DE1197549C2

DE1197549C2 - Halbleiterschaltungsanordnung

Info

Publication number: DE1197549C2
Application number: DE1960F0031758
Authority: DE
Inventors: Robert N. Los Altos Calif. Noyce (V.St.A.)
Original assignee: Fairchild Camera and Instrument Corp
Current assignee: Fairchild Semiconductor Corp
Priority date: 1959-07-30
Filing date: 1960-07-25
Publication date: 1977-03-03
Also published as: GB938181A; US2981877A; DE1197549B

Description

2. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontakt auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers vorhanden ist, welcher in ohmscher Verbindung mit dem Halbleiterkörper außerhalb der Schaltungselemente steht.

3. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Leitungen als Widerstandsleitungen ausgebildet sind, welche zwischen bestimmten ohmschen Kontakten angeordnet sind.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterschaltungsanordnung, welche in einem einkristallinen Silizium-Halbleiterkörper vom p-Typ wenigstens zwei Halbleiterschaltungselemente mit pn-Übergängen aufweist, deren Randzonen an ein- und derselben Seite der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegen, und bei der die p- und η-Gebiete wenigstens zweier Schaltungselemente durch Leitungen verbunden sind, weiche mit ihren Enden an ohmsche Kontakte bestimmter p- und η-Gebiete angeschlossen sind.

Bekannt durch US-PS 28 90 395 ist ein pnp-Transistor, welcher einen Grundkörper aus Germanium aufweist, in dessen Mitte sich innerhalb einer herausgeätzten Erhöhung ein pn-übergang befindet, über dem ein η-Gebiet liegt. Auf der rechten Seite dieses Gebietes liegt über einer p-Rekristallisationsschicht der aus Aluminium bestehende Emitterkontakt. Getrennt durch eine mittlere Ätzgrundierung, die als Schutzschicht dient, liegt auf der linken Seite des η-Gebietes als Basiskontakt ein ohmscher Goldkontakt. Kontaktverbindungen zu den erwähnten oberen Zonen sind seitlich herausgeführt, und sie sind gegenüber dem Transistor durch Ätzgrundschichten getrennt.

Die Verwendung von Ätzgrundmaterial als Isolierung hat den Nachteil, daß es bei höheren Temperaturen, z. B. 200° C, unstabil wird, und dies ist besonders unerwünscht, da bei den heutigen Anwendungen Transistoren in vielen Fällen bei Temperaturen über 200° C gebraucht werden. Auch hat Ätzgrundmaterial den Nachteil, daß es nicht sehr fest auf der Oberfläche z.B. von Siliziumtransistoren haftet, da es durch Reibung, beispielsweise mit Baumwollgewebe, leicht entfernt werden kann. Ein weiterer Nachteil der Verwendung von Ätzgrundmaterial als Isolierung für die Kontaktanschlüsse ist, daß dieses Material feine Poren aufweist, die von anschließend aufgebrachten Metallschichten durchdrungen werden können, so daß das Metall zu der Siliziumoberfläche des HalUeiterbauelementes kurzgeschlossen wird. Auch haftet Metall nicht besonders gut auf Ätzgrundschichten. Ein weiterer Nachteil der bekannten Ausführungsform ist, daß es sich um einen Transistor der MESA-Bauart handelt. Die Oberfläche des Ätzgrundmatcrials ist nicht flach, sondern sehr uneben, so daß bei der Ausbildung von öffnungen die fotografische Aufbringung der vorgesehenen Bemusterungen zu Verzerrungen und Ungenauigkeiten führen kann.

In der Zeitschrift »ELECTRONICS« (Band 32. Heft 15) vom 10. April 1959 ist auf Seite 82 eine Halbleiterschaltungsanordnung dargestellt, die in einem einkristallinen Halbleiterkörper mehrere gesonderte Halbleiterschaltungselemente mit pn-Übergängen aufweist, deren Randzonen sich an ein und derselben Seite der Oberfläche des Halbleiterkörpers erstrecken. Die Halbleiterschaltungselemente sind nach der MESA-Bauart ausgebildet, haben also keine ebenen Oberflächen. Auch ist die Anordnung bzw. sind die Halbleiterschaltungselemente ungeschützt und nicht durch eine Isolierschicht abgedeckt, und es steht daher auch keine Isolierschicht als isolierende Unterlage für irgendwelche Verbindungen zur Verfügung. Die Verbindungen sind Drähte, die infolge ihrer freien Anordnung isoliert sind. Die Drähte haften nicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers und sind daher gegenüber mechanischen Angriffen anfällig und unzuverlässig. Auch sind die pn-Übergänge ungeschützt gegen unerwünschte chemische und sonstige Einwirkungen.

