DE1147273B - Schaltungsanordnung fuer eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-Vermittlungseinrichtung - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-Vermittlungseinrichtung

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DE1147273B
DE1147273B DEJ19638A DEJ0019638A DE1147273B DE 1147273 B DE1147273 B DE 1147273B DE J19638 A DEJ19638 A DE J19638A DE J0019638 A DEJ0019638 A DE J0019638A DE 1147273 B DE1147273 B DE 1147273B
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-Vermittlungseinrichtung.
Den bekannten herkömmlichen Ausführungsformen von Fernsprechselbstanschlußanlagen, die unter Verwendung von elektromechanischen Schaltrnitteln aufgebaut sind, sind hinsichtlich der Schaltgeschwindigkeit und ihrer Weiterentwicklung durch die den bewegten Teilen innewohnende Trägheit und ihr Ge>wicht unübersteigbare Grenzen gesetzt. Man versuchte, diese durch Anwendung elektronischer Schaltmittel zu überschreiten. Hierzu sind aber sehr verwickelte und aufwendige Schaltungsanordnungen für die Steuerung der Auswahl- und Steuerwege und~der Überwachungsmittel für die elektronischen Durchschaltestellen notwendig. Daher kommen elektronische Vermittlungseinrichtungen zu teuer, und sie sind daher zu einer erfolgreichen Konkurrenz mit den bisher bekannten elektromechanischen Einrichtungen in wirtschaftlicher Hinsicht ungeeignet.
Es sind elektronische Vermittlungseinrichtungen bekannt, in denen aus elektronischen Durchschaltemitteln in Matrixanordnung aufgebaute Durchschaltenetzwerke Verwendung finden, in denen das Prinzip der Endmarkierung angewandt wird, d. h., der Aufbau von Verbindungswegen erfolgt in dem Durchschaltenetzwerk in einem vom Zufall bestimmten Suchvorgang von einem markierten Anfangs-zu einem markierten Endpunkt; von allen gleichzeitig im Aufbau begriffenen möglichen Verbindungswegen in dem Durchschaltenetzwerk bleibt nur der als erster vollständig zustande gekommene Verbindungsweg durch den über ihn fließenden Strom bestehen; alle anderen im Aufbau begriffenen Verbindungswege, die zu keiner vollständigen Verbindung geführt haben, werden selbsttätig wieder ausgelöst.
Es ist ferner bekannt, in derartigen Durchschaltenetzwerken Vierschichtdioden als Durchschaltemittel an den Kreuzungsstellen der Matrix anzuordnen. Auch die Erfindung benutzt ein Durchschaltenetzwerk mit Vierschichtdioden als Durchschaltemittel, die durch einen möglichst geringen Aufwand an Steuermitteln durchgeschaltet werden, indem das Prinzip der Endmarkierung und freier Auswahl der durchzuschaltenden Kreuzungsstellen in einer gestuft angeordneten Durchschaltematrix angewandt wird.
Sie betrifft demnach eine Schaltungsanordnung für eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-Vermittlungseinrichtung mit einem in Matrixform ausgebildeten Durchschaltenetzwerk mit Abszissen- und Ordinatenleitungen, an deren Kreuzungsstellen elektronische Durchschaltemittel an-Schaltungsanordnung
für eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-
Vermittlungseinrichtung
Anmelder:
International Standard Electric Corporation, New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt, Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 23. März 1960 (Nr. 17 003)
Virgle E.Porter, Blue Island, Ul. (V.St.A.), ist als Erfinder genannt worden
geordnet sind, in der der Aufbau von Verbindungswegen über selbstsuchende Wege über in Zufallswahl durchgeschaltete Durchschaltestellen erfolgt und bei der der über einen als erster vollständig aufgebauten Verbindungsweg fließende Strom diesen Verbindungsweg aufrechterhält und alle anderen im Aufbau begriffenen Verbindungswege, die zu keiner vollständigen Verbindung geführt haben, wieder auslöst. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß als elektronische Durchschaltemittel an den Kreuzungsstellen der Abszissen- und der Ordinatenleitungen Vierschichtdioden angeordnet sind, daß teilnehmerindividuelle Schaltmittel vorgesehen sind, über die ein hohes Potential bestimmter Polarität an ein in dem Durchschaltenetzwerk angeordnetes Vielfach anschaltbar ist, das die Durchschaltung aller an dieses Vielfach angeschlossenen Vierschichtdioden bewirkt und danach über alle durchgeschalteten Vierschichtdioden an weitere das Durchschaltenetzwerk bildende Vielfache gelangt, und daß weitere Schaltmittel vorgesehen sind, die einem anderen Vielfach in dem Durchschaltenetzwerk eine Markierung durch ein entgegengesetztes Potential (Erdpotential) aufdrücken, wodurch ein Strom-
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fluß über bestimmte Vierschichtdioden zustande kommt, der über weitere Schaltmittel die Auslösung aller teilweise aufgebauten Verbindungswege bewirkt. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist in dem Durchschaltenetzwerk eine Mehrzahl von in Stufen angeordneten Matrizen angeordnet, deren jede aus zwei Vielfachen besteht, die Kreuzungsstellen bilden, ferner Schaltmittel zur Identifizierung eines ersten Vielfachs der Vielfachpaare in jeder Matrix durch
Schaltzeichen dargestellt. Im durchgeschalteten Zustand der pnpn-Diode ist die Durchlaßrichtung im Gegensinne zum Bewegungssinn der Elektronen, also die Flußrichtung der Träger positiver Ladungen durch 5 den Pfeil angedeutet.
