die dünne Isolierschicht umgebenden Ring.gebildet werden, über den die Kontaktstellen verteilt sind, v.eiter kann das aiuster sich unter einer leitenden Spur erstrecken, was z.B. nützlich ist, wenn die Kapazität zwischen' der Spur und dem Siliziumk'drper gering sein soll, " .-.-·-
Beispiel 6 · ' ' \ ' ' ■
Es werden heutzutage häufig Halbleitervorrichtuhgen'hergestellt, wobei von einem uiliziumkörper in Form einer auf einem TrU^er angebrachten Miliziumschicht ausgegangen wird. Der Präger"'* besteht gewöhnlxch aus Isolieruiaterial wie üXpO,. Die ailiziüm- *JJ schicht die polykristairinisch oder praktisch monokriötalTInisch " sein kann kann durch Niederschlag von Silizium auf dem Träger angebracht werden. In der Siliziumschicht werden dam. eine Anzahl von Schaltungselementen v.ie Dioden, Feldeffekt-Transistoren des Typs mit isolierten Gatterelektroden und Yiiderständen angebracht. Auf der Siliziumschicht kann eine Isolierschicht z.B. von Siliziumoxyd angebracht werden, auf welcher schicht ein System leitender Spuren
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angebracht wird, die "öii-'t den bchältungselementen in ähnlicher Vr eise verbunden sind wie vorstehend be schrieben ist. '
■ . . Me Schalt urig'selemente in der öilizlumschichtkönnen durch iietzung eines kusters von rtlllenin der ochieht elektrisch ge^ geneinander isoliert werden, wobei die üchicht in eine Anzahl von abschnitten eingeteilt wird die z.b. je ein bchaltungseleinent enthalten. . .Dies hat den ^achte 11, dass infolge der Riilen die Oberfläche nicht mehr glatt ist, während solche Pillen elektrische Kriecnv/eg-e hervorrufen können. -.', ,
.■»•Bei einer bchicht eines Leitfähigkeitstyps kann die Isolierung dadurch erhalten werden, days ein muster"von Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angebracht wird, welche Zonen üich über die ganze iiicke der Schicht erstrecken·, w obei die bchicht in eine Anzahl von Abschnitten des einen Leitfähigkeitstyps verteilt Vvird, die je ein ochaltungselenient enthalten können und gegen-eiriander durch die ^onen'des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps getrennt sind. Dabei können die Zonen des entgegengesetzten !leitfähigkeit sty ps jedoch i'ransistorstreuwirkung hervorrufen.
olittels des Verfahrens rutch der Erfindung wird eine elektrische Isolierung vorgesehen, wobei die erwähnten ivachteile vermieden werden. Dabei wird die auf einem Präger angebrachte oiliziumschlcht mit einem Echichtenartigen auster von uilizlumoxyd in der bei den Vürhergehenden Beispielen beschriebenen neise versehen, wobei beim iinbringen des üusters die Oxydationsbehandlung solange fortgesetzt wird, bis das Cluster sich über die ganze Dicke der biliziumschicht erstreckt wobei äie üiliziumschicht in eine Anzahl von Abschnitten geteilt ist, die^äurch das muster voneinander getrennt sind. In Fig. 15 ist das wiuster von oiliziumoxyd mit 100, die
'■ ■
original
- . . · -24 - «... r PHK. 1970 .
die durch dieses muster voneinander getrennten Teile der Siliziumschicht mit 101 und der Träger mit 102 bezeichnet.
In den Teilen 101 können in üblicherweise Schaltungselement© untergebracht werden und das Ganze kann mit einer Isolierschicht mit e^nem System leitender Spuren überzogen werden.
t Selbstverständlich ist" die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, und innerhalb des Rahmens der Erfindung sind dem Fachmann viele Abarten möglich.