Gegenstand des älteren DT-Gbm 11 97 548 (Fairchild Camera and Instrument Corp.) ist ein Verfahren zum Herstellen von Silizium-Halbleiterbauelementen mit mehreren pn-Ubergängen, die an der Oberfläche des Halbleiterkörpers durch isolierende Schutzschichten aus Silizium bedeckt sind. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die zeitliche Reihenfolge der folgenden Verfahrensschritte:

a) Bedecken einer Oberflächenseite eines Silizium-Halbleiterkörpers vom ersten Leitungstyp, der die erste Halbleiterzone bildet, mit einer ersten isolierenden Siliziumoxydschicht, die durch Oxydation des Siliziumkörpers gebildet ist;

b) Freilegen eines begrenzten Oberflächenbereichs des Halbleiterkörpers durch eine erste Öffnung in der ersten isolierenden Schicht;

c) pndiffundieren eines dotierenden Fremdstoffes durch die erste Öffnung in den Halbleiterkörper S bei einer Temperatur, die zur Oxydation des Siliziums ausreicht, bis sich in dem Halb] siterkörper sowohl unter der ersten Öffnung als auch unter der ersten isolierenden Oxydschicht eine zweite Halbleiterzone entgegengesetzten Leitungstyps derart ausgebildet hat, daß sich ein pn-übergang bis zur ersten isolierenden Oxydschicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckt, wobei die erste isolierende Schicht dauernd über dem Schnittbereich des pn-Übergangs mit der Oberflächenseite des Halbleiterkörpers als Schutzschicht erhalten Meibt;

d) bei oder nach dieser Diffusion Ausbilden einer zweiten isolierenden Schicht aus einem Siliziumoxyd auf der Halbleiteroberfläche innerhalb der ao ersten Öffnung;

e) Freilegen einer zweiten kleineren Öffnung in der zweiten Oxydschicht bis zur Oberfläche der zweiten Halbleiterzone;

f) Eindiffundieren eines weiteren dotierenden as Fremdstoffes in die zweite Öffnung bei einer Temperatur, die zur Oxydation des Siliziums ausreicht, bis sich innerhalb der zweiten Halbleiterzone sowohl unter der zweiten Öffnung als auch unter der isolierenden, aus einem Siliziumoxyd bestehenden Schicht eine dritte Halbleiterzone vom gleichen Leitungstyp wie die erste Halbleiterzone mit einem weiteren, sich bis zu der isolierenden Oxydschicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckenden pn-Ubergang ausgebildet hat;

g) Entfernen wenigstens eines Teils einer bei der Diffusion in der zweiten Öffnung gebildeten dritten isolierenden Oxydschich* als vierte öffnung, wobei die den Schnittbereich des weiteren pn-Übergangs mit der Oberflächenseite des Halbleiterkörpers bedeckende isolierende Oxydschicht als Schutzschicht dauernd erhalten bleibt, und Freilegen einer weiteren, fünften Öffnung in der isolierenden Oxydschicht über der zweiten +5 Halbleiterzone, aber außerhalb der dritten Zone;

h) Anbringen von Kontaktelektroden zu der zweiten und dritten Halbleiterzone in der vierten bzw. fünften Öffnung.

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Die Erfindung bezweckt, Halbleiterschaltungsanordnungen dieser Art und insbesondere ihre Kontaktverbindungen bzw. ihre Zuleitungen zu verbessern, wobei vor allem die elektrischen Kontaktverbindungen zu den verschiedenen Halbleiterzonen in zweckmäßiger und vorteilhafter Weise ausgebildet werden sollen. Ferner bezweckt die Erfindung einheitlich und zweckmäßig aufgebaute Halbleiterschaltungsanordnungen zu schaffen, die kräftig und verhältnismäßig unempfindlich sind und trotz kleiner Abmessungen mit geringcrem Arbeitsaufwand hergestellt werden können, als es bisher erreichbar war; außerdem bezweckt die Erfindung eine vorteilhafte Lösung des Problems des Einbaues zahlreicher HaIbleiterschaltungseleme:»te innerhalb eines einzigen Materialteiles.

