DE1236481B - Method for producing a semiconductor arrangement by depositing the semiconductor material from the gas phase - Google Patents

Method for producing a semiconductor arrangement by depositing the semiconductor material from the gas phase

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DE1236481B
DE1236481B DE1962S0077852 DES0077852A DE1236481B DE 1236481 B DE1236481 B DE 1236481B DE 1962S0077852 DE1962S0077852 DE 1962S0077852 DE S0077852 A DES0077852 A DE S0077852A DE 1236481 B DE1236481 B DE 1236481B
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Dipl-Chem Dr Erhard Sirtl
Dipl-Phys Dr Josef Grabmaier
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL:Int. CL:

i? ö 8 2 5 / O 2 ~T ~i? ö 8 2 5 / O 2 ~ T ~

Deutsche KL: 12 g-17/32German KL: 12 g-17/32

Nummer: 1 236 481Number: 1 236 481

Aktenzeichen: S77852IVc/12gFile number: S77852IVc / 12g

Anmeldetag: 2. Februar 1962Filing date: February 2, 1962

Auslegetag: 16. März 1967Open date: March 16, 1967

Zum Herstellen einkristalliner Halbleiterschichten durch Abscheiden aus der Gasphase und Niederschlagen des Halbleiterstoffes in einkristalliner Form sind bereits Verfahren bekannt, bei denen die zu beschichtenden Halbleiterkörper auf die aus Quarz oder ähnlichen Stoffen bestehende Wandung des Reaktionsgefäßes aufgelegt werden. Bei diesem Verfahren macht es sich sehr störend bemerkbar, daß aus der Gefäßwandung Verunreinigungen in die Aufwachsschicht eingeschleppt werden. Zur Vermeidung dieser Nachteile wurde vorgeschlagen, Unterlagen für die zu bestimmenden Halbleiterkörper zu verwenden, die aus hochreinem Halbleiterstoff bestehen. In diesem Fall erhält man auf der der Unterlage abgewandten Oberfläche der Halbleiterkörper eine einkristalline Aufwachsschicht hoher Reinheit.For the production of monocrystalline semiconductor layers by deposition from the gas phase and deposition the semiconductor material in monocrystalline form are already known processes in which the to be coated Semiconductor body on the wall of the reaction vessel made of quartz or similar substances be put on. In this process, it is very annoying that from the vessel wall impurities are brought into the growth layer. To avoid these disadvantages, it was proposed to use documents for the semiconductor body to be determined, which consist of high-purity semiconductor material. In this case one receives on the one facing away from the pad Surface of the semiconductor body is a single-crystalline growth layer of high purity.

Außerdem wurde bereits ein Verfahren vorgeschlagen, das sich der bekannten chemischen Transportreaktion, wie sie bereits zur Herstellung von hochreinem Halbleitermaterial in Pulverform angewendet wurde, bedient.In addition, a method has already been proposed which is based on the known chemical Transport reaction, as it is already used for the production of high-purity semiconductor material in powder form was served.

Bei dem vorgeschlagenen Verfahren wird ein Halbleiterkörper, der auf eine geeignete beheizte Unterlage aufgelegt ist, auf seiner der Unterlage zugewandten Oberfläche mit einer Aufwachsschicht versehen. Das Aufbringen des Halbleitermaterials erfolgt mittels einer Transportreaktion, die sich in dem Zwischenraum zwischen der Oberseite der Unterlage und der Unterseite des daraufliegenden Halbleiterkörpers abspielt. Dabei ist die exakte Einhaltung bestimmter Reaktionsbedingungen eine notwendige Voraussetzung für den ungestörten Ablauf des Materialtransports.In the proposed method, a semiconductor body is placed on a suitable heated substrate is placed, provided on its surface facing the base with a growth layer. The semiconductor material is applied by means of a transport reaction that takes place in the Gap between the top of the base and the bottom of the semiconductor body lying on it plays. Precise compliance with certain reaction conditions is essential Prerequisite for the undisturbed process of material transport.

