DE1564475A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
HalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE1564475A1 DE1564475A1 DE19661564475 DE1564475A DE1564475A1 DE 1564475 A1 DE1564475 A1 DE 1564475A1 DE 19661564475 DE19661564475 DE 19661564475 DE 1564475 A DE1564475 A DE 1564475A DE 1564475 A1 DE1564475 A1 DE 1564475A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrodes
- semiconductor device
- gate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
1.546
Kts/JVr
'Anmelder: N. V. PHILIPS' GLOEIUMPENFABRIEKEN
Akt.: JHB- 31 548
«•Halbleitervorrichtung". .
J)i· Erfindung betrifft ein· H»lbleitervorriobtwif,
nit ein·« HalbXeiterkBrper der eine Fläche hat, di·
teilwei·· mit einer I»olier«obioht bedeokt Ut, wobei di«eer
Körper «inen feldeffekttraneietor «it isolierter Torelektrode »athllt, der »it «ind«sten· einer Zulaitungeelektrod·
. - _ BAD ORIGIMAL
909850/1217
- 2 - PHB 31.548
(Qut11·) und einer Ableitungeelektrode (Senke) und aindesten·
svei Torelektroden veraehen iet, die auf der Isolierschicht «wischen den Zuleitungen und Ableitungselektroden angebracht eind und
diese teilweise überlappen* Beispiele soloher Vorrichtung··! sind
Feldeffekttransistoren alt isolierter Torelektrode und DOnnaohlohttranaistoren alt sw·!--oder Tielfaohen Torelektroden.
Im Betrieb wird bei solchen Vorrichtungen ein· Spannung awisohen den Zuleitung·- und Ableitungeelektroden angelegt,
die die Zuleitungeelek-trode in der Vorwärteriohtung und die Ableitungselektrode in der Sperr!ohtung voropannt· Sin Stroafluss swisohen
der Zuleitungs- und der Ableitungselektrode kann duroh ein· Spannung
eingeleitet und geeteuert werden» die svieohen den Torelektroden und
dea unterliegenden Halbleiterkörper angelegt wird. Diese Spannung hat
ein· derartige Polaritlt, dass unter der Isoliersobioht «i» Stroaweg
induziert wird» der aus eine· Oberfllohenkanal voa dea Leitung*typ
des unterliegenden Körpers entgegengeeetsten Leitungetyp beateht
und erlaubt^ da·· svisohen der Zuleitung·« und der Ableitungaelektrode
3troB flieset. Diese Wirkung·*·!*· wird al· Anreioherungsaodu« ·«>-••lohnet, weil der Oberfllohenkanal duroh Anlegen einer Spannung an
dl· Torelektrode gebildet wird.
Solohe Vorrichtungen kSniMMt al« «in Analogen elaer
Vakuuar8hre betrieb·» werden· Ein aodullerende· Signal wird aindeeten· einer Torelektrode^ des Signaleingang· tor( sugeftlhrt, woduroh «iea
•ine Aenderung in der Leltflhigkeit de« Oberfllohenkanale und folglioa, la Stroa sviaohen der Zuleitung·- und der Ableitungeelektrode
ergibt, vihrend die andere(n) Torelektrode(n), dl· Sohiraelektrode(a),
dafür sorgen, dass sich der Oberfllohankanal auf dea gansen Abstand
9098S0/1217
- 3 - ■ PHB 3t.546
svisohen der Zuleitungen und der Ableitungeelektrode erstreckt.
Bei einen'bekannten Feldeffekttransistor ,mit isolierter Torelektrode, bei dem ein Bweites Tor pwisohen der Ableitungselektrode und der Signaleingangetor liegt, ist eine zwieohenliegende Oberflächenschicht von gleichen Leitungetyp wie der leitende Oberflächenkanal vorgesehen, die unter der ZwisohenfauB
zwischen den beiden Torelektroden liegt, Diese Vorrichtung hat ein·
verhgltnlsmässig niedrige Tor-Ableitungeelektrode-Kapaiität, aber
auch eine Steuerkapazitlt über dem pnp-Uebergang zwischen der
ZMisohenliegenden Oberflächenson· und dem unterliegenden Halbleiterkörper.