Das sehiehtenartige üuster aus Siliziumoxyd braucht z.B. nicht Über* seine ganze Dicke in den Siliziumkörper versenkt zu sein*. Bei einer Anzahl von Anwendungen genügt es, wenn das muster über mindestens se4.ne halbe Dicke in den Körper versenkt ist. Die pn-Uebergänge von z.B. einem Hochfre^uenztransistor können in einer grösseren Tiefe angebracht werden als die Tiefe der Versenkung des Musters. Es ergeben sich dann keine flachen pn~uebergänge, aber es brauchen keine Oeffnungen in einer dicken Oxydschicht vorgesehen zu werden, während Metallschichten, mit denen Anschlussleitungen verbunden werden müssen, im wesentlichen auf der dicken Oxydschicht (muster.) liegen können, wodurch die Kapazität zwischen diesen Metallschichten und dem Körper gering ist. um ein über praktisch seine ganze Dicke in den Körper versenktes j&aster zu erhalten, kann die Oxydationsbehandlung mehr als einmal unterbrochen werden, um die erhaltene Oxidschicht über wenigstens einen Teil ihrer Dicke wieder zu entfernen*
Weiterhin kann vor dem Anbringen des Musters der Siliziumkörper bereits einer Aetzbehandlung an den für das Muster beabsichtigten Stellen unterworfen werden,
009822/0597

Claims (1)

  1. - 25.'-. · ' PHU. 1970
    IB 14283
    , SMUiSCHE:
    1. Verfahren ,zur flerstell'üng einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper· aus Silizium mit mindestens einem Halbleiterschaltungselement, vyozu eine" an dem Siliziumkörper angrenzende Siliziumoxydschicht angebracht ist, wobei die praktisch flache Siliziumoxydschicht durch eine Oxydationsbehandlung an--"der'Oberfläche des üiliziumkörpers erhalten wird, und in Form eines schichtenartigen Musters von Siliziumoxyä gebracht wird, worauf der nicht von dem Muster abgedeckte Teil der Oberfläche den Bearbeitungen unterworfen wird,v um das Schaltungselement zu erhalten, dadurch gekennzeichnet, dass ein über mindestens einen Teil seiner Dicke in den biliziumkörper versenktes, scMchtenartiges muster aus oiliziumoxyd angebracht wird, indem während der OxydatioBsbehandlung die Oberfläche des Siliziumkörpers örtlich vor der Oxydation geschützt wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet t dass eine Maskierung aus einer Sch.icht des vor Oxydation schützenden Materials mit einer .Dicke angebracht wird, die geringer ist als die Dicke des SiliziurnoxydEiusters.
    3. Verfahren nach Anspruch T oder 2, dadurch gekennzeichnet, dasü der Siliziumkörper örtlich vor Oxydation geschützt wird, indem eine Schicht aus Siliziumnitrid angebracht wird.
    4* Verfahren-nach einem oder "mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydationsbehandlung mindestens einmal unterbrochen wird und die bereits erhaltene Öxydechiehi während der ünterbrechuiig über mindestens einen Teil ihrer Dicke v/ieder entfernt wird, t. ~ ■
    5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein schichtenartiges Muster der mindestens über 0,5 MiKro* %i\^t< Dicke in den öiliziumkörper
    versenkt ist, angebracht wird« BAD ORIGINAL
    Q09S22/Q5
    - 26 - JrHJSI. 197©
    •έ. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der laaskierung ein
    ' Muster aus einer Siliziumoxydschicht mit mindestens- einer Oeffnung an gebracht wird. .--■-.■·
    7. ' Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die kaskierung der Oberfläche des oiliziumkörpers in der Geffnung entfernt wird, auf welcher Oberfläche in der Oeffnung eine wietallschicht angebracht wird, um eine Schottky-Diode zu erhalten wobei um das Anbringen eines iuischlussleiters zu ermöglichen, die ndetall-
    , schicht sich über die Siliziumoxydschicht hin erstreckt.
    .8. . . Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die iuaskierung der Oberfläche des oiliziumkörpers in der Oeffnung
    w- -
    entfernt wird, ein pn-Uebergang in dem üiliziümkörper durch Diffusion einer Verunreinigung in diese Oberfläche angebracht wird und eine mit dieser Oberfläche in Berührung stehende metallschicht angebracht wird, die.sich bis Über die oiliziumoxydschicht hin erstreckt, um einen elektrischen Anschluss, anbringen zu können.
    9. Verfahren nach Anspruch 6 oder β und 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Entfernen mindestens eines Teiles der Jüaskierung der Oberfläche des Siliziumkörpers in der Ceffnung durch Diffusion einer Verunreinigung in die frei gewordene OberflUche in dem biliziumkörper ein pn-Uebergang angebracht wird, der in einer geringeren Tiefe von dieser Oberfläche her liegt als die Versenkungstiefe des iitusters in den SiIi si umk or per., .