Für zahlreiche Anwendungsgebiete in der Halbleitertechnik werden aus mehreren unterschiedlich dotierten Schichten bestehende Halbleiteranordnungen benötigt. Derartige Anordnungen können durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase und Niederschlagen des Halbleiterstoffes in einkristalliner Form auf einem einkristallinen, insbesondere scheibenförmigen, in einem Reaktionsgefäß untergebrachten Halbleiterkörper, der durch Wärmeübergang von einer mindestens an der dem Halbleiterkörper zugewandten Oberfläche aus Halbleiterstoff bestehenden Unterlage beheizt wird, hergestellt werden, wobei in dem Zwischenraum zwischen Halbleiterkörper und Unterlage bei entsprechender Wahl der Temperatur Halogenwasserstoff derart angereichert wird, daß der Halbleiterstoff der Unterlage in ein gasförmiges Subhalogenid übergeführt und unter Zersetzung des Subhalogemds auf der der Unterlage zugewandten Oberfläche desFor numerous areas of application in semiconductor technology, several become different doped layers required existing semiconductor arrangements. Such arrangements can by depositing the semiconductor material from the gas phase and depositing the semiconductor material in monocrystalline form on a monocrystalline, in particular disk-shaped, in a reaction vessel housed semiconductor body, which by heat transfer from at least one to the The surface facing the semiconductor body is heated from a substrate consisting of semiconductor material be, wherein in the space between the semiconductor body and base with appropriate Choice of the temperature hydrogen halide is enriched in such a way that the semiconductor material of the Transfer of the substrate to a gaseous subhalide and decomposition of the subhalogen the surface of the

Verfahren zum Herstellen einer
Halbleiteranordnung durch Abscheiden des
Halbleiterstoffes aus der GasphaseMethod of making a
Semiconductor arrangement by depositing the
Semiconductor material from the gas phase

Anmelder:Applicant:

Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin and Munich,
Munich 2, Witteisbacherplatz 2

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dipl.-Chem. Dr. Erhard Sirtl,Dipl.-Chem. Dr. Erhard Sirtl,

Dipl.-Phys. Dr. Josef Grabmaier, MünchenDipl.-Phys. Dr. Josef Grabmaier, Munich

Halbleiterkörpers niedergeschlagen wird, und zwar in einfacher und eleganter Weise und insbesondere ohne großen zeitlichen apparativen Aufwand, wenn erfindungsgemäß in das Reaktionsgefäß ein/eine gasförmige Halogenverbindung des Halbleiterstoffes und Wasserstoff enthaltendes Reaktionsgasgemisch eingeleitet wird, dessen Zusammensetzung so gewählt ist, daß durch Anreicherung von Halogenwasserstoff bei entsprechend gewählter Temperatur im Zwischenraum zwischen Unterlage und Halbleiterkörper eine Sub halogenidkonzentration eingestellt wird, die einem Partialdruck von wenigstens 10~6 Atmosphären entspricht, so daß auf den einander gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterkörpers gleichzeitig Halbleitermaterial abgeschieden wird, derart, daß sich auf der der Unterlage zugewandten Oberfläche des HaIbleiterkörpers von der Unterlage stammender Halbleiterstoff durch Zersetzung des Subhalogemds niederschlägt, während sich auf der der Unterlage abgewandten Oberfläche bei der Pyrolyse des Reaktionsgases frei werdender Halbleiterstoff niederschlägt. Semiconductor body is deposited, namely in a simple and elegant manner and in particular without great expenditure of time in terms of equipment, if according to the invention a / a gaseous halogen compound of the semiconductor and hydrogen-containing reaction gas mixture is introduced into the reaction vessel, the composition of which is selected so that by enrichment of hydrogen halide According to the selected temperature in the space between the substrate and the semiconductor body, a sub halide concentration is set which corresponds to a partial pressure of at least 10 ~ 6 atmospheres, so that semiconductor material is simultaneously deposited on the opposing surfaces of the semiconductor body, such that on the surface facing the substrate of the semiconductor body coming from the base is deposited by decomposition of the subhalogen, while on the surface facing away from the base during the pyrolysis of the reac tion gas released semiconductor material precipitates.