Fig. 3 zeigt die Kennlinie einer Vierschichtdiode. Im sperrenden Zustand derselben ist die Zone b in Fig. 1 im Gegensinne vorgespannt; ihr Verhalten entspricht dem einer im Gegensinne vorgespannten
eine demselben individuell zugeteilte Zeitlage in einem io Diode nach Fig. 4, es fließt also nur ein sehr kleiner ständig wiederholbaren Zeitlagenzyklus und Schalt- Sperrstrom. Bei Vergrößerung der Vorspannung mittel zur gleichzeitigen Markierung von Vielfachen ändert sich die Stromstärke nur sehr wenig, wie aus in der ersten und in der letzten von den in Stufen dem Verlauf der Kennlinie in dem in Fig. 3 mit I angeordneten Matrizen innerhalb der das markierte bezeichneten Bereich hervorgeht. Wenn die anlie-Vielfach kennzeichnenden Zeitlage, die den Aufbau 15 gende Vorspannung den Wert el erreicht, dann beeines Verbindungsweges zwischen den markierten ginnt ein Stromfluß gemäß dem Bereich II der Kenn-Vielfachen über in Zufallswahl ausgewählte freie linie in Fig. 3 einzusetzen, und die Kennlinie der Durchschaltestellen bewirken, sowie weitere Schalt- Diode zeigt den Verlauf der Kenminie des negativen mittel, die in Abhängigkeit von der Vervollständigung Widerstandes einer Batterie nach Fig. 5. Der genaue des Aufbaues des Verbindungsweges alle nach Zufall 20 Wert el hängt von der Kurvenform derDurchschaltebelegten Durchschaltestellen auslösen, die dem Ver- spannung in Abhängigkeit von der Zeit ab. Steigt die bindungsweg nicht angehören. Spannung nur langsam an, dann wird die Diode bei
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß einem viel höheren Spitzenspannungswert durchgedas an das Vielfach im Durchschaltenetzwerk an- schaltet, als wenn der zeitliche Spannungsanstieg rasch schaltbare hohe Markierpotential einen relativ lang- 25 erfolgt. Demgemäß weist der Widerstandsverlauf der samen zeitlichen Anstieg aufweist, daß hingegen das Diode im Bereich II sehr niedrige Widerstandswerte
auf, und der an den beiden Außenschichten· auftretende Spannungsfall sinkt auf einen Wert el ab, wobei die beiden Zwischenschichten der Diode von 30 Ladungsträgern überflutet werden und die Schicht b in Fig. 1 tatsächlich verschwindet. Als Endergebnis bestehen zwei im Durchflußsinne vorgespannte Schichten« und c, und die im Gegensinne vorgespannte Schicht b ist verschwunden; die Vierschicht-Ladung nach dem Durchschalten der Vierschicht- 35 diode wirkt wie eine im Durchlaßsinne vorgespannte dioden im vorgeordneten Vielfach einen steilen zeit- Diode nach Fig. 6. Solange der Haltestrom fließt, der liehen Anstieg des Markierimpulses für das nachge- in Fig. 3 durch den Haltepunkt HP auf der Kennlinie ordnete Vielfach bewirkt. angegeben ist, weist die Vierschichtdiode einen ex-
Im folgenden wird die Funktion einer Fernsprech- trem niedrigen Widerstandswert auf; sinkt der Strom-Vermittlungseinrichtung als Anwendungsbeispiel der 40 stärkewert jedoch unter den durch den Haltepunkt Erfindung beschrieben, auf das diese jedoch nicht HP bestimmten Wert, dann wird die Diode in den beschränkt ist. Das beschriebene Funktionsprinzip ist
beispielsweise auch bei Rechenanlagen anwendbar.
