DE1206089B - Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einlegierten Elektroden und nach diesem Verfahren hergestellter Transistor - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. α.:

HOIl

Deutsche KL: 21g-11/02

Nummer: 1206089

Aktenzeichen: T19128 VIII c/21 g

Anmeldetag: 14. Oktober 1960

Auslegetag: 2. Dezember 1965

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einlegierten Elektroden, bei dem die Emitter- und/oder die Kollektorelektrode des Halbleiterkörpers mit einem plattenförmigen Wärmeleitungsträger verlötet und anschließend diese Anordnung in einem Gehäuse untergebracht wird. Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahren darin, daß der Wärmeleitungsträger auf die entsprechenden zuvor plan geschnittenen. Elektroden parallel zur Schnittebene aufgelötet und dann anschließend Halbleiterkörper und Wärmeleitungsträger in einen zur Ableitung der Wärme geeigneten Füllstoff innerhalb des Gehäuses derart eingebettet werden, daß sie von dem Füllstoff allseitig umgeben sind.

Es ist bereits bekannt, Kühlbolzen mit ihrer Stirnseite in Vertiefungen von Legierungspillen einzubringen. Weiterhin ist es bekannt, blechförmige Wärmeleitungsträger zu verwenden und diese mit ihrer Schmalseite auf nicht plan geschnittene Legierungs- ao pillen aufzulöten.

Es besteht die Möglichkeit, den Füllstoff derart zu wählen, daß er gleichzeitig eine mechanische Stabilisierung der in dem Gehäuse untergebrachten Anordnung bzw. eine elektrische Stabilisierung der Halblederoberfläche bewirkt. Als Füllstoffe können beispielsweise Silikonpasten oder Silikonöle, die von geeigneten Stoffen durchsetzt sind, Verwendung finden.

Der Wärmeleitungsträger besteht aus einer Metallplatte, die im allgemeinen auf die Kollektorpille aufgebracht ist. Die Kollektorkühlung wird deshalb vorgezogen, weil die Fläche der Kollektorpille bei den meisten Typen erheblich größer ist als die der Emitterpille. Ist eine genügend große Emitterfläche vorhanden, so kann natürlich auch eine Emitterkühlung vorgenommen werden. Die Metallplatte wird mit den Legierungspillen verlötet. Um eine ebene Auflage für die Metallplatte zu erhalten, ist die Emitter- und/oder die Kollektorpille vor dem Löten plan zu schneiden.

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In F i g. 1 ist in Schnittdarstellung ein Metallgehäuse dargestellt, welches zur Aufnahme des Halbleitersystems dient. Das Metallgehäuse ist quaderförmig ausgebildet und besteht aus dem Gehäusesockel 1 und aus der quaderförmigen Gehäusekappe 2, die auf den Gehäusesockel 1 aufgepreßt ist. Das Halbleitersystem selbst besteht nach F i g. 2 aus dem Halbleiterkörper 3, der auf eine Trägerplatte 4 aufgebracht ist. Auf die plan geschnittene Kollektorpille 5 ist ein Wärmeleitungsträger in Gestalt einer Metallplatte 6 aufgelötet, die ihrerseits mit dem Elektrodenzuleitungsdraht 7 ver-Verf ahren zum Herstellen eines Transistors
mit einlegierten Elektroden und nach diesem
Verfahren hergestellter Transistor

Anmelder:
Telefunken

Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3

Als Erfinder benannt:

Karl Neuber, Ulm/Donau-Wiblingen

lötet ist. Die Metallplatte 6 kann beispielsweise aus Kupfer hergestellt sein. Zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterzone sind weitere Elektrodenzuleitungen 8 und 9 vorgesehen, die zusammen mit der Kollektorzuleitung 7 durch den Gehäusesockel 10 geführt sind. Das gesamte Halbleitersystem, bestehend aus Halbleiterkörper 3, Emitter- und Kollektorpillen 11 und 5 und Metallplatte 6, ist in eine Silikonpaste 12 eingebettet, die den Innenraum des Gehäuses ausfüllt.

Bei der Pasteneinbettung ist darauf zu achten, daß durch die Paste eine gute Wärmeableitung zwischen Wärmeleitungsträger und Gehäusewand erzielt wird. Dementsprechend soll auch das Halbleitersystem vollkommen in Paste eingebettet sein und die Paste zumindest mit einem Teil der Gehäusewand in Berührung stehen. Die Pasteneinbettung bewirkt darüber hinaus auch eine mechanische Stabilisierung des Systems, da bei Einwirkungen von Erschütterungen das Halbleitersystem infolge der festen Einbettung nicht auf die Erschütterungen reagieren wird.

Obwohl die Erfindung am Beispiel eines Metallgehäuses beschrieben worden ist, ist die Erfindung nicht auf Halbleiteranordnungen mit Metallgehäusen beschränkt, sondern kann ganz allgemein und beispielsweise auch bei Glasgehäusen Anwendung finden.

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einlegierten Elektroden, bei dem die Emitter- und/oder die Kollektorelektrode des Halbleiterkörpers mit einem plattenförmigen Wärme-

509 740/342

leitungsträger verlötet und anschließend diese Anordnung in einem Gehäuse untergebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeleitungsträger auf die entsprechenden zuvor plan geschnittenen Elektroden parallel zur Schnittebene aufgelötet und dann anschließend Halbleiterkörper und Wärmeleitungsträger in einen zur Ableitung der Wärme geeigneten Füllstoff innerhalb des Gehäuses derart eingebettet werden, daß sie von dem Füllstoff allseitig umgeben sind.

2. Gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1 hergestellter Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff gleichzeitig eine mechanische Stabilisierung der Halbleiteroberfläche bewirkt.

3. Gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1 hergestellter Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff gleichzeitig eine elektrische Stabilisierung der Halbleiteroberfläche bewirkt.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 015 934, 083 438;

österreichische Patentschrift Nr. 180 300; französische Patentschrift Nr. 1205 359; USA.-Patentschrift Nr. 2 725 505.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

509 740/342 11.65 © Bundesdruckerei Berlin