Die Vorliegende Erfindung schafft verbessert· Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode und Dttnneohienttransistoren. ·,
Eine Halbleitervorrichtung . eingangserwähnter Art
ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass eine' «rate und
eine zweite Torelektrode durch eine elektrisch isolierend· Sohioht
voneinander getrennt sind und sieh wenigstens teilweise überlappen
so dass in einem Teil des Halbleiterkörper, der unter der ersten
und der aweiten Torelektrode liegt, ein ununterbrochener Stromkanal dadurch «reielbar 1st, dass Spannungen der erforderlichen Polarität zwischen den Torelektroden und den unterliegenden Halbleiterkörper angelegt werden.
BAD ORaGiNAL
909850/1217
- 4 - ' . PHB 31.548
daduroh gekennzeichnet, da·· die «ret« Torelektrode die Zuleitung·-
und Ableitungeelektroden nioht überlappt und dase die streite Tor-' elektrode sowohl die Zuleitungs- ale auch die Ableitungeelektroden
überlappt.
Die Isolierschicht unter den Torelektroden kann auβ
jeden geeigneten Isoliermaterial bestehen* s.B. au· Oxyden oder
lfitriden, die auf verschiedene Weisen angebracht werden können. OemSse einer wichtigen bevorzugten Ausführungsfor» der !Erfindung
jedoch iet die Isolierschicht unter den Torelektroden eine Oxydeohioht, die wenigsten· au« gröe«eren Teil duroh Oxydation der unterliegenden Halbleiterflfiohenι c.B. duroh thermische oder elektrische
Oxydation, erzeugt let,
Der Halbleiterkörper kann aus einer polykristallinen Schioht bestehen, z.B. bei DUnnsohichttransitoren. Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungefora einer Halbleitervorrichtung naoh
der Erfindung ist der Halbleiterkörper ein Einkristall*
Qemäss einer weiteren wichtigen bevorzugten Au«föhrungefora der Erfindung werden die Suleitunge- und Ableitungeelektroden duroh Zonen gebildet» deren Leitungstyp desjenigen de· übrigen Teil·· des Körpers entgegengesetat let.
Sie Erfindung besieht aioh «ohlieselich auf eine elektrieohe Sohaltung alt einer Halbleitervorrichtung naoh der Erfindung» die daduroh gekennseiohnet ist, das· Mittel vorgesehen sind,
üb swieohen den ersten und «weiten Torelektroden einerseits
und de« unterliegenden Halbleiterkörper andererseits Span-· nungen anzulegen, uu den ununterbrochenen Stroeweg su erzeugen.
909850/1217
PHB 31.548
Drei Aueführungsbeiapiflrle der Erfindung sind in din
'Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden naher beschrieben.
PJs zeigen
Fig. 1 einen Vertikaleohnittduroh eins Feldeffektvorrichtung mit isolierter Torelektrode naoh der Erfindung, bei der
ßioh die leitenden Schichten Je über einen gleichrichtenden Ueber-Cang erstrecken,
Fig* 3 einen Vertikulsohnitt durch eine Vorrichtung
naoh der Krfindung, bei der eine der leitenden Schichten eich über
keinen der gleichrichtenden Uobergänge erstreckt.
Fig. 5 einen Dünnachiohttransistor nach der Erfindung.