Die in der Zeichnung nach Fig. 7 als Rechtecke
angedeuteten Schaltelemente sind sinngemäß je nach 45
der erforderlichen Funktion zu deuten, beispielsweise
als Zuteiler, die eine freie Einrichtung suchen und
eine solche auswählen, die den nächsten Anruf bedient, oder Register, die zur Speicherung von in
digitaler Form vorliegender Information dienen. Es 50 liegen eines genügend hohen Potentialunterschiedes können auch andere äquivalente Schaltelemente als zwischen den Abszissen- und Ordinatenleituingen der Beispiele herangezogen werden. Matrix in den leitenden Zustand versetzt wird und
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der dadurch die beiden Koordinatenleitungen miteinander Erfindung an Hand der Zeichnungen beschrieben: In verbindet, beim Absinken des Potentialunterschiedes den Fig. 1 bis 6 sind Erläuterungen zu der an den 55 unter den Haltewert jedoch in den Sperrzustand zu-Kreuzungsstellen des Durchschaltenetzwerkes ange- rückversetzt wird und die beiden Koordinatenleitunordneten pnpn-Diode gegeben. In Fig. 7 ist eine gen dadurch wieder voneinander trennt. Schaltungsanordnung für eine Fernsprech-Vermitt- Eine Mehrzahl von in Stufen angeordneten Malungseinrichtung nach der Erfindung gezeigt. trizen ist so angeordnet, daß sie ein vielstufiges Durch-
Die als Durchschaltemittel verwendete pnpn-Diode 60 schaltenetzwerk bilden, in dem eine Primärmatrix, ist in der USA.-Patentschrift 2 855 524 vom 7.10. Zwischenmatrizen 250 und 260, eine sekundäre Ein-1958 beschrieben. Wie in Fig. 1 dargestellt, ist ein gangs- oder Suchermatrix 280 und eine sekundäre pnpn-Halbleiter, auch als Vierschichtdiode bezeichnet,. Ausgangs- oder Verbindermatrix vorgesehen sind, die ein Transistor mit abwechselnd positiven und nega- durch eine gemeinsame Verbindungseinrichtung 290 tiven Abschnitten, mit zwei Innenschichten, die zwi- 65 miteinander gekoppelt sind. Die Ausdrücke »Einschen den beiden Außenschichten gelegen sind, an gang« und »Ausgang« beziehen sich auf die Richtung denen Anschlußklemmen angebracht sind. In Fig. 2 des Durchganges des Verbindungsaufbaues in der ist das für eine solche Vierschichtdiode verwendete Verbindungseinrichtung 290, nicht jedoch auf den
nach Durchschaltung der an dieses Vielfach angeschlossenen Vierschichtdioden an die Leitungen des nachgeordneten Vielfachs gelangende Markierpotential einen sehr raschen zeitlichen Anstieg aufweist.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung sind an die Leitungen der nachgeordneten Vielfache im Durchschaltenetzwerk Kondensatoren von derart bemessenem Kapazitätswert angeschlossen, daß ihre
Sperrzustand zurückversetzt, die Schicht b wird wirksam, und die Vierschichtdiode ist wieder im Sperrsinne vorgespannt.
Jede Matrix nach Fig. 7 besteht aus einander kreuzenden Vielfachleitungen 233, 242 und 234, 235, die eine Mehrzahl von Kreuzungsstellen bilden. An jeder derselben ist eine Vierschichtdiode 231, 240, 232, 241 als Halbleiterschaltelement angeordnet, das bei An-
Verbindungsaufbau in den stufenweise angeordneten Matrizen. Irgendeine geeignete, nicht weiter dargestellte Einrichtung kann mit den gemeinsamen Verbindungseinrichtungen verbunden sein, die zur völligen Erfüllung der verschiedenen im Fernsprechverkehr vorkommenden Forderungen dienen kann, beispielsweise eine Einrichtung für Konferenzschaltung, Sprechzeitbegrenzung usw.