Auch bezweckt die Erfindung, eine Halbleiterschaltungsanordnung zu schaffen, bei der die Oberfläche gegenüber den Kontaktverbindungen zuverlässig isoliert ist und bei der die in der Oberfläche liegenden Übergänge sicher und dauerhaft isoliert sind.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst,

a) daß eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers eben ausgebildet und durch eine Schicht eines Oxyds des Halbleitermaterials bedeckt ist,

b) daß ein Teil der Oxydschicht zur Ausbildung von Kontakten für die Gebiete entfernt ist,

c) daß die Oxydschicht über den Teilen der Randzonen der pn-Übergänge an der Oberfläche des Halbleiterkörpers, die durch einen Kontakt überbrückt sind, entfernt ist,

d) und daß die Leitungen auf der Schicht aus dem Oxyd des Halbleitermaterials angeordnet sind und an ihm haften,

e) und daß die andere Oberflächenseite des Halbleiterkörpers, an der keine Randzonen der pn-Übergänge liegen, mit einer Kontaktschicht bedeckt ist, die als ein gemeinsamer Anschluß für die Schaltungsanordnung dient.

Vorzugsweise ist ein Kontakt auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers vorhanden, welcher in ohmscher Verbindung mit dem Halbleiterkörper außerhalb der Schaltungselemente steht. Vorteilhafterweise sind Leitungen als Widerstandsleitungen ausgebildet, welche zwischen bestimmten ohmschen Kontakten angeordnet sind.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand der Zeichnungen näher beschrieben.

F i g. 1 zeigt eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäß ausgebildete Halbleiterschaltungsanordnung mit Anschlüssen.

F i g. 2 ist ein Schnitt nach der Linie 2-2 der F i g. ί.

Fig. 3 zeigt das Schaltbild der Halbleiterschaltungsanordnung nach den Fig. 1 und 2, wobei zusätzlich äußere Schaltungselemente gestrichelt angedeutet sind.

Ein Einkristallkörper 11 aus Silizium, der aus p-Material besteht, hat eine feinbearbeitete Oberfläche 12, die entsprechend den bekannten Transistorherstellungsverfahren ausgebildet ist. Die andere Seite des Körpers 11 ist mit einem Metallbelag 13 versehen, welcher als elektrischer Kontakt zu dem p-Bereich und gleichzeitig als gemeinsamer Anschluß für die elektrische Schaltung dient. In diesem Siliziumkörper können verschiedene Schaltungselemente ausgebildet sein. Es werden n- und p-Dotierungen, die durch die vorgeschlagene DT-Gbm 1197 548 Abdeckungs- und Markierungstechnik auf bestimmte Bereiche beschränkt sind, durch die Fläche 12 eindiffundiert, so daß eine Anzahl von n- und p-Störstellenhalbleiter-Bereichen ausgebildet werden, welche von dem darunterliegenden p-Bereich und untereinander durch eine Anzahl schalenförmigei pn-Schichten verschiedener Durchmesser und Tiefen getrennt sind; die Schichten besitzen bei dem vorliegenden Beispiel durchweg kreisförmige Ränder, die sich bis zur Oberfläche 12 erstrecken und die über ihnen liegenden Halbleiterbereiche umgeben.

Auf der linken Seite der in den Fig I und 2 dargestellten Anordnung befindet sich ein n-Bereich, welcher über einem kleinen p-Bereich liegt und von diesem durch einen schalenförmigen Übergang 14 getrennt ist. Der kleine p-Bereich ist über einem

^d⁰ m ist Tr !^Ä^ffE^liS cheT mit der Fläche 12 zwischen den übergängen 21 zeSrangeordnet. Der elektrische Kontakt zu den und 22 verbunden ist und den kreisförmigen Rand Sen Berdchen Aschen den übergängen 14 und 15 des Kollektorüberganges 21 umgibt, welcher b» zu 15 ist durch einen C-förmigen Metallkontakt 17 her- der Oberflache hochgezogen ist teste It welcher mit der Fläche 12 verbunden ist und Ferner ,st noch em weiterer Kontakt auf der Ober-

vol ständig zwischen den Rändern der Übergänge 14 fläche 12 vorgesehen und mit ihr verbunden. Er ist uÄ 1 fgt 3 zwar konzentrisch zu Kontakt 16, als scheibenförmiger Metallkontakt 26 ausgebildet, wobei ed?; Rand des Überganges 14, der sich bis _M welcher unm ttelbar auf der geerdeten p-Sch.cht hegt T der Fläche 12 erstreckt, im wesentlichen kreis- und mit ihr m elektrischer Verbindung steht, so,daß f rrnie umgibt ^{er einen} g^eerdeten Anschluß auf der oberen Hache

Weiter rechts in der in den Fig. 1 und 2 darge- der zusammengesetzten Anordnung bildet, stellten Anordnung befindet sich ein anderer η-Be- Außer bei den erwähnten Kontakten ist die gereich welcher von dem darunterliegenden geerdeten »5 samte Oberfläche 12 mit Isolierschicht 27 aus oxyn-Bereich durch einen schalenförmigen Übergang 18 dienern Silizium versehen, die im allgemeinen eine getrennt ist Die elektrische Verbindung zu dem Stärke von ungefähr 1 Mikrometer hat. Diese Isoliern-Bereich ist durch einen scheibenförmigen Metall- schicht kann auf der frei liegenden Oberflache des kontakt 19 hergestellt, welcher mit der Fläche 12 Siliziums während der Eindiffundierung der n- und verbunden isf er ist im wesentlichen zentrisch inner- 30 p-Dotiemngen in das Silizium ausgebildet werden. halb des Randes des Überganges 18 angeordnet, die bei erhöhten Temperaturen und in oxydierender welcher bis zu der Oberfläche des Halbleiters reicht. Atmosphäre vorgenommen wird. Die Anwesenheit Auf der rechten Seite der in den F i g. 1 und 2 dar- von Wasserdampf verstärkt die Oxydierung des SiIieestellten Anordnung befindet sich ein kleiner η-Be- ziums. In Anwendung der Erfindung wird vorzugsreich welcher auf einem p-Bereich liegt und von 35 weise im Gegensatz zu der bisherigen Praxis die diesem durch einen schaienförmigen Übergang 20 Oxydschicht nach Abschluß der Diffusion nicht von getrennt ist. Der erwähnte p-Bereich liegt seinerseits dem Silizium entfernt, außer an denjenigen Stellen. auf einem größeren η-Bereich und ist von diesem die durch die erwähnten Kontakte zu bedecken sind. durch einen schalenförmigen Übergang 21 getrennt. Die Kontaktbereiche werden durch Fotogravicrung Der η-Bereich unterhalb des Überganges 21 liegt 4° freigelegt, und anschließend kann das Kontaktmetall schließlich über dem geerdeten p-Bereich und ist von durch verschiedene bekannte Verfahren aufgebracht diesem durch einen schalenförmigen Übergang 22 werden, z. B. durch Vakuumauftrag eines Alumigetrennt In diesem Fall ist die Stärke des p-Bereiches niumfilms, der sowohl die freigelegten als auch die zwischen den Übergängen 20 und 21 geringer als eine mit Oxyd versehenen Flächen bedeckt. Anschließend Diffusionslänge, so daß ein beträchtlicher Anteil der 45 können unerwünschte Metallauftragungen von den Elektronen, die durch den Übergang 20 hindurch- mit dem Oxyd bedeckten Flächen durch Fotografiewandern, von dem Übergang 21 aufgenommen wer- rung entfernt werden. Die Aluminiumkontakte könden. Es ergibt sich also ein npn-Flächentransistor, nen mit dem Silizium durch Legierung verbunder bei dem der kleine η-Bereich oberhalb des Über- werden, um in bekannter Weise ohmsche Kontak« ganges 20 als Emitter wirkt, der p-Bereich zwischen 50 zu bilden.

den Übergängen 20 und 21 als Basis, und der η-Be- Die Herstellung der Halbleiterschaltungsanordnunj

reich zwischen den übergängen 21 und 22 als KoI- wird durch Aufbringen von Metallstreifen abge

lektor. Die Stärke des letztgenannten η-Bereiches ist schlossen, welche sich über der isolierenden Oxyd

größer als eine Diffusionslänge, so daß nur erne schicht 27 befinden und mit ihr verbunden sind. un<

geringe gegenseitige Beeinflussung zwischen den 55 es werden elektrische Verbindungen zu den und zwi

Übergängen 21 und 22 auftritt. Wie nachfolgend sehen den verschiedenen erwähnten Kontakten her

noch näher erläutert wird, erhält der Übergang 22 gestellt. Diese Metallstreifen können durch Vakuum normalerweise eine Gegenvorspannung und arbeitet aufdampfen und Auftragung hergestelU werden, um

weitgehend als Kapazität in der Gesamtschaltung. Sie sie können vorzugsweise Teile des aufgetragene!

erfüllt die wesentliche Funktion der Isolierung des 60 Films sein, aus dem die Kontakte hergestellt werder

Kollektors des Transistors gegenüber dem geerdeten Die Verbindungslerrungen, die aus Teilen der auf di

darunterliegenden p-Bereich. Oxydschicht aufgetragenen Schicht bestehen, sind at

Die elektrischen Verbindungen zu den drei aktiven diese Weise gegenüber dem Halbleiterkörper isolier

Berdchen des beschriebenen Transistors sind in fol- Wie bereits erwähnt, kann unerwünschtes Meta

gender Weise hergestellt: Ein scheibenförmiger Me- 65 durch Fotogravierung entfernt werden, so daß nur di

tailkontakt 23 ist mit der Fläche 12 verbunden und Verbindungsleitungen und Kontakte erhalten bleibe!

liegt vollständig innerhalb des Randes des Über- Bei der dargestellten Anordnung ist eine Eingang

ranees 20; er steht mit der Emitterschicht des Tran- leitung 28 mit Kontakt 17 elektrisch verbunden, un

eine Ausgangsleitung 29 ist mit Kontakt 25 verbun- rung der Fläche des Überganges 18 nach Belieben erden. Eine Verbindungsleitung 30 verbindet die Kon- höht oder herabgesetzt werden,
takte 16 und 19; falls erforderlich, kann die Verbin- Die Verbindungsleitung 31 hat einen verhältnisdungsleitung 30 so dünn und schmal ausgebildet mäßig hohen Widerstand und ist daher entsprechend werden, daß sie einen beträchtlichen ohmschen 5 ihrer Funktion als Widerstand in dem Stromkreis in Widerstand erhält und in der Schaltungsanordnung F i g. 3 als Widerstand 31' dargestellt. Diese Leitung ein Widerstandselement darstellt. Eine entsprechende führt zu dem Basiskontakt 24 des Transistors, der in Verbindungsleitung 31 verbindet die Kontakte 19 F i g. 3 unter dem Bezugszeichen 24' dargestellt ist. und 24, und eine weitere Verbindungsleitung 32, die Der Emitterkontakt 23 des Transistors ist über eine ebenfalls so ausgebildet sein kann, daß sie erforder- io Leitung 32 und Kontakt 26 mit dem geerdeten p-Belichenfalls einen erheblichen ohmschen Widerstand reich des Halbleiters verbunden. In F i g. 3 ist demdarstellt, verbindet die Kontakte 23 und 26. entsprechend die Emitterklemme 23' über Widerstand

Die voll ausgezeichneten Linien in Fig. 3 zeigen 32' mit der Erdleitung 13' verbunden. Der Wert des das vereinfachte Ersatzschaltbild für die in den Widerstandes 32' ist gebildet durch die Summe der Fig. 1 und 2 dargestellte Anordnung, während die 15 Widerstände der Kontakte 23 und 26. der Leitung 32 gestrichelten Linien typische äußere Schallelemente und der Stromverbindung durch die p-Schicht zwidarstellen, die zur Vervollständigung der Beschrei- sehen dem Kontakt 26 und der Grundfläche 13.
bung hinzugefügt sind. Die durch voll ausgezeichnete Im Normalbetrieb des npn-Transistors ist es erfor-Linien dargestellten Teile in Fig. 3 sind mit den derlich, daß der η-Kollektor mit einer verhältnisgleichen Bezugszeichen bezeichnet wie die entspre- 20 mäßig positiven Spannung gespeist wird, und dies ist chenden Teile in der Anordnung nach den F i g. 1 im Ersatzschaltbild der F i g. 3 dadurch angedeutet, und 2, wobei die Bezugszeichen in F i g. 3 mit einem daß eine äußere Spannungsquelle 36 mit der Kollekhochgestellten Strich versehen sind. torklemme 25' über einen geeigneten Belastungs-

Die in F i g. 3 dargestellte Anordnung enthält eine widerstand 35 verbunden ist. Diese Spannungsquelle beliebige Wechselstromquelle 34, die ein amplituden- 25 legt eine Gegenvorspannung an den Übergang 22, so moduliertes Wechselstromsignal liefert. Das Wechsel- daß der Übergang 22 aus den bereits erwähnten Stromsignal wird an Eingangsleitung 28' und Erd- Gründen im wesentlichen als Kapazität wirkt, die als leitung 13' angelegt, entsprechend der Eingangs- Kapazität 22' des in Fig. 3 dargestellten Ersatzleitung 28 und der Grundfläche 13 der in den F i g. 1 Schaltbildes gezeichnet ist.