Die Vorrichtung nach den Figuren 1 und 2 wurde auf
einer p-leitenden einkristallinen Silioiumunterlage 16 mit einer
15 /3
Borkonzentration von je 10 J Atomen/cm und einom spezifischen Widern
■tand von 7 Oha.cm hergestellt. Der Körper kann entweder aktive oder
paativ· Blemente enthalten, die entweder in ihm oder auf einer FlSoh·
ι gebildet eind und zusammen mit der Vorrichtung eine integrierte Stoff-
eohaltung bilden. Mit Hilfe eines Verfahrene unter Benutzung einer
Oxydmaeke und eines FotoEtzgrunde« warden zwei N - OberflSohenv zonen 17 und 18 auf einer Fläche des Körpers 16 gebildet, die mit
dem Körper pn-Ueb«rgEng· 17* und 18* bildeten. Der Abstand »wieohen
. den Geraden, lSngs dtren die pn-Uebergaiige die OberflSche aohneiden,
betrug 10 Mikron. Eine Siliciumdioxydschioht wurde Ober die Oberflioh·
des Körpers 16, wenigstens zwisohen diesen zwei Geraden, erzeugt, wobei das Oxyd auf der ganzen Oberfläche erzeugt und dann auf einem
0/1217 bad original
- 6 - PHB 31.548
Teil der diffundierten Gebiet· entfernt werden kann, üb die Herstellung ohmsoher Kontakte mit diesen Gebieten su ermöglichen. Auf
der Oxydsohicht wurde dann eine Aluminiumschioht 20 derart angebraoht, dass sie sioh über einen Teil des freiliegenden pn-Uebergangea 18* und etwa 5 Mikron zum anderen freiliegenden Uebergang 17*
hin erstreckte. Danach wurde mit Hilfe von Tetraäthoxysilan ein«
Oxydsohioht 22 angebracht, wonach eine sweite Aluminiuraaohioht 21
angebracht wurde» die die Oxydeohioht 22 bedeckt und sioh über wenigstens einen Teil des pnp-Uebergangee 17' erstreckt. Das Tetra-Ethoxysilan war mit Sauerstoff vermischt und wurde über die Unterlage geführt, die auf eine Temperatur von etwa 400°C «rhitat wurdet
Die Schichten 22 und 21 kSnnen auf der ganzen Oberfläche dar Unter*
-lag· angebracht und dann gettst werden, so da*· «1· nur dl« er for- '
derliohen Gebiete bedecken. In diese« Fall bus· die Aluminiuaeohioht
20 duroh eine Oo Icle chi cht auf der Oberfläche vor Entfernung durch
den Aetsvorgang geschützt werden. Die Vorrichtung wurde dadurch
fertiggestellt, dass auf den diffundierten Oberflächengebieten 17 und 16 objuche Kontakt· 23 bzw. 24 und auf den leitenden Aluminiumschichten 21 und 20 ohmsehe Kontakten 25 bzw. 26 angebracht wurden*
Hi dürft· einleuchtenf das· sich da· duroh di· Zerlegung des Tetratthoxyeilans gebildete Oxyd über ein grosses Gebiet der
Aluminiumschicht 20 erstrecken kann, wlhrend ee nur wesentlich ist,
dass es eioh Ober ein eo grossee Gebiet erstreckt, da·· di· leitende
Schicht, di· durch «in· an di· Aluainiuasohioht 21 angelegte Spannunf
in der Halbleiteroberfläche induziert wird, die duroh eine an die
Aluminiumsohicht 20 angelegte Spannung induziert· leitende Sohioht
fiberläppt.
909850/1217
- 7 - PHB 31.548
In Fig· 3 wird das Signaltor 33 vSllig vom Abeohirmtor
38 bedeokt, let jedoch von diesem isoliert. Bei dieser Vorrichtung
wird dae Abuchirmtor benutzt» um einen leitenden Kanal beiderseits
des Signaltore zu bilden, und das Signaltor wird oberhalb des Knioke betrieben, während ein diesem Tor zugeführtes Signal verstärkt
wird. .
Ein Verfahren eur Herstellung der Vorrichtungen nach
den Figuren 3 und 4 ist folgendes!
1. Die p-leitende einkristalline Siliciuinunterlage 27
wird mit Hilfe der üblichen therraisohon Oxydationsverfahren mit einer
Oxydechicht 32 versehen·
2. In der Oxydaohioht werdon mittels eines Potoätegrundverfahrens
Fenster hergestellt und es werden durch Diffusion von Phosphor
durch diese Fenster hinduroh N -diffundierte Gebiete 28 und 29·. gebildet· Die Oebiete 28 und 2°, bilden mit der Unterlage 27 pn-Uebergänge
28* bew* 29'. Der Abstand «wischen den diffundierten Gebieten
beträgt etwa 10 Mikron*
3. In den Fenstern werden Aluminiumkontakte 30 und 31
angebracht» Uta ohms ehe Kontakte mit den diffundierten Gebieten herzustellen·
Diese Aluminiumkontakte können durch eine Maske aufgedampft werden, es kann jedoch auch eine Aluminiumschieht auf der ganzen
Oberfläche der Unterlage angebrnoht werden, wonach die unerwünschten
Teile.duroh ein Fotoätzgrund- Aetz- Verfahren beseitigt werden. Im
gleichen Arbeitegang, in dem die Aluminiumkontakte angebracht werden,
kann auch das Signaltor 33 gebildet werden, das aus einer mitten zwischen den diffundierten Gebieten angebrachten 3 Mikron breiten
Aluminiumschicht besteht.