Wenn ein Anruf getätigt wird, wird die mit der
tung an. In Abhängigkeit von dem gleichzeitigen Auftreten eines Belegungssignals und der dem Teilnehmeranschluß A zugeordneten Zeitlage in der Teilnehmeranschlußschaltung 211 wird ein Potential von 5 verhältnismäßig hohem Wert durch das »UND«- Gatter213 an die Leitung Pl und dadurch auch an die mit dieser verbundene Abszissenleitung 233 in der Primärmatrix 230 angelegt. Der angelegte Spannungsimpuls soll einen langsamen Anstieg mit der Zeit
zeichnende Potentialdifferenz, so daß an anderen Kreuzungsstellen an die markierten Ordinatenleitungen angeschlossene Vierschichtdioden zu diesem Zeitpunkt nicht durchgeschaltet werden können.
Dieser Schaltvorgang wiederholt sich in jeder Matrix; auf diese Art erstrecken sich mehrere selbstsuchende Verbindungen durch die Matrizen in völlig vom Zufall bestimmter Weise über alle freien Wege
Leitung 210 des rufenden Teilnehmers A verbundene io aufweisen, damit die Dioden in der Primärmatrix 230 Abszissenleitung 233 durch ein Potential von ge- erst bei Erreichen eines relativ hohen Potentials durchnügend großem Wert markiert, um wenigstens eine schalten. Alle in den anderen Matrizen angeordneten von den Vierschichtdioden 231, 232,..., die mit der Dioden werden durch Anlegen einer Spannung mit Leitung 233 verbunden sind, durchzuschalten, wenn steilem Anstieg mit der Zeit durchgeschaltet, die die zugeordnete Ordinatenleitung frei ist, d. h. über 15 durch Kondensatorladungen verschiedener Kondeneinen der Widerstände 244, 246, ... an Erdpotential satoren erzeugt werden, beispielsweise 243, wodurch liegt. Der Widerstand der durchgeschalteten Dioden erreicht ist, daß diese Dioden schon bei einem relativ wird nahezu gleich Null, und das Markier- niedrigen Spannungswert durchgeschaltet werden, potential gelangt über die markierten Kreuzungs- Neben anderen Vorteilen ist damit erreicht, daß Distellen an die Ordinatenleitungen 234, 235,... und 20 öden mit in weiteren Grenzen auseinanderliegenden über die Abszissenvielfachleitungen 251, 261 in die Kippspannungswerten verwendet werden können und nächste Schaltstufe. Da das Markierpotential auch auf daß sichergestellt ist, daß der Durchschaltevorgang den Ordinatenleitungen auftritt und dadurch das vor- vollendet ist, bevor die Dioden in der Primärmatrix her anliegende Erdpotential verdrängt, besteht zwi- infolge Absinkens der Stromstärke in den Sperrschen den markierten Ordinatenleitungen und anderen 25 zustand übergehen. Mit einer Anordnung von· dieser zwischenliegenden Abszissenleitungen keine kenn- Art konnten in einer Versuchsausführung bis zu elf
verschiedene Schaltstufen in Kaskadenschaltung betrieben werden, um ein Durchschaltenetzwerk für 10 000 Teilnehmeranschlüsse vorzusehen. Dies ist zur 30 Zeit die Anlage mit der höchsten Anschlußkapazität. Belegte Ordinatenleitungen in der Matrix 230 sind durch über eine Vierschichtdiode in leitendem Zustand anliegendes negatives Potential gekennzeichnet. Daher ist der zwischen dem Potential an der Leitung
auf der Suche nach einem Vierfach 282, das durch 35 Pl und dem an einer besetzten Ordinatenleitung aneine Zuteileinrichtung 295 selektiv über einen Kontakt liegenden Potential bestehende Potentialunterschied 297 markiert wird. Im wesentlichen fließt der Mar- njcht ausreichend, um die an der zugeordneten Kreukierstrom über die erste von der Abszissenleitung 233 zungsstelle vorgesehene Vierschichtdiode durchzuzur markierten Ordinatenleitung 282 hergestellte Ver- schalten. Anderseits liegt an jeder freien Ordinatenbindung, und es fließt fast kein Strom durch die 40 leitung Erdpotential an, beispielsweise vom Punkt 247 Dioden in allen den anderen, ebenfalls zum markierten her. Daher übersteigt der Wert des Potentialunter-Vielfach 282 führenden Wegen, die sich mit dem schiedes zwischen den an der Leitung Pl und an erstgenannten in Wettbewerb befinden. Wenn die jeder freien Ordinatenleitung anliegenden Potentialen Stromstärke in den Dioden der im Wettbewerb be- den Spannungswert el für eine Spannungskurve mit findlichen Wege unter den durch den Haltepunkt be- 45 langsamem Spannungsantrag nach Fig. 3, und der anstimmten Wert fällt, dann werden diese Dioden in geschlossene Durchschaltepunkt wird leitend,