Als Reaktionsgas wird zweckmäßigerweise ein Gasgemisch verwendet, das neben der gasförmigen Halogenverbindung des Halbleiterstoffes und Wasserstoff von vornherein eine Halogenwasserstoffverbindung enthält.A gas mixture is expediently used as the reaction gas which, in addition to the gaseous Halogen compound of the semiconductor material and hydrogen a hydrogen halide compound from the outset contains.

Als Unterlage kann beispielsweise ein geläppte^ Halbleiterkörper verwendet werden oder aber eiA lapped semiconductor body can be used as a base, for example, or else a

709 51^709 51 ^

3 43 4

Unterlage aus Graphit, die mit einem Überzug aus weisen auch nach dem Polieren Unebenheiten — in poly- bzw. feinkristallinem Halbleitermaterial ver- den Figuren übertrieben gezeichnet — auf, die die sehen ist. Gemäß einer speziellen Ausführungsform Bildung von Zwischenräumen 5 und 6 zur Folge der Erfindung wird eine Unterlage verwendet, die haben. In diesen Zwischenräumen spielt sich nunwenigstens an der dem Halbleiterkörper zugewandten 5 mehr eine Transportreaktion ab, bei der der HaIb-Oberfläche aus einem Halbleiterstoff besteht, der leiterstoff der Schicht 2, zumindest zum Teil, unter von dem des Halbleiterkörpers verschieden ist. Es Bildung eines gasförmigen Subhalogenids auf die können beispielsweise auch Unterlagen verwendet Unterseite der Halbleiterscheibe 3 und 4 transportiert werden, die an der dem Halbleiterkörper zugewand- wird. Gleichzeitig wird auf der Oberseite der Scheiten Oberfläche aus dotiertem Halbleiterstoff bestehen, ίο ben 3 und 4 eine einkristalline Schicht aus HaIb-Base made of graphite with a coating, even after polishing, has unevenness - drawn exaggeratedly in poly- or fine-crystalline semiconductor material compared to the figures - which can be seen. According to a special embodiment of the formation of gaps 5 and 6 as a result of the invention, a base is used which have. In these interspaces, at least one transport reaction takes place on the 5 facing the semiconductor body, in which the half surface consists of a semiconductor material, the conductor material of the layer 2, at least in part, is different from that of the semiconductor body. A gaseous subhalide is formed on the underside of the semiconductor wafer 3 and 4, which can also be used, for example, and which faces the semiconductor body. At the same time, on the upper side of the logs surface will consist of doped semiconductor material, ίο ben 3 and 4 a monocrystalline layer of semiconducting

Eine weitere Möglichkeit ist darin zu sehen, daß leitermaterial, das bei der Pyrolyse des Reaktionsgleichzeitig mehrere auf eine gemeinsame Unterlage gases in Freiheit gesetzt wird, niedergeschlagen. Die aufgelegte Halbleiterkörper beschichtet werden. auf der Oberseite niedergeschlagene Schicht ist aus Außerdem können mehrere in ihrer Größe etwa dem Gründen der Übersichtlichkeit in der Figur nicht Halbleiterkörper entsprechende Unterlagen verwen- 15 dargestellt.Another possibility is to be seen in the fact that the conductor material, which in the pyrolysis of the reaction at the same time several gases set free on a common base are put down. the applied semiconductor body are coated. layer deposited on top is off In addition, several can not be large in size, for reasons of clarity in the figure Semiconductor body use appropriate documents 15 shown.

det werden, die gegebenenfalls verschiedenen Leitungs- Zweckmäßigerweise wird die ganze AnordnungDet, the possibly different line expediently the whole arrangement

typ und/oder verschiedene Leitfähigkeit aufweisen. im Reaktionsgefäß vor Beginn der Beschichtung imtype and / or have different conductivity. in the reaction vessel before the start of the coating im

Die Beheizung der Unterlagen kann entweder Wasserstoffstrom ausgeglüht, um etwa vorhandeneThe heating of the documents can either be annealed to any existing hydrogen stream

durch direkten Stromdurchgang oder indirekt erfol- Oxidreste zu entfernen.oxide residues can be removed by direct current passage or indirectly.

gen. Bei der indirekten Beheizung wird die Unter- ao In F i g. 2 ist ein anderes Ausführungsbeispiel dar-gen. With indirect heating, the sub ao In F i g. 2 is another embodiment

lage auf einen Träger aus leitendem Material, wie gestellt, bei dem als Unterlage für die Halbleiter-layer on a carrier made of conductive material, as placed, in which as a base for the semiconductor

z. B. aus Siliciumkarbid, aufgelegt. scheibe 9 ein Einkristallplättchen 8 verwendet wird.z. B. made of silicon carbide. disc 9 a single crystal wafer 8 is used.

Durch die Möglichkeit, ein Reaktionsgas zu ver- Dieses Plättchen wird durch die im Zwischenraum 10 wenden, dessen Halbleiterkomponente von dem stattfindende Transportreaktion abgetragen. Gleich-Halbleiter der Unterlage verschieden ist, wird er- 25 zeitig wird die Unterseite des zu beschichtenden Einreicht, daß auf der Oberseite des Halbleiterkörpers kristallplättchens 9 mit einer einkristallinen Aufein anderes Halbleitermaterial abgeschieden wird wachsschicht aus dem Halbleiterstoff der Unterlage als von der Unterseite. Außerdem ergeben sich durch versehen. Als Träger für das Plättchen 8 dient je Zugabe von Dotierungsstoffen zum Rekationsgas die nach Arbeitstemperatur eine indirekt beheizte Quarzin Art und/oder Menge von denjenigen der Unter- 30 platte 7 oder ein durch direkten Stromdurchgang beläge verschieden sind, weitere Reaktionsmöglich- heizendes Graphitbrett. Die Unterlage 8 wird dabei keiten für das Verfahren nach der Erfindung. zweckmäßigerweise durch Zerschneiden eines HaIb-Due to the possibility of reacting a reaction gas turn, whose semiconductor component is removed by the transport reaction taking place. Same semiconductor the substrate is different, the underside of the submission to be coated is that on the top of the semiconductor body crystal plate 9 with a monocrystalline Aufein other semiconductor material is deposited wax layer from the semiconductor material of the base than from the bottom. Also result from provided by. As a carrier for the plate 8 each serves Adding dopants to the reaction gas which, according to the working temperature, is an indirectly heated quartzine Type and / or amount of those of the lower plate 7 or a deposit due to direct current passage are different, further reaction possibilities- heating graphite board. The pad 8 is thereby opportunities for the method according to the invention. expediently by cutting up a half

SoIl die beiderseitige Beschichtung zeitweilig unter- leiterstabes mit definiertem spezifischem Wider-If the double-sided coating is to be temporarily carried out by a sub-ladder bar with a defined specific resistance

brochen werden, so empfiehlt es sich, auf die der stand hergestellt. Der Widerstand der durchbe broken, so it is recommended that the stand is made. The resistance of the through

Unterlage abgewandte Oberfläche des bzw. der 35 Transportreaktion aufgebrachten HalbleiterschichtBase facing away from the surface of the semiconductor layer or the 35 transport reaction applied

