DE1514012A1 - Duennschichtkondensator mit einem in vorherbestimmbaren Bereichen temperaturunabhaengigen Dielektrikum und Verfahren zur Herstellung dieses Kondensators - Google Patents
Duennschichtkondensator mit einem in vorherbestimmbaren Bereichen temperaturunabhaengigen Dielektrikum und Verfahren zur Herstellung dieses KondensatorsInfo
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Description
Dünnschichtkondensator mit einem in vorherbestimmbaren Bereichen
temperaturunabhängigen Dielektrikum und Verfahren zur Herstellung dieses Kondensators _
Die Erfindung bezieht sich auf einen Dünnschichtkondensator mit
einem in vorherbestimmbaren Bereichen temperaturunabhängigen Dielektrikum.
Bei der Entwicklung von mikroelektronischen Schaltungen, die z. B.
in Digitalrechnern verwendbar sind, ist die gewünschte räumliche Verkleinerung der verschiedenen elektronischen Komponenten oft
durch die von den entsprechenden Komponenten in Übereinstimmung
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mit den Schaltungsentwurfen geforderten elektrischen Werten und
Charakteristiken begrenzt. Somit stellt ein verbesserter Schaltungsentwurf
oft nur das Ergebnis von Verbesserungen der in dieser Schaltung
verwendeten Komponenten dar. Die Erfindung ist nun auf Kondensatoren
gerichtet, deren räumliche Verkleinerung durch die Verwendung
von dielektrischen Materialien mit größeren Dielektrizitätskonstanten
erzielbar ist.
In den vergangenen Jahren wurden für die Verwendung als dielektrisches Material für mikroelektronische Kondensatorenferroelektrisehe
Materialien geprüft. Diese Materialien haben relativ hohe Dielektrizitätskonstanten, besonders In der Nähe ihrer ferroelektrisehen
Curie-Temperatur. Die Dielektrizitätskonstante eines solchen
Materlales 1st jedoch höchst temperaturabhängig und wird kleiner, wenn die Temperatur von der Curie-Temperatur abweicht. Dadurch ist;
es erforderlich, daß derartige Kondensatoren aufweisende. Schaltungen
mit einer Temperaturregelanlage ausgerüstet sein müssen, was Jedoch
sehr aufwendig ist und dem Verkleinern der derartige Schaltungen
verwendenden Einrichtungen entgegen wirkt.
Ferroelektrisehe Materialien können allgemein als ein dielektrisches
Material angesehen werden, dessen Kristallaufbau ein Symmetriezentruin
fehlt und einen Hysterese-Effekt aufweist, wenn es in
ein wechselndes elektrisches Feld gebracht wird. Die ferroelektrische
Curie-Temperatur dieses Materlales ist die Temperatur, bei ^
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deren überschreiten das Material seine ferroelektriechen Eigenschaften verliert. Eine besondere. Gruppe der ferroelektrischen Materialien« welche weitgehend als dielektrische Materialien verwendet werden, ist die Gruppe der sogenannten Perowskiten. Diese Gruppe ist
duroh die allgemeine chemische Formel ABO» gekennzeichnet, worin
A ein zwei- oder einwertiges Metall und B ein vier- oder fünfwertiges Metall let. Aus dieser Gruppe der ferroelektrischen Materialien
ist Bariumtitanat (BaTiO,), das am meisten verwendete Material, das
drei Ubergangsteraperaturen hat, die bei 1200C, 30C bzw. -300C liegen.
Die höchste dieser ubergangsteraperaturen ist die sogenannte ferroelektrische Curie-Temperatur, oberhalb welcher Bariumtitanat nicht
ferroelektrisch und durch einen kubischen Kristallaufbau gekennzeichnet 1st. Im Temperaturbereich von 5°C und 1200C ist der Kristallaufbau tetragonal, im Bereich von -80 C und 5°C rhombisch und unterhalb von -600C ist der Kristallaufbau rhomboedrisch. In der Nähe
jeder dieser Übergangstemperaturen wird die dielektrische Konstante
des Bariumtitanate erhöht und erstreckt sich von 4000 bei der niedrigsten Übergangstemperatur bis 10 000 bei der Curie-Temperatur .''
für einzelne Kristalle. Zwischen den betreffenden bbergangstemperaturenfällt jedoch die dielektrische Konstante beträchtlich ab.
Ee 1st nicht wünschenswert, einen mlkroelektronisehen Stromkreis
in der Nähe yon 50C oder 1200C zu betätigen oder Einrichtungen
vorzusehen, um Komponenten und Schaltungen auf diesen Temperaturen
zu halten.
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Es 1st allgemein bekannt, daß die Ubergangstemperaturen und besonders
die Curie-Temperatur des Bariumtitanats durch den Zusatz anderer Materialien zum Kristallgitter herabgesetzt werden können.