den sperrenden Zustand versetzt. Wenngleich diese Es wird nun angenommen, daß die beiden Ordi-
Wege nicht vorbezeichnet zu werden brauchen und natenleitungen 234 und 235 frei sind, wenn an der Steuereinrichtungen hierzu nicht nötig sind, so ist es Leitung Pl das hohe negative Potential auftritt. Dadoch wünschenswert, daß für einen jeden Weg die- 50 her werden die beiden Dioden 231 und 232 leitend, selbe Anzahl von Kreuzungsstellen vorgesehen ist, so der zwischen ihren Klemmen bestehende Spannungsdaß der interne Blockierungsfaktor für alle möglichen fall bricht zusammen, und das an der Leitung Pl Wege durch die stufig angeordneten Matrizen den- anliegende Potential erscheint in voller Höhe an den selben Wert aufweist. Ordinatenleitungen 234 und 235 der Primärmatrix
Hebt ein Teilnehmer A ab, so sendet er dadurch 55 230 und an den Abszissenleitungen 251 und 261 der in nicht näher gezeigter Weise ein Signal über die Zwischenmatrizen 250 und 260. Dadurch sind die Leitung 210 aus, beispielsweise ein aus zwei tonfre- Ordinatenleitungen 234 und 235 für alle etwa anquenten Wechselspannungen bestehendes Belegungs- stehenden Anrufe als »besetzt« gekennzeichnet. Nachsignal. In der Teilnehmeranschlußschaltung 211 wird dem die Vierschichtdioden 231 und 232 leitend gedas Belegungssignal durch eine entsprechend einge- 60 worden sind, beginnt die Ladung der Kondensatoren richtete Signalempfangseinrichtung 212 empfangen 243 und 245; durch diesen Stromnuß werden die im und ausgewertet. leitenden Zustand befindlichen Dioden in diesem Zu-
Jede Teilnehmerleitung wird individuell durch eine stand gehalten.
Zeitlage in einem in zeitlicher x\ufeinanderfolge ab- Es sei ferner angenommen, daß alle Ordinaten-
laufenden Zeitlagenzyklus identifiziert. Eine Abtast- 65 leitungen 253,255,263,265 in den Zwischenmatrizen einrichtung 200 legt Abtastimpulse an die Abtast- frei sind; dann wird das an der Leitung 251 anlieleitungen 201, 202,. . . der Teilnehmeranschlußschal- gende Potential die Dioden 252 und 254 beim Antung und an die Leitung 203 zur Verbindungseinrich- stieg der Ladung des Kondensators 243 und das an
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der Leitung 261 anliegende Potential die Dioden 262 bricht die Spannung an den Klemmen der Vierschicht- und 264 beim Anstieg der Ladung des Kondensators diode 283 zusammen, und sie kann nicht mehr lei-245 durchschalten. Die vier Kondensatoren 257, 259, tend werden. Es fließt dann ein Strom über den Weg 267, 269 werden geladen, sobald die mit ihnen ver- von der Leitung Pl über die Leitung 233, Diode 232, bundenen Vierschichtdioden leitend werden; wie oben 5 Leitungen 235, 261, Diode 262, Leitungen 263, 270, beschrieben, werden die durchgeschalteten Dioden Diode 281, Leitung 282, Kontakt 297 im Zuteiler 295 durch den Fluß dieses Ladestromes in dem leitenden zur Erde. Nach einer gewissen Zeitspanne sind die Zustand gehalten. Die Ladungen der Kondensatoren Kondensatoren 243, 257, 259, 269 über die anderen 243, 257, 259 und die der Kondensatoren 245, 267, am Wettbewerb beteiligten Wege durch die Matrizen 269 kommen einander gleich. Daher ist die zur Er- 10 so weit aufgeladen, daß der durch die Dioden 231, reichung des Kippotentials an den Dioden in den 252, 254, 264 fließende Ladestrom unter den durch Zwischenmatrizen notwendige Intensität des Stromes den Haltepunkt HP in Fig. 3 gekennzeichneten Wert in erster Linie durch den Ladungszustand der Kon- absinkt, wodurch die Dioden in den Sperrzustand densatoren 243,245 bestimmt. Durch die Dioden 231, versetzt werden.