BAD ORIGINAL
909850/1217
..8-" PHB 31.548
4ι Dann wird auf der ganzen FlSohe der Unterlage bis
zu einer Tiefe von U,3 Mikron raittele eines TetraSthoxyeilanitrlegungsverfahrene
eine Oxydsohicht 34 angebracht.
5. Mit Hilfe eines Photoätzgrundverfahren werden in
der Oxydsohioht 34 über den Stellen 35» 36 und 37 der aus Aluminium
bestehenden Kontaktflächen 30 und 31 und des Signaltore 33 Löcher geStzt. Bei der letzten Bearbeitung der Vorrichtung können duroh
diese Löcher hinduroh ohmsohe Kontakte mit den drei Aluminiumeohichten
hergestellt werden·
6. Die Schirmelektrode 38 wird dann so angebracht) das*
sie das -Gebiet der Unterlage awieohen den diffundierten Gebieten
28 und 29 bedeckt. Das Schirmtor wird duroh die Oxidschicht 34 vom
Signaltor 33 isoliert.
Die Vorrichtung wird dadurch fertiggestellt) das· mit
den diffundierten Gebieten 28 und 29» die als die Zuleitung«- bew.
Ableitung»elektrode der Vorrichtung dienen, und mit den beiden Torelektroden
ohmsehe Kontakten hergestellt werden. Dann kann die Vorrichtung
mit üblichen Verfahren'auf einem Sockel montiert und in einem
Gehäuse untergebracht werden*
■ Es durfte einleuchten, dass einer der Vorteile der Vorrichtungen naoh der Erfindung gegenüber bekannten Vorrichtungen in der
geringeren Genauigkeit besteht, die bei der Anoringung der Torelektrode
erforderlich ist. In Fig« 1 z.B. muss sich das Signultor 20 bis
fiber daa diffundierte Oberflächengeblet 16 erstrecken, um dafür «usorgen,
dae· der induzierte leitende Kanal an der Oberfläche bis su
diesen Gebiet reicht. Der dem diffundierten OberflSohengeblet 17
9 0 9 8 5 0/1217
- 9 - PHB 31·
zunEchstliegendo Rand der üignalelektrode 20 jedoch muss nur mit
einer so hohen Genauigkeit bestimmt werden, dass die Vorrichtung die erwünschte Konnlinie erhält} Aenderun^en in der Eefjrenzung^
dieses Randes beeinflussen zwar die G (Steilheit).der Vorrichtung}
aber nicht die Kapazität zwischen Tor und Ableitungeelektrode (Miller-KapazitEt). Das Schirrator 21 muss sich bis über dap
'Signaltor 20 und das Oberflächengebiet 17 erstrecken, aber die
Stellen, an denen die aehirmtorelektrode endet, sind belanglos,
bo fern dafür gesorgt wird, dass diese Elektrode von der Signal torelektrode und den diffundierten Oberflächengebieten 17 isoliert
ist. Entsprechend braucht bei der Vorrichtung nach Fig. 3 die Signalelektrode
33 nicht Über den diffundierten Gebieten 28 und 2$ au
liegen, eondern sie kann einer mehr oder weniger zentrale Lage in der Vorrichtung einnehmen, ohne dass die Charakteristiken der
Vorrichtung erheblich geändert werden.