    10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass vor der XJurchftlhrung der Diffusion der Verunreinigung die ganze Maskierung entfernt wird, während nach dem Anbringen des pn-Uebergangea mittels einer Diffusiönsmaske in .einem" feil der Oberfläche dea ülliziumkör|>5ra in der Oeffnung des Musters eine Verunreinigung
    BAD ORIGINAL
    14283 ·■
    diffundiert wird» nim einen zweiten ph^ebergangim eiiier geringeren Tiefe zu erhalten, als,die Tiefe des bereits v<Htondenen pn-4Ieber~ ganzes,. .·'..-■■ - - ,
    11. ' ' Verfahren nach.Anspruch 9, dadurch gekennäe&Gniiety d:ass •vor dor Durchführung der £i^
    ung nur teilweise entfernt wird,·. wahrend nach de* J^ffusion wn& nachdem durcii Oxyd atxxsn eine SiliziufflGxydscnieiit ItL ieir iieffnuiig.
    auf dem nicht von der itiuskxerung a^gedeokteiL ieii, der .QSäerflache
    axLgelaracht ist, welolie Gxvd&chicht diliiner i-s-i; als i'as,Muster und
    tlber einen iteil ihrer Dicke in'deii Siliziumköriser1 ;^e*3önkt: iB't, *
    der verbleibende leil der kaskierung e:ntfernti wird und in- äie frei gewordener Oberfläche eine Verurireinigungeindiffundiert wird, um einöii pn-üebergaiito su erhalten» der s-i.Gii an den bereits vorhan— denen pn-Uebergaiit; aiisehliesöt, sowie eine Vsrunreiiiiguiig um einen zweiten pn-Uebergang zu erhalten, der in einer geringeren iiefe in deia BiliziumkSrper liegt als-die ervvahnten ahschliessenden pn-Ueber- und als die Tiefe.der Versenkung der dclnnereü; üiliziumo.xvd~ it in den lialbleiterkorper» , : -
    12. Yerfahren nach Anspruch 9f IO öde^lirr dadurch gekennzeichnet, dass auf deni schichtenartigen Mustek destens eine diet alls enicht angebracht wird,: die · mit eiiiea:'durch Diffusion einer Verunreinigung erheiterten iione veibu^ideii wird, wobei eine Anschlussleitung alt der iitetallschiGht verbunden wird» ΐ3. ¥erfahren;.nach eiiiem oder fflehrerenyd^ Torhs3?geipenden
    Axle or toshen., zur ilerstellung einer iftono Ii this chin; HaJbI ei teiisiehal1-tung"mit einem biliziumfcörpea?, von dera eine Oberfläche^ mit einer "Isolierschicht überzogen- ist, f 'auf der. ein u^at#m Xeitshder Spuren angebracht ist, die tluroh Oettnung&ii in.uer. isolierBchiiOiit in -ügr^aruix^ stehen mit αι.: der. IsolierBehi'jat aiiöreiizeöderi ionen mindes-
    ■■ ■ ~ . 16U28-3"
    - 28 -- ' PHN. 1970
    tens-zweier in dem Siliziumkb'rper angebrachten e> ehalt ungsele me nten wobei das System leitender dpuren mindestens eine Kontaktstelle enthält, wo eine Anschlussleitung mit dem System verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Siliziumkärpars mit eiiieu schicht.enartigen Muster aus biliziuinoxyd versehen wird, v.orauf mittels einer auf dem nicht von dem Muster abgedeckten Teil der Oberfläche angebrachten Isolierschicht, die dlinner ist als das Muster und sich an das Muster anschliesst, in dem Siliziuiukörper an dieser Isolierschicht angrenzende Zonen der Schaltungselemente angebracht werden, worauf auf der Isolierschicht, bestehend aus dem Muster und· der dünneren Isolierschicht, das System leitender Spuren angebracht wird, wobei die Kontaktstellen dieses Systems auf dem Muster angebracht werden.
    14* Verfahren nach einem oder mehreren der .vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet/ dass von einem Siliziumkb'rper ausgegangen wird,' der aus einer auf einem Träger angebrachten Siliziumschicht besteht, wobei während der Anjringung des sohichtenartigen Musters von Siliziumoxyd die Oxydationsbehandlung solange fortgesetzt wird, bis das Muster sieh über die ganze Picke der üiliziumsohioht erstreckt und die Siliziumschieht in eine Anzahl von Teilen aufgeteilt wird, die durch daaMuoter voneinander getrennt sind. 15* üalbieitervorrichtung mit einem üilisiiumkÖrper mit einem Über mihde a teas einen Teil seiner McHe in den Siliziumko'rper verseiikten* seiiiöiiteiiartigen Master aus Siliaiumoxyd, welche Vorrichtung duroh ein Veffahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt
    BAD
    0Ö9P72/0597
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SE (1) SE335177B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2330645A1 (de) * 1972-06-15 1974-01-24 Commissariat Energie Atomique Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen
EP0002107A2 (de) * 1977-11-17 1979-05-30 Rca Corporation Verfahren zur Herstellung einer planaren Halbleiteranordnung

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5696402A (en) * 1965-09-28 1997-12-09 Li; Chou H. Integrated circuit device
US6849918B1 (en) * 1965-09-28 2005-02-01 Chou H. Li Miniaturized dielectrically isolated solid state device
US7038290B1 (en) 1965-09-28 2006-05-02 Li Chou H Integrated circuit device
US6979877B1 (en) 1965-09-28 2005-12-27 Li Chou H Solid-state device
NL159817B (nl) * 1966-10-05 1979-03-15 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7010208A (de) * 1966-10-05 1972-01-12 Philips Nv
USRE31580E (en) * 1967-06-08 1984-05-01 U.S. Philips Corporation Insulated gate field-effect transistor comprising a mesa channel and a thicker surrounding oxide
USRE28653E (en) * 1968-04-23 1975-12-16 Method of fabricating semiconductor devices
BE753245A (fr) * 1969-08-04 1970-12-16 Rca Corp Procede pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs
FR2058385A1 (en) * 1969-08-20 1971-05-28 Ibm Diode with schottky barrier
DE1952636C3 (de) * 1969-10-18 1981-04-30 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt
GB1332931A (en) * 1970-01-15 1973-10-10 Mullard Ltd Methods of manufacturing a semiconductor device
US3698966A (en) * 1970-02-26 1972-10-17 North American Rockwell Processes using a masking layer for producing field effect devices having oxide isolation
GB1362512A (en) * 1970-06-15 1974-08-07 Hitachi Ltd Semiconductor device and method for manufacture
FR2098325B1 (de) * 1970-07-10 1977-04-22 Philips Nv
NL170902C (nl) * 1970-07-10 1983-01-03 Philips Nv Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder monolithische geintegreerde halfgeleiderschakeling.
JPS514756B1 (de) * 1970-10-05 1976-02-14
US3648125A (en) * 1971-02-02 1972-03-07 Fairchild Camera Instr Co Method of fabricating integrated circuits with oxidized isolation and the resulting structure
JPS498183A (de) * 1972-05-10 1974-01-24
DE2318912A1 (de) * 1972-06-30 1974-01-17 Ibm Integrierte halbleiteranordnung
JPS4960684A (de) * 1972-10-12 1974-06-12
JPS5617734B2 (de) * 1973-07-19 1981-04-24
JPS5159853U (de) * 1974-11-06 1976-05-11
JPS5938741B2 (ja) * 1976-07-31 1984-09-19 ティーディーケイ株式会社 半導体装置およびその作製方法
GB2042801B (en) * 1979-02-13 1983-12-14 Standard Telephones Cables Ltd Contacting semicnductor devices
US4441941A (en) * 1980-03-06 1984-04-10 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device employing element isolation using insulating materials
US4274909A (en) * 1980-03-17 1981-06-23 International Business Machines Corporation Method for forming ultra fine deep dielectric isolation
US4317690A (en) * 1980-06-18 1982-03-02 Signetics Corporation Self-aligned double polysilicon MOS fabrication
US4506435A (en) * 1981-07-27 1985-03-26 International Business Machines Corporation Method for forming recessed isolated regions
US4454646A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
US4454647A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
JPS5873163A (ja) * 1981-10-27 1983-05-02 Toshiba Corp Ｍｏｓ型半導体装置
US4508757A (en) * 1982-12-20 1985-04-02 International Business Machines Corporation Method of manufacturing a minimum bird's beak recessed oxide isolation structure
GB2151844A (en) * 1983-12-20 1985-07-24 Philips Electronic Associated Semiconductor devices
JPS60115416U (ja) * 1984-01-12 1985-08-05 三菱電機株式会社 フラツトキ−型操作ボ−ド
JPS6133323U (ja) * 1984-07-31 1986-02-28 武夫 大坪 キ−ボ−ド表示板
JPS61126696U (de) * 1985-01-28 1986-08-08
US4630356A (en) * 1985-09-19 1986-12-23 International Business Machines Corporation Method of forming recessed oxide isolation with reduced steepness of the birds' neck
US5019526A (en) * 1988-09-26 1991-05-28 Nippondenso Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements
US5077235A (en) * 1989-01-24 1991-12-31 Ricoh Comany, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having SOI structure
US4968641A (en) * 1989-06-22 1990-11-06 Alexander Kalnitsky Method for formation of an isolating oxide layer
US4987099A (en) * 1989-12-29 1991-01-22 North American Philips Corp. Method for selectively filling contacts or vias or various depths with CVD tungsten
JP3111500B2 (ja) * 1991-05-09 2000-11-20 富士電機株式会社 誘電体分離ウエハの製造方法
JPH05283710A (ja) * 1991-12-06 1993-10-29 Intel Corp 高電圧ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法
US5418176A (en) * 1994-02-17 1995-05-23 United Microelectronics Corporation Process for producing memory devices having narrow buried N+ lines
US5756385A (en) * 1994-03-30 1998-05-26 Sandisk Corporation Dense flash EEPROM cell array and peripheral supporting circuits formed in deposited field oxide with the use of spacers
US5661053A (en) * 1994-05-25 1997-08-26 Sandisk Corporation Method of making dense flash EEPROM cell array and peripheral supporting circuits formed in deposited field oxide with the use of spacers
US5814875A (en) * 1995-01-31 1998-09-29 Nippon Steel Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same apparatus and method for providing semiconductor devices having a field shield element between devices
US20040144999A1 (en) * 1995-06-07 2004-07-29 Li Chou H. Integrated circuit device
US5747357A (en) 1995-09-27 1998-05-05 Mosel Vitelic, Inc. Modified poly-buffered isolation
US5883566A (en) * 1997-02-24 1999-03-16 International Business Machines Corporation Noise-isolated buried resistor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3212162A (en) * 1962-01-05 1965-10-19 Fairchild Camera Instr Co Fabricating semiconductor devices

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2981877A (en) * 1959-07-30 1961-04-25 Fairchild Semiconductor Semiconductor device-and-lead structure
US3165430A (en) * 1963-01-21 1965-01-12 Siliconix Inc Method of ultra-fine semiconductor manufacture
US3279963A (en) * 1963-07-23 1966-10-18 Ibm Fabrication of semiconductor devices
DE1439737B2 (de) * 1964-10-31 1970-05-06 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Verfahren zum Herstellen einer Halblei teranordnung
US3484313A (en) * 1965-03-25 1969-12-16 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor devices
US3442011A (en) * 1965-06-30 1969-05-06 Texas Instruments Inc Method for isolating individual devices in an integrated circuit monolithic bar
US3479237A (en) * 1966-04-08 1969-11-18 Bell Telephone Labor Inc Etch masks on semiconductor surfaces
US3649386A (en) * 1968-04-23 1972-03-14 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor devices
US3550292A (en) * 1968-08-23 1970-12-29 Nippon Electric Co Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPS4917069A (de) * 1972-06-10 1974-02-15
JPS5232803B2 (de) * 1972-08-15 1977-08-24

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3212162A (en) * 1962-01-05 1965-10-19 Fairchild Camera Instr Co Fabricating semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2330645A1 (de) * 1972-06-15 1974-01-24 Commissariat Energie Atomique Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen
EP0002107A2 (de) * 1977-11-17 1979-05-30 Rca Corporation Verfahren zur Herstellung einer planaren Halbleiteranordnung
EP0002107A3 (de) * 1977-11-17 1979-09-05 Rca Corporation Verfahren zur Herstellung einer planaren Halbleiteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
NL153374B (nl) 1977-05-16
NL6614016A (de) 1968-04-08
JPS4923071B1 (de) 1974-06-13
US3970486A (en) 1976-07-20
CH469358A (de) 1969-02-28
JPS4939308B1 (de) 1974-10-24
AT280349B (de) 1970-04-10
JPS5134274B1 (de) 1976-09-25
ES345702A1 (es) 1969-02-01
JPS4939309B1 (de) 1974-10-24
JPS5631893B1 (de) 1981-07-24
DE1614283C3 (de) 1983-03-10
GB1208574A (en) 1970-10-14
BE704674A (de) 1968-04-04
JPS5434596B1 (de) 1979-10-27
JPS5435071B1 (de) 1979-10-31
DK121913B (da) 1971-12-20
FR1549386A (de) 1968-12-13
JPS5838937B1 (de) 1983-08-26
SE335177B (de) 1971-05-17
DE1614283B2 (de) 1975-06-05
NO125653B (de) 1972-10-09

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