232 fließt nur ein zusätzlicher Strom, der notwendig X5 Es sind ferner Mittel vorgesehen, um an Stelle des ist, um die Ladung der Kondensatoren entsprechend von der Teimehmeranschmßschaltung 211 an die Leider Quellenspannung an der Leitung Pl zu bewirken. tungPl angelegten relativ hohen Durchschaltepoten-In der erwähnten Versuchsausführung wurde fest- tials dann das über die Diode 215 anliegende vergestellt, daß die Stärke dieses zusätzlichen Stromes hältnismäßig niedrige, durch die Spannung der Sprechdie Intensität des durch die Dioden 231, 232 oder ao batterie bestimmte Potential zu setzen. Wenn die Zeitdurch andere nachfolgende Dioden unmittelbar nach lage, die dem Teilnehmeranschluß 210 zugeteilt ist, deren Durchschaltung fließenden Stromes niemals endet, dann hört das »UND«-Gatter 213 auf, leitead übersteigt, weil die nachfolgenden Dioden in zeit- zu sein, und das hohe negative, an die Leitung P anlicher Aufeinanderfolge durchgeschaltet werden. Da- gelegte Potential wird abgeschaltet. Dann wird dex mit sind alle Abszissenleitungen 270, 271, 272, 273 25 nach Zufall ausgewählte Weg, der als erster durch in den Sekundärmatrizen durch ein Potential von im die Matrizen durchgeschaltet wurde, durch einen wesentlichen voller Höhe des vom »UND«-Gatter 213 Stromkreis gehalten, der sich von der Spannungsan die Leitung Pl angelegten Potentials markiert. Da quelle von verhältnismäßig niedriger Spannung an der der Anstieg der Ladung der Kondensatoren etwa Diode 215, Wicklung II des Transformators 214, Leihundertmal so schnell erfolgt wie der Anstieg des 3o tungen233, 235, 261, 263, 270, 282, 290 a zur Erde Spannungsimpulses an der Leitung Pl, schalten die in der Verbindungseinrichtung 290 erstreckt, die je-Dioden in den nachfolgenden Matrizen in sehr schnei- doch nicht näher gezeigt ist. Diese Spannungsquelle ler Folge, bevor noch die Dioden 231 und 232 wegen kann auch als gemeinsame Energiequelle für die Ver-Absinkens der Stromstärke in den Sperrzustand ver- sorgung der Fernsprechanlage verwendet werden, setzt werden können. 35 Die Zuteileinrichtung 295 schaltet einen Schritt
Die Zuteileinrichtung 295 schließt in bekannter weiter und wählt eine weitere Verbindungseinrich-Weise einen der Kontakte 296, 297, 298, 299, um da- rung für die Bedienung des nächsten Anrufes aus, durch eine bestimmte Verbindungseinrichtung, bei- und eine weitere Verbindung kann während der Zeitspielsweise 290, für den nächsten Anruf vorzube- lage aufgebaut werden, die demjenigen Teilnehmerreiten. Es sei angenommen, daß der Kontakt 297 ge- 4o anschluß zugeteilt ist, von dem aus der nächste Anruf schlossen und daß die Kontakte 296, 298, 299 offen getätigt wird. Der Kontakt 297 kann vermittels einer sind. Da an der Ordinatenleitung 288 der Sekundär- Halteeinrichtung im Zuteiler 295 geschlossen gehalten matrix 285 kein Potential anliegt, kann der Anruf bleiben, um die Verbindung zu halten, oder die Halteüber die Abszissenleitungen 272 und 273 nicht hin- einrichtung kann durch die Verbindungseinrichtung ausgelangen; daher besteht zwischen den Klemmen 45 290 eingeschaltet werden.
der Vierschichtdioden 286 und 287 kein Potential- Der Wählton gelangt von den Steuergattern 292
unterschied. Anderseits gelangt das Erdpotential an zur Teilnehmerstelle A Diese sendet die Wählinfordie Ordinatenleitung 282, wenn der Kontakt 297 ge- mation mit Nummernschalter oder vermittels Tastschlossen ist, und zwischen den beiden Dioden 281 wahl durch die Tastwahleinrichtung 205 aus, die in und 283 besteht ein Potentialunterschied von solcher 50 dem Register 291 gespeichert wird, um die gerufene Höhe, daß er zum Durchschalten der Dioden aus- Teilnehmerstelle zu identifizieren. Die Abtasteinrichreicht. Es besteht daher ein Wettbewerb zwischen den tung 200 tastet die in dem Register 291 gespeicherte über die Abszissenleitungen 270 und 271 auf ge- Information ab und legt während der dem gerufenen bauten Wegen, doch ist es unmöglich, daß beide Anschluß zugeteilten Zeitlage dann ein Signal an die Dioden absolut genau gleichzeitig durchschalten. 55 Leitung 206, wenn diese frei ist. Ist sie jedoch be-Nunmehr wird angenommen, daß die Diode 281 zu- setzt, dann markiert die belegte Verbindungseinricherst leitend wird; dies bewirkt fast einen Kurzschluß tung die Leitung 249 während der der gerufenen zwischen der Abszissenleitung 270 und der Ordi- Stelle zugeordneten Zeitlage und sperrt dadurch das natenleitung 282. Daher erscheint das über das Gatter Gatter 248.
an der Leitung Pl anliegende hohe, negative 60 Es sei angenommen, daß die im Register 291 gePotential in voller Höhe auf der Ordinatenleitung 282. speicherte Information die Positionsnummer der ge-Es sind ferner Mittel zur Sperrung und Auslösung rufenen Teilnehmerstelle B ist; dann wird Markieraller mit im Wettbewerb befindlichen Wege durch die potential an die Leitungen 202 und 206 in der dem Matrizen vorgesehen, nachdem der erste Weg voll Teilnehmeranschluß B zugeteilten Zeitlage angelegt, aufgebaut ist. Wenn also die Diode 281 durchge- 65 Ist die Stelle B frei, dann überträgt das Belegungsschaltet ist und das Potential an der Ordinatenleitung Sperrgatter 248 das an der Leitung 206 erscheinende sich dem Wert des an der Abszissenleitung 271 Signal über das »ODER«-Gatter 223 an die eine Einanliegenden Potentials nähert oder ihn erreicht, dann gangsklemme des »UND«-Gatters 224. An diesem
tritt Koinzidenz der beiden Signale auf und das Gatter 224 wird leitend, wodurch ein extrem hohes negatives Potential an die Leitung P 2 angelegt wird, das über die Leitung 242 in das Vielfachfeld des Durchschaltenetzwerkes gelangt. Ferner wird in Abhängigkeit von dem durch das Belegungs-Sperrgatter 248 zugeführten Signal ein anderes Signal über die Leitung 249 a zur Zuteileinrichtung 295 übertragen, durch das die Betätigung des Kontaktes 296 bewirkt wird, während die mit allen anderen Verbindungseinrichtungen verbundenen Kontakte geöffnet sind.
Liegt das hohe negative Potential über das »UND«- Gatter224 an der Leitung P 2 an, dann erfolgt die Auswahl eines Verbindungsweges über die Vielfachleitungen 242 der Primärmatrix 230 durch die gestuft angeordneten Matrizen nach Fig. 7 im gegenseitigen Wettbewerb aller möglichen Verbindungswege zu der markierten Ordinatenleitung 288 in der Sekundärmatrix 285. Nach dem Ende der Zeitlage, die dem Teilnehmeranschluß 220 zugeteilt ist, legt die gemeinsame Verbindungseinrichtung 290 das Haltepotential für alle Verbindungen an, sendet das Rufsignal zur Teilnehmerstelle B und den Rufton zur Teilnehmerstelle A und schaltet den Verbindungsweg vermittels der Durchschalteinrichtung 293 in Abhängigkeit vom Meldekennzeichen in derselben durch, wodurch der Sprechweg geschlossen ist.
Die Auslöseeinrichtung 294 in der gemeinsamen Verbindungseinrichtung 290 arbeitet in Abhängigkeit vom Empfang eines Auslösetones in derselben, der beim Auflegen der Teilnehmer ausgesandt wird.

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Schaltungsanordnung für eine unter Verwendung elektronischer Schaltmittel aufgebaute Fernsprech-Vermittlungseinrichtung mit einem in Matrixform ausgebildeten Durchschaltenetzwerk mit Abszissen- und Ordinatenleitungen, an deren Kreuzungsstellen elektronische Durchschaltemittel angeordnet sind, in der der Aufbau von Verbindungswegen über selbstsuchende Wege über in Zufallswahl durchgeschaltete Durchschaltestellen erfolgt und bei der der über einen als erster vollständig aufgebauten Verbindungsweg fließende Strom diesen Verbindungsweg aufrechterhält und alle anderen im Aufbau begriffenen Verbindungswege, die zu keiner vollständigen Verbindung geführt haben, wieder auslöst, dadurch gekennzeich net, daß als elektronische Durchschaltemittel an den Kreuzungsstellen der Abszissen- und der Ordinatenleitungen Vierschichtdioden (231, 232, 240, 241, 252, 254, 263, 264) angeordnet sind, daß teilnehmerindividuelle Schaltmittel (213, 224) vorgesehen sind, über die ein hohes Potential (F 1, P 2) bestimmter Polarität an ein in dem Durch-Schaltenetzwerk angeordnetes Vielfach (233, 242) anschaltbar ist, das die Durchschaltung aller an dieses Vielfach angeschlossenen Vierschichtdioden (231, 232,..., 240, 241,.. .) bewirkt und danach über alle durchgeschalteten Vierschichtdioden an weitere das Durchschaltenetzwerk bildende Vielfache (251, 261, 253, 254, 263, 264) gelangt, und daß weitere Schaltmittel (296, 297, 298, 299) vorgesehen sind, die einem anderen Vielfach (288) in dem Durchschaltenetzwerk eine Markierung durch ein entgegengesetztes Potential (Erdpotential) aufdrücken, wodurch ein Stromfluß über bestimmte Vierschichtdioden (281, 283, 286, 287) zustande kommt, der über weitere Schaltmittel die Auslösung aller teilweise aufgebauten Verbindungswege bewirkt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Durchschaltenetzwerk mehrere in Stufen angeordnete Matrizen vorgesehen sind, deren jede aus zwei Vielfachen besteht, die Kreuzungsstellen bilden, ferner Schaltmittel zur Identifizierung eines ersten Vielfachs der Vielfachpaare in jeder Matrix durch eine demselben individuell zugeteilte Zeiüage in einem ständig wiederholbaren Zeitlagenzyklus und Schaltmittel zur gleichzeitigen Markierung von Vielfachen in der ersten und in der letzten von den in Stufen angeordneten Matrizen innerhalb der das markierte Vielfach kennzeichnenden Zeitlage, die den Aufbau eines Verbindungsweges zwischen den markierten Vielfachen über in Zufallswahl ausgewählte freie Durchschaltestellen bewirken, sowie weitere Schaltmittel, die in Abhängigkeit von der Vervollständigung des Aufbaues des Verbindungsweges alle nach Zufall belegten Durchschaltestellen auslösen, die dem Verbindungsweg nicht angehören.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das an das Vielfach (233, 242) im Durchschaltenetzwerk anschaltbare hohe Markierpotential (Pl, P 2) einen relativ langsamen zeitlichen Anstieg aufweist, daß hingegen das nach Durchschaltung der an dieses Vielfach angeschlossenen Vierschichtdioden (231, 232, 240, 241) an die Leitungen (234, 235) des nachgeordneten Vielfachs gelangende Markierpotential einen sehr raschen zeitlichen Anstieg aufweist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an die Leitungen (234, 235, 253, 255, 263, 265) der nachgeordneten Vielfache im Durchschaltenetzwerk Kondensatoren (243, 245, 257, 259, 267, 269) von derart bemessenem Kapazitätswert angeschlossen sind, daß ihre Ladung nach dem Durchschalten der Vierschichtdioden (231, 232, 240, 241, 252, 254, 262, 264) im vorgeordneten Vielfach einen steilen zeitlichen Anstieg des Markierimpulses für das nachgeordnete Vielfach (234, 235, 253, 255, 263, 265) bewirkt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 885 872, 887 219; deutsche Auslegeschrift Nr. 1 074 090.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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