Hei den orfindungsgemaseen Vorrichtungen wird im
Betrieb an die Schirmtorelektrode eine derartige Spannung gelegt,
das in der Oberfläche der Unterlage ein.stromführender Kanal induziert wird, wobei dieser Kanal den mit dem Signal modulierten, Kanal
unter der Signaltorelektrode mit den diffundierten Oberflachengebieten
verbindet. . Aenderungen in der Lage dee dem pn-Uebergahg 28· sunächetliegenden
Bandes der Torelektrode 33 haben eine Aenderung dee
Reihenwideretandes dos Kanalwegs zwischen der Zuleitungs- und der
Ableitung*elektrode" zur Folge, wodurch die Steilheit der Vorrichtung
geändert wird·
Ein Dünnschiohttransiator nach der Erfindung kann alt
den bekannten Verfahren zur Herstellung eines Dünnachichtträn·ietore
909850/1217 bad original
- 10 - PHB 31.548
und den vorstehend beschriebenen Verfahren sur Herstellung -von
Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode ^omSas der
Erfindung hergestellt werden·
Auf einer flachen Seite einer isolierenden Qlasunterlage 39 wurden Streifen 40 und 41 aus Gold im Abstand von
10 Mikron voneinander angebracht (Fig. 5)· Bann wurde auf der
Unterlage eine ΐ Mikron tiefe Schicht 42 aus polykristallinen
KadmiumBulphid 42 angebracht*
Barauf wurde mit Hilfe von Tetraäthoxysilan auf
die beschriebene Weise eine Silioiumoxydscbicht 43 angebracht)
dann wurde die aus Aluminium bestehende Signalelektrode 44 ftngebracht. Danach wurde die abeohiroende isolierte Torelektrode 45»
5^ bo gebildet, dass sie die Zuleitung·- und Ableitungelektroden
überlappte»
Sie Erfindung liefert somit verbesserte Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode und lXlnnechichttranaietoren,
die eine verringerte KapanitSt «wischen Signaleingang und Ableitungeelektrode aufweisen· '
' BAD ORIGINAL
909850/1217
Claims (1)
1.548
Patentansprüche:
1. Halbleitervorrichtung alt einem Halbleiterkörper der
eine Fl&ohe hat,die wenigsten· teilweise mit einer Isolierschicht
bedeckt ist, wobei dieser Körper einen Feldeffekttransistor alt isolierter Torelektrode enthält, der mit mindestens einer Skilei*
tungeelektrode und einer Ableitungelektrode und »indestens swei
Torelektroden versehen ist, die auf der Isolierschicht EWisohsn
den Zuleitung»- und Ableitungeelektroden angeordnet sind, wobei diese Torelektroden JLe Zuleitungs- und Ableitungeelektroden teilweise überlappen, dadurch gekennsolohnet, dass eine erste
und eine «weite Torelektrode durch «ine elektrisch isolierende Schicht
getrennt werden und sich wenigstens teilweise überlappen, so dass
im unter der ersten und der «weiten Torelektrode liegenden Teil
des Halbleiterkörper ein ununterbrochener Stroakanal erhalten werden
kannρ wenn «wischenden Torelektroden und dem unterliegenden Halbleiterkörper Spannungen alt der erforderlichen Polarität angelegt *
werden*
2« Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, daduroh gekenn·
aeichnet, dass die erste Torelektrode die Zuleitungs- und Ableitungeelektroden nicht überlappt und dass die zweite Torefektrode sowohl
die Zuleitungen al» auoh dl« Ableitungeelektrode(n) überlappt.
3« Halbleitervorrichtung naoh Anspruoh 1 oder 2, daduroh
gekennaeiohnet, dass die IiolierBchicht unter den Torelektroden
eine Qxydesohicht ist, von der wenigstens der grössere Teil durch
Oxydation der unterliegenden Halbleiteroberfläche erzeugt worden ist.
4* Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehreren der
ORIGINAL
- 12 - PHB 31-548
vorstehenden Anspräche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper ein Einkristall ist.
5. Halbleitervorrichtung naoh Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, dase lie Zuleitungs- und AbIeitungselektroden duroh
Zonen mit einem den Leitungetyp des übrigen Teils de· Körpers
entgegengesetzten Leitungst/p gebildet werden.