Halbleiterkörper eine Deckplatte aufzulegen. Diese entspricht demjenigen des Halbleiterstabes. DiePlace a cover plate on the semiconductor body. This corresponds to that of the semiconductor rod. the

kann beispielsweise auf der dem Halbleiterkörper Dotierung der aus der Gasphase durch pyro-can for example be doped on the semiconductor body from the gas phase by pyro-

zugewandten Seite aus Siliciumkarbid oder aus Quarz lytische Zersetzung des Reaktionsgases gleichzeitigfacing side made of silicon carbide or quartz lytic decomposition of the reaction gas at the same time

bestehen. abgeschiedenen Schicht — in der Figur nicht darge-exist. deposited layer - not shown in the figure

Auf diese Weise läßt sich auch eine unerwünschte 40 stellt — wird dabei durch Wahl von Art und MengeIn this way, an undesired 40 can also be set - it is determined by the choice of type and quantity

Abtragung der Halbleiteroberfläche unterbinden. des dem Reaktionsgas zugegebenen Dotierungs-Prevent the removal of the semiconductor surface. of the doping agent added to the reaction gas

Außerdem kann durch entsprechende Wahl der Zu- materials bestimmt.In addition, the appropriate choice of additional material can be determined.

sammensetzung des Reaktionsgases die Abscheide- Außerdem können an Stelle einer durch die Schei-In addition, instead of a

geschwindigkeit auf den beiden Seiten des Halblei- ben 8 und 9 gebildeten Anordnung mehrere derartigespeed on the two sides of the half 8 and 9 formed arrangement several such

terkörpers unterschiedlich eingestellt werden, so daß 45 Anordnungen nebeneinander auf den Träger 7 auf-terkörpers are set differently, so that 45 arrangements side by side on the carrier 7 on-

das Schichtwachstum auf diesen Seiten unterschied- gebracht sein, wobei die Unterlagen und damit auchthe layer growth on these pages must be differentiated, with the documents and thus also

lieh erfolgt. die Aufwachsschichten auf der den Unterlagen zu-borrowed. the growth layers on the

Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung kann gewandten Unterseiten der Scheiben gegebenenfallsThe method according to the teaching of the invention can optionally have facing undersides of the panes

in gleicher Weise auf die Herstellung von Halbleiter- einen voneinander verschiedenen spezifischen Wider-in the same way on the production of semiconductors - a different specific resistance -

anordnungen aus Silicium, Germanium und Verbin- 50 stand besitzen können.arrangements made of silicon, germanium and compound 50 may have.

dungshalbleitern sowie zur Herstellung von Hetero- Soll die gleichzeitige Abscheidung von Halbleiter-Übergängen angewendet werden. Nähere Einzelhei- material aus dem Reaktionsgas auf der Oberseite der ten der Erfindung werden im folgenden an Hand Scheiben zeitweise unterbunden werden, so empfiehlt einiger bevorzugter Ausführungsbeispiele gegeben. es sich, vorübergehend eine Deckplatte aus einemsemiconductors as well as for the production of hetero- target the simultaneous deposition of semiconductor junctions be applied. More detailed information from the reaction gas on top of the th of the invention will be temporarily prevented in the following on hand slices, so recommends given some preferred embodiments. it is, temporarily a cover plate from a

In Fig. 1 ist ein Teil einer in einem Reaktions- 55 Material, das mit dem Halbleitermaterial der Scheigefäß untergebrachten Unterlage 1 dargestellt, auf ben und auch mit dem Reaktionsgas und den bei der der die einkristallinen Halbleiterscheiben 3 und 4 Reaktion entstehenden gasförmigen Verbindungen aufliegen. Die Unterlage 1, die gleichzeitig als Heizer nicht reagiert, auf die der Unterlage abgewandte Seite für die Scheiben 3 und 4 dient, besteht im vorliegen- der Halbleiterscheiben aufzulegen, wie dies beispielsden Fall aus einem mit einem Siliciumkarbidüberzug 60 weise in F i g. 3 dargestellt ist. Die Abdeckplatte in versehenen Graphitbrett. Auf dem Siliciumkarbid- dieser Figur besteht beispielsweise aus Graphit und überzug ist eine weitere Schicht 2 aus dem gleichen ist mit einem oberflächlichen Überzug von Silicium-Halbleiterstoff, aus dem die Scheiben 3 und 4 be- karbid versehen. Sie kann aber in gleicher Weise stehen, aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch vollständig aus Siliciumkarbid oder aus Quarz bethermische Zersetzung einer gasförmigen Halbleiter- 65 sjtehen.
verbindung geschehen. Wie aus F i g. 3 zu ersehen, ist ein mit Silicium-In Fig. 1 a part of a in a reaction material, which is shown with the semiconductor material of the disk vessel accommodated base 1, rest on ben and also with the reaction gas and the gaseous compounds formed during the reaction of the monocrystalline semiconductor wafers 3 and 4. The substrate 1, which at the same time does not react as a heater, is used on the side facing away from the substrate for the wafers 3 and 4, consists in the present semiconductor wafers to be placed, as is the case, for example, with a silicon carbide coating 60 in FIG. 3 is shown. The cover plate in provided graphite board. On the silicon carbide in this figure, for example, consists of graphite and a further layer 2 of the same is coated with a superficial coating of silicon semiconductor material, from which the disks 3 and 4 are provided with carbide. But it can stand in the same way, applied. This can be achieved, for example, by thermal decomposition of a gaseous semiconductor made entirely from silicon carbide or from quartz.
connection happen. As shown in FIG. 3 is a silicon

Die Oberfläche der Unterlage und, in geringerem karbid überzogener Graphitträger 11 mit einem Über-The surface of the base and, to a lesser extent, carbide-coated graphite support 11 with an over-

"Niylaß, die Oberflächen der Halbleiterscheiben 3 und 4 zug 12 aus Halbleiterstoff versehen. Auf dieser"Niylaß, the surfaces of the semiconductor wafers 3 and 4 train 12 made of semiconductor material. On this

Unterlage liegen die auf ihrer Unterseite mit Halbleiterstoff zu beschichtenden Halbleiterscheiben 13 bis 16 auf. Die Deckplatte 17, die die Oberseiten der Scheiben bedeckt, besteht aus mit Siliciumkarbid überzogenem Graphit. Die Abscheidung des Halbleitermaterial aus dem Reaktionsgas erfolgt dann hauptsächlich nur auf der Oberseite der Deckplatte und der Unterseite der als Heizer dienenden Unterlage und kann von dort ohne Schwierigkeiten durch Ätzen entfernt werden. Eine derartige Deckplatte kann selbstverständlich auch bei anderen Anordnungen als bei der in F i g. 2 dargestellten verwendet werden.The semiconductor wafers 13 to be coated with semiconductor material on their underside lie on the base up to 16 on. The cover plate 17, which covers the tops of the disks, is made of silicon carbide coated graphite. The semiconductor material is then deposited from the reaction gas mainly only on the upper side of the cover plate and the underside of the base serving as a heater and can be removed from there by etching without difficulty. Such a cover plate can of course also be used in arrangements other than the one in FIG. 2 is used will.

In F i g. 4 ist ein nach dem Verfahren nach der Lehre der Erfindung hergestellter Siliciumtransistor dargestellt. Auf einem p-leitenden einkristallinen Siliciumkörper 21 sind zwei η-leitende einkristalline Schichten 22 und 23 gleichzeitig aufgewachsen. Die Schicht 22 ist dabei mittels einer chemischen Transportreaktion hergestellt, während die Schicht 23 aus der Gasphase abgeschieden ist. Die Basisschicht 21 ist durch Einlegieren einer Pille 18 aus einem dotierenden Stoff kontaktiert. Die Emitterzone ist mit dem Emitterring 19 und die durch die Transportreaktion erzeugte Kollektorzone 22 mit einer Elektrode 20 versehen. Die Dicke der aufgewachsenen Schichten 22 und 23 sind etwa gleich und liegen in der Größenordnung von einigen Mikron.In Fig. 4 is a silicon transistor made by the method taught by the invention shown. On a p-conducting monocrystalline silicon body 21 there are two η-conducting monocrystalline ones Layers 22 and 23 grown simultaneously. The layer 22 is by means of a chemical transport reaction produced while the layer 23 is deposited from the gas phase. The base layer 21 is contacted by alloying a pill 18 made of a doping substance. The emitter zone is with the emitter ring 19 and the collector zone 22 generated by the transport reaction with an electrode 20 provided. The thickness of the grown layers 22 and 23 are approximately the same and are in on the order of a few microns.