und 2 räumlich dargestellten Anordnung. Über Lei- 30 Es zeigt sich also, daß die in den Fig. 1 und 2 dartung 28 gelangt das Signal durch den Kontakt 17 in gestellte Anordnung in einer einzigen, in sich gedie beiden Schichten zwischen den Übergängen 14 schlossenen, kräftigen und widerstandsfähigen An- und 15. Wie bereits erwähnt, erfüllt jeder der Über- Ordnung Detektor-, Filter- und Transistorverstärkergänge 14 und 15 im wesentlichen die Funktion eines stufen aufweist. Die Erfindung ermöglicht die Ausbil-Kristalldiodengleichrichters, wie sie unter den Be- 35 dung einer unbegrenzten Zahl von Schaltkombinatiozugszeichen 14' und 15' in F i g. 3 schematisch dar- nen, und zwar auch erheblich umfangreicherer und gestellt sind. komplizierterer Kombinationen, als bei der ei.-iachen

Wie aus dem Ersatzschaltbild weiter hervorgeht, Schaltung, die zum Zweck der Erläuterung in der

wird das Eingangssignal durch die Übergänge 14 und Zeichnung dargestellt ist; alle diese Kombinationen

15 gleichgerichtet (Detektorwirkung), so daß man am 4° können in einem kräftigen, kompakten, widerstands-

Kontakt 16 ein Signal erhält, das im wesentlichen der fähigen und integrierten Grundkörper angeordnet

Modulationshüllkurve des Eingangssignals entspricht. werden.

Wegen ihres hohen Widerstandes wirkt die Verbin- Bei Anwendung der Erfindung können die Verbindungsleitung 30 in dem Stromkreis als Widerstand, düngen zur gleichen Zeit und in der gleichen Art wie der in Fig. 3 als Widerstand 30' schematisch darge- 45 die Kontakte selbst aufgebracht werden. Ein besonstellt ist. Es sei dabei erwähnt, daß die Polarität der derer Vorteil ist ferner, daß die Verbindungen an Gleichrichterschichten 14 und 15 so beschaffen ist, denjenigen Stellen, an denen Drähte oder andere daß das dem Kontakt 19 zugeführte Signal eine äußere Schaltungselemente anzubringen sind, so groß Gleichstromkomponente mit einer solchen PoIa- ausgebildet werden können, wie es erforderlich ist: rität hat, daß eine Gegenvorspannung bei dem Über- 50 auch können diese äußeren Anschlüsse in einer solgang 18 auftritt. Die Spannung über dem Übergang chen Entfernung von den Schaltungselementen ange-18 ist daher stets so gerichtet, daß sie in der Richtung ordnet werden, daß die Möglichkeit einer Beschädides höheren Widerstandes des Überganges liegt und gung dieser Schaltungselemente erheblich herabkein nennenswerter Strom durch diesen Übergang gesetzt ist.

fließt. Es liegen jedoch Ladungsschichten auf beiden 55 Die Erfindung ist nicht auf das dargestellte und be

Seiten des Überganges, welche in bekannter Weise schriebene Ausführungsbeispiel beschränkt, sonderr

eine Kapazität bilden, so daß der Übergang 18 inner- es können im Rahmen fachmännischen Handelns, ins

halb des Stromkreises entsprechend der Darstellung besondere im Hinblick auf die Schaltung und di<

der F i g. 3 als Kapazität 18' wirkt. Der Wert dieser räumliche Ausbildung der Halbleiteranordnung, ge

Kapazität kann durch Vergrößerung oder Verkleine- 60 eignete Abänderungen vorgenommen werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Il 97 Patentansprüche:

1. Halbleiterschaltungsanordnung, welche in einem einkristallinen Silizium-Halbleiterkörper vom p-Typ wenigstens zwei Halbleiterschaltungselemente mit pn-Übergängen aufweist, deren Randzonen an ein und derselben Seite der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegen, und bei der die p- und η-Gebiete wenigstens zweier Schaltungselemente durch Leitungen verbunden sind, welche mit ihren Enden an ohmsche Kontakte bestimmter p- und η-Gebiete angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet,

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d) daß die Leitungen auf der Schicht aus dem Oxyd des Halbleitermaterials angeordnet sind und an ihm haften,

e) und daß die andere Oberflächenseite des Halbleiterkörpers, an der keine Randzonen der pn-Übergänge liegen, mit einer Metallschicht bedeckt ist, die als ein gemeinsamer Anschluß für die Schaltungsanordnung dient.