Der Zusatz z. B. von Strontiumtitanat (3rTiO,) kann die Wirkung der
Herabsetzung der Curie-Temperatur bis auf 0 C haben bei einem Zusatz
von annähernd 33 Prozent an Strontiumtitanat. Auf diese Weise
können bestimmte Zusammensetzungen erhalten werden, die eine Curie-Temperatur und somit eine hohe dielektrische Konstante bei oder nahe
der Raumtemperatur haben. Infolge der veränderlichen Eigenschaft des ferroelektriechen Materiales in der Nähe seiner Curie-Temperatur ist
Jedoch die dielektrische Konstante noch sehr temperaturabhängig und die eine solche Zusammensetzung verwendenden Komponenten erfordern
eine temperaturgeregelte Atmosphäre.
Es ist auch bekannt, daß die Beigabe mit Bleitltanat (PbTiO,) oder
von Bleicirkonat (PbZrO,) dazu dienen kann, die Curie-Temperatur^der
Bariumtitanat-Zusammensetzung zu erhöhen. In Jedem Falle ist ein gesintertes
Gemisch der betreffenden Kombination von Materialien durch eine bestimmte Curie-Temperatur gekennzeichnet, als ob die Kombination
eine einzige homogene Zusammensetzung wäre mit dem Ergebnis, daß die Dielektrizitätskonstante noch sehr temperaturabhängig ist,
besonders in der Nähe der Curie-Temperatur.
Es ist die Aufgabe der Erfindung einen Dünnsohichtkondensator zu
schaffen, der ein in bei der Herstellung vorherbestimmbaren Bereichen
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temperatürunabhängiges Dielektrikum besitzt. ·
Diese Aufgabe wird durch die Erfindung dadurch gelöst, daß das zwischen den Elektroden angeordnete Dielektrikum mindestens zwei voneinander
getrennt gehaltene verschiedene ferroelektrische Materialien,
die unterschiedliche Curie-Temperaturen aufweisen, enthält. Ein Kondensator
mit einem derartigen Dielektrikum ist nicht durch eine einzige
Curie-Temperatur gekennzeichnet, bei welcher die dielektrische
Konstante ihren Bestwert hat, sondern sie ist durch eine Dielektrizitätskonstante
gekennzeichnet, welche als annähernd proportional zur Summe der Dielektrizitätskonstanten der verschiedenen ferroelektrlschen
Materialien betrachtet werden kann. Wenn daher eine Erhöhung der Dielektrizitätskonstanten des Dielektrikums für einen besonderen Arbeitstemperaturbereich erforderlich ist, kann diese Forderung
durch die Beigabe einer entsprechenden Menge eines ferroelektrischen
Materiales erfüllt werden, das eine optimale Dielektrizitätskonstante in diesem Temperaturbereich hat.
Entsprechend einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht
jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus einer Mischung von Bariumtitanat und Strontiuratitanat, wobei die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind, wodurch die Dielektrizitätskonstante
in der Nähe der Raumtemperatur verbessert wird.
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ORIGINALJNSPECTED
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Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung besteht
jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus einer Mischung von Bariumtitanat und Bleitltanat, wobei die Mischungsverhältnisse
unterschiedlich sind, wodurch die Dielektrizitätskonstante oberhalb der Raumtemperatur verbessert wird.
Dieäe Verbesserung der Dielektrizitätskonstanten oberhalb der Raumtemperatur ist gemäß einer anderen Weitergestaltung der Erfindung
P auch erreichbar, wenn jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus einer Mischung von Barlumtitanat und Bleieirkonat besteht,
wobei die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind.
Durch eine andere Weiterbildung der Erfindung, die besagt, daü die
Dielektrika je eine getrennte Schicht bilden und aufeinander geschichtet
sind, wird sogar die Notwendigkeit eines die verschiedenen ferroelektrischen Materialien trennenden Bindemittels vermieden.
k Weitere Merkmale der Erfindung sind den Ansprüchen zu entnehmen.
Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend anhand von in den Figuren
veranschaulichten Ausführüngsbelspielen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines Kondensators der eine einzige
Schicht eines verschiedene ierroelektrische
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- .7 -
,-;■ : . Materialien aufweisenden Dielektrikums besitzt,
Fig. 2 ein Teraperatur-Dielektrizitätskonstante-Diagramm
für verschiedene Materialkombinationen,
Fig. 5 ein Diagramm wie in Fig. 2 für eine Anzahl von
Barium-Strontium-Titanaten,
Fig. 4 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Abhängigkeit ä
der Curie-Temperatur vom Prozentgehalt an Strontiumtitanat
und Bleititanat,
Fig. 5 einen (Querschnitt eines Kondensators, der ein Dielektrikum
aus zwei voneinander getrennten Schichten von verschiedenen ferroelektrlschen Materialien besitzt
und
Fig. 6 ein Temperatur-Dielektrizitätskonstante-DlaGramra für
verschiedene im Kondensator nach Fig. 5 verwendete
Dielektrika.
Die Fig. 1 zeigt einen DUnnfilmkondensator der In einer mikroelektronischen Schaltung verwendbar ist. Der Kondensator 10 kann durch
ein" gebräuchliches Siebdruck-Verfahren hergestellt werden, bei welchem
die Elektrode 12 auf dem keramischen Modul 11 abgesetzt und
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dann erhitzt wird. Das dlelektrieohe Material 12# dessen Zusammeneetzung anschließend ausführlich beschrieben wird« wird auf der Elektrode 12 mittels eines noch zu beschreibenden Verfahrens abgelagert,
worauf auf diesem Material eine zweite Elektrode 14 durch ein gebrauch·
Hohes Siebdruok-Verfahren abgesetzt wird. Wenn erwünscht, können eine
Vielzahl von Elektroden und dielektrischen Lagen aufeinander geschichtet werden. Die in einem solchen mikroelektronischen Kondensator verwendeten Elektroden und Dielektrika können etwa 0/5 mm lang und etwa
0,12 bis 0,17 mn» dick sein.
Zur Erläuterung der durch die Erfindung erzielten Ergebnisse wird auf
die Flg. 2 Bezug genommen. Die Kurven A-E stellen die Dielektrizitätskonstante als Punktion der Arbeitetemperatur dar, und zwar die
Kurve A für eine 75 % Bariumtitanat und 25 % Strontiumtitanat enthaltende Mischung von gesinterten Teilchen , die mit einem glasartigen Bindemittel im Oewiohtsverhältnls von 75 % der pulverigen Teilchen zu 25 % des Bindemateriales oder im Volumenverhältnis von 82 %
der pulverigen Teilchen zu 18 # des Bindemateriales gemischt sind,
wobei das Bindematerial Wismuttrloxid (BigO,) ist und die Kurve B
für den gleiohen Prozentgehalt der in der gleiohen Menge des Olasblndemateriales verteilten pulverigen Tellohen aus 85 % Bariumtitanat
und 15 % Strontiumtitanat bestehen. Wie noch ausführlicher beschrieben wird, hat die durch die Kurve A gekennzeichnete Zusammensetzung
einen Curie-Punkt bei annähernd 30°C, während die durch die Kurve B
gekennzeichnete Zusammensetzung ihre optimale dlelektrlsohe Konstante
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bei einem Curie-Punkt von annähernd 750C hat. Die Kurve C stellt die*
welter oben erwähnte Punktion für eine dielektrische Zusammensetzung
dar, die aus gleichen Teilen der entsprechenden durch die Kurven A und B gekennzeichneten Materialien geformt ist. Es ist zu erkennen,
daß die Kurve C oberhalb von 45°C von der Temperatur ganz unabhängig
ist, obwohl die dielektrische Konstante zu fallen beginnt, wenn die
Temperatur unter diesen Punkt verringert wird. Dieser Abfall der Dielektrizitätskonstante
unter 450C kann leicht durch die Erhöhung des
prozentualen Anteiles des durch die Kurve A gekennzeichneten Materl- "
ales korrigiert werden. „
Es ist zu bemerken, daß die Werte der dielektrischen Konstante, wie
in der Fig. 2 dargestellt, relativ niedrig sind Im Vergleich zu den
optimalen dielektrischen Konstanten jedes der entsprechenden verwendeten
ferroelektrischen Materialien. Dies bedingt hauptsächlich die große Menge des verwendeten Glasbindematerlales. Wenn der prozentuale
Anteil des Bindemateriales verringert wird, erhöht sich die Dielektrizitätskonstante,
wie noch ausführlich beschrieben wird* {
Da es der Zweck dee Glasbindemittels 1st, sowohl jedes der einzelnen
dielektrischen Teilchen einzuhüllen und von den anderen zu Isolieren,
als auch die Lücken eu füllen und die Porosität zu verringern, ist
zu erkennen, daß nicht die Gewichtsprozente sondern die Volumenprozente
des ülftsblnde«Ät«rlalee wichtig sind. Daher sind inder Beschreibung die entsprechenden ferroelektrleohen Materialien mit ihren
09820/0662 bad original
Gewichtsanteilen angegeben, während für das Glasbindematerial die Volumenprozente aufgeführt sind.
Zur weiteren Erläuterung des Einflusses des prozentualen Anteiles des Bindematerlales auf die dielektrische Zusammensetzung und auch
zur weiteren Erläuterung der Veränderung der Curie-Temperatur für Barium-Strontium-Titanat-Systeme bei verschiedenen Prozentgehalten
von Bariumtltanat und Strontlum-Tltanat wird nun auf die Fig. j5 Be-
" zug genommen, deren Kurven die Dielektrizitätskonstante als Funktion
der Arbeitetemperatur für vier verschiedene Barium-Strontium-Titanat-Systerne
darstellen. Ss ist zu bemerken, daß eine Barium-Strontium-Titanat-Zusammensetzung
mit einem Barium-Titanat-Anteil von 6j% eine
maximale Dielektrizitätskonstante bei einer Curie-Temperatur von annähernd 4°C hat, wie dies aus der Kurve F hervorgeht. Die Kurve G
stellt eine 74 % Barlum-Titanat enthaltende Zusammensetzung dar und
es ist zu beobachten, daß diese eine maximale Dielektrizitätskonstante1
bei ungefähr 200C hat. Die Kurve H stellt eine Zusammensetzung
mit 81 % Barium-Titanat dar, die ihre maximale Dielektrizitätskonstante
bei einer Curie-Temperatur von ungefähr 550C hat, während das
i Material der Kurve J 88 % Barium-Titanat besitzt und eine maximale
Dielektrizitätskonstante bei einer Curie-Temperatur von annähernd 820C aufweist.
Bei jeder der Kurven F, Q, H und J let das Material eine gesinterte
Mischung der verschiedenen Prozentanteile von Barium-Titanat und
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Strontium-Titanat, und in Jedem Falle besteht das ßarium-Stromtium-Titanat-System
aus 85 % der Zusammensetzung und 15 Volumenprozenten
eines geeigneten Glasbindemittels. Die Auswirkung der Verringerung
des Anteiles des Glasbindemittels von 18 auf 15 % ist aus dem Vergleich
der Fig. 3 und 2 ersichtlich.
Die durch die Kurve A in der Fig. 2 gekennzeichnete Material-Zusammensetzung
ähnelt der durch die Kurve G in der Fig. 3 gekennzeichneten
Zusammensetzung» jedoch mit dem hauptsächlichen Unterschied,
daß das erstere Material (Kurve A) 18 Prozent Glasbindematerial enthält, während die zweite Zusammensetzung nur 15 Prozent
Glasbindematerial enthält. Das durch die Kurve A gekennzeichnete Material hat eine maximale Dielektrizitätskonstante von annähernd
500, während das durch die Kurve G gekennzeichnete Material eine
Dielektrizitätskonstante von ungefähr 590 besitzt. In einer ähnlichen
Weise weist die in der Fig. 2 durch die Kurve B gekennzeichnete
Materialzusammensetzung eine Dielektrizitätskonstante zwischen 510 und 525 auf, während eine entsprechende Kurve in der Fig. 2, die (
etwa zwischen den Kurven H und J liegen würde, eine maximale Dielektrizitätskonstante von annähernd 650 - 700 haben würde. Eb ist somit
ersichtlich, daß durch die Verringerung der Menge des Glasblndemateriales
von 18 auf 15 Prozent eine Erhöhung der Dielektrizitätskonstante um annähernd 20 # erzielt wird.
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Die Kurven D in den Fig, 2 und 3 sind von einem dielektrischen Material
abgenommen, das eine zusammengesetzte Mischung von gleichen Teilen der verschiedenen durch die Kurven F, G, H und J in der
Fig. j$ dargestellten Barium-Strontium-Titanat-Systeme darstellt,
welche in pulverige Teilchen gemahlen und in einem Glasbindematerial
vollkommen verteilt werden, wie noch beschrieben wird. Das Bindematerial macht annähernd 15 Volumenprozent des dielektrischen Ma-■
teriales aus. Bei einer Raumtemperatur von 1Q0C bis 400C ist die
fc Dielektrizitätskonstante relativ temperaturunabhängig und ist gegenüber
der Dielektrizitätskonstante des der Kurve C entsprechenden Materiales
um ungefähr 20 % erhöht. Wie aus der Flg. C erkenntlich,
ist bezüglich der Kurve D zu erkennen, daß sich die Dielektrizitätskonstante des durch diese Kurve gekennzeichneten zusammengesetzten
Materlales unterhalb von 200C und oberhalb von 400C zu verringern beginnt.
In der letzteren Situation kann die Dielektrizitätskonstante durch die Vergrößerung des Anteiles der durch die Kurven H und J-dargestellten
Barium-Strontium-Titanat-Systeme erhöht werden.
Die Kurven E in den Fig. 2 und 2 sind von einem dielektrischen Material
abgewonnen, das eine Mischung darstellt, die aus den glei-:
chen durch die Kurven F, G, H und J in der Fig. 3 dargestellten entsprechenden Barium-StrontiuiB-Titanat-Systemen im Verhältnis von Je
4. -
drei Teilen der durch die Kurven H und J dargestellten Systeme (d.
h. 81 % Barlum-Titanat bzw, 88 % Barium-Titanat) zu je einem Teil
der durch die Kurven F und G dargestellten Systeme (d. h. 67 fi
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Barium-Titanat, bzw. "J4 % Barium-Titanat) besteht; diese Mischung
enthält auch 15 Volumenprozente glasartiges Bindematerial. Die Dielektrizitätskonstante
der durch die Kurve E gekennzeichneten Zusammensetzung ist bedeutsam erhöht, besonders im Temperaturbereich
über 40 C. Im Falle der Kurve E wurde der prozentuale Anteil der
Titanate mit höherer Curie-Temperatur vergrößert, um den dadurch . zu erzielenden Effekt zu erhöhen, und es ist zu erkennen, daß eine
geeignete Auswahl der verschiedenen Prozentgehalte der entsprechenden
Tltanantsysteme in einer spezifischen von der Temperatur unab- f|
hängigen Dielektrizitätskonstante oberhalb von 45°C resultieren kann, ähnlich der in der Fig. 2 dargestellten Kurve C.
Während eine Verringerung des Prozentgehaltes des Glasbindemateriales
eine Gesamterhöhung der Dielektrizitätskonstante der zusammengesetzten Mischung ergibt, konnte beobachtet werden, daß die Wirksamkeit
des Bindemateriales abnimmt, wenn der Prozentanteil des
Bindemateriales unter 15 % des Volumens des zusammengesetzten dielektrischen Materiales verringert wird. D. h., der Zweck des Bindemateriales 1st die gegenseitige Isolierung der einzelnen pulverförmigen
ferroelektrischen Materialte,ilchen, und wenn der Prozentgehalt des liindemateriales unter 15 Volumenprozente verringert wird,
beginnt ein Zusammensintern einiger der verschiedenen ferroelektrisehen
Teilehen einzutreten und die Zusammengesetzte Mischung beginnt,
die Eigenschaften einer durch eine bestimmte einzige Gurie-Temperatur
gekennzeichneten Einzelzusammensetzung anzunehmen.
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Zur besseren Beschreibung der dielektrischen Kompositionen gemärt
der Erfindung, soll nun das Verfahren zur Herstellung solcher Zusammensetzungen
erläutert werden. Gomä'b dor Erfindung wird jedes
einzelne Barium-Strontium-Titanat-System zuerst durch sachgemäßes Schleifen und Erhitzen gebildet, um die einzelnen gesinterten Mischungen
zu erzeilen. Die so erhaltenen Systeme werden dann zerrieben und mit den erforderlichen Prozentanteilen zusammengemischt
und auch mit der angemessenen Menge des Glasbindemateriales vermengt
und mit einem geeigneten für ein zweckmäßiges Siebdruck-Verfahren erforderlichen Quetschmittel versehen. Die resultierende Mischung
wird dann im Siebdruck-Verfahren auf einer geeigneten Unterlage oder Elektrode abgesetzt und erhitzt, um das Endergebnis zu erzielen.
Als ein spezifisches Beispiel wird das Verfahren gemäß der Erfindung
nun in Hinsicht auf besondere Materialzusammensetzungen beschrieben. Betrachtet wird das zusammengesetzte ferroelektrische
Material gemäß, der Erfindung, das aus 85 Volumenprozenten von zwei
besonderen pulverigen Barium-Strontium-Titanat-Systemen, verteilt in 15 Volumenprozenten eines glasförrnigen Bindemateriales, gebildet
ist. Eines dieser ferroelekfrischen Systeme enthält 75 # Barium-Titanat
und 25 % Strontlumtitanat, während das andere System 85 #
Bariumtitanat und 15 % Strontiumtitanat enthält. Jedes einzelne
System wird durch innige Mischung der angeaemessenen Menge der
Barium-Strontium-Titanate gebildet, und das Mischen kann in einer
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Kugelmühle oder durch andere bekannte Vorfahren bewerkstelligt werden.
Die Mischung wird dann getrocknet und bei einer Temperatur von 1000 bis HOO0C mit einer Dauer von zwei bis drei Stunden gebrannt.
Das gebrannte Material wird dann gebrochen und erneut durch und durch gemischt und bei einer Temperatur von rund 13500C mit einer
Dauer von zwei bis vier Stunden erhitzt, um eine gründliche Sinterung der entsprechenden ferroelektrischen Komponenterimaterialien
sieherzustellen.
. V ;;■■■ .
Nachdem jedes der zwei besonderen Barium-Strontium-Titariat-Jyateme
in der beschriebenen Weise gebildet wurden, werden sie in dem zur Erzielung des gewünschten Endresultates erforderlichen Mengenverhältnis
miteinander vermählen. Gleichzeitig wird ein geeignetes
Glasbindemittel in einer solchen Menge beigegeben, damit dieses 15 % des Volumens der gesamten Zusammensetzung bildet. Die sich ergebende
Mischung wird dann durch Naßmahlen in einem Mörser mit Stössel auf die passende Teilchengröße zerrieben und in einem geeigneten
Absaugemedium für das spätere Absetzverfahren im Verhältnis
70 % zu JO % dispergiert und erhitzt.
Ein besonderes Verfahren zur Herstellung eines Kondensator aus dem
dielektrischen Material gemäß der Erfindung schließt das Absetzen und Erhitzen der unteren Elektrode mittels gebräuchlicher Arbeitsweisen
ein, wonach eine Schicht des beschriebenen dielektrischen Materiales auf der unteren Elektrode abgesetzt wird. Diese Kombi-
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nation wird dann 15 Minuten lang bei einer Temperatur von 15O0C ge-.
trocknet, worauf eine zweite Schicht des dielektrischen Materiales auf die erste Jchicht aufgetragen und dieser Schicht eine halbe Stunde
Zeit zum Setzen gegeben und anschließend erneut bei 1500C mit
einer Dauer von ungefähr 15 Minuten getrocknet wird. Die resultierende
Kombination wird dann auf eine Tonerde-Heizplatte gelegt und bei 10000C für annähernd zwei Stunden gebrannt, worauf sie aus dem Brennofen
genommen und durch das Einlegen in einen großen Aluminiumblock * gekühlt wird. Hierauf wird das obere Elektrodenmaterial durch ein
gebräuchliches Verfahren auf dem dielektrischen Material abgesetzt.
Der Kondensator 10 (Fig. 5) wird durch die Aufbringung der ersten Elektrode 12 auf ein Trägerelement 11 gebildet, wonach Schichten
aus verschiedenen ferroelektri'schen Materialien, wie die Schichten 15 und 14, nacheinander mittels bekannter Siebdruckverfahren aufge-.
bracht werden. Die Anzahl der verwendeten Schichten, oder genaue!*
die Anzahl der verschiedenen verwendeten ferroelektrischen Materik
alien hängt ab von dem erwünschten Endresultat, wie im folgenden ausführlicher beschrieben ist. Um die Struktur zu vervollständigen,
wird die zweite Elektrode 15 auf das dielektrische Material aufge-^
bracht unter Anwendung bekannter Elektrodentechniken. Bei der Herstellung der. Struktur ist es besser, jede Schicht des dielektrischen
Materiales in Übereinstimmung mit dem Verfahren zu brennen,
um die Diffusion des Materiales einer Schicht· in das Material der
benachbarten Schichten zu verringern. Selbst mit dieser Sicherheits-
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maßnahme wird ein bestimmtes Maß an Diffusion auftreten, wie aus dem
Querschnitt 16 hervorgeht.
B1Ig. β zeigt die Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten für die gesamte otruktur, wie oben beschrieben, sowie die Temper
at urabhängigke it der verschiedenen Schichten der entsprechenden,
darin verwendeten dielektrischen Materialien. Kurve Λ der Pig· 6
zeigt die dielektrische Konstante als eine Funktion der Temperatur
eines Bariumtitanat-Strontiumtitanats-Systems, welches 7^ Gewichts-Prozent
Bariumtitanat enthält, und Kurve B stellt ein ähnliches
System mit 88 Gewichtsprozent Bariumtitanat dar. Ha wurde festgestellt,
daß beide Systeme in starkem Maße temperaturabhängig sind; das Material.der Kurve A hat eine optimale Dielektrizitätskonstante
an seinem Curie-Punkt bei ca. 25 C, während das Material der Kurve
B seine optimale Dielektrizitätskonstante bei seinem Curie-Punkt bei 75 C hat. Werden diese zwei Titanat-Systeme in voneinander getrennten Schichten verwendet, wie in Fig. 1 gezeigt, so ist die
Dielektrizitätskonstante der gesamten Struktur die von Kurve G in
Fig. 6 dargestellte, die annähernd temperaturunabhängig ist innerllfclb
einem Bereich von 25° - 75°C. Obwohl die Gesamt-Dielektrizitätskonstante
sinkt, wenn die Temperatur des Kondensatorsmit einer solchen Struktur unter 250C oder über 75°C fällt, kann ein solches
Sinken korrigiert werden durch die Verwendung eines dritten ferroelektrischen
Materlales mit einer Curie-Temperatur innerhalb der besonderen Temperaturspanne, in der die Gesamt-Dielektrizitätskon-
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.stante erhöht werden soll. Die Form der Kurve C kann ebenfalls verändert
werden durch Veränderung der Mengen der benutzten Bariumtitanats-Strontiumtitanat-Systeme.
In diesem Sinne ist darauf hinzuweisen, daß die Kurve C eine Gesamt-Dielektrizitätskonstante für eine Struktur
darstellt, die gleiche Mengen des 72J- %-igen Bariumtitanatsystems
und des 88 #-lgen Bariumtitanatsystems verwendet, wie es genauer bei
der Beschreibung der Herstellungsmethode der Struktur von Fig. 5 erläutert
wird.
