DE1564309A1 - Tantal mit niedrigen Reststromwerten fuer Tantalelektrolytkondensatoren - Google Patents
Tantal mit niedrigen Reststromwerten fuer TantalelektrolytkondensatorenInfo
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 101100295889 Drosophila melanogaster Orct gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 101150085091 lat-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/38—Alkaline compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Description
Dr. ing. Hj. ν. Schwarze
Patentanwalt
' 415 KREFELD
Westparkstr. 14 - Tel. 26671
Metallwerk B e u t t e
e© Aktiengesellschaft Sirol (Poetfaeh 74)
Tantal alt niedrigen .Reststronnrerten für
Elektrolytkondensator©®ρ ii@ siöfe, durch besonders
höh© Kapazität pr© Tolumseinheit;^ äuroh gute £ager£Uhi£
'keit und Stabilität e«i@ i^rch gute elektrische
schaftesi sowohl "bei s®te tld£.era als auch erhöhter
rctür ettBsaiohne&t ^^ ®&©h ©lg Ilektr©dencaat©risl Santa!
bewährt* Das Sasutal wteö ontwedev In poröser t gesinterter
Fora «ing«setKt ®α@ν .':-:U· glä1?t@ S'-'ctr imfeerauht«
oder als Draht* Das AufbriBgea der'dielektrischem
009831/0252
BAD ORIGINAL
ten erfolgt durch Formieren (anodisches Oxydieren)·
Für die Qualität eines Elektrolytkondensators 1st neben anderen Eigenschaften von großer Wichtigkeit der Eeetstrom,
der möglichst niedrig sein soll und der durch den elektrischen Widerstand der dielektrischen Sohioht gegeben ist·
Untersuchungen haben gezeigt, daß die Höhe des Beststromes bei gleichen Formierbedingungen von der Reinheit des (Tantals,
besonders von der Oberflächenreinheit und von der Art der auf dem Tantal vor der Formierung vorhandenen natürlichen,
extrem dünnen Oxydschiohten abhängig ist«
Durch systematische Versuche wurdd erfindungsgeraäS festgestellt, daß eich der Reststrom unter sonst gleichen Bedingungen dadurch stark herabsetzen IaBt9 daß das Tantal
vor der Förderung mit wässrigen, oder wasserhaltigen a.ik&M-sehen L öaungen unter Zusatz von Oxydationsmitteln ka^t oder
bei erhöhter Temperatur stromlos oder elektrochemisch, das Tantal anodisch geschaltet, behandelt wird,
Beispiel Ii Eine 7,5 M dicke, glatte Tontalfolie» Abmessungen
5*10 cm, das heißt 1 dm Gesamtoberflache? wurde in verdünnter Phosphorsäure bei 850C mit einem Strom von 155 mA bis
der Formiarepannung von 200 ToIt formiert, die Formierdauer nach dem Erreiohtn der 20t) ToXt war 60 Minuten. Bei ,
Raunt·nptratur ward· (Lmn dar Etatatroa nach einer laohfe?«
Klärung J Minuten lang alt einer M·a«spannung von X30 YoIt.
• . 1* \
» BAD'GRJGiNAL
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· Βθγ Hestetroia betrug lO^SyUA/dm. .Die gl©ieho
Folia hatte fcei gleichen Poriaier« und ^
einen Beststrooi von ö»325yU ü/dm 9 wenn die Taaialfolie
vor dera Forcieren 5 Minuten lang mit einer heißen Lösung
von 10 g Kaliutapermanganat als Osydationetaittsl und 30 g
Kaliumhydrossyd in 70 & fässer "behandelt wurde·
Beispiel 2» Die Tantalfolie wurdo mit einer heißen lösung
von 10 s AEQoniumpersulfat und 30 g Kaliumhydrozyd in
70 g Wasser 2 Minuten lang behendeIt* Der Reatßtroa von
10t8/UA/dm tei der nioht. vorbehandeiten folio wurde dadurch
auf l»24y«A/aa heraljgesetzt·
Beispiel 3i Die gleiche Tantelfolie wurde vor dem Formieren
15 Sekunden lang anodisch in einer Lösung von 10 q ΚεύΙυ.Ώ»
permongenat und 10 g Kaliumhydroxyd. in 70 om^ Waο8er ait
einea Strom von 700biA (Stromdichte 700 taA/dta ) laehandelt
und denn wie in. Beispiel 1 und 2 angegeben, formiert und
der Ee st strom gemessen·. Durch die Behandlung konnte der
Eeetetrora von 10»8/UA/da euf Ofi385/UÄ/ä!a herabgesetzt
«erden»
Der günstige Effekt der erfinduneogetaäßen Behandlung wird
euch erreicht, wenn z.B. eine 50M dicke S&ntalfolie cr~
rinduncBcemäß b«hond«ilt und dehn auf die f Ur Sentelf olienkondeneatorcn
üblioho Dicke von 7-8M für Kondensatoren mit
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glatter Polie oder auf 11-15/U Dicke für Kondensatoren
mit aufgerauhter Folie ausgewalzt wird.
Die erfindungsgeciäße Behandlung des !Tantals hat neben, dor
Erniedrigung des Reststromes noch den Vorteil, daß in einem gegebenen Formierelektrolyten die maximale Formierspannung
im Vergleich zu dem unbehandelten !Tantal erhöht wird. Auseerdem kann z.B. bei Tantalfolienkondensatoren erreicht
werden, daß die dort unvermeidlichen Schweißstellen Polion-Tantaldraht zuleitung, die den Eeststrom erhöhen, in ihren Best·
stromwerten durch die erfindungsgemäße Behandlung nach dem
Schweißen und vor dem Formieren verbessert werden· Bei gesinterten Tantalanoden führt die erfindungegemäße Behandlung
zu einer Erniedrigung dee Beststromes und unter sonst gleichen Bedingungen zu einer Erniedrigung des Yerlustwinkele.
, OBIGINAt 009831/0252
Claims (1)
- - 5 Patentansprüche»!UJTantal eis Elektrodenmaterial für Santalolcktrolytkondensatoren» dctduroh gekennzeichnet! daß aus Tantal
vor der Formierung tnit wäoarijan oder wasserhaltigen
alkaliochen» Oxydationsmittel enthaltenden LSsunken kalt odor bei erhöhter Tqaperetür behandelt wird·2· Santa! nach Anspruch 1» dadurch gekennzeichnet» οίε«3
das Tantal in den Lusun^en oloktrochoaioch (^nodioch;
bohandalt wird·3« Vorfahren zur Herstellung von SJantül nach Anspruch 1. oder 2, dadurch uokonnzoiohnot, doß die üchanulun^ nicht orct vor dem enduUlti^on Tornieren» sondern "boreits an . ίί-ntal vor den lotsten Verf oresungsotufen (VTaIzon "bei » Ziehen boi Draht ) angewendet009831/0252
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT254565A AT257770B (de) | 1965-03-19 | 1965-03-19 | Verfahren zur Behandlung von Tantal für Elektrolytkondensatoren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564309A1 true DE1564309A1 (de) | 1970-07-30 |
| DE1564309B2 DE1564309B2 (de) | 1971-06-03 |
Family
ID=3536177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661564309 Pending DE1564309B2 (de) | 1965-03-19 | 1966-02-15 | Verfahren zur herstellung eines tantalelektrolytkondensators |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3539460A (de) |
| JP (1) | JPS4811384B1 (de) |
| AT (1) | AT257770B (de) |
| BE (1) | BE677641A (de) |
| DE (1) | DE1564309B2 (de) |
| GB (1) | GB1071235A (de) |
| NL (1) | NL6603334A (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6933754B1 (ja) * | 2020-05-11 | 2021-09-08 | 信紘科技股▲分▼有限公司 | 電極の表面処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3332859A (en) * | 1963-12-27 | 1967-07-25 | Gen Electric | Process for producing tantalum foil for capacitors |
| US3378471A (en) * | 1965-06-17 | 1968-04-16 | Gen Electric | Anodized tantalum and niobium and method of forming an oxide coating thereon |
-
1965
- 1965-03-19 AT AT254565A patent/AT257770B/de active
-
1966
- 1966-02-15 DE DE19661564309 patent/DE1564309B2/de active Pending
- 1966-03-10 BE BE677641D patent/BE677641A/xx unknown
- 1966-03-14 JP JP41015434A patent/JPS4811384B1/ja active Pending
- 1966-03-15 NL NL6603334A patent/NL6603334A/xx unknown
- 1966-03-17 GB GB11831/66A patent/GB1071235A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-06-03 US US740423A patent/US3539460A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE677641A (de) | 1966-08-01 |
| US3539460A (en) | 1970-11-10 |
| JPS4811384B1 (de) | 1973-04-12 |
| GB1071235A (en) | 1967-06-07 |
| NL6603334A (de) | 1966-09-20 |
| DE1564309B2 (de) | 1971-06-03 |
| AT257770B (de) | 1967-10-25 |
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