DE1236481B - Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase - Google Patents
Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der GasphaseInfo
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Citations (7)
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---|---|---|---|---|
DE853926C (de) * | 1949-04-02 | 1952-10-30 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz |
DE865160C (de) * | 1951-03-07 | 1953-01-29 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper |
DE943422C (de) * | 1949-04-02 | 1956-05-17 | Licentia Gmbh | Gesteuerter Trockengleichrichter, insbesondere mit Germanium, Silizium oder Siliziumkarbid als halbleitender Substanz |
DE950848C (de) * | 1953-03-19 | 1956-10-18 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium |
DE966471C (de) * | 1954-07-14 | 1957-08-08 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium |
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DE1063870B (de) * | 1956-06-28 | 1959-08-20 | Gustav Weissenberg | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE853926C (de) * | 1949-04-02 | 1952-10-30 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz |
DE943422C (de) * | 1949-04-02 | 1956-05-17 | Licentia Gmbh | Gesteuerter Trockengleichrichter, insbesondere mit Germanium, Silizium oder Siliziumkarbid als halbleitender Substanz |
DE865160C (de) * | 1951-03-07 | 1953-01-29 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper |
DE950848C (de) * | 1953-03-19 | 1956-10-18 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium |
DE1057845B (de) * | 1954-03-10 | 1959-05-21 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden Verbindungen |
DE966471C (de) * | 1954-07-14 | 1957-08-08 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium |
DE1063870B (de) * | 1956-06-28 | 1959-08-20 | Gustav Weissenberg | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2915883A1 (de) * | 1978-04-21 | 1979-10-31 | Philips Nv | Verfahren zum anbringen einer epitaktischen schicht |
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