6* Elektrische Schaltung mit einer Halbleitervorrichtung
naoh einem oder mehreren der Torstehenden Ansprüche, daduroh gekennzeichnet, dass Mittel vorgesehen sind, um swlaobtn der ersten und
streiten Torelektrode einerseits und des unterliegenden Halbleiterkörper andererseits Spannungen anzulegen, ua deto ununterbrochenen Stromkanal zu erzeugen.
909850/1217
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB54333/65A GB1136569A (en) | 1965-12-22 | 1965-12-22 | Insulated gate field effect transistors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564475A1 true DE1564475A1 (de) | 1969-12-11 |
| DE1564475C2 DE1564475C2 (de) | 1984-01-26 |
Family
ID=10470665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1564475A Expired DE1564475C2 (de) | 1965-12-22 | 1966-12-20 | Feldeffektanordnung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3436623A (de) |
| JP (1) | JPS4931592B1 (de) |
| CH (1) | CH470085A (de) |
| DE (1) | DE1564475C2 (de) |
| FR (1) | FR1505959A (de) |
| GB (2) | GB1139170A (de) |
| NL (1) | NL155130B (de) |
| SE (1) | SE348320B (de) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3573571A (en) * | 1967-10-13 | 1971-04-06 | Gen Electric | Surface-diffused transistor with isolated field plate |
| US3686544A (en) * | 1969-02-10 | 1972-08-22 | Philips Corp | Mosfet with dual dielectric of titanium dioxide on silicon dioxide to prevent surface current migration path |
| US3577210A (en) * | 1969-02-17 | 1971-05-04 | Hughes Aircraft Co | Solid-state storage device |
| JPS5145438B1 (de) * | 1971-06-25 | 1976-12-03 | ||
| JPS5633867B2 (de) * | 1971-12-08 | 1981-08-06 | ||
| JPS5535865B2 (de) * | 1972-12-07 | 1980-09-17 | ||
| JPS5154789A (de) * | 1974-11-09 | 1976-05-14 | Nippon Electric Co | |
| US4041519A (en) * | 1975-02-10 | 1977-08-09 | Melen Roger D | Low transient effect switching device and method |
| US4057820A (en) * | 1976-06-29 | 1977-11-08 | Westinghouse Electric Corporation | Dual gate MNOS transistor |
| DE2729656A1 (de) * | 1977-06-30 | 1979-01-11 | Siemens Ag | Feldeffekttransistor mit extrem kurzer kanallaenge |
| DE2729658A1 (de) * | 1977-06-30 | 1979-01-11 | Siemens Ag | Feldeffekttransistor mit extrem kurzer kanallaenge |
| DE2729657A1 (de) * | 1977-06-30 | 1979-01-11 | Siemens Ag | Feldeffekttransistor mit extrem kurzer kanallaenge |
| US4245165A (en) * | 1978-11-29 | 1981-01-13 | International Business Machines Corporation | Reversible electrically variable active parameter trimming apparatus utilizing floating gate as control |
| US5187552A (en) * | 1979-03-28 | 1993-02-16 | Hendrickson Thomas E | Shielded field-effect transistor devices |
| US5202574A (en) * | 1980-05-02 | 1993-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor having improved interlevel conductor insulation |
| FR2499769A1 (fr) * | 1981-02-06 | 1982-08-13 | Efcis | Transistor a effet de champ a grille isolee ayant une capacite parasite reduite et procede de fabrication |
| US4499482A (en) * | 1981-12-22 | 1985-02-12 | Levine Michael A | Weak-source for cryogenic semiconductor device |
| GB2118774B (en) * | 1982-02-25 | 1985-11-27 | Sharp Kk | Insulated gate thin film transistor |
| JPS61120466A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体光検出素子 |
| ATE77177T1 (de) * | 1985-10-04 | 1992-06-15 | Hosiden Corp | Duennfilmtransistor und verfahren zu seiner herstellung. |
| US5012315A (en) * | 1989-01-09 | 1991-04-30 | Regents Of University Of Minnesota | Split-gate field effect transistor |
| US5079620A (en) * | 1989-01-09 | 1992-01-07 | Regents Of The University Of Minnesota | Split-gate field effect transistor |
| US5124769A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Thin film transistor |
| JPH03280071A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Konica Corp | 印刷版の形成方法 |
| JPH0590587A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Sony Corp | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