Um eine erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß Fig. 5 herzustellen, wird
zuerst die Elektrode 12 auf das Trägerelement 11 aufgebracht mittels bekannter Elektroden-Siebdruckverfahren. Darauf wird die Jehicht 1j5
des ersten ferroelektrischen Materiales aufgebracht und die sich ergebende Struktur bei einer Temperatur von ca. 13500C für ungefähr 10 Minuten gebrannt. Dieser Brennvorgang sintert die Partikel dieses er- ·
sten ferroelektrischen Materiales zusammen und vertreibt das Absaugmedium, das beim Siebdruckverfahren verwendet wurde. Nach dem Brennverfahren
für die erste Schicht wird auf die erste Schicht die zweite Schicht eines anderen ferroelektrischen Materiales aufgebracht und
• - ff
bei ungefähr 1JOO0C während ungefähr* 10 Minuten gebrannt. Während
des zweiten Brennvorganges tritt ein bestimmtesMaß an Diffusion der
Partikel des Materiales auf, die die zweite Schicht über die Zwischenfläche
und die zuvor gesinterte erste Schicht bilden, und auf
diese Weise wird die Grenze zwischen den verschiedenen Schichten in
Form einer Zone auftreten wie das Feld 16 In Fig. 5# das die Eigen-
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schaft eines gesinterten ferroelektrischen Material.es. aufweist, die
sich unterscheidet von der des Materiales der ersten und zweiten Schicht. Um die Zone 16 zu reduzieren, wird die zweite Schicht des
ferroelektrischen Materiales bei einer etwas niedrigeren Temperatur gebrannt als die erste Schicht, obgleich beide Schichten innerhalb der Sintertemperaturspanne für Bariumtitanatsysteme gebrannt
werden. Aus zu diesem Zweck werden die Brennvorgänge nur für ungefähr
10 Minuten ausgeführt, während bei einem Standard-Bariumtitanatsystem
das Brennen über eine Zeitspanne bis zu einer Stunde aus- |
gedehnt wird. Nachdem das gesamte dielektrische Material so gebildet wurde, wird die zweite Elektrode 15 nach konventioneller Elektrodentechnik angebracht. Die sich ergebende Dicke der verschiedenen
Schichten der einzelnen ferroelektrischen Materialien war in dem oben beschriebenen Vorgang dieselbe, wird jedoch gewünscht, die
Menge von einem der obengenannten Materialien, wie oben beschrieben, zu erhöhen, so kann dies erreicht werden durch Erhöhung der
Schichtstärken des betreffenden Materiales.
Es ist zu -erkennen, daß die vorher beschriebeilen Verfahren zur Herstellung
jedes dielektrischen Materiales einschließlich der Kombination von zwei oder mehreren Barium-Strontium-Titanat-Systemen benutzt
werden können. Falls die Verwendung anderer dielektrischer Materialien statt der besonderen Barium-Strontium-Tltanat-Systeme
gewünscht ißt, liegt es im Rahmen fachmännischen Könnens, das erfindungsgemäße
Verfahren entsprechend abzuwandeln.
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Die verwendeten Elektroden-Materialien sind nicht besonders kritisch
-und sie können Platin, Gold, Silber oder Jede Kombination von Edelmetallen
sein, obwohl eine Gold-Platin-Legierung bevorzugt wird.
Das in dem einen Verfahren erforderliche Glasbindematerial kann aus ;
Jedem "electrical grade" Glas oder aus glasbildenden Oxiden geformt"
werden, z. B. aus Bariumborsilikat, Bleiborsilikat mit geringem Blei gehalt oder aus Wismuttrioxid. Ein solches "electrical grade" Glas
erweicht bei einer Temperatur von 80O0C bis 9000C.
Während bekannt ist, daß die Beimengung von Strontiumtitanat zu Bariumtitanat
einen zusammengesetzten Körper ergibt, dessen Curie-Punkt niedriger als der des reinen Barium-Titanates ist, können andere
Kompositionen mit ähnlichen Kristallgittern dem Bariumtitanat beigemengt werden, um einen erhöhten Curie-Punkt zu erzielen, falls
dies gewünscht wird. Besondere Materialien, die zu diesem Zwecke
benutzt werden können, schließen Bleititanat und Bleicirkonat ein.
Um den Einfluß der Beimengung eines olchen Materiales zu Bariumtitanat
in Bezug auf den Einfluß der Beimengung von Strontiumtitanat
zu Bariumtitanat zu zeigen* wird auf die Fig. 4 Bezug genommen,
in der die Temperaturen aufgetragen sind, bei welchen die optimale ·
Dielektrizitätskonstante (d. h. Curie-Temperatur) erhalten wird für
verschiedene Prozentgehalte von Strontiumtitanat und Blei titanat,· die dem Bariumtitanat beigemengt werden. Aus der Fig. 4 ist zu entnehmen,
daß eine Vergrößerung der Menge des dem Bariumtitanat beige-
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ORIGINAL INSPECTED
%A
■ fügten Strontiumtitanat die Curie-Temperatur in einer annähernd
linearen Weise erniedrigt, während die Hinzufügung von Bleititanat
zum Bariumtitanat die Curie-Temperatur des Systems fast in der
gleichen linearen Weise erhöhen.
Es sollte hervorgehoben werden, dai3, wenn ein besonderes ferroelektrisches
Material einem anderen beigemengt wird, um eine gesinterte
Komposition mit einem bestimmten Curie-Punkt zu erhalten, die beiden
Materialien ein gleiches Kristallgitter haben sollten, was für g
die verschiedenen vorher erläuterten Materialien und für die Gruppe
der sogenannten Perowskiten zutrifft. Hs ist jedoch zu erkennen, daß die vorliegende Erfindung auf die Kombination zweier oder mehrerer
ferroelektrischer Materialien in pulverförmiger Form gerichtet ist;
dieses Pulver ist vollkommen In einem Glasbinder dispergiert, um
die entsprechenden Materialteilchen voneinander zu trennen und eine
durch eine hohe dielektrische Konstante gekennzeichnete dielektrische
Komposition zu erhalten, welche nicht die besonderen und unerwünschten
Eigenschaften solcher ferroelektrischen Materialien, wie eine besondere Curie-Temperatur und eine höchst temperaturabhängige
Dielektrizitätskonstante hat.
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Claims (11)
1. Dünnschichtkondensator mit einem in vorherbestimmbaren Bereichen
temperaturunabhängigen Dielektrikum, dadurch gekennzeichnet, daß das zwischen den Elektroden (12, 14, Fig. 1 bzw. 12, 15, Fig. 5)
angeordnete Dielektrikum (1;>) mindestens zwei voneinander getrennt
gehaltene verschiedene ferroelektrische Materialien, die unterschiedliche
Curie-Temperaturen aufweisen, enthält.
2. DUnnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrika eine einzige Schicht (Fig. 1), die als Bindemittel
mindestens 15 Volumenprozente eines Glases oder glasähnlichen Mediums enthält, bilden.
3. Dünnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrika je eine getrennte Schicht (Fig. 5) bilden und aufeinander geschichtet sind.
4. DUnnschichtkondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus einer Mischung von Bariunjtitanat und Strontiumtitanat besteht,
wobei die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind.
5· DUnnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus
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einer Mischung von Bariumtitariat und Bleititanat besteht, wobei
die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind.
6* Dünnsehichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes der verwendeten ferroelektrischeri Materialien aus
einer Mischung von Bariumtltanat und Bleicirkonat besteht, wobei die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind,
7. DUnnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, f
daß jedes der verwendeten ferroelektrischen Materialien aus einer Mischung von Karbonaten und Oxiden besteht, wobei die Mischungsverhältnisse unterschiedlich sind.
8. DUnnschichtkondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Bindemittel Wisrauttrioxid darstellt.
9. Verfahren für die Herstellung der dielektrischen Jchicht nach
Anspruch 2, 8 und einem der Ansprüche 4 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß jedes der fcrroelektrischen Materialien getrennt
gesintert und geraeinsam mit dem Bindemittel gemahlen und vermengt
werden und daß die erhaltene Mischung mit einem geeigneten Absaugrnedlum in einein Verhältnis von 70 zu ^O dispergiert
wird, worauf ein Erhitzen erfolgt.
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10. Verfahren für die Herstellung eines Dünnschichtkondensators
nach Anspruch J> und einem der Ansprüche 4 bis 7» dadurch ge-,
kennzeichnet, daß auf eine Elektrodenplatte eine erste Schicht
eines ferroelektrischen Materiales aufgebracht wird, worauf ein Sintern bei einer Temperatur von etwa 135O0C erfolgt, daß
hernach die zweite Schicht aufgebracht und bis etwa 1JOO0C gesintert
wird, worauf die zweite Elektrode abgelagert wird.
11. Verfahren zur Herstellung eines DUnnschichtkondensators nach
den Ansprüchen 1 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Elektrodenplatte das dielektrische Material in Form einer
Schicht abgelagert und bei etwa 1500C getrocknet wird, worauf
eine zweite Schicht desselben dielektrischen Materiales auf die erste Schicht aufgebracht und ebenfalls bei etwa 1500C
getrocknet wird, daß hierauf ein Brennen bei etwa 1000 C, ein anschließendes Abkühlen und das Ablagern der zweiten Elektrode
erfolgt.
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37058664A | 1964-05-27 | 1964-05-27 | |
US379241A US3305394A (en) | 1964-06-30 | 1964-06-30 | Method of making a capacitor with a multilayered ferroelectric dielectric |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1514012A1 true DE1514012A1 (de) | 1969-05-14 |
DE1514012B2 DE1514012B2 (de) | 1979-09-27 |
DE1514012C3 DE1514012C3 (de) | 1980-06-26 |
Family
ID=27005013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1965J0028213 Expired DE1514012C3 (de) | 1964-05-27 | 1965-05-25 | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtkondensators |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1514012C3 (de) |
GB (1) | GB1098616A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021228432A1 (de) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Gedruckter folienkondensator mit gesintertem dielektrikum |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2138361A1 (en) * | 1971-05-24 | 1973-01-05 | Comp Generale Electricite | Temp compensating capacitor dielectric - comprising a mixt of niobates and tantalates |
US5191021A (en) * | 1988-06-29 | 1993-03-02 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Tire with tread containing styrene, isoprene, butadiene terpolymer rubber |
-
1965
- 1965-05-25 DE DE1965J0028213 patent/DE1514012C3/de not_active Expired
- 1965-05-26 GB GB2234765A patent/GB1098616A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021228432A1 (de) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Gedruckter folienkondensator mit gesintertem dielektrikum |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1098616A (en) | 1968-01-10 |
DE1514012B2 (de) | 1979-09-27 |
DE1514012C3 (de) | 1980-06-26 |
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