Claims (17)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden eines Halbleiterstoffes aus der Gasphase und Niederschlagen des Halbleiterstoffes in einkristalliner Form auf einem einkristallinen, insbesondere scheibenförmigen Halbleiterkörper, der durch Wärmeübergang von einer mindestens an der dem Halbleiterkörper zugewandten Oberfläche aus Halbleiterstoff bestehenden Unterlage beheizt wird, in einem Reaktionsgefäß, wobei in dem Zwischenraum zwischen Halbleiterkörper und Unterlage bei entsprechender Wahl der Temperatur Halogenwasserstoff derart angereichert wird, daß der Halbleiterstoff der Unterlage in ein gasförmiges Subhalogenid übergeführt und unter Zersetzung des Subhalogenids auf der der Unterlage zugewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß in das Reaktionsgefäß ein eine gasförmige Halogenverbindung des Halbleiterstoffes und Wasserstoff enthaltendes Reaktionsgasgemisch eingeleitet wird, dessen Zusammensetzung so gewählt ist, daß durch Anreicherung von Halogenwasserstoff bei entsprechend gewählter Temperatur im Zwischenraum zwischen Unterlage und Halbleiterkörper eine Subhalogenidkonzentration eingestellt wird, die einem Partialdruck von wenigstens 10~e Atmosphären entspricht, so daß auf den einander gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterkörpers gleichzeitig Halbleitermaterial abgeschieden wird, derart, daß sich auf der der Unterlage zugewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers von der Unterlage stammender Halbleiterstoff durch Zersetzung des Subhalogenids niederschlägt, während sich auf der der Unterlage abgewandten Oberfläche bei der Pyrolyse des Reaktionsgases frei werdender Halbleiterstoff niederschlägt.1. A method for producing a semiconductor arrangement by depositing a semiconductor material from the gas phase and depositing the semiconductor material in monocrystalline form on a monocrystalline, in particular disk-shaped semiconductor body, which is heated by heat transfer from a substrate consisting of semiconductor material at least on the surface facing the semiconductor body, in one Reaction vessel, with hydrogen halide being enriched in the space between the semiconductor body and the substrate with an appropriate choice of temperature that the semiconductor material of the substrate is converted into a gaseous subhalide and is deposited with decomposition of the subhalide on the surface of the semiconductor body facing the substrate, characterized in that a reaction gas mixture containing a gaseous halogen compound of the semiconductor material and hydrogen is introduced into the reaction vessel, the composition of which is selected in this way is that a Subhalogenidkonzentration is adjusted by accumulation of hydrogen halide at an appropriately selected temperature in the intermediate space between the support and the semiconductor body, which corresponds to a partial pressure of at least 10 ~ e atmospheres, so that the same semiconductor material is deposited on the opposite surfaces of the semiconductor body, such that Semiconductor material originating from the support is deposited on the surface of the semiconductor body facing the support by decomposition of the subhalide, while semiconductor material released during the pyrolysis of the reaction gas is deposited on the surface facing away from the support. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reaktionsgas eingeleitet wird, das neben der gasförmigen Halogenverbindung des Halbleiterstoffes und Wasserstoff eine Halogenwasserstoffverbindung von vornherein enthält.2. The method according to claim 1, characterized in that a reaction gas is introduced is that in addition to the gaseous halogen compound of the semiconductor and hydrogen a Contains hydrogen halide from the outset. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reaktionsgas eingeleitet wird, dessen Halbleiterkomponente von dem Halbleiter der Unterlage verschieden ist.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that a reaction gas is introduced whose semiconductor component is different from the semiconductor of the substrate. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reaktionsgas eingeleitet wird, dem ein Dotierungstoff hinzugefügt ist.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a reaction gas is introduced to which a dopant is added. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage ein geläppter Halbleiterkörper verwendet wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that as a base a lapped semiconductor body is used. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Unterlage aus Graphit verwendet wird, die mit einem Überzug aus poly- bzw. feinkristallinem Halbleitermaterial versehen ist.6. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a pad made of graphite is used, which is covered with a coating of poly- or finely crystalline semiconductor material is provided. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Unterlage verwendet wird, die wenigstens an der dem Halbleiterkörper zugewandten Oberfläche aus einem Halbleiterstoff besteht, der von dem des Halbleiterkörpers verschieden ist.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that a pad is used, at least on the surface facing the semiconductor body consists of a semiconductor material which is different from that of the semiconductor body. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Unterlage verwendet wird, die wenigstens an der dem Halbleiterkörper zugewandten Oberfläche aus dotiertem Halbleiterstoff besteht.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that a pad is used, at least on the surface facing the semiconductor body doped semiconductor material. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß dem Reaktionsgas ein von dem der Unterlage verschiedener Dotierungsstoff hinzugefügt wird, so daß gleichzeitig Schichten unterschiedlicher Leitfähigkeit und/oder unterschiedlichen Leitungstyps auf den beiden gegenüberliegenden Flächen des Halbleiterkörpers abgeschieden werden.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the reaction gas a dopant different from that of the substrate is added so that at the same time layers of different conductivity and / or different conductivity types be deposited on the two opposite surfaces of the semiconductor body. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mehrere auf eine gemeinsame Unterlage aufgelegte Halbleiterkörper beschichtet werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that at the same time several semiconductor bodies placed on a common base are coated. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere in ihrer Größe etwa dem Halbleiterkörper entsprechende Unterlagen verwendet werden.11. The method according to claim 10, characterized in that that several documents corresponding to the size of the semiconductor body are used. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Unterlagen mit voneinander verschiedenem Leitungstyp und/oder verschiedener Leitfähigkeit verwendet werden.12. The method according to claim 11, characterized in that documents with each other different conductivity types and / or different conductivity can be used. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage durch direkten Stromdurchgang beheizt wird.13. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the base is heated by direct current passage will. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zum Beheizen der Unterlage ein Träger aus leitendem Material, z. B. aus Siliciumkarbid, verwendet wird.14. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that for heating the base is a carrier made of conductive material, e.g. B. of silicon carbide used will. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß auf die der Unterlage angewandte Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Deckplatte aufgelegt wird.15. The method according to any one of claims 1 to 14, characterized in that the Base applied surface of the semiconductor body a cover plate is placed. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Deckplatte verwendet wird, die wenigstens auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite aus Siliciumkarbid besteht. 16. The method according to claim 15, characterized in that a cover plate is used which consists of silicon carbide at least on the side facing the semiconductor body. 17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Deckplatte verwendet wird, die wenigstens auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite aus Quarz besteht.17. The method according to claim 15, characterized in that a cover plate is used which consists of quartz at least on the side facing the semiconductor body. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 853 926, 865 160, 422, 950 848, 966 471;Considered publications: German Patent Specifications Nos. 853 926, 865 160, 422, 950 848, 966 471; deutsche Auslegeschriften Nr. 1 057 845, 1063 870;German Auslegeschriften Nos. 1 057 845, 1063 870; »Electronics«, vom 8. 7.1960, S. 66/68.Electronics, July 8, 1960, p. 66/68. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 1 152 197.Older patents considered: German Patent No. 1 152 197. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 709 519/537 3.67 © Bundesdruckerei Berlin709 519/537 3.67 © Bundesdruckerei Berlin
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