| JP3548237B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2004-07-28 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| US7064034B2 (en) * | 2002-07-02 | 2006-06-20 | Sandisk Corporation | Technique for fabricating logic elements using multiple gate layers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1377764A (fr) * | 1962-12-17 | 1964-11-06 | Rca Corp | Dispositif semi-conducteur |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3339128A (en) * | 1964-07-31 | 1967-08-29 | Rca Corp | Insulated offset gate field effect transistor |
| US3355598A (en) * | 1964-11-25 | 1967-11-28 | Rca Corp | Integrated logic arrays employing insulated-gate field-effect devices having a common source region and shared gates |
-
1965
- 1965-12-22 GB GB40362/68A patent/GB1139170A/en not_active Expired
- 1965-12-22 GB GB54333/65A patent/GB1136569A/en not_active Expired
-
1966
- 1966-12-19 SE SE17363/66A patent/SE348320B/xx unknown
- 1966-12-19 CH CH1815566A patent/CH470085A/de unknown
- 1966-12-20 JP JP41083031A patent/JPS4931592B1/ja active Pending
- 1966-12-20 DE DE1564475A patent/DE1564475C2/de not_active Expired
- 1966-12-21 NL NL666617926A patent/NL155130B/xx not_active IP Right Cessation
- 1966-12-22 US US603906A patent/US3436623A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-12-22 FR FR88473A patent/FR1505959A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1377764A (fr) * | 1962-12-17 | 1964-11-06 | Rca Corp | Dispositif semi-conducteur |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Electronics, Ausgabe vom 30.11.1964, S. 50-53 * |
| IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol.7, No. 1, Juni 1964, S. 7 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1139170A (en) | 1969-01-08 |
| NL155130B (nl) | 1977-11-15 |
| JPS4931592B1 (de) | 1974-08-22 |
| SE348320B (de) | 1972-08-28 |
| NL6617926A (de) | 1967-06-23 |
| CH470085A (de) | 1969-03-15 |
| FR1505959A (fr) | 1967-12-15 |
| US3436623A (en) | 1969-04-01 |
| GB1136569A (en) | 1968-12-11 |
| DE1564475C2 (de) | 1984-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1564475A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| EP0239652B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor | |
| DE3601326C2 (de) | ||
| DE69129617T2 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung, insbesondere geeignet für Hochspannungsanwendungen | |
| DE4107909C2 (de) | Feldeffekt-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür | |
| DE1764281C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE2242026A1 (de) | Mis-feldeffekttransistor | |
| DE3145231A1 (de) | Halbleiteranordnung fuer hohe spannungen | |
| DE2745857A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| DE2245063A1 (de) | Schaltungseinheit mit einem feldeffekttransistor und einem bipolaren transistor | |
| DE2726003A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mis- bauelementen mit versetztem gate | |
| DE1614356B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterbaugruppe mit komplementären Feldeffekttransistoren und Material zur Durchführung des Verfahrens | |
| CH495633A (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2160462A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung dieser halbleiteranordnung. | |
| DE1614300A1 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode | |
| DE4020478C2 (de) | Mos Halbleitervorrichtung | |
| DE2059072B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE69117988T2 (de) | Halbleitervorrichtung mit Ladungstransfer-Bauelement, MOSFETs und Bipolartransistoren - alle in einem einzelnen Halbleitersubstrat gebildet | |
| DE69129129T2 (de) | Anordnung mit einer Ladungsverschiebungsvorrichtung, MOS-Transistoren und bipolare Transistoren, die alle auf einem einzigen Halbleitersubstrat erzeugt werden | |
| DE1946302A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
| DE2953394T1 (de) | Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use | |
| DE2852402C2 (de) | Lateralhalbleiterbauelement für integrierte Halbleiterschaltungen | |
| DE68925150T2 (de) | Bipolartransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3132955C2 (de) | ||
| EP0179099B1 (de) | Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: DAVID, G., PAT.-ASS., 2000 HAMBURG |
|
| 8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: BEER, ANDREW FRANCIS, POUND HILL CRAWLEY, SUSSEX, GB |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |